智慧財產及商業法院行政-IPCA,107,行專訴,42,20190328,3

智慧財產法院行政判決
107 年度行專訴字第35、42號

原 告
即參加人 美商羅門哈斯電子材料CMP 控股公司
（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings,Inc.）


代 表 人 Blake T. Biederman

訴 訟
代 理 人 馮達發律師（兼送達代收人）
黃麗蓉律師
黃詩雅律師
輔 佐 人 黃慧軒
單寶荃
原 告
即參加人 美商奈平科技股份有限公司
（NexPlanar Corporation）



代 表 人 凱羅 柏斯登（H. Carol Bernstein）
訴 訟
代 理 人 陳群顯律師
陳翠華專利師
黃琮益專利師
被 告 經濟部智慧財產局


代 表 人 洪淑敏
訴訟代理人 徐七冠
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告即參加人美商羅門哈斯

電子材料CMP 控股公司不服經濟部中華民國107 年3 月15日經訴
字第10706301070 號訴願決定；
原告即參加人美商奈平科技股份有限公司不服經濟部中華民國107 年3 月26日經訴字第10706300550 號訴願決定，均提起行政訴訟。
本院依法合併辯論，並合併判決如下：

主 文
原告之訴均駁回。
訴訟費用均由原告負擔。

事實及理由
壹、程序事項
一、按分別提起之數宗訴訟係基於同一或同種類之事實上或法律上之原因者，行政法院得命合併辯論；
命合併辯論之數宗訴訟，得合併裁判之，行政訴訟法第127條定有明文。
查本院107 年度行專訴字第35號事件（下稱第35號事件），原告為美商羅門哈斯電子材料CMP 控股公司（下稱羅門哈斯公司）、參加人為美商奈平科技股份有限公司（下稱奈平公司），另107 年度行專訴字第42號事件（下稱第42號事件）之原告為奈平公司，參加人為羅門哈斯公司，以上二發明專利舉發案件均是基於被告之同一舉發審定所生之訴訟，可認係基於同一法律原因提起之數宗訴訟，且相關當事人均相同，僅原告或參加人之地位不同，適於合併辯論、裁判，爰依首揭規定，命合併辯論並合併判決。
貳、實體事項
一、事實概要：
羅門哈斯公司前以「用於化學機械平面化之拋光凹槽襯墊」向被告申請發明專利，同時主張優先權，經被告准予發給專利證書，並於民國（下同）101 年2 月21日申請更正，亦經被告准予更正（更正後之專利，下稱系爭專利）。
嗣奈平公司對之提起舉發。
經被告審查後作成「請求項1 至3 舉發成立，應予撤銷」、「請求項4 至6 舉發不成立」之審定（下稱原處分）。
羅門哈斯公司就原處分「請求項1 至3 舉發成立，應予撤銷」之部分、奈平公司就原處分「請求項4 至6舉發不成立」之部分，各別提起訴願，經濟部先後於107 年3 月15日以經訴字第10706301070 號訴願決定、於107 年3月26日以經訴字第10706300550 號訴願決定，分別駁回訴願。
羅門哈斯公司、奈平公司均不服，遂分別向本院提起行政訴訟（即前開第35、42號事件）。
因前開兩件之判決結果，倘認原處分及訴願決定應予撤銷，奈平公司於第35號事件、羅門哈斯公司於第42號事件之權利或法律上之利益將受損害，是本院依職權命羅門哈斯公司、奈平公司分別獨立參加第35、42號事件。
二、羅門哈斯公司主張：
(一)系爭專利請求項1 至3 具有進步性：
原處分及訴願決定未具體論述90年專利法第20條第2項之「能輕易完成」要件，有如下之違法：
1.關於系爭專利請求項1 之部分：
(1)證據2 係2002年8 月公開之Rodel IC1000之第4.1 版型錄，其公開日期晚於系爭專利之優先權日，原處分誤將不適格之證據2 與其他證據加以組合，做成系爭專利請求項1 不具進步性之審定，自有嚴重瑕疵而應予撤銷。
(2)證據8 並未證明為等向性材料，更屬於複合材料，而證據13所涉公式限應用於等向性材料，且不適用於複合材料；
證據8 之目的在研究晶圓拋光效率，而證據7 係為解決晶圓拋光墊之整片晶圓之「Planarizing effect」（即平坦化效應），兩者均非在解決晶圓內各個元件在晶圓拋光時所面臨之凹化作用；
證據14係解決中心低速特性之問題，亦即在於解決晶圓拋光時之「凸化現象」，而與系爭專利係用以解決晶圓拋光時之凹化作用完全相反；
證據15係為改善晶圓拋光時之研磨漿及研磨屑碎之排除，非在解決晶圓拋光時所面臨之凹化作用，綜上，系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者並無動機將證據8 、13與證據7 、14、15組合，況前述證據之組合均未揭示任何拋光墊製作方法，亦均未揭示其可解決凹化作用，則「該發明所屬技術領域中具有通常知識者」並無法「能輕易完成」系爭專利請求項1 之發明。
再者，原處分係以「假設」證據8 所研究之拋光墊之蒲松比值，再結合另二項假設後，率斷揭示核心技術特徵後，再分別與證據7 、14、15組合，以論斷該申請專利範圍欠缺進步性，完全將其論據建立在假設之上，否定系爭專利請求項1 之發明，完全悖離實務見解關於90年專利法第20條第2項之解釋意旨。
(3)證據10、11未揭露系爭專利請求項1 之彈性儲存模數（E'）在10弳度／秒頻率下利用動態機械分佈法所量測之技術特徵，且證據10係剛性材料，而證據11係彈性材料，兩者本質相左、技術領域不具關連性、所欲解決問題或所產生功能或作用亦不具共通性，故系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者，缺乏動機結合證據10、11所揭示之技術特徵。
2.關於系爭專利請求項2 之部分：
(1)證據7 未揭示其拋光墊厚度，因此無從計算凹槽膠黏硬度商數（GSQ)，至於原處分所稱證據7 襯墊厚度「1300」，並未見於證據7 。
又證據7 說明書第2 欄第60至66行正確內文是「…, a width between about 0.015 and 『0.40 inches』，such as 0.20 inches , and a pitch between about0.09 and 0.24 inches , such as 0.12 inches…」，原文「0.04 inches 」為誤繕，且證據7 揭示之內容，與系爭專利請求項2 所揭示之凹槽間距、凹槽流動商數GFQ 均有不同，並未落入系爭專利請求項2 所界定範圍內。
(2)證據2 完全未揭示其是否具有凹槽，若有，其凹槽深度、寬度或間距為何，而證據14與15未揭示其拋光墊厚度，故縱以證據2 分別與證據14、15組合，亦無從計算凹槽膠黏硬度商數（GSQ ）與凹槽流動商數（GFQ ）。
況證據2 與證據14、15基於不同設計而得之不同拋光墊，無從組合以計算凹槽膠黏硬度商數（GSQ ）與凹槽流動商數（GFQ ）。
故奈平公司以證據2 否定系爭專利請求項2 之新穎性，或證據2 分別與證據14、15組合否定系爭專利請求項2 項之進步性，均不可採。
3.關於系爭專利請求項3 之部分：
證據7 、8 、13、14、15內無涉於凹化作用，對於系爭專利請求項3 發明技術內容整體，毫無揭露、教示或建議，再參酌最高行政法院100 年度判字第2223號判決意旨，熟悉此項技術者自無任何動機組合此等證據，縱組合之，亦無從輕易完成，故系爭專利請求項3 有進步性。
(二)系爭專利請求項4 至6 具有進步性：
1.系爭專利說明書之記載合法：
關於專利說明書應記載發明功效係規定於90年專利法第22條第3項，惟90年專利法第71條所列發明專利應撤銷事由，並不包含90年專利法第22條第3項。
故無論系爭專利說明書是否記載系爭專利請求項4 至6 之功效，均非應撤銷之事由。
2.關於系爭專利請求項4 之部分：
系爭專利請求項4 與本院另案106 年度行專訴字第39號行政判決（下稱另案判決）所涉發明專利第176078號請求項3 雷同，奈平公司在另案專利請求項3 欠缺進步性之主張與證據組合，與本案雷同，惟因證據組合均未揭示能量損失因子（KEL ），故另案判決認定另案專利請求項3 具有進步性，則系爭專利請求項4 亦應有進步性。
再參酌最高行政法院104年度判字第308 號判決意旨，可認證據2 、7 、8 與13之組合、或證據2 、14、8 與13之組合，或證據2 、15、8 與13之組合，均無從否定系爭專利請求項4 之進步性。
3.關於系爭專利請求項5 、6 之部分：
依本院另案判決及前述最高行政法院判決意旨，經比對系爭專利請求項5 與奈平公司前開證據之組合可知，奈平公司所舉證據組合至少未揭示能量損失因子KEL ，熟悉此項技術者自無從由前開證據組合而可憑空加入適當能量損失因子參數以輕易完成系爭專利請求項5 之發明。
又系爭專利請求項6係將系爭專利請求項5 拋光墊用以拋光半導體晶圓之金屬鑲嵌結構的方法，則系爭專利請求項5 具有進步性，已如前述，故系爭專利請求項6 自有進步性。
(三)聲明：第35號事件起訴聲明：訴願決定及原處分關於「請求項1 至3 舉發成立，應予撤銷」之處分均撤銷；
第42號事件參加聲明：原告之訴駁回。
三、奈平公司主張：
(一)系爭專利請求項1 至3 不具進步性：
1.系爭專利說明書並未顯示請求項1 至3 所載拋光襯墊具備羅門哈斯公司所稱功效，尤其不能顯示請求項1 至3 所界定之凹槽圖案、E'比值、GSQ 及GFQ 數值、平均表面粗糙度數值等各別參數、或前述參數之組合可提供原告所稱功效，尤其是碟化作用減少之結果。
2.證據2 係Rodel 公司型號「Rodel IC1000 CMC Pad」之產品型錄，該型錄第2 頁頁尾清楚標示有「ⒸRodel 1999 ALLRights Reserved 」，自可認其公開於1999年，早於系爭專利之最早優先權日，可作為判斷系爭專利是否具有新穎性或進步性之先前技術。
3.關於系爭專利請求項1 之部分：
(1)證據2 及7 之組合足以證明系爭專利請求項1 拋光襯墊不具進步性：
證據7 已揭露使用IC1000作為拋光襯墊之拋光層，且已揭露系爭專利請求項1 拋光襯墊之技術特徵A-1 與A-2 。
又系爭專利說明書未能顯示系爭專利請求項1 之拋光襯墊具備羅門哈斯公司所稱功效已如前所述，則應認定該E'比值範圍既非突出之技術特徵，故系爭專利請求項1 之拋光襯墊相較於證據2 及7 之組合不具進步性。
(2)證據2 、7 、10與11之組合足以證明系爭專利請求項1 拋光襯墊不具進步性：
證據2 及7 之組合已揭露系爭專利請求項1 之拋光襯墊之凹槽圖案技術特徵A-1 與A-2 ，已如前所述，又證據10揭露一種可用於製造半導體元件之拋光襯墊，其中即要求所具之親水性拋光層在30℃和60℃時之模數比為1.0 至2.5 。
證據11揭露一種研磨材質，其中所例示之研磨材質在90℃時之模數E'為約81.0，而在30℃時之模數E'為約2.5 ，因此30℃及90℃時之E'比值即為約2.5 。
雖證據10及11並未載明相關模數之數值係透過動態機械分佈法在10弳度／秒頻率下測得，但量測時使用之頻率僅是試驗條件的選擇，故證據10及11進一步顯示該E'比值技術特徵僅為一般選擇並非突出技術特徵，則證據2 、7 、10與11之組合即足以證明系爭專利請求項1之拋光襯墊不具進步性。
(3)證據8 及13與證據7 、14或15之任一者的組合足以證明系爭專利請求項1 拋光襯墊不具進步性：
證據8 第4 圖之結果顯示，IC1000及SUBAIV等習知襯墊均具有系爭專利請求項1 拋光襯墊之E'比值技術特徵B-1 。
又證據14揭露一具有凹槽圖樣之拋光襯墊，其中該凹槽可為格子狀排列，且凹槽具有0.025 英寸（約640 微米）之深度、0.018 英寸（約460 微米）之寬度、及0.06英寸（約1,524 微米）之間距；
證據15揭露一具有凹槽圖樣之拋光襯墊，其中該凹槽可為同心圓狀排列，且凹槽具有0.012 英寸（約305微米）之深度、至少與凹槽深度相當的寬度（即至少約305微米）、及0.055 英寸（1,397 微米）之間距。
證據14及15亦已揭露系爭專利請求項1 之拋光襯墊之凹槽圖案技術特徵。
故在證據8 及13已揭露系爭專利請求項1 之拋光襯墊之E'比值參數特徵B-1 ，且證據7 、14、15亦已分別揭露系爭專利請求項1 之拋光襯墊之凹槽設計技術特徵A-1 及A-2 之情況下，所屬技術領域具通常知識者可組合證據8 及13與證據7 、14、15之任一者，輕易完成系爭專利請求項1 之拋光襯墊。
證據8 及13與證據7 、14及15之任一者的組合足以證明系爭專利請求項1 拋光襯墊不具進步性。
4.關於系爭專利請求項2 之部分：
(1)證據7 足以證明系爭專利請求項2 拋光襯墊不具新穎性或至少不具進步性：
證據7 已揭露拋光襯墊之拋光層可具有約0.06至0.12英寸之厚度（T ），且明確教示可為0.07英寸，並揭露拋光層之凹槽具有0.02至0.05英寸之深度（Dg），且明確教示可為0.03英寸，可知證據7 已明確揭露拋光層可具有約0.43之GSQ 。
此外，證據7 另教示凹槽寬度與間隔寬度的比（Wg/Wp ）可為約0.10至0.25，且明確教示可為約0.2 ，可知證據7 已明確揭露拋光層可具有約0.17之GFQ 。
因此，證據7 已揭露系爭專利請求項2 拋光襯墊之技術特徵C 。
(2)證據7 、8 及13之組合、或證據2 與證據14或15之組合足以證明系爭專利請求項2 拋光襯墊不具進步性：
證據7 已揭露系爭專利之技術特徵已如前所述，則基於證據7 與8 及13之組合亦可輕易完成系爭專利請求項2 包含之技術特徵。
又證據14亦揭露一具有凹槽圖樣之拋光襯墊，其中該凹槽可為格子狀排列，且凹槽具有0.025 英寸（約640 微米）之深度、0.018 英寸（約460 微米）之寬度、及0.06英寸（約1,524 微米）之間距，則在證據2 已顯示IC1000可具有1,270 微米厚度下，所屬技術領域具通常知識者可基於證據2 與證據14之組合，輕易完成一GSQ 為約0.5 且GFQ 為0.3 之拋光襯墊，故系爭專利請求項2 拋光襯墊相較於證據2與證據14之組合不具進步性；
證據15亦揭露一具有凹槽圖樣之拋光襯墊，其中該凹槽可為同心圓狀排列，且凹槽具有
0.012 英寸（約305 微米）之深度、至少與凹槽深度相當的寬度（即至少0.012 英寸）、及0.055 英寸（1,397 微米）之間距，則在證據2 已顯示IC1000可具有1,270 微米厚度下，所屬技術領域具通常知識者可基於證據2 與證據15之組合，輕易完成一GSQ 為約0.24且GFQ 為約0.22之拋光襯墊。
系爭專利請求項2 拋光襯墊相較於證據2 與證據15之組合亦不具進步性。
綜上，證據2 、7 、8 、14及15均為拋光襯墊之相關聯技術領域且拋光襯墊之材質為聚合物，而證據13為聚合物之黏彈性質的介紹，所屬技術領域具通常知識者有動機組合彼等證據之技術，可組合證據2 與證據14、15之任一者、或組合證據8 及13與證據7 ，輕易完成系爭專利請求項2之拋光襯墊，故系爭專利請求項2 拋光襯墊不具進步性。
5.關於系爭專利請求項3 之部分：
(1)證據2 與7 之組合足以證明系爭專利請求項3 拋光襯墊不具進步性：
系爭專利請求項3 所記載之平均表面粗糙度之數值範圍並非系爭專利拋光襯墊有別於先前技術之突出技術特徵已說明如前，關於E'比值參數特徵，系爭專利請求項3 實際上僅記載拋光襯墊所涉拋光層包括「一彈性儲存模數，E'，在30℃和90℃時的比例」，並未進一步界定該E'比值之數值範圍。
如此項技術領域具通常知識者所知，任何拋光襯墊在特定量測條件下均具有一在30℃和90℃時的E'比值。
因此，證據2 、7 之拋光襯墊當然具有「一彈性儲存模數，E'，在30℃和90℃時的比例」，故證據2 與7 之組合確實足以證明系爭專利請求項3 拋光襯墊不具進步性。
(2)證據7 與8 之組合足以證明系爭專利請求項3 拋光襯墊不具進步性：
證據7 已揭露使用IC1000拋光襯墊製備具系爭專利請求項3拋光襯墊之凹槽圖案特徵（技術特徵A-1 與A-2 ）之具凹槽拋光襯墊已說明如前。
證據8 並進一步顯示，IC1000拋光襯墊在調理後可具有7.355 微米之平均表面粗糙度。
又證據7與8 均為拋光襯墊之相關聯技術領域，且均與IC1000拋光襯墊相關，故所屬技術領域具通常知識者有動機組合彼等證據之技術，並可由此輕易完成系爭專利請求項3 之拋光襯墊，故證據7 與8 之組合足以證明系爭專利請求項3 拋光襯墊不具進步性。
(3)證據7 與9 之組合足以證明系爭專利請求項3 拋光襯墊不具進步性：
證據9 揭露一種用於拋光半導體基材之拋光襯墊，其例示已顯示系爭專利請求項3 所界定之平均表面粗糙度參數特徵僅為所屬技術領域具通常知識者可進行之一般選擇。
又系爭專利請求項3 並未界定該E'比值之數值範圍已如前所述，則證據7 、9 之拋光襯墊當然具有「一彈性儲存模數，E'，在30℃和90℃時的比例」。
綜上，證據7 及9 之組合確實足以證明系爭專利請求項3 之拋光襯墊不具進步性。
(4)證據8 及13與證據7 、14或15之組合足以證明系爭專利請求項3 拋光襯墊不具進步性：
證據7 與8 之組合足以證明系爭專利請求項3 拋光襯墊不具進步性已說明如前，則證據8 及13與證據7 之組合自然亦足以證明系爭專利請求項3 拋光襯墊不具進步性。
在證據8 已揭露系爭專利請求項3 拋光襯墊之平均表面粗糙度特徵，且證據7 、14、15亦已分別揭露系爭專利請求項3 拋光襯墊之凹槽圖案技術特徵之情況下，所屬技術領域具通常知識者可組合證據8 及13與證據7 、14、15之任一者，輕易完成系爭專利請求項3 之拋光襯墊，故證據8 及13與證據7 、14或15之組合足以證明系爭專利請求項3 拋光襯墊不具進步性。
又系爭專利所屬化學機械研磨拋光襯墊技術領域具通常知識者確有組合證據8 與13之動機，此有本院106 年度行專訴字第34號判決、韓國釜山大學機械工程研究所Jaehyun Bae 等人所著論文、美國加州柏克萊大學機械工程學系首席講座教授David Dornfeld教授出具之專家意見書可以為證。
(二)系爭專利請求項4 至6 不具進步性：
1.系爭專利說明書已顯示，先前技術所提供之習知襯墊已具有系爭專利請求項4 至6 所界定之KEL 參數特徵，且系爭專利說明書未能顯示該參數特徵與所宣稱之功效之間存在任何對應關係。
相較於先前技術，系爭專利請求項4 至6 所界定之KEL 參數，既非突出之技術特徵、且無法提供顯然之進步，先予敘明。
2.關於系爭專利請求項4 之部分：
證據2 及7 之組合與證據2 、8 及13、與證據7 、14或15之任一者之組合足以證明系爭專利請求項4 拋光襯墊不具進步性：
證據8 第4 圖之結果已顯示，IC1000及SUBAIV等習知襯墊均具有系爭專利請求項4 之拋光襯墊之E'比值特徵B-1 。
又關於系爭專利請求項4 之拋光襯墊有關凹槽設計之技術特徵A-1 及A- 2，證據7 已揭露彼等凹槽設計技術特徵，證據14及15亦已揭露系爭專利請求項4 之拋光襯墊之凹槽設計技術特徵；
證據13為聚合物之黏彈性質的介紹，則所屬技術領域具通常知識者有動機組合彼等證據之技術，而組合證據2 、8及13、與證據7 、14、15之任一者，輕易完成系爭專利請求項4 之拋光襯墊，故證據2 、8 及13、與證據7 、14或15之組合足以證明系爭專利請求項4 拋光襯墊不具進步性。
3.關於系爭專利請求項5 之部分：
證據2 、7 與8 之組合、證據2 、7 、8 與13之組合、證據2 、14、8 與13之組合及證據2 、15、8 與13與證據2 、7、9 與證據2 、7 、8 、10與11之組合、及證據2 、7 、9、10與11之組合均足以證明系爭專利請求項5 拋光襯墊不具進步性：
證據2 與7 、14或15之組合均已揭示系爭專利請求項5 拋光襯墊之技術特徵A-1 與A-2 ，且所屬技術領域具通常知識者可基於證據8 第4 圖所揭示剪力模數對溫度之曲線圖之實驗結果，利用通常知識所得或證據13所揭露之拉伸模數E 與剪力模數G 間之關係式，可輕易得出IC1000及SUBAIV等習知襯墊均具有系爭專利請求項5 拋光襯墊之E'比值特徵B-2 之結果，又證據8 已揭露IC1000拋光襯墊在調理後可具有7.355微米之平均表面粗糙度，且證據2 第1 頁左下方揭示IC1000拋光襯墊的Shore D 硬度為57，故IC1000拋光襯墊亦具備系爭專利請求項5 之特徵D 及F 。
又系爭專利說明書未能顯示請求項5 所載拋光襯墊具備所稱功效，不能據以認定請求項5 之拋光襯墊相較於證據2 、7 與8 之組合、證據2 、7 、8 與13之組合、證據2 、14、8 與13或證據2 、15、8 與13之組合具有進步性。
另證據2 、7 、9 與證據2 、7 、8 、10與11之組合、及證據2 、7 、9 、10與11之組合業已揭露系爭專利請求項5 之技術特徵已如前所述，亦均為拋光襯墊之相關聯技術領域，所屬技術領域具通常知識者有動機組合彼等證據之技術，並可由此輕易完成系爭專利請求項5 之拋光襯墊。
故證據2 、7 、9 與證據2 、7 、8 、10與11之組合、及證據2 、7 、9 、10與11之組合足以證明系爭專利請求項5 拋光襯墊不具進步性。
4.關於系爭專利請求項6 之部分：
證據2 、7 、8 與13之組合、證據2 、14、8 與13之組合、及證據2 、15、8 與13之組合均足以證明系爭專利請求項6拋光方法不具進步性：
證據2 與7 、14或15之組合均已揭示系爭專利請求項6 所涉之技術特徵，且所屬技術領域具通常知識者可輕易得出具有系爭專利請求項6 所涉拋光襯墊之E'比值特徵B-2 之結果。
又系爭專利說明書未能顯示請求項6 所載拋光襯墊具備所稱功效，故不能據以認定請求項6 之拋光方法相較於證據2 、7 、8 與13之組合、證據2 、14、8 與13或證據2 、15、8與13之組合具有進步性。
(三)聲明：第35號事件參加聲明：原告之訴駁回；
第42號事件起訴聲明：1.訴願決定及原處分「請求項4 至6 舉發不成立」之部分均撤銷。
2.被告就第090112648N01號發明專利舉發事件應作成「請求項4 至6 舉發成立，應予撤銷」之處分。
四、被告之答辯：
(一)系爭專利請求項1 至3 不具進步性：
1.證據7 已揭露系爭專利請求項1 之技術特徵：
由證據7 說明書已揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有一介於0.02與0.05英吋（即約508至1,270微米）間之深度，一介於0.015 與0.04英吋（即約381 至1,016 微米）間之寬度，一介於0.09與0.24英吋（即約2,286 至6,096 微米）間之間距。
則系爭專利請求項1 之用來平面化半導體元件的拋光襯墊與其表面的拋光層，凹槽圖案具有深度、寬度之特定數值範圍，以及凹槽圖案具有特定形狀之技術特徵，可認已揭露於證據7 之技術內容。
2.證據8 及13已揭露系爭專利請求項1 之技術特徵：
證據8 第4 圖所揭示之剪力模數對溫度之曲線圖，其中SUBAIV拋光襯墊於30℃和90℃時所對應之剪力模數分別約為43及28 MPa，IC1000拋光襯墊於30℃和90℃時所對應之剪力模數分別約為90及32MPa ，且證據13揭示一材料之拉伸模數E 與剪力模數G 間之關係式可由拉伸模數、剪力模數及浦松式比三者知其二，而可輕易計算出剩餘之第三者。
證據8 分別已揭露剪力模數及浦松式比（0.5)之數值，經由證據13之關係式已可計算出證據8 之SUBA IV 及IC1000拋光襯墊之E'於30℃和90℃時之比例分別為1.5 及2.8 。
因此，證據8 及13已揭露系爭專利請求項1 之彈性儲存模數（E'）在30℃和90℃時的比例範圍係在約1 到約4 之技術特徵。
3.證據14已揭露系爭專利請求項1 之技術特徵：
證據14說明書及其請求項6 、8 揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉格子狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有一0.025 英吋（即約640 微米）之深度，一0.018 英吋（即約460 微米）之寬度，一0.06英吋（即約1,524 微米）之間距。
可知系爭專利請求項1 之用來平面化半導體元件的拋光襯墊與其表面的拋光層，凹槽圖案具有深度、寬度之特定數值範圍，以及凹槽圖案具有特定形狀之技術特徵，已揭露於證據14之技術內容。
4.證據15已揭露系爭專利請求項1 之技術特徵：
證據15說明書揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有一0.012英吋（即約305 微米）之深度，一0.55英吋（即約1,397 微米）之間距，且說明書第4 欄第58至62行揭示溝槽深度至少與寬度相當，即溝槽寬度可為0.012 英吋（即約305 微米）。
可知系爭專利請求項1 之用來平面化半導體元件的拋光襯墊與其表面的拋光層，凹槽圖案具有深度、寬度之特定數值範圍，以及凹槽圖案具有特定形狀之技術特徵，已揭露於證據15之技術內容。
5.熟習該項技術者有明顯動機組合證據：
舉發審定理由已記載：「證據7 、8 、13均為拋光墊之相關聯技術領域，且證據7 、8 、13均利用拋光墊之結構、形狀，或物理特性來解決拋光墊之研磨相關問題，所欲解決之問題具有共通性，熟習該項技術者有明顯動機組合證據7 、8、13之技術」，故起訴理由不可採。
又證據7 係一種用於化學研磨系統之具有溝槽拋光襯墊；
證據8 係二氧化矽薄膜之化學機械拋光中以拋光襯墊處理之效應；
證據13係高分子化合物之浦松比介紹；
證據14係一種用於拋光基材的化學機械拋光系統之具有溝槽的拋光襯墊；
證據15係ㄧ種拋光襯墊及其使用方法；
證據7 、8 、14、15係與拋光墊應用相關聯的技術領域，均利用拋光墊之結構、形狀或物理特性來解決拋光墊之研磨或製造的相關問題，系爭專利所欲解決之晶圓拋光時的凹化作用亦屬上開證據之技術領域所涵蓋之範圍，故其所欲解決之問題具有共通性。
證據13為瞭解材料彈性性質之相關技術領域，可提供解決拋光墊材料之彈性模數問題的技術手段；
又證據7 、8 、13、14、15皆為系爭專利優先權日前已公開之先前技術。
因此，熟習該項技術者在執行例行工作、實驗之普通能力情況下，有明顯動機組合證據7 、8、13，組合證據8 、13、14，組合證據8 、13、15之技術。
6.綜上所述，系爭專利請求項1 之以10弳度／秒頻率下利用動態機械分佈法所量測而得之彈性儲存模數（E'）的技術特徵雖未為證據7 、8 、13、14、15所揭露，然動態機械分佈法為量測物品E'比值之習用方法，係為熟習該項技術者之通常知識，由證據8 第4 圖可知動態機械分佈法使用之頻率僅是試驗條件之簡單改變，且系爭專利說明書中並未說明其量測條件特定為「10弳度／秒之頻率」有何異於既有之技術或知識的功效，故系爭專利請求項1 之技術特徵僅為熟習該項技術者依通常知識之試驗條件所進行之簡易改變。
再者，系爭專利請求項1 之內容並未界定拋光襯墊所使用之材料，自然包含各種等向性及非等向性材料。
依用語最寬廣合理之解釋，系爭專利請求項1 之整體技術特徵已為熟習該項技術者依申請前既有之證據7 、8 、13組合，證據8 、13、14組合，以及證據8 、13、15組合之技術而能輕易完成，故系爭專利請求項1 不具進步性。
又證據7 已揭露系爭專利請求項1 之拋光襯墊與其拋光層的凹槽圖案深度、寬度之特定數值範圍，以及凹槽圖案具有特定形狀之技術特徵，亦可以再組合本案其他證據來證明系爭專利請求項1 至3 不具進步性。
(三)系爭專利請求項4 至6 具有進步性：
1.本件於系爭專利申請專利範圍整體比對時，業已參照最高行政法院判決意旨，認系爭專利請求項4 至6 具進步性，且系爭專利說明書所提供之實施例是否足以證明請求項4 至6 所載拋光襯墊之功效，並非判斷系爭專利是否具進步性之必要判斷步驟，先予敘明。
2.系爭專利請求項4 之主要技術特徵為藉由綜合凹槽寬度、深度、間距、能量損失因子等參數之控制，以解決凹化作用。
另系爭專利說明書表1 雖揭示襯墊1A之KEL 值為「243 」、1C之KEL 值為「766 」，惟系爭專利說明書之習知技術及實施例仍未揭露該等襯墊之KEL 值係如系爭專利請求項4 之襯墊「係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」，及系爭專利請求項4 之拋光層具有一在約125 到850 （1／Pa在40℃）範圍內的能量損失因子（KEL)之技術特徵。
亦即須是採用該量測方法所產生且在約125 到850 （1 ／Pa在40℃）之範圍內的能量損失因子，方落入該申請專利範圍，是以系爭專利說明書之習知拋光襯墊的拋光層仍未呈現系爭專利請求項4 所載之量測方法所產生之KEL 參數特徵。
3.系爭專利請求項5 之主要技術特徵為藉由綜合E'（30℃）／E'（90℃) 之比值、凹槽寬度、深度、間距、KEL 、硬度、平均表面粗糙度等參數，以解決凹化作用。
另系爭專利說明書表1 雖揭示襯墊1A之KEL 值為「243 」、1C之KEL 值為「766 」，惟系爭專利說明書之習知技術及實施例仍未揭露該等襯墊之KEL 值係如系爭專利請求項5 之襯墊「KEL ，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測，以及一在30℃和90℃時在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測為從約1 到約5 的彈性儲存模數，E'比。」
亦即須是採用該量測方法係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測、所產生一約150 到1,000 （1/Pa在40℃）的能量損失因子，方落入該申請專利範圍，是以系爭專利說明書之習知拋光襯墊的拋光層既未揭露系爭專利請求項5 之所有參數技術特徵，亦未呈現系爭專利請求項5 所載之量測方法所產生之KEL 參數特徵。
4.系爭專利請求項6 之主要技術特徵為綜合E'（30℃）／E'（90℃) 之比值、凹槽寬度、深度、間距、KEL 、硬度等參數，以解決凹化作用。
另系爭專利說明書表1 雖揭示襯墊1A之KEL 值為「243 」、1C之KEL 值為「766 」，惟系爭專利說明書之習知技術及實施例仍未揭露該等襯墊之KEL 值係如系爭專利請求項6 之襯墊「一約100 到1,000 （1 ／Pa在40℃）的能量損失因子，KEL ，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」亦即須是採用該量測方法係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測、所產生一約
100 到1,000 （1 ／Pa在40℃）的能量損失因子，方落入該申請專利範圍，是以系爭專利說明書之習知拋光襯墊的拋光層既未揭露系爭專利請求項6 所載之量測方法所產生之KEL參數特徵，亦未揭示組合兩個或更多上開參數，以解決凹化作用。
5.奈平公司所提證據及系爭專利說明書所載之先前技術，與系爭專利在解決凹化作用之目的均不相同，且系爭專利請求項4 至6 透過綜合控制硬度、張力模數、能量損失因子，KEL、一彈性儲存模數，E'，其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1 到約4之範圍內，並利用凹槽之寬度、深度、間距等參數組合以解決凹化作用，以及請求項4 「拋光層具有一在約125 到850（1/Pa在40℃）之範圍內的能量損失因子，KEL ，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」等技術內容，亦未揭露請求項5 之「…一約150 到1,000 （1 ／Pa在40℃）的能量損失因子，KEL ，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測，以及一在30℃和90℃時在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測為從約1 到約5 的彈性儲存模數，E'比」，請求項6 之「…一約100 到1,000（1 ／Pa在40℃）的能量損失因子，KEL ，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測；
以及4.一在30℃和90℃時為從約1 到約5 的彈性儲存模數，E'比，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測，該拋光層具有一包含一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該凹槽圖案具有：i.約75到2,540 微米的凹槽深度；
ii. 一約125 到約1,270 微米的凹槽寬度；
以及iii.一約500 到約3,600 微米的凹槽間距；
該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」，是以就系爭專利所欲解決的問題、所採取之技術手段以及所產生的功效仍未為先前技術之技術內容所揭露，系爭專利請求項4 至6 非為熟習該項技術者依申請前既有之先前技術所能輕易完成，起訴理由應不足採。
(四)聲明：第35、42號事件原告之訴均駁回。
五、得心證之理由：
(一)羅門哈斯公司前於90年5 月25日以「用於化學機械平面化之拋光凹槽襯墊」向被告申請發明專利，申請專利範圍共7 項，並主張優先權（1 、受理國家為美國，申請日為西元2000年5 月27日，申請案號為60／207,938 ；
2 、美國，申請日為2000年6 月28日，申請案號為60／222,099 ），經被告審查，准予專利，並發給發明第165490號專利證書。
又羅門哈斯公司於101 年2 月21日提出申請專利範圍更正本（更正後請求項共6 項），經准予更正，並於101 年5 月21日公告即系爭專利。
嗣奈平公司於102 年1 月31日以系爭專利違反專利法第67條第4項暨核准時（90年10月26日修正施行）專利法第20條第1項第1款、第2項及第71條第3款之規定，對之提起舉發。
經被告審查，以106 年8 月17日（106 ）智專三（三）05128 字第10620852540 號專利舉發審定書為「請求項1 至3 舉發成立，應予撤銷」、「請求項4 至6 舉發不成立」之審定。
羅門哈斯公司就原處分「請求項1 至3 舉發成立，應予撤銷」之部分、奈平公司就原處分「請求項4 至6 舉發不成立」之部分，各別提起訴願，經濟部則於107 年3 月15日以經訴字第10706301070 號、於107 年3 月26日以經訴字第10706300550 號訴願決定，分別以相同理由決定駁回。
羅門哈斯公司、奈平公司對上開不利部分均仍未甘服，遂分別向本院提起行政訴訟，並以前揭情詞置辯，且綜合
當事人各方之主張，第35、42號事件均係基於同一專利，其爭點為：
1.證據2 及7 之組合；
證據2 、7 、10及11之組合；
證據7 、8 及13之組合；
證據14、8 及13之組合；
證據15、8 及13之組合是否可證明系爭專利請求項1 不具進步性？
2.證據7 是否可證明系爭專利請求項2 不具新穎性及進步性？及證據7 、8 及13之組合；
證據2 及14之組合；
證據2 及15之組合是否可證明系爭專利請求項2 不具進步性？
3.證據2 及7 之組合；
證據7 及8 之組合；
證據7 及9 之組合；
證據7 、8 及13之組合；
證據14、8 及13之組合；
證據15、8 及13之組合是否可證明系爭專利請求項3 不具進步性？4.證據2 及7 之組合；
證據2 、7 、8 及13之組合；
證據2 、14、8 及13之組合；
證據2 、15、8 及13之組合是否可證明系爭專利請求項4 不具進步性？
5.證據2 、7 及8 之組合；
證據2 、7 及9 之組合；
證據2 、7 、8 、10及11之組合；
證據2 、7 、9 、10及11之組合；
證據2 、7 、8 及13之組合；
證據2 、14、8 及13之組合；
證據2 、15、8 及13之組合是否可證明系爭專利請求項5 不具進步性？
6.證據2 及7 之組合；
證據2 、7 、10及11之組合；
證據2 、7 、8 及13之組合；
證據2 、14、8 及13之組合、證據2 、15、8 及13之組合是否可證明系爭專利請求項6 不具進步性？
(二)系爭專利之主要內容：
系爭專利為一種用來拋光半導體晶圓上之金屬鑲嵌結構的襯墊和方法，該襯墊具有低彈性回復力以及與高襯墊膠黏硬度有關的高散能性，且該襯墊具有包含凹槽的宏觀構造，該凹槽具有約75到約2,540 微米的凹槽深度、約125 到約1,270微米的凹槽寬度以及約500 到約3,600 微米的凹槽間距（參系爭專利摘要）。
系爭專利於101 年5 月21日更正公告申請專利範圍共6 項，其中請求項1 、2 、3 、5 及6 為獨立項，請求項4 為直接依附於請求項1 之附屬項，其內容如下：1.一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，該襯墊包含，一用來平面化該表面的拋光層，該拋光層之特徵在於：
一硬度、一張力模數、一能量損失因子，KEL 、一彈性儲存模數，E'，其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1 到約4 之範圍內、以及一包含一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該凹槽圖案具有：一約75到約2,540 微米的凹槽深度；
一約125 到約1,270 微米的凹槽寬度；
以及一約500 到約3,600微米的凹槽間距；
該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合。
2.一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，該襯墊包含，一用來平面化該表面的拋光層，該拋光層之特徵在於：
一硬度、一張力模數、一能量損失因子，KEL 、一彈性儲存模數，E'，在30℃和90℃時的比例、以及一包含一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該凹槽圖案具有：一約75到約2,540 微米的凹槽深度；
一約125 到約1,270 微米的凹槽寬度；
以及一約500 到約3,600 微米的凹槽間距；
該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合，該凹槽圖案提供：一約0.03到約1.0 的凹槽膠黏硬度商數，GSQ ；
以及一約0.03到約0.9 的凹槽流動商數，GFQ 。
3.一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，該襯墊包含，一用來平面化該表面的拋光層，該拋光層之特徵在於：
一硬度、一張力模數、一能量損失因子，KEL 、一彈性儲存模數，E'，在30℃和90℃時的比例、以及一包含一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該凹槽圖案具有：一約75到約2,540 微米的凹槽深度；
一約125 到約1,270 微米的凹槽寬度；
以及一約500 到約3,600 微米的凹槽間距；
該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合，該襯墊上該凹槽之平地區域具有一約1 到約9 微米的平均表面粗糙度。
4.根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，該拋光層具有一在約125 到850 （1 ／Pa在40℃）之範圍內的能量損失因子，KEL ，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測。
5.一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，該襯墊包含，一用來平面化該表面的拋光層，該拋光層之特徵在於：
一硬度、一張力模數、一能量損失因子，KEL 、一彈性儲存模數，E'，在30℃和90℃時的比例、以及一包含一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該凹槽圖案具有：一約75到約2,540 微米的凹槽深度；
一約125 到約1,270 微米的凹槽寬度；
以及一約500 到約3,600 微米的凹槽間距；
該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合，該拋光表面具有：一約1 到約9 微米之該凹槽平地區域上的平均表面粗糙度、一約40到約70的Shore D 硬度、一約100 到2,000 的張力模數，其係在40℃之溫度與10弳度秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測、一約150 到1000（1 ／Pa在40℃）的能量損失因子，KEL ，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測，以及一在30℃和90℃時在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測為從約1 到約5 的彈性儲存模數，E'比。
6.一種拋光半導體晶圓之金屬鑲嵌結構的方法，包含：向一晶圓和拋光襯墊之拋光層之間的界面偏斜晶圓；
令一拋光流體流動到界面中；
以及提供晶圓和拋光襯墊在壓力下進行的相對運動，伴隨拋光流體與晶圓間之運動受壓接觸，導致物質從該晶圓表面脫離的平面移除；該拋光層具有：
1.一約40到約70 Shore D的硬度；
2.一在40℃時約150 到2,000 MPa 的張力模數，其係在10弳度秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測；
3.一約100 到1,000 （1 ／Pa在40℃）的能量損失因子，KEL ，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測；以及
4.一在30℃和90℃時為從約1 到約5 的彈性儲存模數，E'比，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測，該拋光層具有一包含一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案
的宏觀結構，該凹槽圖案具有：
i.一約75到約2,540微米的凹槽深度；
ii.一約125到約1,270微米的凹槽寬度；以及
iii.一約500到約3,600微米的凹槽間距；
該凹槽圖案為同 心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六角形、
三角形、碎片形或其組合（系爭專利主要圖式如附表
一）。
(三)奈平公司於舉發程序所提專利有效性證據之技術分析：1.證據2 之技術內容：
證據2 為Rodel 公司於1999年公開發行型號「Rodel ICl000 CMP Pad」拋光墊產品型錄影本，其公開日早於系爭專利最早優先權日。
證據2 記載IC1000拋光墊係由一硬質、微孔之聚氨酯材料所製成。
此特性使得該材料可平面化廣闊間隙，以提供優越的移除率及局部的一致性。
其小孔結構可有效地與研磨漿作用以減少微刮痕並提供最佳之拋光效能。
IC1000拋光墊可根據所使用之製法加以穿孔或形成溝槽（參證據2第1 頁左上之產品敘述一節，證據2 主要圖式如附表二）。
2.證據7 之技術內容：
證據7 為1999年7 月13日公告之美國US 0000000「用於化學機械研磨系統之具有溝槽圖樣之拋光墊」（Polishing padhaving a grooved pattern for use in a chemicalmechanical polishing system ），其公告日早於系爭專利最早優先權日。
證據7 為關於一種用於化學機械研磨系統之具有溝槽圖樣之拋光墊，其揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，0.02至0.05英吋（508 微米至1,270 微米）之深度（Dg），例如0.03英吋（762 微米）；
0.015 至0.04英吋（381 微米至1,016 微米）之寬度（Wg) ，具體而言可為0.02英吋（508 微米）；
0.075 至0.20英吋之間隔寬度（Wp) ，具體而言可為0.10英吋；
以及0.09至0.24英吋（2,286 微米至6,096 微米）之間距（p ，其中p ＝Wg＋Wp) ，具體而言可為0.12英吋（3,048 微米）。
此外，該拋光襯墊包含一上層（即拋光層)，該上層的厚度（T)可為0.06至0.12英吋，例如0.07英吋（參證據7 說明書第3 及4 圖、第5 欄第12至33行及第43至54行、第5 欄第66行至第6 欄第4 行）；
證據7 揭露要解決化學機械研磨之另一問題為「平坦化效應」（planarizingeffect）。
拋光墊在理想情況下僅拋光基板表面構形（topography）的峰，而在拋光一定時間以後，這些峰的區域最終將與谷呈水平，從而產生平坦表面。
然而，如果基板受到「平坦化效應」影響，該峰及谷將同時被拋光。
「平坦化效應」導因於拋光墊的可壓縮性質反應點負載的結果。
特別是，如果拋光墊是太柔軟，它會變形並接觸基板的大表面積（參證據7 說明書第2 欄第38至50行）；
證據7 揭露拋光墊可為雙層拋光墊，其上層由IC-1000 組成且下層由SUBA-4組成，可由德拉瓦州紐華克市之Rodel 公司取得（IC-1000 與SUBA-4為Rodel 公司之產品名）（參證據7 說明書第5 欄第12至24行）；
證據7 揭露槽寬度Wg對間距寬度Wp的比值可被選擇為約0.10與0.25間，比例可以是約0.2 。
如果槽太寬，拋光墊會太柔軟，將發生「平坦化效應」。
另一方面，如果槽太窄，則難以從槽移除廢物材料。
同樣，如果間距過小，則槽會太接近而拋光墊會太柔軟。
另一方面，如果間距過大，漿料不會被均勻地輸送到基板的整個表面上（參證據7 說明書第5 欄第55至65行，證據7 主要圖式如附表三）。
3.證據8 之技術內容：
證據8 為1995年刊載於Thin Solid Films 270（1995）Weidan Li.等人之論文「The effect of the polishingpad treatments on the chemical-mechanical polishingof SiO2 films 」，其公開日早於系爭專利最早優先權日。
證據8 揭示有ICl000及SUBA IV研磨墊的剪能量儲存模數G'與溫度關係圖（參證據8 第604 頁第4 圖，證據8 主要圖式如附表四）。
4.證據9 之技術內容：
證據9 為2000年5 月16日公告之美國US0000000 「Polish-ing pad for semiconductor subsrate 」專利，其公告日早於系爭專利最早優先權日。
證據9 揭示一種用來磨光半導體晶圓的磨光墊，其包括具合成樹脂的燒結粒子的開孔式多孔性基材。
此多孔性基材為毛細通道的均勻、連續且彎曲的互連式網路（參證據9 摘要）。
證據9 揭露一硬度為50或70Shore D 之拋光襯墊（參說明書第13欄Table 2 ）。
5.證據10之技術內容：
證據10為2000年2 月8 日公告之美國US0000000 「Polish-ing pads and methods relating thereto」專利，其公告日早於系爭專利最早優先權日。
證據10揭示可用於製造半導體元件或類似物之經改良之研磨墊（參摘要第1 至2 行Thisinvention describes improved polishing pads usefulin the manufacture of semiconductor devices or thelike .) 、具一親水性拋光層（說明書第11欄第17行 ahydrophilic polishing layer ）、30℃張力模數對60℃張力模數之比值為1.0 至2.5 （說明書第11欄第25至26行aratio of tensile modulus at 30℃ to tensile modulusat 60℃ of 1.0 to 2.5 ）。
6.證據11之技術內容：
證據11為1997年4 月22日公告之美國US0000000 「Abrasivearticle comprising polymeric compositions and abra-sive grain 」專利。
證據11揭示特別適合應用在製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具上（摘要…The compositions areespecially useful in the fabrication of flexiblemagnetic recording media and abrasive articles .）；
第1 圖顯示實施例2 （玻璃狀樹脂GLASSY RESIN）之E'（30℃）約為2500MPa ，E'（90℃）約為925MPa，E'（30℃）／E ' （90℃）之比值為2.70（證據11主要圖式如附表五）。
7.證據13之技術內容：
證據13為西元1983年出版之John Aklonis. et. al,「Introduction to Polymer Viscoelasticity 」,SecondEdition , 封面、版權頁及內頁第7 至9 頁影本，其公開日早於系爭專利最早優先權日。
證據13第9 頁記載拉伸模數E（tensile modulus ）、剪力模數G （shear modulus ）及蒲松式比μ（Poisson's ratio ）之關係為E=2 （1+μ）G（式子（2-7 ））（證據13主要圖式如附表六）。
8.證據14之技術內容：
證據14為1997年11月12日公開之歐洲EP 0000000 A1 「在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊」（
Cross-hatched polishing pad for polishing substratesin a chemical mechanical polishing system ），其公開日早於系爭專利最早優先權日。
證據14係關於基板之化學機械研磨，更特定地關於在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊（參證據14說明書第1 欄第1 段）。
證據14揭露要影響化學機械研磨程序的效率之另一問題為「平坦化效應」。
所謂「平坦化效應」係指基板表面構形的峰及谷同時被拋光。
拋光墊在理想情況下僅拋光基板表面構形的峰，而在拋光一定時間以後，這些峰最終將與谷呈水平，從而產生平坦表面。
當峰及谷同時被拋光，則不會產生基板表面構形的有效改變。
「平坦化效應」導因於拋光墊的可壓縮性質反應點負載的結果。
因此，減少「平坦化效應」的系統已被使用，包含較平均地分佈在拋光墊上負載的方法（參證據14說明書第4 欄第3 段）。
證據14揭露溝槽具有一第一多數平行溝槽以及與第一多數平行溝槽相交之一第二多數平行溝槽。
第一多數平行溝槽垂直於第二多數平行溝槽。
拋光墊含有一上表面，具有一多數溝槽以定義一多數之多邊形投影（參證據14說明書第5 欄第2 至3 段）。
證據14揭露在圖5A及圖5B之一實施例中，牆304 得具有介於約0.010 至0.050 英吋（254 至1,270微米）之高度H ，較佳為約0.025 英吋（635 微米）。
基底306 得具有介於約0.015 至0.050 英吋（381 至1,270 微米）之寬度Wb，較佳為約0.018 英吋（457微米）。
間隔310 得具有介於約0.025 至0.125 英吋（635至3,175 微米）之寬度Wp，較佳為約0.042 英吋（1,067 微米）（參證據14說明書第10欄第2 至3 段，證據14主要圖式如附表七）。
9.證據15之技術內容：
證據15為1996年2 月6 日公告之美國US 0000000「拋光墊與其使用方法」（Polishing pads and methods for theiruse ）專利，其公開日早於系爭專利最早優先權日。
證據15係關於一種用於例如玻璃、半導體、電介質／金屬混合物以及積體電路上形成光滑、超平坦表面之拋光墊，特別是關於這種拋光墊的表面紋理（參證據15說明書第1 欄第1 段）。
證據15揭露大型凹槽的圖案與其寬度、深度實際上可為任何所需的圖案或尺寸，只要能滿足上述的限制即可。
實際上，凹槽之寬度與深度通常保持在大型凹槽之間的突出拋光片表面的最大橫向尺寸的50% 以下，其中大型凹槽的深度至少等於寬度。
……習知技術中所述及的任何圖形，例如同心圓、方格、三角格等均可用以提供例如同心圓、矩形、三角形等突出表面形貌之利益，而在增加大型凹槽的情況下提供整體拋光率。
……在此狀況下，可用的最簡單大型凹槽圖形為同心圓或最好為隨機定向的直線。
大型凹槽亦不受限於一組固定的間隙、寬度與深度，任何的圖案都可加以組合，而所需的組合在前述尺寸限制中具有良好的效果（參證據15說明書第4 欄第56行至第5 欄第23行）。
證據15實施例3 揭露一系列之具有間距為0.055 英吋（1,397 微米）與深度為0.012英吋（305 微米）之環狀凹槽；
證據15實施例4 、6 及7 揭露一系列具有間距為0.055 英吋（1,397 微米）與深度為0.010 英吋（254 微米）之環狀凹槽（證據15主要圖式如附表八）。
(四)證據7 、8 及13；
證據14、15分別與8 及13之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：
1.系爭專利請求項1 所請為一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，此項具有下列的技術特徵：
特徵Ａ：一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該 凹槽圖案具有：
一約75到約2,540 微米的凹槽深度；
一約125 到約1,270 微米的凹槽寬度；以及
一約500 到約3,600 微米的凹槽間距；該凹槽圖案
為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y 格子形、六
角形、三角形、碎片形或其組合。
特徵1a：一彈性儲存模數，E'，其在10弳度/ 秒之頻率下利 用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例
係在約1 到約4 之範圍內。
2.證據7 、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性（此證據組合與本院103 年度民專上字第28號所認定之被證9 、12及13之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性之證據組合相同，且業經最高法院107 年度台上字第754 號判決駁回而確定）：
(1)證據7 說明書第3 及4 圖、第5 欄第12至33行及第43至54行、第5 欄第66行至第6 欄第4 行揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，0.02至0.05英吋（508 微米至1,270 微米）之深度（Dg），例如0.03英吋（762 微米）；
0.015 至0.04英吋（381 微米至1,016 微米）之寬度（Wg），具體而言可為0.02英吋（508微米）；
0.075 至0.20英吋之間隔寬度（Wp），具體而言可為0.10英吋；
以及0.09至0.24英吋（2,286 微米至6,096 微米）之間距（p ，其中p ＝Wg＋Wp），具體而言可為0.12英吋（3,048 微米）。
此外，該拋光襯墊包含一上層（即拋光層) ，該上層的厚度（T)可為0.06至0.12英吋，例如0.07英吋。
由此可知證據7 已揭示了系爭專利請求項1 之特徵A 的技術特徵。
然而，證據7 亦未揭示系爭專利請求項1 之特徵1a的技術特徵。
(2)證據7 已揭示了系爭專利請求項1 之特徵A 的技術特徵已如前述。
另查證據8 係一拋光墊之研究論文，其揭露聚氨酯之動態模數為溫度之函數，可預期溫度之變化會影響CMP 之效能，於不同溫度下描繪IC1000與SUBA IV 拋光墊之動態模數特徵，圖4 顯示IC1000與SUBA IV 拋光墊對溫度之動態剪力模數G'，於實驗前將拋光墊浸泡於水中24小時並於測量過程中保持濕潤，當溫度自30℃升高至90℃時，IC1000拋光墊之G'降低約3 倍，SUBA IV 拋光墊則僅降低約1.5 倍（參證據8 第603 頁第3.3 節「溫度效應」）。
因此，證據8 圖4 揭露IC1000與SUBA IV 拋光墊對溫度之G'，並可得IC1000與SUBA IV 拋光墊無論是於0.5 Hz或1 Hz下進行量測，其G'在30℃和90℃時的比例分別約為3 及約1.5 。
此外，證據8 揭露聚氨酯為一黏彈性材料，其機械性質可藉由動態及複合剪切模數G'及G"來描述，在此G'及G"為頻率之函數。
模數係藉由TA儀器公司之983 動態機械分析儀（DMA ）所測得，該983 DMA 決定G'及G"，其係藉由結合描述物理工具之方程式的結果與黏彈性柱彎曲原理而導出之參數。
在此研究中，拋光墊之蒲松氏比（Poisson's ratio ）假設為0.5 ，其適用於大部分之聚合物（參證據8 第602 頁第2.1 節「拋光墊剪力模數之特性描述」）。
又查證據13係一聚合物黏彈性導論之教科書，其第9 頁揭露根據一等向性固體（isotropicsolids）之彈性理論，張力模數E 、剪力模數G 及蒲松氏比μ之關係式為：E ＝2 （1+μ）G 。
證據13揭露在特殊情況下之不可壓縮材料，（dV／d ε）＝0 ，而μ＝0.5 ，可得以下結果：E ＝3G。
又證據13揭露，實驗上對於橡膠，μ是相當接近0.5 ，但對某些塑膠是較低，為0.2 至0.3 ，而對某些非均質（heterogeneous ）材料則更低。
(3)因此，熟悉該項技術者經參酌證據8 及13可以理解，由於證據8 明確揭露可利用黏彈性材料之原理進行量測及估算，並假設μ為0.5 ，而證據13明確揭露當μ＝0.5 時，E ＝3G，故IC1000或SUBA IV 拋光墊於頻率1 Hz下量測之E'，在30℃和90℃時的比例應亦分別為約3 及約1.5 ，即無論是IC1000或SUBA IV 拋光墊，其於頻率1 Hz下量測之E'，在30℃和90℃時的比例必然落於1 至4 間。
又由證據8 圖4 可以看出，於0.5 Hz或1 Hz之頻率下進行量測，對於SUBA IV 拋光墊之G'完全沒有影響，而對於IC1000拋光墊僅有些微影響，但經換算為G'在30℃和90℃時的比例後皆無實質影響，且由於頻率1.6 Hz與1 Hz之差異極小，可以當然推測當於頻率1.6 Hz下進行量測，無論是IC1000或SUBA IV 拋光墊，在30℃和90℃時的E'比例亦必然落於約1 至約4 間。
因此，證據8 及13之組合已教示了系爭專利請求項1 所界定之特徵1a的技術特徵。
由於熟悉該項技術者經參酌證據8 及13之申請前既有之技術或知識可以理解，無論是IC1000或SUBA IV 拋光墊，其於頻率1.6Hz 下進行量測E'，在30℃和90℃時的比例必然落於1 至4 間。
又參酌證據7 、8 及13後，可以得知IC1000或SUBA IV 拋光墊，為熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知選用之拋光墊材料，且證據7 及8 揭露高度相關性之內容，即均屬於研磨墊相關之研究文獻，證據7 及8 之組合對於熟悉該項技術者並無任何困難或不合理之處。
因此，熟悉該項技術者欲解決研磨墊材料之技術問題時，可輕易依據證7揭露之溝槽圖案及溝槽深度、寬度、間距，實施於IC1000或SUBA IV 拋光墊上，因而能輕易完成系爭專利請求項1 之發明。
綜上，證據7 、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
3.證據14、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性（此證據組合與本院103 年度民專上字第28號所認定之被證30、12及13的組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性之證據組合相同，且業經最高法院107 年度台上字第754 號判決駁回而確定）：
(1)證據14係關於基板之化學機械研磨，更特定地關於在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊（參證據14說明書第1 欄第1 段）。
證據14揭露要影響化學機械研磨程序的效率之另一問題為「平坦化效應」。
所謂「平坦化效應」係指基板表面構形的峰及谷同時被拋光。
拋光墊在理想情況下僅拋光基板表面構形的峰，而在拋光一定時間以後，這些峰最終將與谷呈水平，從而產生平坦表面。
當峰及谷同時被拋光，則不會產生基板表面構形的有效改變。
「平坦化效應」導因於拋光墊的可壓縮性質反應點負載的結果。
因此，減少「平坦化效應」的系統已被使用，包含較平均地分佈在拋光墊上負載的方法（參證據14說明書第4 欄第3 段）。
證據14揭露溝槽具有一第一多數平行溝槽以及與第一多數平行溝槽相交之一第二多數平行溝槽。
第一多數平行溝槽垂直於第二多數平行溝槽。
拋光墊含有一上表面，具有一多數溝槽以定義一多數之多邊形投影（參證據14說明書第5 欄第2 至3段）。
證據14揭露圖5A及圖5B之一實施例中，牆304 得具有介於約0.010 至0.050 英吋（254 至1,270 微米）之高度H，較佳為約0.025 英吋（635 微米）。
基底306 得具有介於約0.015 至0.050 英吋（381 至1,270 微米）之寬度Wb，較佳為約0.018 英吋（457 微米）。
間隔310 得具有介於約0.025 至0.125 英吋（635 至3,175 微米）之寬度Wp，較佳約0.042 英吋（1,067 微米）（參證據14說明書第10欄第2 至3 段）。
由此可知，證據14所揭示的內容可對應於系爭專利請求項1 之特徵A 的技術特徵。
(2)由於熟悉該項技術者經參酌證據8 及13之申請前既有之技術或知識可以理解，無論是IC1000或SUBA IV 拋光墊，其於頻率1.6 Hz下進行量測E'，在30℃和90℃時的比例必然落於約1 至約4 間。
經參酌證據14、8 及13後，可以得知IC1000或SUBA IV 拋光墊為熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知選用之拋光墊材料，且證據8 及14揭露高度相關性之內容，即均屬於研磨墊相關之研究文獻，證據8 及14之組合對於熟悉該項技術者並無任何困難或不合理之處。
因此，熟悉該項技術者欲解決研磨墊材料之技術問題時，可以輕易依據證據14揭露之溝槽圖案及溝槽深度、寬度、間距，實施於IC1000或SUBA IV 拋光墊上，因而能輕易完成系爭專利請求項1 之發明。
綜上，證據14、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
4.證據15、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性（此證據組合與本院103 年度民專上字第28號所認定之被證31、12及13的組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性之證據組合相同，且業經最高法院107 年度台上字第754 號判決駁回而確定）：
(1)證據15係關於一種用於例如玻璃、半導體、電介質／金屬混合物以及積體電路上形成光滑、超平坦表面之拋光墊，特別是關於這種拋光墊的表面紋理（參證據15說明書第1欄第1段）。
證據15說明書第4欄第56行至第5欄第23行揭露大型凹槽的圖案與其寬度、深度實際上可為任何所需的圖案或尺寸，只要能滿足上述的限制即可。
實際上，凹槽之寬度與深度通常保持在大型凹槽之間的突出拋光片表面的最大橫向尺寸的50% 以下，其中大型凹槽的深度至少等於寬度。
……習知技術中所述及的任何圖形，例如同心圓、方格、三角格等均可用以提供例如同心圓、矩形、三角形等突出表面形貌之利益，而在增加大型凹槽的情況下提供整體拋光率。
……在此狀況下，可用的最簡單大型凹槽圖形為同心圓或最好為隨機定向的直線。
大型凹槽亦不受限於一組固定的間隙、寬度與深度，任何的圖案都可加以組合，而所需的組合在前述尺寸限制中具有良好的效果。
證據15實施例3 揭露一系列之具有間距為0.055 英吋（1,397 微米）與深度為0.012 英吋（305微米）之環狀凹槽；
證據15實施例4 、6 及7 揭露一系列之具有間距為0.055 英吋（1,397 微米）與深度為0.010 英吋（254 微米）之環狀凹槽。
由此可知，證據15所揭示的內容可對應於系爭專利請求項1 之特徵A 的技術特徵。
(2)證據8 及證據13揭露之內容如前所述，由於熟悉該項技術者經參酌證據8 及13之申請前既有之技術或知識可以理解，無論是IC1000或SUBA IV 拋光墊，其於頻率1.6Hz 下進行量測E'，在30℃和90℃時的比例必然落在約1 至約4 間。
又經參酌證據15、8 及13後，可以得知IC1000或SUBA IV 拋光墊為熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知選用之拋光墊材料，且證據8 及15揭露高度相關性之內容，即均屬於研磨墊相關之研究文獻，證據8 及15之組合對於熟悉該項技術者並無任何困難或不合理之處。
因此，熟悉該項技術者欲解決研磨墊材料之技術問題時，可以輕易依據證據15揭露之溝槽圖案及溝槽深度、寬度、間距，而實施於IC1000或SUBA IV 拋光墊上，因而能輕易完成系爭專利請求項1 之發明。
綜上，證據15、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
5.雖羅門哈斯公司主張系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者不會組合證據8 及13云云。惟查：
(1)證據13所記載的E ＝2( 1＋μ) G 之關係式的適用確實係為假設等向性材料，而證據8 亦確未明示IC1000或SUBA IV 拋光墊為等向性材料，且實驗值與理論估計值可能產生落差亦係事實。
然不可否認，證據13為聚合物黏彈性導論之教科書，其確屬熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知之一般知識，且其記載當μ＝0.5 ，可得E ＝3G，而實驗上橡膠之μ是相當接近0.5 。
又證據8 亦明確記載所測者為黏彈性材料，其機械性質可藉由為頻率函數之G'來描述，且G'係藉由動態機械分析儀所測得，並藉由結合描述物理工具之方程式的結果與黏彈性柱彎曲原理而導出G'，並假設μ為0.5 適用於大部分聚合物。
因此，熟悉該項技術者經閱讀證據8 及13後，確實可以由證據8 記載IC1000及SUBA IV 拋光墊之G'「測試數值」，推測E'「測試數值」，而推測之數值或許與實際之量測值有誤差，但經換算為E'的「比值」（即比例數值）後，因E'比值係2 個E'數值相除之值，於推測2 個E'數值所產生之誤差，相除後理應不致對E'的「比值」產生影響，故IC10 00 及SUBA IV 拋光墊之E'在30℃及90℃時的比值應分別為約3 及約1.5 ，其縱與實際測試之E'值經換算為E'比值後有些微落差，但合理可信不會超出系爭專利界定約1 至約4 之區間。
相同地，證據8 雖未記載於1.6 Hz頻率下G'的測試數值，但由0.5 Hz及1 Hz之G'的測試數值曲線來看，其趨勢及斜率（曲線的斜率可代表其比值）均非常接近，SUBAIV拋光墊的測試曲線更幾乎完全重疊，故熟悉該項技術者可合理推測IC 1000 及SUBA IV 拋光墊於1.6 Hz頻率下之E'在30℃及90℃時的比值應分別為約3 及約1.5 ，其縱與實際測試之值略有落差，但合理可信不會超出系爭專利界定約1 至約4 之區間。
(2)至證據13之教科書雖假設等向性而得一關係式，但此係科學上推導公式之必然，因為若將每種可能影響實際情況之參數均列入考量，那符合實際情況之公式將非常複雜，不可能簡化為證據13所記載之簡單關係式。
然而，這並不是說，一個簡單的關係式無法描述實際情況，科學家在推導公式過程中所作的假設並不是毫無道理的，其通常亦係符合大部分實際情況，或是由實際情況反推而得。
因此，熟悉該項技術者於證據8 未記載受測拋光墊為等向性材料的情形下，還是有可能參酌證據13所記載之簡化關係式，由G'來推測E'，因為E'及G'均為描述黏彈性材料性質常用之參數，故證據8 、13並非無從或毫無理由結合。
嚴格來說，拋光墊不應該是一個「完全」等向性之材料，原因是如假設拋光墊之研磨面為X- Y方向來看，垂直研磨面之Z 方向的性質與X-Y 方向的性質可合理推測會有不同。
然而，拋光墊之主要作用即是作為晶圓研磨之用，如果X-Y 方向的研磨面在每一個位置的黏彈性性質差異很大，那晶圓研磨的效果必定不佳，故系爭專利請求項1 所界定之E'比值才會設定一個區間（約1 到約4 ），這也符合系爭專利說明書第27頁記載「最後一行定義在30℃和90℃下所測得之模數比，這代表著有用的拋光溫度範圍，理想上，模數將儘可能地小幅且隨溫度增加作線性趨勢之改變（亦即，比例趨近於一）」，此亦為羅門哈斯公司所不爭執（參本院103 年度民專上字第28號105 年5 月19日言詞辯論筆錄）。
因此，拋光墊之研磨面的黏彈性性質，在每一個位置所測得的值應相當接近，故假設其為一等向性材料來適用證據13之簡化關係式，並無任何不合理之處。
6.又雖羅門哈斯公司主張蒲松氏比μ可能為負值，而不應適用證據13所記載之簡單關係式云云。
惟證據13並未記載μ為負值時不得適用該關係式，且μ是否會有負值於判斷是否可組合證據8 、13沒有關係，因證據8 已明確記載假設μ為0.5，而證據13亦記載μ為0.5 為一通常適用之情形，故熟悉該項技術者係依μ為0.5 去進行推測，故其推測結果不會因μ可能有負值這件事產生影響。
此外，證據8 並非僅揭露IC1000拋光墊泡水24小時後之量測結果，其摘要已明確記載觀察到IC1000拋光墊之動態剪力模數G'於浸水5 小時後降為其乾燥值的三分之二，其內文3.1 節亦有相同記載，其內文2.1節亦明確記載其有量測乾、濕狀態之IC1000及SUBA IV 拋光墊，故證據8 並非僅揭露泡水24小時後之G'。
又由證據8 之摘要及其內文3.1 節之記載可知，拋光墊於乾燥狀態下之G'值約為泡水狀態下之G'值的1.5 倍（2/3 的倒數），但換算為G'在30℃和90℃的「比例」後不會產生實質影響，故再換算為E'在30℃和90℃的「比例」也不會產生實質影響。
更何況，系爭專利請求項1 僅係界定「用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊」，而證據8 所測試之IC1000拋光墊亦係作為化學機械研磨之用，意同於所謂平面化半導體元件表面之用，核其二者用途並無不同。
7.有關證據8 、13與其他證據組合動機，以及達成系爭專利欲解決凹化作用的問題。
經查由上述論述可知，證據7 （或證據14、15）與系爭專利請求項1 之差異僅在於證據7 （或證據14、15）未揭露拋光墊具有於特定頻率下量測之E'在30℃和90℃的比例範圍，但系爭專利請求項1 所界定之其他技術特徵，如凹槽圖案及凹槽深度、寬度、間距等，均已見於單一引證，可證屬系爭專利申請前所周知之技術。
又證據7 （或證據14、15）及證據8 均已明確記載IC1000及SUBA IV 拋光墊，故形式上雖係組合證據7 （或證據14、15）、8 及13的3 個證據，但實質上證據8 、13均係作為輔助判斷系爭專利請求項1 界定之E'比值是否能輕易完成，故形式上雖係組合2 個以上的證據，但實質上證據8 、13係用以確認IC1000及SUBA IV 拋光墊於系爭專利申請前是否已知具有系爭專利請求項1 界定之E'比值。
因此，證據7 （或證據14、15）、8 及13的組合，並非單純拼湊之組合，而係科學論證IC1000及SUBA IV 拋光墊所具有的E'比值，是否為系爭專利申請前已知者。
此外，發現一已知物的未知性質，而界定該性質之量測參數以尋求專利權之保護，實係材料科學領域常見之樣態，並非不得授予專利。
然綜觀系爭專利之說明書及圖式，對於系爭專利請求項1 界定「E'在30℃和90℃時的比例係在約1 到約4 之範圍內」，並無任何實質上對於功效增進之說明或足以支持功效之實施例、數據等，且對於為何以10弳度/ 秒之頻率進行量測，系爭專利說明書亦無任何說明，實無從認定系爭專利請求項1 有何異於既有之技術或知識的功效。
又羅門哈斯公司雖稱系爭專利之目的係解決凹化作用，但再觀系爭專利之說明書及圖式，並無任何說明、實施例或數據，得以支持凹化作用的解決係特定E'比值範圍或於特定頻率下進行量測E'所致者。
因此，系爭專利請求項1 與既有之技術或知識相比，並無任何之功效增進或技術問題的解決，對於先前技術並無任何貢獻，實有違專利制度有關進步性之立法目的。
(五)證據7 、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性：
1.系爭專利請求項2 所請為一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，此項除包括請求項1 之特徵A 外，並包括：
特徵2a：一約0.03到約1.0的凹槽膠黏硬度商數，GSQ。
特徵2b：一約0.03到約0.9的凹槽流動商數，GFQ。
2.經查，證據7 說明書第3 及4 圖、第5 欄第12至33行及第43至54行、第5 欄第66行至第6 欄第4 行揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列，且在拋光表面上均勻間隔，0.02至0.05英吋（508 微米至1,270 微米）之深度（Dg），例如0.03英吋（762 微米）；
0.015 至0.04英吋（381 微米至1,016 微米）之寬度（Wg），具體而言可為0.02英吋（508 微米）；
0.075 至0.20英吋之間隔寬度（Wp），具體而言可為0.10英吋；
以及0.09至0.24英吋（2,286 微米至6,096 微米）之間距（p ，其中p ＝Wg＋Wp) ，具體而言可為0.12英吋（3,048 微米）。
此外，該拋光襯墊包含一上層（即拋光層），該上層的厚度（T ）可為0.06至0.12英吋，例如0.07英吋，由此可知證據7 已揭示了系爭專利請求項2之特徵A 的技術特徵。
此外，證據7 已揭露拋光襯墊之拋光層可具有約0.06至0.12英吋之厚度（T ），且明確教示可為0.07英吋，並揭露拋光層之凹槽具有0.02至0.05英吋之深度（Dg），及明確教示可為0.03英吋。
另由系爭專利說明書第6 頁分別定義凹槽膠黏硬度商數（即GSQ ；
凹槽深度／襯墊厚度）及凹槽流動商數（即GFQ ；
凹槽寬度／凹槽間距）之計算方式可知，經換算證據7 所揭示的內容，可知證據7 已明確揭露拋光層可具有約0.43之GSQ （0.03／0.07＝約0.43）。
又證據7 亦已教示拋光層可具有約0.17之GFQ （＝Wg／p ＝Wg /（Wg＋Wp）= 0.02／（（0.02＋0.1) =約0.17）（依系爭專利圖1 之說明，凹槽間距＝凹槽寬度＋間隔寬度）。
因此，證據7 已教示系爭專利請求項2 拋光襯墊之特徵2a（凹槽膠黏硬度商數）及2b（凹槽流動商數）的技術特徵。
證據7 既已教示系爭專利請求項2 之全部技術特徵，且證據8 及13已揭露IC1000拋光襯墊與SUBA IV 拋光襯墊具有系爭專利拋光襯墊有關E'比值之技術特徵。
熟悉該項技術者既已基於證據7 而可輕易完成系爭專利請求項2 所請拋光襯墊，則依證據7 與證據8 及13之組合，自可輕易完成系爭專利請求項2 所請之發明。
綜上，證據7 、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性。
3.雖羅門哈斯公司主張證據7 未揭示其拋光墊厚度，及其說明書第2 欄第60至66行的凹槽寬度0.015 至0.04英吋中之0.04英吋的數值有誤，且證據7 之凹槽流動商數GFQ （即：凹槽寬度／凹槽間距）可達4.44、1.67而未落入系爭專利請求項2 所界定範圍云云。
惟查證據7 除已具體揭露系爭專利請求項2 拋光襯塾之凹槽寬度範圍〔即0.015 至0.04英吋（381微米至1,016 微米）之寬度（Wg），且具體可為0.02英吋（5 08微米）〕。
證據7 更已揭露拋光襯墊之拋光層厚度可為0.06至0.12英吋，例如0.07英吋。
因此，證據7 並無未揭示拋光墊厚度的情況。
此外，依證據7 請求項6 記載「該凹槽具有約0.015 至0.04英吋之寬度（原文：the grooves havea width of between about 0.015 and 0.04 inches）」，且請求項7 進一步記載「該凹槽具有約0.02英吋之寬度」（原文：the grooves have a width of approximately 0.02inches）」。
由此可知，有關證據7 說明書第2 頁第60至66行關於凹槽寬度之記載確實存在誤繕，但該誤繕並非在寬度之上限值「0.04英吋」，而是所進一步記載之凹槽寬度特定態樣，即該特定態樣應是與第5 欄第43至49行、請求項7 一致之「0.02英吋」而非所顯示之「0.2 英吋」。
既然證據7請求項7 已具體主張「0.02英吋」的凹槽寬度為其專利權範圍，熟悉該項技術者當可理解凹槽寬度為「0.02英吋」應為證據7 之發明的技術特徵。
再者，如系爭專利圖4 之例示，根據證據7 之定義（證據7 第4 圖、第5 欄第51至54行參照），間距（p ）係間隔寬度（Wp）與凹槽寬度（Wg) 之加總（亦即p ＝Wp＋Wg）。
從而，熟悉該項技術者可理解，證據7 拋光襯墊之凹槽寬度（Wg）必然小於間距（p ）。
因此，證據7 所設拋光襯墊之凹槽流動商數GFQ(即：凹槽寬度／凹槽間距）不可能大於1 ，羅門哈斯公司主張證據7 之GFQ 可高達4.44、1.67，且凹槽寬度上限應為0.40英吋之理由實不可採。
(六)證據7 、8 及證據7 、8 與13；
暨證據14、15分別與8 及13之組合足以證明系爭專利請求項3 不具進步性：
1.系爭專利請求項3 所請為一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，此項除包括請求項1 之特徵A 外，並包括：
3a：該襯墊上該凹槽之平地區域具有一約1 到約9 微米的平均表面粗糙度。
2.證據7 、8 及證據7 、8 、13之組合足以證明系爭專利請求項3 不具進步性：
如前所述，證據7 已揭示系爭專利請求項3 特徵A 的技術特徵，雖證據7 並未揭示系爭專利請求項3 之特徵3a（平均表面粗糙度）的技術特徵，惟查證據8 揭示一種ICl000及SUBAIV研磨墊，其第604 頁第3 圖揭示IC1000拋光墊之表面粗糙度為5.7 及7.355 微米，係可對應於系爭專利請求項3 之特徵3a的技術特徵。
由於證據7 與8 均為拋光襯墊之相關聯技術領域，且均與IC1000拋光襯墊相關（如證據7 說明書第5欄第19至20行揭示一雙層拋光墊，其上層由IC-1000 所組成），故熟悉該項技術者有動機組合彼等證據之技術，並可由此輕易完成系爭專利請求項3 之拋光襯墊。
故證據7 與證據8 之組合足以證明系爭專利請求項3 不具進步性。
證據7 及8 的組合既已足證明系爭專利請求項3 不具進步性，故證據7 、8 及13的組合亦足以證明系爭專利請求項3 不具進步性。
3.證據14、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項3 不具進步性：
證據14說明書第10欄第33至42行及請求項6 與8 揭示一種具有凹槽圖樣之拋光襯墊，其中該凹槽可為格子狀排列，且凹槽具有0.025 英吋（約640 微米）之深度、0.018 英吋（約460 微米）之寬度、及0.06英吋（約1,524 微米）之間距。
故證據14已揭示系爭專利請求項3 之特徵A 的技術特徵。
雖證據14並未揭示系爭專利請求項3 之特徵3a（平均表面粗糙度）的技術特徵，惟查證據8 揭示一種ICl000及SUBA IV 研磨墊，其第604 頁第3 圖揭示IC1000拋光墊之表面粗糙度為5.7 及7.355 微米，其係可對應於系爭專利請求項8 之特徵3a的技術特徵。
由於證據14與8 均為拋光襯墊之相關聯技術領域，且均與IC1000拋光襯墊相關（如證據14說明書第9 欄第57至第10欄第13行揭示一雙層拋光墊，其上層由IC1000所組成) ，熟悉該項技術者有動機組合彼等證據之技術，可由此輕易完成系爭專利請求項3 之拋光襯墊。
證據14與證據8之組合既足以證明系爭專利請求項3 不具進步性，故證據14、8 及13的組合亦足以證明系爭專利請求項3 不具進步性。
4.證據15、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項3 不具進步性：
證據15說明書第7 欄第39至40行揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有一0.012 英吋（即約305 微米）之深度，一0.55英吋（即約1,397 微米）之間距。
證據15說明書第4 欄第58至62行揭示溝槽深度至少與寬度相當，即溝槽寬度可為0.012 英吋（即約305 微米），故證據15已揭示系爭專利請求項3 特徵A 的技術特徵。
雖證據15並未揭示系爭專利請求項3 之特徵3a（平均表面粗糙度）的技術特徵，惟查證據8 揭示一種ICl000及SUBA IV 研磨墊，其第604 頁第3 圖揭示IC1000拋光墊之表面粗糙度為5.7 及7.355 微米，其係可對應於系爭專利請求項3 之特徵3a的技術特徵。
由於證據15與8 均為拋光襯墊之相關聯技術領域，且均與IC1000拋光襯墊相關（如證據15實施例1 揭示使用由聚氨酯組成的IC1000之拋光墊），熟悉該項技術者有動機組合彼等證據之技術，可由此輕易完成系爭專利請求項3 之拋光襯墊，故證據15與證據8 之組合足以證明系爭專利請求項3 不具進步性。
證據15及8 的組合既足以證明系爭專利請求項3 不具進步性，故證據15、8及13的組合亦足以證明系爭專利請求項3 不具進步性。
(七)證據2 、7 之組合；
證據2 、7 、8 及13之組合；
證據2 、14、8 及13之組合；
證據2 、15、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性：
1.系爭專利請求項4 為請求項1 的附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1 的所有技術特徵，系爭專利請求項4 並進一步界定「該拋光層具有一在約125 到850 （l ／Pa在40℃）之範圍內的能量損失因子，KEL ，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」。
此項除包含請求項1 之特徵A 外，並包括：
特徵4a：一彈性儲存模數，E'，其在10弳度／秒之頻率下利 用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例
係在約1 到約4 之範圍內。
特徵4b：該拋光層具有一在約125 到850 （1 ／Pa在40℃） 之範圍內的能量損失因子，KEL ，其係在10弳度／
秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測。
2.證據2 及7 之組合不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性：
證據2 揭示IC1000化學機械研磨拋光墊係由一硬質、微孔之聚氨酯材料所製成，使得該材料可平面化寬闊的間隙，以提供優越的移除率及局部一致性的技術。
經查證據2 並未揭露系爭專利請求項4 特徵A 及特徵4a、4b的技術特徵，雖證據7 揭示系爭專利請求項4 特徵A 的技術特徵已如前述，惟查證據7 亦未揭示系爭專利請求項4 關於特徵4a及4b的技術特徵，且查系爭專利請求項4 係藉由控制拋光墊之能量損失因子KEL 、模數一溫度比（E （30℃）／E'（90℃））、凹槽深度、凹槽寬度、凹槽間距與凹槽圖案等參數而達到獲有低彈性回復力以及高散能性，而可解決凹化作用功效的技術特徵。
由於進步性的判斷，應以申請專利之發明的整體為對象，不得僅針對個別或部分技術特徵，亦不得僅針對發明與相關先前技術之間的差異本身，判斷該發明是否能被輕易完成。
證據2 與證據7 之組合既對於系爭專利請求項4 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，則尚難認熟悉該項技術者依申請前既有之先前技術證據2 、7 之組合，即可輕易完成系爭專利請求項4 ，故證據2 與證據7 之組合尚不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
3.證據2 、7 、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性：
證據2 及7 所揭示的內容，已如前所述，證據2 及7 之組合並未揭示系爭專利請求項4 關於特徵4a及4b的技術特徵。
又證據8 揭示一種ICl000及SUBA IV 研磨墊的剪能量儲存模數G'與溫度關係圖，證據8 第4 圖揭示SUBA IV 拋光襯墊於30℃和90℃時所對應之剪力模數分別約為43及28MPa ，以及IC1000拋光襯墊於30℃和90℃時所對應之剪力模數分別約為90及32MPa 。
此外，證據8 第602 頁揭露剪力模數及浦松式比（0.5 ）之數值，而經由證據13之關係式係可計算出證據8之SUBA IV 及IC1000拋光襯墊之E'於30℃和90℃時之比例分別為約1.5 及約3 。
雖證據8 及13揭示了系爭專利請求項4之特徵4a的技術特徵，然即使將證據2 、7 、8 及13予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項4 特徵4b的技術特徵。而系爭專利請求項4 係藉由控制拋光墊之能量損失因子
KEL 、模數一溫度比（E （30℃）／E'（90℃））、凹槽深度、凹槽寬度、凹槽間距與凹槽圖案等參數而達到獲有低彈性回復力以及高散能性，而可解決凹化作用功效的技術特徵。
由於進步性的判斷，應以申請專利之發明的整體為對象，不得僅針對個別或部分技術特徵，亦不得僅針對發明與相關先前技術之間的差異本身，判斷該發明是否能被輕易完成。
證據2 、7 、8 及13之組合既對於系爭專利請求項4 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項4 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、7 、8 及13之組合技術所能輕易完成，故證據2 、7 、8 及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
4.證據2 、14、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性：
證據2 、8 及13之組合所揭示之內容並未揭露系爭專利請求項4 之特徵A 及4b的技術特徵已如前述。
又證據14揭示了一種關於在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊，證據14說明書第10欄第33至42行及請求項6 、8 項揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉格子狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有一0.025 英吋（即約640 微米）之深度，一0.018 英吋（即約460 微米）之寬度，一0.06英吋（即約1,524 微米）之間距，由此可知證據14已揭示了系爭專利請求項4 之特徵A 的技術特徵。
然而，即使將證據2、14、8 及13予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項4 特徵4b的技術特徵。
而系爭專利請求項4 係藉由控制拋光墊之能量損失因子KEL 、模數一溫度比（E （30℃）／E'（90℃））、凹槽深度、凹槽寬度、凹槽間距與凹槽圖案等參數而達到獲有低彈性回復力以及高散能性，而可解決凹化作用功效的技術特徵。
而依前述整體判斷原則，證據2 、14、8 及13之組合對於系爭專利請求項4 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項4 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、14、8 及13之組合技術所能輕易完成，故證據2 、14、8 及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
5.證據2 、15、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性：
證據2 、8 及13之組合所揭示的內容，並未揭露系爭專利請求項4 之特徵A 及4b的技術特徵。
又證據15揭示關於一種用於例如玻璃、半導體、電介質／金屬混合物以及積體電路上形成光滑、超平坦表面之拋光墊，證據15說明書第7 欄第39至40行揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有一0.012 英吋（即約305 微米）之深度，一0.55英吋（即約1,397 微米）之間距。
證據15說明書第4 欄第58至62行揭示溝槽深度至少與寬度相當，即溝槽寬度可為0.012 英吋（即約305 微米），由此可知證據15已揭示了系爭專利請求項4 之特徵A 的技術特徵。
然而，即使將證據2 、15、8 及13予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項4 之特徵4b的技術特徵。
而依前述整體判斷原則，證據2 、15、8 及13之組合對於系爭專利請求項4 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項4 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、15、8 及13之組合技術所能輕易完成，故證據2 、15、8 及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
(八)證據2 、7 及8 之組合；
證據2 、7 及9 之組合；
證據2 、7 、8 、10及11之組合；
證據2 、7 、9 、10及11之組合；
證據2 、7 、8 及13之組合；
證據2 、14、8 及13之組合；
證據2 、15、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性：
1.系爭專利請求項5 所請為用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，此項除包括請求項1 之特徵A 外，並包括：
特徵5a：該拋光表面具有：一約1到約9微米之該凹槽平地區 域上的平均表面粗糙度。
特徵5b：一約40到約70的Shore D硬度。
特徵5c：一約100 到2,000 的張力模數，其係在40℃之溫度與10弳度/ 秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測。
特徵5d：一約150 到1,000 （1 ／Pa在40℃）的能量損失因 子，KEL ，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機
械分佈法所量測。
特徵5e：一在30℃和90℃時在10弳度／秒之頻率下利用動態 機械分佈法所量測為從約1 到約5 的彈性儲存模數
，E'比。
2.證據2 、7 及8 之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性
：
(1)證據2 揭示IC1000化學機械研磨拋光墊係由一硬質、微孔之聚氨酯材料所製成，使得該材料可平面化寬闊的間隙，以提供優越的移除率及局部一致性的技術，證據2 第1 頁左下方揭示拋光墊為57的Shore D 硬度，其可對應於系爭專利請求項5 之約40到約70的Shore D 硬度之技術特徵（即特徵5b）。
然證據2 並未揭露系爭專利請求項5 之特徵A 及5a、5c至5e的技術特徵。
又證據7 揭示系爭專利請求項5 之特徵A 的技術特徵已如前述，然縱使將證據2 與證據7 組合，仍未揭示系爭專利請求項5 之特徵5a、5c至5e的技術特徵。
雖證據8 揭示SUBA IV 拋光襯墊於30℃和90℃時所對應之剪力模數分別約為43及28MPa ，以及IC1000拋光襯墊於30℃和90℃時所對應之剪力模數分別約為90及32MPa ，另證據8 第602 頁揭露剪力模數及浦松式比（0.5 ）之數值，經由通常知識所知之關係式可計算出證據8 之SUBA IV 及IC1000拋光襯墊之E'於30℃和90℃時之比值分別為約為3 及約1.5 ，其可對應於系爭專利請求項5 之特徵5e的技術特徵。
又證據8 第3 圖揭示IC1000拋光墊之表面粗糙度為5.7 及7.355 微米，其可對應於系爭專利請求項5 之特徵5a的技術特徵。
然即使將證據2 、7 及8 予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5 之特徵5c及5d的技術特徵。
(2)而系爭專利請求項5 係藉由控制拋光墊之凹槽深度、凹槽寬度、凹槽間距、凹槽圖案、凹槽平地區域上的平均表面粗糙、Shore D 硬度、在40℃之溫度與10弳度／秒之頻率下的張力模數、能量損失因子KEL 、在30℃和90℃時在10弳度／秒之頻率下的彈性儲存模數等參數而達到獲有低彈性回復力以及高散能性，而可解決凹化作用功效的技術特徵。
由於進步性的判斷，應以申請專利之發明的整體為對象，不得僅針對個別或部分技術特徵，亦不得僅針對發明與相關先前技術之間的差異本身，判斷該發明是否能被輕易完成。
換言之，證據2 、7 及8 之組合對於系爭專利請求項5 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、7 及8 之組合技術所能輕易完成，故證據2 、7 及8 之組合尚不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
3.證據2 、7 及9 之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性：
證據2 及證據7 之組合，並未揭示系爭專利請求項5 之特徵5a、5c至5e的技術特徵已如前述，又證據9 第9 欄表1 揭示拋光墊之表面粗糙度為1 至15微米，且第16欄之表8 亦揭示拋光墊之表面粗糙度為7.8 ±0.9381微米及7.05±0.8062微米之技術內容。
由此可知證據9 已揭示系爭專利請求項5 襯墊上凹槽之平地區域具有一約1 到約9 微米的平均表面粗糙度（即特徵5a）之技術特徵。
然縱使將證據2 、7 及9 予以組合，其仍未揭示系爭專利請求項5 之特徵5c至5e的技術特徵。
而依前述整體判斷原則，證據2 、7 及9 之組合對於系爭專利請求項5 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、7 及9 之組合技術所能輕易完成，故證據2 、7 及9之組合尚不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
4.證據2 、7 、8 、10及11之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性：
證據2 、7 及8 之組合並未揭示系爭專利請求項5 之特徵5c及5d的技術特徵已如前述，又證據10揭示一種可用於製造半導體元件之拋光墊，證據10請求項1 揭示該拋光層在30℃時之張力模數對應在60℃時之張力模數之比值為1.0 至2.5 ，且張力模數在0.02到5GPa（即20到5,000MPa），可對應於系爭專利請求項5 之特徵5c的技術特徵。
另證據11揭示一種研磨材質，證據11第1 圖揭示在90℃之彈性模數E'為約1.0GPa，而在30℃之彈性模數E'為約2.5GPa，由此圖可知，30℃及90℃之E'的比例即約為2.5 ，其可對應於系爭專利請求項5之特徵5e的技術特徵。
然縱使將證據2 、7 、8 、10及11予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5 之特徵5d的技術特徵。
而依前述整體判斷原則，證據2 、7 、8 、10及11之組合對於系爭專利請求項5 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、7 、8 、10及11之組合技術所能輕易完成，故證據2 、7 、8 、10及11之組合尚不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
5.證據2 、7 、9 、10及11之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性：
證據2 、7 及9 之組合並未揭示系爭專利請求項5 之特徵5c至5e的技術特徵已如前述，又證據10及11所揭示的內容亦如前述所示，證據10僅揭示對應系爭專利請求項5 之特徵5d的技術特徵，而證據11僅揭示對應於系爭專利請求項5 之特徵5e的技術特徵。
然而，縱使將證據2 、7 、9 、10及11予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5 之特徵5c的技術特徵。
而依前述整體判斷原則，證據2 、7 、9 、10及11之組合對於系爭專利請求項5 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、7 、9 、10及11之組合技術所能輕易完成，故證據2 、7 、9 、10及11之組合尚不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
6.證據2 、7 、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性：
證據2 、7 及8 之組合並未揭示系爭專利請求項5 之特徵5c及5d的技術特徵已如前述，又證據13揭示一材料之拉伸模數E 與剪力模數G 間之關係式可由拉伸模數、剪力模數及浦松式比三者知其二，而可輕易計算出剩餘之第三者，而如前述所示，依據證據13所揭示的關係式，可計算出證據8 之SUBAIV及IC1000拋光襯墊之E'於30℃和90℃時之比例分別為約3及約1.5 ，其可對應於系爭專利請求項5 之特徵5e的技術特徵。
然而，縱使將證據2 、7 、8 及13予以組合，其仍然未揭示系爭專利請求項5 之特徵5c及5d的技術特徵。
而依前述整體判斷原則，證據2 、7 、8 及13之組合對於系爭專利請求項5 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、7、8 及13之組合技術所能輕易完成，故證據2 、7 、8 及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
7.證據2 、14、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性：
證據2 並未揭露系爭專利請求項5 之特徵A 及5a、5c至5e的技術特徵已如前述，又證據14揭示關於在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊，證據14說明書第10欄第33至42行及請求項6 、8 項揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉格子狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有一0.025 英吋（即約640 微米）之深度，一0.018 英吋（即約460 微米）之寬度，一0.06英吋（即約1,524 微米）之間距。
證據14所揭示的內容可對應於系爭專利請求項5 之特徵A 的技術特徵。
然而，將證據2 及證據14予以組合，其仍未揭示系爭專利請求項5 之特徵5a、5c至5e的技術特徵。
再查，有關證據8 及13所揭示的技術內容亦如前所述，證據8 及13之組合僅揭示對應於系爭專利請求項5 之特徵5a及5e的技術特徵。
因此，縱使將證據2 、14、8 及13予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5 之特徵5c及5d的技術特徵。
而依前述整體判斷原則，證據2 、14、8 及13之組合對於系爭專利請求項5 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、14、8 及13之組合技術所能輕易完成，故證據2 、14、8 及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
8.證據2 、15、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性：
經查證據2 並未揭露系爭專利請求項5 之特徵A 及5a、5c至5e的技術特徵已如前述，又證據15揭示關於一種用於例如玻璃、半導體、電介質／金屬混合物以及積體電路上形成光滑、超平坦表面之拋光墊，證據15說明書第7 欄第39至40行揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有一0.012 英吋（即約305 微米）之深度，一0.55英吋（即約1,397 微米）之間距。
證據15說明書第4 欄第58至62行揭示溝槽深度至少與寬度相當，即溝槽寬度可為0.012 英吋（即約305 微米）。
由此可知證據15已揭示了系爭專利請求項5 之特徵A 的技術特徵。
然而，將證據2 及15予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5 之特徵5a、5c至5e的技術特徵。
又有關證據8 及13所揭示的技術內容亦已如前述，證據8 及13之組合僅揭示對應於系爭專利請求項5 之特徵5a及5e的技術特徵。
因此，縱使將證據2 、15、8 及13予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5 之特徵5c及5d的技術特徵。
而依前開整體判斷原則，證據2 、15、8 及13之組合對於系爭專利請求項5 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、15、8 及13之組合技術所能輕易完成，故證據2 、15、8 及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
(九)證據2 及7 之組合；
證據2 、7 、10及11之組合；
證據2 、7 、8 及13之組合；
證據2 、14、8 及13之組合、證據2 、15、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性：
1.系爭專利請求項6 所請為一種拋光半導體晶圓之金屬鑲嵌結構的方法，此項除包含請求項1 之特徵A 外，尚包括：
特徵6a：向一晶圓和拋光襯墊之拋光層之間的界面偏斜晶圓 ；令一拋光流體流動到界面中；以及提供晶圓和拋
光襯墊在壓力下進行的相對運動，伴隨拋光流體與
晶圓間之運動受壓接觸，導致物質從該晶圓表面脫
離的平面移除。
特徵6b：該拋光層具有：一約40到約70 Shore D的硬度。
特徵6c：一在40℃時約150到2,000 MPa的張力模數，其係在 10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測。
特徵6d：一約100 到1,000 （1 ／Pa在40℃）的能量損失因 子，KEL ，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機
械分佈法所量測。
特徵6e：一在30℃和90℃時為從約1到約5的彈性儲存模數， E'比，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分
佈法所量測。
2.證據2 及7 之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性：
證據2 揭示IC1000化學機械研磨拋光墊係由一硬質、微孔之聚氨酯材料所製成，使得該材料可平面化寬闊的間隙，以提供優越的移除率及局部一致性的技術，證據2 第1 頁左下方揭示拋光墊為57的Shore D 硬度。
因此，證據2 揭示了系爭專利請求項6 的特徵6a及6b之技術特徵。
然證據2 並未揭示系爭專利請求項6 之特徵6c至6e及特徵Ａ等技術特徵。
又證據7 揭示系爭專利請求項6 之特徵A 的技術特徵已如前述，然而，即使將證據7 與證據2 予以組合，該等證據之組合仍未揭示系爭專利請求項6 之特徵6c至6e的技術特徵。
而系爭專利請求項6 係藉由控制拋光墊之Shore D 硬度、在40℃之溫度與10弳度秒之頻率下的張力模數、能量損失因子KEL 、在30℃和90℃時在10弳度／秒之頻率下的彈性儲存模數、凹槽深度、凹槽寬度、凹槽間距、凹槽圖案等參數而達到獲有低彈性回復力以及高散能性，而可解決凹化作用功效的技術特徵。
由於進步性的判斷，應以申請專利之發明的整體為對象，不得僅針對個別或部分技術特徵，亦不得僅針對發明與相關先前技術之間的差異本身，判斷該發明是否能被輕易完成。
證據2 及7 之組合既對於系爭專利請求項6 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項6 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 及7 之組合技術所能輕易完成，故證據2 及7 之組合尚不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。
3.證據2 、7 、10及11之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性：
證據2 及證據7 之組合並未揭示系爭專利請求項6 之特徵6c至6e的技術特徵已如前述，又證據10揭示一種可用於製造半導體元件之拋光墊，證據10請求項1 揭示該拋光層在30℃時之張力模數對應在60℃時之張力模數之比值為1.0 至2.5 ，且張力模數在0.02到5GPa（即20到5,000MPa），其可對應於系爭專利請求項6 之特徵6c的技術特徵。
另查證據11揭示一種研磨材質，證據11第1 圖揭示在90℃時之彈性模數E'為約1.0GPa，而在30℃時之彈性模數E'為約2.5GPa，由此圖可知，30℃及90℃時之E'的比例即約為2.5 ，其可對應於系爭專利請求項6 之特徵6e的技術特徵。
然而，即使將證據2 、7、10及11予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項6 之特徵6d的技術特徵。
而依整體判斷原則，證據2 、7 、10及11之組合既對於系爭專利請求項6 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項6 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、7 、10及11之組合技術所能輕易完成，故證據2 、7 、10及11之組合尚不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。
4.證據2 、7 、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性：
證據2 及證據7 之組合並未揭示系爭專利請求項6 之特徵6c至6e的技術特徵已如前述，又證據8 揭示ICl000及SUBA IV研磨墊的剪能量儲存模數G'與溫度關係圖，證據8 第4 圖揭示：SUBA IV 拋光襯墊於30℃和90℃時所對應之剪力模數分別約為43及28MPa ；
IC1000拋光襯墊於30℃和90℃時所對應之剪力模數分別約為90及32MPa 。
證據8 第602 頁揭露剪力模數及浦松式比（0.5 ）之數值，而證據13揭示一材料之拉伸模數E 與剪力模數G 間之關係式，可由拉伸模數、剪力模數及浦松式比三者知其二，可輕易計算出剩餘之第三者。
經由證據13之關係式已可計算出證據8 之SUBA IV 及IC1000拋光襯墊之E'於30℃和90℃時之比例分別為約為3 及約1.5 。
據此，證據8 及13之組合所揭示的技術內容係可對應於系爭專利請求項6 之特徵6e的技術特徵。
然而，縱使將證據2 、7 、8 及13予以組合，其仍未揭示系爭專利請求項6 之特徵6c及6d的技術特徵。
而依據前述整體判斷原則，證據2 、7、8 及13之組合既對於系爭專利請求項6 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項6 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、7 、8 及13之組合技術所能輕易完成，故證據2 、7 、8 及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。
5.證據2 、14、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性：
證據2 僅揭示了系爭專利請求項6 的特徵6a及6b之技術特徵已如前述。
然證據2 並未揭示系爭專利請求項6 之特徵6c至6e及特徵A 等技術特徵。
又證據14揭示一種關於在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊，證據14說明書第10欄第33至42行及請求項6 、8 項揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉格子狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有一0.025 英吋（即約640 微米）之深度，一0.018英吋（即約460 微米）之寬度，一0.06英吋（即約1,524 微米）之間距，其可對應於系爭專利請求項6 之特徵Ａ的技術特徵。
然而，即使將證據14與證據2 予以組合，該等證據之組合仍未揭示系爭專利請求項6 之特徵6c至6e的技術特徵。
再查，有關證據8 及證據13之組合所揭示的技術內容，其僅揭示可對應於系爭專利請求項6 之特徵6e的技術特徵。
故縱使將證據2 、14、8 及13予以組合，其仍未揭示系爭專利請求項6 之特徵6c及6d的技術特徵。
而依前述整體判斷原則，證據2 、14、8 及13之組合對於系爭專利請求項6 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項6 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、14、8 及13之組合技術所能輕易完成，故證據2 、14、8 及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。
6.證據2 、15、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性：
證據2 僅揭示了系爭專利請求項6 的特徵6a及6b之技術特徵，然證據2 並未揭示系爭專利請求項6 之特徵6c至6e及特徵A 等技術特徵已如前述。
又證據14揭示關於一種用於例如玻璃、半導體、電介質／金屬混合物以及積體電路上形成光滑、超平坦表面之拋光墊，證據15說明書第7 欄第39至40行揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有一0.012 英吋（即約305 微米）之深度，一0.55英吋（即約1,397 微米）之間距。
此外，證據15說明書第4 欄第58至62行揭示溝槽深度至少與寬度相當，即溝槽寬度可為0.012 英吋（即約305 微米）。
證據15所揭示的技術內容可對應於系爭專利請求項6 之特徵A 的技術特徵。
然而，即使將證據15與證據2 予以組合，該等證據之組合仍未揭示系爭專利請求項6 之特徵6c至6e的技術特徵。
再查，有關證據8 及證據13之組合所揭示的技術內容，其僅揭示可對應於系爭專利請求項6 之特徵6e的技術特徵。
故縱使將證據2 、15、8 及13予以組合，其仍未揭示系爭專利請求項6 之特徵6c及6d的技術特徵。
而依前述整體判斷原則，證據2 、15、8 及13之組合對於系爭專利請求項6 發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項6 尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2 、15、8 及13之組合技術所能輕易完成，故證據2 、15、8 及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。
(十)奈平公司主張系爭專利請求項4 至6 不具進步性，並無理由：
1.雖奈平公司稱系爭專利說明書所提供之實施例中，僅實施例4 及5 有提供例示拋光墊之功效實驗結果，然而，該等實施例尚不足以證明系爭專利請求項4 至6 之拋光襯墊之功效云云。
惟查，專利說明書中的實施例是舉例說明發明較佳的具體實施方式，其數目主要是取決於申請專利範圍中所載之技術特徵的總括程度，如並列元件的總括程度或數據的取值範圍；
而實施例的數目是否適當，亦應考量發明的性質、所屬技術領域及先前技術的情況，原則上應以是否符合可據以實現要件及是否足以支持申請專利範圍，予以判斷。
當一個實施例足以支持申請專利範圍所涵蓋的技術手段時，說明書得僅記載單一實施例。
是以，專利說明書中的實施例是用以判斷是否足以支持申請專利範圍所涵蓋的技術手段，並非判斷進步性的必要步驟。
此外，系爭專利之發明所達到的功效，是用以作為肯定進步性的因素之一，若系爭專利之發明對照相關先前技術具有無法預期之功效，則於判斷是否具有肯定進步性之因素時，得視為有力之情事。
因此，即使申請時之通常知識或先前技術會促使該發明所屬技術領域中具有通常知識者完成申請專利之發明，只要該發明具有無法預期之功效，則於判斷是否具有肯定進步性之因素時，得視為有力之情事。
況系爭專利說明書第6 頁第11至12行已記載「本發明係關於具低彈性回復力與凹槽之拋光襯墊，現將藉由實例，並參照下列詳細說明以詳述本發明之具體實施例」；
系爭專利說明書第26至27頁記載「1.用於金屬CMP 之襯墊一般可藉由改變襯墊組合而具有下列條件一項或一項以上的最佳組合：膠黏硬度（模數及厚度）、凹槽設計（影響凹槽寬度、凹槽深度、以及凹槽間距）、凹槽膠黏硬度商數、凹槽流動商數、能量損失因子( KEL)、模數一溫度比例、硬度、以及表面粗糙度；
這些條件在某些程度上可被獨立控制;2. 具有低彈性回復力之襯墊一般在金屬CMP 拋光期間會產生較低之表面物件碟化作用」；
此外，再參酌系爭專利說明書的實施例3 至5 ，所屬技術領域中具有通常知識者自可理解經由該等特定的參數組合，係可達到該發明所欲之效果，故奈平公司之主張並不可採。
2.又奈平公司稱系爭專利說明書的實施例所記載的拋光襯片無一具有請求項4 至6 所請拋光襯墊之全部技術特徵云云。
惟查實施例3 至5 已記載了相關的彈性儲存模數（E'）以及能量損失因子（KEL ），其可對應於系爭專利請求項4 的技術特徵；
實施例4 記載了相關的彈性儲存模數（E'）、硬度（Shore D ）、40℃的張力模數以及能量損失因子（KEL ），其可對應於系爭專利請求項5 及6 的技術特徵。
而奈平公司所稱實施例未記載系爭專利請求項4 至6 的特定凹槽圖案及數值在特定範圍內之凹槽深度、寬度與間距，甚至請求項5所界定的平均表面粗糙度，惟系爭專利說明書第26至27頁的「發明摘述」已記載該發明所使用的技術特徵以及其參數範圍，其已包含了在該發明中要使用的表面粗糙度、凹槽深度、凹槽寬度及凹槽間距等，而系爭專利說明書第9 頁第4 行至第10頁第6 行又記載了該發明適當的凹槽設計。
據此，雖然實施例3 至5 未明顯記載凹槽圖案及凹槽深度、寬度與間距或者是平均表面粗糙度，但當所屬技術領域中具有通常知識者參酌系爭專利說明書所記載的內容後，當會將該等技術特徵使用在實施例3 至5 的實驗中，而形成特定的技術特徵的組合，進而產生其所欲之功效，故奈平公司此部分之主張，亦不可採。
3.另奈平公司舉例說明系爭專利說明書之比較實例1 中的襯墊1A、1B與1C之KEL 值落在系爭專利請求項4 至6 所界定的範圍內，可說明其為習知的技術且無法解決凹化作用云云。
惟判斷一專利之發明是否具有進步性時，通常會涉及複數引證之技術內容的結合，此時，應考量該發明所屬技術領域中具有通常知識者是否有動機能結合複數引證之技術內容（例如主要引證之技術內容A 與其他引證之技術內容B ）而完成申請專利之發明（例如技術內容A+B ），若有動機能結合，則可判斷具有否定進步性之因素。
然而，如前述所示，奈平公司所提的證據均未揭示能量損失因子（KEL ），該等證據既未能揭示或教示、建議要將能量損失因子界定在特定的範圍，並與其他技術特徵予以組合，則難謂可預期該等證據之組合可完成系爭專利所欲達到的功效，且系爭專利請求項4 至6 所請的內容係為須有特定的技術特徵之組合，才可達到解決凹化作用的效果，並非單指KEL 值即可達到該效果。
進步性的判斷應以每一請求項中所載的發明整體為對象，而不應單獨解釋單一的技術特徵，始能正確解讀該等請求項的專利權範圍，否則將造成因閱讀說明書及申請專利範圍之內容所產生的「後見之明」。
因此，判斷一專利之發明能被輕易完成而不具進步性，應將申請專利之發明的整體與相關先前技術進行比對，以該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌申請時之通常知識的觀點，作成客觀的判斷，故奈平公司此部分之主張，仍不可採。
六、綜上所述，原處分認證據7 、8 及13之組合；
證據14、8 及13之組合；
證據15、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項1 不具進步性；
證據7 、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性；
證據7 及8 之組合；
證據7 、8 及13之組合；
證據14、8 及13之組合；
證據15、8 及13之組合足以證明系爭專利請求項3 不具進步性，均無違誤，故奈平公司於本院審理時所再提出之證據，已無加以論述之必要，附此敘明。
另原處分認證據2 及7 之組合；
證據2 、7 、8 及13之組合；
證據2 、14、8 及13之組合；
證據2 、15、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性；
證據2 、7 及8 之組合；
證據2 、7 及9 之組合；
證據2 、7 、8 、10及11之組合；
證據2 、7 、9 、10及11之組合；
證據2 、7 、8 及13之組合；
證據2 、14、8 及13；
證據2 、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性；
證據2 及7 之組合；
證據2 、7 、10及11之組合；
證據2 、7 、8 及13之組合；
證據2 、14、8 及13之組合；
證據2 、15、8 及13之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性，均有理由。
故被告所為請求項1 至3 舉發成立，應予撤銷，請求項4 至6 舉發不成立之審定，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合，羅門哈斯公司及奈平公司徒執前詞，聲請撤銷原處分及訴願決定等，均無理由，應予駁回。
七、本件事證已明，本件其餘主張或答辯，已與本院判決結果不生影響，爰毋庸一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告即參加人羅門哈斯公司及奈平公司之訴均無理由，爰依行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
中 華 民 國 108 年 3 月 28 日
智慧財產法院第二庭
審判長法 官 汪漢卿
法 官 彭洪英
法 官 熊誦梅
以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；
如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第241條之1第1項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1項但書、第2項）。
┌─────────┬────────────────┐
│得不委任律師為訴訟│         所  需  要  件         │
│代理人之情形      │                                │
├─────────┼────────────────┤
│㈠符合右列情形之一│1.上訴人或其法定代理人具備律師資│
│  者，得不委任律師│  格或為教育部審定合格之大學或獨│
│  為訴訟代理人    │  立學院公法學教授、副教授者。  │
│                  │2.稅務行政事件，上訴人或其法定代│
│                  │  理人具備會計師資格者。        │
│                  │3.專利行政事件，上訴人或其法定代│
│                  │  理人具備專利師資格或依法得為專│
│                  │  利代理人者。                  │
├─────────┼────────────────┤
│㈡非律師具有右列情│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、│
│  形之一，經最高行│  二親等內之姻親具備律師資格者。│
│  政法院認為適當者│2.稅務行政事件，具備會計師資格者│
│  ，亦得為上訴審  │  。                            │
│  訴訟代理人      │3.專利行政事件，具備專利師資格或│
│                  │  依法得為專利代理人者。        │
│                  │4.上訴人為公法人、中央或地方機關│
│                  │  、公法上之非法人團體時，其所屬│
│                  │  專任人員辦理法制、法務、訴願業│
│                  │  務或與訴訟事件相關業務者。    │
├─────────┴────────────────┤
│是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴│
│人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明│
│文書影本及委任書。                                  │
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中 華 民 國 108 年 4 月 2 日
書記官 謝金宏