智慧財產及商業法院行政-IPCA,108,行專訴,77,20200617,3

1智慧財產法院行政判決
2108年度行專訴字第77號
3原告德商馬克專利公司（MerckPatentGMBH)
4
5
6
7代表人WolfgangLosert（資深副總裁）、SabineSchoen8（資深經理）
9
10訴訟代理人張哲倫律師
11複代理人古乃任專利師
12
13訴訟代理人許文亭專利師
14被告經濟部智慧財產局
15
16
17代表人洪淑敏（局長）住同上
18訴訟代理人楊淑珍
19參加人日商JNC株式社（捷恩智股份有限公司）
20
21
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23代表人山田敬三(董事長)
24
25訴訟代理人呂紹凡律師
26複代理人蔡孟真律師
27訴訟代理人謝祥揚律師
1
1輔佐人翁啟達專利師
23樓
3上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國1084年8月28日經訴字第10806311240號訴願決定，提起行政訴訟5，經本院裁定准許參加人聲請獨立參加被告訴訟，判決如下：6主文
7原告之訴駁回。
8訴訟費用由原告負擔。
9事實及理由
10一、事實概要：
11原告前於民國98年12月22日以「液晶介質」向被告申請發12明專利，同時聲明以西元2008年12月22日申請之德國第10132008064171.5號專利案主張優先權，經被告編為第9814422614號審查。
嗣原告於104年2月17日向被告申請就前揭專利申15請案分割出「液晶介質」（後修正為「液晶介質、其方法及用16途與電光顯示器」）發明專利申請案（其申請專利範圍共3417項），經被告另編為第104105726號審查，准予專利，並發18給發明第I560263號專利證書（下稱：系爭專利）。
嗣參加19人以系爭專利違反核准時專利法第26條第1項及第2項、第2023條、第22條第2項之規定，對之提起舉發，原告則於10621年6月5日提出系爭專利申請專利範圍更正本（更正請求項122、3、6、9、12，並刪除請求項2）。
案經被告審查，認該更23正符合現行專利法第67條之規定，依該更正本審查，並認系24爭專利請求項1、3至34有違專利法第22條第2項規定，以25108年2月13日（108）智專三（五）01103字第1082011632640號專利舉發審定書為「106年6月5日之更正事項，准予27更正」、「請求項1、3至34舉發成立，應予撤銷」、「請求28項2舉發駁回」之處分。
原告不服前揭審定書中有關「請求項2
11、3至34舉發成立，應予撤銷」部分之處分，提起訴願，經2經濟部108年8月28日經訴字第10806311240號訴願駁回，3原告不服，提起本件訴訟。
惟本件判決結果，倘認訴願決定及4原處分關於舉發成立部分應予撤銷，參加人之權利或法律上之5利益將受有損害，爰准許參加人聲請獨立參加被告之訴訟。
6二、原告起訴主張：
7（一）被告未適時行使其闡明權，致使原告未能完整陳述意見，8違反行政程序法第102條與專利審查基準之規定：
9行政程序法第102條規定及專利審查基準第五篇第一章第410.2.2節「闡明權之行使」規定之目的，賦予被告行使闡明11權之義務，而專利權人亦為舉發階段之當事人，被告對於專12利權人自亦具闡明義務。
倘被告於面詢時就進步性爭點提出13疑問，原告既可為被告釋疑或於當次面詢後以書狀補充說明14，惟被告將面詢重點圍繞在系爭專利是否擬制喪失新穎性，15對於系爭專利之進步性爭點隻字未提，原告與參加人於當次16面詢亦僅就此爭點進行攻防，甚至於面詢後的補充書狀亦僅17以擬制喪失新穎性為重點進行攻擊防禦，殊料，被告竟以系18爭專利不具進步性作為撤銷理由，侵害原告程序權甚深。
19（二）被告適用106年7月版專利審查基準（下稱「106年基準」20）作為進步性審查基礎實已違反法不溯及既往原則，且有21違人民之信賴，違反信賴保護原則；
又恣意拼湊103年及12206年版審查基準之規定，未合理評價系爭專利之進步性，23其處分顯有不當：
24系爭專利是否具備新穎性或進步性之判斷標準應以被舉發案25審定時施行之103年版審查基準為斷。
又103年版進步性審26查基準認定「是否有動機而明顯結合相關先前技術，原則上27就『相關先前技術』與『申請專利之發明』間，就技術領域28、所欲解決之問題、功能或作用的關連性等例示事項綜合考3
1量」。
然106年版進步性審查基準同樣就技術領域、所欲解2決之問題、功能或作用的關連性等例示事項，卻規定「不應3考量」引證之技術內容與申請專利之發明的技術內容之關連4性或共通性，以避免後見之明。
可知，106年版進步性審查5基準中關於「有動機能結合複數引證」之規定與103年版所6揭示者有衝突之處。
倘如被告所述，103年版與106年版之7審查基準「並無相違之處」、106年版之審查基準僅為「進8一步闡釋審查之細節」，被告為何不直接適用最無爭議之1903年審查基準？從而，被告既未按103年版專利審查基準10之規定審酌進步性，亦未按106年版專利審查基準之規定為11之，反係將兩版基準任意拼湊，更彰原處分違法不當。
12（三）被告違反行政程序法第43條及第36條之規定，未斟酌全13部陳述並詳盡其調查事實之責，甚至對原告有利之事項視14而不見：
15原處分第50頁第(12)點稱「…經查，證據2、3、5至8皆16揭示可達成短反應時間等功效，雖未揭示『低溫穩定性』之17測試數據，惟該等證據揭示之液晶介質（或組成物），組成18內容與系爭專利相似，縱有差異，亦屬功能或作用具有共通19性之化合物間的替換…況被舉發人並無相關數據或比較例證20明，無法佐證系爭專利限定之組成內容確與提升低溫穩定性21有關，亦無法佐證系爭專利相較先前技術確有無法預期之功22效，是以無法證明具有進步性。」
但就被告所指稱之「提升23低溫穩定性」而言，系爭專利說明書早已提供相關揭示，被24告漏未斟酌系爭專利說明書內容，未注意此有利原告之重大25事項，明顯違反行政程序法之相關規定，應予撤銷。
26（四）原處分已違反「整體審查」原則，更有「後見之明」之瑕27疵：
28比較證據5與系爭專利之差異，可知，證據5並未教示或建4
1議系爭專利之負介電成分：IIB及IIC化合物，亦未教示或2建議必須使用系爭專利式I之介電中性烷基化合物作為液晶3介質之成分，並將上述二者作為必要成分組合使用。
然而，4被告不顧證據5之發明重點，竟能在未附任何理由之下，輕5易從證據5眾多實施例中刻意挑選出實施例7，顯然已有落6入閱讀系爭專利說明書及申請專利範圍後所得之後見之明。
7故被告審查進步性時從未正確理解相關先前技術及系爭專利8之整體內容，未將所涉「所欲解決之問題」、「解決問題之技9術手段」及「對照先前技術之功效」三者視為整體考量，而10是恣意拼湊技術手段，恣意將問題、手段及功效連結，根本11未探究三者之間是否存在合理邏輯關係，原處分關於系爭專12利不具進步性之論斷，顯不可採。
13（五）系爭專利並未違反專利法第26條第1項及第2項之規定：14系爭專利已發現造成在長時間操作後產生圖像殘留之可靠性15問題之關鍵成分係先前技術用以「降低旋轉黏度（減少短反16應時間）」的介電中性烯基化合物。
為解決上述問題，系爭17專利提出使用新穎的介電中性烷基化合物的混合物概念，該18液晶組合物具有在極高及極低溫度下操作且同時具有短回應19時間及改良的可靠性的功效。
說明書甚至已提供多個實施例20具體例示系爭專利之實施態樣。
系爭專利並未違反專利法第2126條第1項及第2項之規定。
22（六）證據4無法證明系爭專利請求項1、3-18、23、25、26及2330擬制喪失新穎性：
24根據證據4所教示之化合物，通常知識者經排列組合可得25出成千上萬種液晶介質，系爭專利請求項之發明內容僅為這26成千上百萬種液晶介質可能組合中之某些特定組合，顯然不27符「實質上隱含」之要件。
又若該發明所屬技術領域中具有28通常知識者，依申請時之通常知識，判斷二技術特徵具有實5
1質相同功能及能產生實質相同效果，且對發明之整體技術手2段並未產生不同功效，始得符合喪失新穎性之判斷基準中「3直接置換」之要件。
然因各液晶化合物彼此之間會產生交互4作用，使用不同的液晶化合物必定會對整體液晶介質之性質5有所影響。
今證據4未揭露其第二成分及第三成分清單中6所列各液晶化合物，具有「實質相同」的功能，且能賦予整7體液晶介質「實質相同」的技術效果。
是以，系爭專利經更8正後之請求項1、3-18、23、35、26及30，相較於證據49確具新穎性。
10（七）依據103年版專利審查基準規定，當可認定系爭專利相較11於「證據5」、「證據6」、「證據7」、「證據8」、「證據2與12證據6之組合」、「證據3與證據6之組合」及「證據3」具13有進步性：
14系爭專利之發明概念係在至少三種式I-1至I-6之化合物15與至少一種選自於IIB及IIC化合物組合的新穎混合物概16念，其中IIB及IIC化合物為負介電成分，式I化合物為17介電中性烷基化合物。
從而得以實現在展現短回應時間下同18時提供良好的低溫穩定性及改良的可靠性（即，對背光的長19曝光時間後，配向層與液晶混合物之間不會產生交互作用）20之有利性質。
然證據2、3、5-8並未教示或建議系爭專利21欲解決之問題、解決問題之技術手段及功效，且證據2、322、5-8未認知於液晶介質中使用介電中性烯基化合物所衍生23之各種問題。申言之：
241.證據5並未教示或建議如系爭專利之PY或PYP介電負25性化合物為其液晶介質之必要成分，亦未教示或建議系爭26專利之介電中性CCP化合物為其液晶介質之必要成分，27遑論進一步教示或建議該介電中性化合物必須為烷基化合28物；
且證據5並未揭示該發明可在展現短回應時間下同時6
1提供良好的低溫穩定性及改良的可靠性之功效，故將證據25必要之介電負性成分置換為包含如系爭專利之PY/PYP3化合物，並將證據5必要之介電中性成分置換為如系爭
4專利之CCP化合物非「簡單變更」。
又證據5技術手段5及功效與系爭專利差異甚大，因此，除刻意忽視證據5
6真正發明內容，進行刻意挑選，否則根本不可能從證據57簡單選出本發明之介電負性化合物及介電中性烷基化合物8，並將彼等組合為系爭專利之混合物概念，系爭專利之液9晶混合物概念實非證據5之「簡單變更」之態樣。
102.證據6並未教示或建議如系爭專利之PY或PYP介電負11性化合物為其液晶介質之必要成分，且未教示或建議如系12爭專利之「介電中性成分」係其液晶介質必要成分；
證據136並未揭示該發明可在展現短回應時間下同時提供良好的14低溫穩定性及改良的可靠性之功效。
故將證據6必要之15介電負性成分置換為包含如系爭專利之PY/PYP化合物，16並修飾證據6之介質使其包含如系爭專利之特定「介電17中性化合物」作為必要成分，並非「簡單變更」。
又證據186技術手段與系爭專利不同，且功效亦有異，因此，除非19忽視證據6必要之式I化合物，進行刻意挑選、組合成20新的液晶介質，否則根本不可能完成系爭專利之混合物概21念；
甚且，要完成此特創液晶介質除了需省略證據6必22要之式I化合物，尚須從證據6所揭示視情況包含的各23種組分中（如組分B、組分C、組分D、組分E），
24刻意挑選式II介電負性化合物（組分B）及式III之25介電中性化合物（組分C），再從其中挑選出系爭專利26之液晶組合，顯然非「簡單選擇」之態樣。
273.證據7並未教示或建議如系爭專利之「介電中性成分」28係其液晶介質必要成分；
證據7並未揭示該發明可在展7
1現短回應時間之下同時提供良好的低溫穩定性及改良的可2靠性之功效。故修飾證據7之介質使其包含「介電中性
3化合物」作為必要成分並非「簡單變更」。
又證據7除必4要之介電負性成分A及介電負性成分B之外，其液晶介
5質可視需要包含：介電中性成分C及介電正性成分D。
6倘若通常知識者如欲基於該教示完成系爭專利，首先必須7選擇添加中性成分，且在成分A中選出系爭專利之
8PY/PYP化合物，在成分C中選擇出如系爭專利之CCP化9合物，且使成分C包含至少三種如系爭專利之CCP-3-110、CCP-3-3、CCH-23、CCH-25、CCH-35或CCH-34之化11合物，顯非「簡單選擇」之態樣。
124.證據8並未教示或建議如系爭專利之「介電負性成分」13、「介電中性成分」係其液晶介質必要成分；
證據8並14未揭示該液晶介質可在展現短回應時間下同時提供良好的15低溫穩定性及改良的可靠性之功效。
故將證據8必要之16介電負性成分置換為如系爭專利之PY/PYP化合物，並修17飾證據8之介質使其包含「介電中性化合物」作為必要18成分，並非「簡單變更」。
又證據8揭露其液晶介質較19佳地具有至少三種化合物，其包括至少一種選自式[1]及20式[2]化合物之化合物（含氯液晶化合物；
證據8必要21之介電負性成分）、至少一種選自式[3]及式[4]化合22物之化合物（介電中性成分）、及至少一種選自式[5]及23式[6]化合物之化合物（介電負性成分）。
倘若通常知識24者如欲基於該教示完成系爭專利之發明，必須做出以下選25擇：於式[3]及式[4]化合物中，選擇出如系爭專利之26CCP化合物，且使最終之介質包含至少三種如系爭專利之27CCP-3-1、CCP-3-3、CCH-23、CCH-25、CCH-35或28CCH-34之化合物；
且於式[1]、式[2]、式[5]及式[8
16]化合物中，選擇出如系爭專利之PY/PYP化合物，以上2選擇顯非「簡單選擇」之態樣。
35.證據2並未揭示系爭專利之特定介電中性烷基化合物作4為必要成分，而係使用「介電中性烯基化合物」作為必要5成分，達成「降低黏度」之目的。又證據6僅一般性地
6教示組分C係介電中性成分（組分C同時涵蓋末端以烷
7基、烷氧基或烯基封端的介電中性化合物），並未揭示使8用組分C可對組合物帶來何種性質改變。因此，證據6
9組分C與證據2第三成分兩者間，就欲解決之問題而言
10無法建立共通性，甚至連功能與作用之間也無法建立共通11性，應認定具有通常知識者並無動機結合「證據2」及12「證據6」。
再者，證據6不存在省略證據2必要之第13三成分或將其置換為如系爭專利之「介電中性烷基化合物14」之教示或建議，因此，基於證據6之教示內容而修飾15證據2之介質以使其包含如系爭專利之介電中性化合物16的混合物概念而作為「必要之介電中性成分」，非屬「簡17單變更」之態樣。
186.證據3並未揭示系爭專利之特定介電中性烷基化合物作19為必要成分，證據3第二成分雖可為介電中性化合物，20然而，其僅是證據3液晶組成物的非必要組分。
雖證據621揭示該液晶介質可視情況包含一或多種式III之介電中22性化合物（組分C），但證據6僅一般性地教示組分C23係介電中性成分，並未揭示使用組分C可對組合物帶來24何種性質改變。
因此，除了同為介電中性化合物以外，證25據3及證據6之介電中性化合物就欲解決之問題而言無26法建立共通性，於功能與作用方面也無法建立共通性，具27有通常知識者並無動機結合「證據3」及「證據6」。
又28證據6說明書提供大量可選的介電中性化合物，惟並無9
1任何一處提供具有通常知識者合適之指引，是以，基於證2據6之教示內容而修飾證據3之介質以使其包含如系爭
3專利之介電中性化合物的混合物概念，非屬「簡單變更」4之態樣。
5（八）綜上，原處分關於撤銷專利權部分（即其主文第2項）及6訴願決定之認事用法均有違誤，爰依法提起行政訴訟，求7為判決訴願決定及原處分關於「請求項1、3至34舉發成8立，應予撤銷」之部分均撤銷。
9三、被告抗辯：
10（一）專利法第71條第3項前段所稱「發明專利權得提起舉發之11情事，依其核准審定時之規定」，係指發明專利權有無違12反法定舉發事由，應依核准審定時之專利法規定，至於相13關審查基準，僅作為解釋或補充專利法之參考。
系爭專利14核准審定至舉發審定期間，專利法對於「進步性」之規定15並無變更，雖相關專利審查基準有所修正，仍係就「相同16」法規為解釋。
被告依客觀事實本於論理法則判斷進步性17要件，並援引進一步闡釋完整之106年版審查基準為審查18，並無違法之情事。
19（二）進步性之判斷，必須就申請專利之發明與先前技術為技術20比對，確認二者之差異，進而判斷該發明是否可輕易完成21，故為技術比對時，自應由先前技術中選出與系爭專利技22術內容最相關者而比對差異。
原處分理由（五）已就系爭23專利與各舉發證據為技術比對，並說明證據技術內容之結24合動機，無所謂未依專利審查基準之規定為「整體審查」25，且漏未審酌系爭專利之功效之情事。
26（三）被告於舉發後踐行請專利權人答辯之程序，應符合行政程27序法第102條但書之規定。
況原告歷次答辯書狀內容亦均28有主張系爭專利具進步性，且被告於107年11月19日函10
1知原告及參加人面詢事項並臚列爭點，面詢當日雙方所提2簡報資料均包含針對「進步性」要件之攻防，顯見被告已3踐行相關行政程序，可使原告及參加人充分明瞭舉發爭點4並進行攻防。
再者，「系爭專利具有低溫穩定性之無法預5期功效」係原告主張系爭專利具進步性之理由之一，原告6自應負有說明及舉證該功效之責，原告反責被告未善盡闡7明義務，實違反一般舉證責任分配之法理。
8（四）系爭專利請求項1與證據4差異在於，證據4未特定揭示9系爭專利界定之由式I、式IIB或式IIC、及至少三種I10-1～I-6之組成，即使是系爭專利請求項1組成最為相近11之實施例18及21，亦未特定揭示系爭專利界定之「至少一12種選自於式IIB及IIC化合物之化合物」或「至少三種式13I-1至I-6之化合物」之技術特徵，且「至少一種選自於14式IIB及IIC化合物之化合物」或「至少三種式I-1至I15-6之化合物」之技術特徵並非證據4申請時該發明所屬技16術領域中之通常知識，因此，難謂系爭專利請求項1係可17依通常知識直接置換而得，故證據4無法證明系爭專利請18求項1擬制喪失新穎性。
又系爭專利請求項3-18、23、2519、26、30均依附於請求項1，故證據4亦無法證明前述請20求項3-18、23、25、26及30擬制喪失新穎性。
21（五）舉發證據並未揭示有介電中性烯基化合物所產生之技術問22題，但均揭示或教示添加與系爭專利相同或極為相近之中23性烷基化合物，可見該等證據均採與系爭專利相同之技術24手段而達成極為相似之組成內容、並可預期產生相似之功25效。
雖原告主張系爭專利發明功效在於兼具短回應時間（26低旋轉黏度）、良好之低溫穩定性以及減少圖像殘留（提27高可靠性）之功效云云。
然依系爭專利之一般知識，液晶28介質（組成物）之旋轉黏度（γ1）低，則可使液晶裝置11
1具有較短之回應時間，但系爭專利對照證據6、證據7、2證據8或「證據2與證據6之組合」或「證據3與證據63之組合」之先前技術，並未具有較低之旋轉黏度值，且證4據5已揭示理想響應時間為少於1毫秒，系爭專利未提供5相關數據，無法證明有較證據5之短回應時間。
是以，就6「回應時間」功效而言，系爭專利對照先前技術並未產生7有利功效。
又系爭專利說明書亦未對於「低溫穩定性」、8「減少圖像殘留」之功效，並未提供相關數據佐證，無法9確認系爭專利對照先前技術確有產生有利功效，況且證據610揭示其液晶混合物有-30℃及-40℃下極佳之低溫穩定性11、證據7揭示-40℃下低溫穩定性為1000小時以上，系爭12專利對照證據6、證據7或「證據2與證據6之組合」13或「證據3與證據6之組合」之先前技術，並未產生有利14功效。
此外，原證3實施例18至21並未包含系爭專利界15定請求項1之「包含至少三種式I-1至I-6之化合物……16」技術特徵，且實施例10-13及其比較例，並無法證明功17效上之差異係為該發明所屬技術領域中具有通常知識者所18無法預期者，因此，原證3亦無法輔以證明系爭專利具進19步性。
20（六）系爭專利說明書第5、6及37頁內容僅是描述特定混合物21之低溫性質以及量測數據，並無法獲知系爭專利「相較」22先前技術於「低溫穩定性」確有無法預期之差異。
況證據223、3、5-8揭示之組成內容與系爭專利所揭示者極為相似24，基於「相似物質具有相似特性」之理，就「低溫穩定性25」而言，系爭專利與各證據應為相似，原處分已充分論理26說明，並無原告所稱未斟酌全部陳述及調查事實之責。
27（七）聲明：駁回原告之訴
28四、參加人陳述略以：
12
1（一）專利法第74條屬於行政程序法第102條但書之另有規定之2法律，且其所規定對人民之程序保護程度並不遜於行政程3序法之普通規定。
被告於作成舉發審定前，已踐行專利法4第74條規定之程序，原告應可就系爭專利之進步性為充分5說明，原告陳述意見權已受充分保障，且優於行政程序法6第102條之所定。
原告主張本件程序違法，顯不可採。
7（二）專利審查基準屬裁量性行政規則，專利法關於進步性之規8定自103年3月24日施行之專利法修正施行以來未曾修9正，是現行專利審查基準關於進步性判斷標準之規定，亦10得用以解釋本件所應適用之103年3月24日施行之專利11法規定，故原處分適用現行專利審查基準依法並無任何違12誤之處。
又證據3、5、6、7、8等，「單獨」可證系13爭專利不具進步性，此均與「結合複數證據」無涉，且最14高行政法院107年度判字第68號行政判決即指出考量複數15先前技術之關連性或共通性，其目的乃係避免後見之明，16此對專利權人更為保障。
原告以被告應以系爭專利核准審17定時之審查基準進行判斷，卻誤用現行專利審查基準之事18由爭執原處分為違法，實無理由。
19（三）系爭專利說明書實施例中，並無任何系爭專利之組成物與20使用「中性烯基化合物」之組成物的比較數據，無法證明21系爭專利之組成物確可解決「使用介電中性烯基化合物所22衍生之各種問題」，應認定原告聲稱系爭專利可解決「使23用介電中性烯基化合物所衍生之各種問題」，無法受說明24書所支持，而違反審定時專利法第26條第2項規定。
又發25明所屬技術領域中具有通常知識者無法據說明書揭露之內26容，完成系爭專利請求項1、3-34所請之發明。
因此，系27爭專利亦違反審定時專利法第26條第1項之規定。
28（四）證據4實施例18與系爭專利請求項1之差異，僅在於證13
1據4實施例18未使用系爭專利之化合物IIB或IIC之化2合物，惟證據4實施例18所包含之V-HB（2F,3F）-O23、V-HHB（2F,3F）-O2、2-HBB（2F,3F）-O2及34-HBB（2F,3Cl）-O2與系爭專利之式IIB化合物及式II5C化合物均屬證據4之說明書所列之第三成分之化合物，6此些化合物依通常知識，自可直接置換；
又證據4實施例719僅未使用系爭專利之化合物I-3、I-4、I-5或I-68之化合物，然證據4實施例19所揭露之2-H2H-3、3-HB-9O1及3-HB-O2與系爭專利式I-1～I-6化合物歸類成同10類化合物，依通常知識，自可直接置換。
是以，證據4可11以證明系爭專利請求項1擬制喪失新穎性。
12（五）系爭專利說明書實施例中，並無任何系爭專利之組成物與13使用「中性烯基化合物」之組成物的比較數據，自不應以14其為基礎，判斷系爭專利是否具進步性。
且系爭專利說明15書欠缺比較例，而無法證明其液晶介質較先前技術具有無16法預期之「低溫穩定性」；
亦無任何比較數據，足證其液17晶介質較先前技術係具無法預期之「短回應時間」，況且18，證據6及證據7更具體揭示該組成物同時具有「短回應19時間」及「低溫穩定性」的性質。
是以，系爭專利所請之20液晶介質皆為習知，所屬技術領域具有通常知識者可自舉21發證據輕易完成系爭專利之發明，且系爭專利之發明亦不22具「無法預期的功效」，不具進步性。
23（六）證據5已揭示一種包含「系爭專利之負介電成分」以及「24系爭專利之介電中性烷基化合物」之組合之高度可能，此25即為對於系爭專利發明之「教示及建議」；
又證據5實施26例7已揭示「相當於系爭專利之介電中性烷基化合物」與27證據5之化合物1-1、化合物1-2所組成的液晶介質，證28據5本身即為一響應時間短、向列相之下限溫度低、對熱14
1穩定性高等特性之液晶組成物。
且依證據5之教示，本領2域具有通常知識者，於參酌證據5的記載之後，有動機將3於為調整光學異向性時，將證據5實施例7之化合物（1-41）、化合物（1-2）以化合物（4-4）取代之，亦能預期5這樣的液晶組成物乃具有反應時間短的特性。
故證據5及6其實施例7實已提供完成系爭專利發明之強烈教示、建議7與動機，原處分並無違反「整體審查」之原則，更無「後8見之明」可言。
此外，原告雖稱系爭專利說明書中已有「9提升低溫穩定性」之相關記載云云，然系爭專利說明書未10見任何系爭專利之發明與先前技術之「比較數據」，何來11「提升」可言。
況該功效亦已見於前案證據（證據6、證12據7），並非「無法預期」。
13（七）原處分均已詳加調查，並未疏漏任何有利原告之事項，原14處分已斟酌全部有利及不利事項並盡調查事實之責，並無15違反行政程序法第43條及第36條等規定，爰求為判決駁16回原告之訴。
17五、法律適用：
18按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定。
19」為專利法第71條第3項本文所明定，其立法理由謂：「核20准發明專利權之要件係依核准審定時之規定辦理，其有無得提21起舉發之情事，自應依審定時之規定辦理，始為一致，爰予明22定。」
查系爭專利申請日為98年12月22日，經被告准予發23明專利，於105年9月19日審定核准，並於105年12月124日公告。
參加人於106年3月6日提出舉發，原告則於10625年6月5日提出申請專利範圍更正本，案經被告於108年226月13日作成「106年6月5日之更正事項，准予更正。
請27求項1、3至34舉發成立，應予撤銷。
請求項2舉發駁回28。」
之處分，故系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時所15
1適用之103年1月22日修正公布、103年3月24日施行之2專利法（即核准時專利法）規定為斷。
3六、本件審理之爭點：
4（一）系爭專利申請專利範圍共34項，其中請求項1、31、32、353為獨立項，其餘為附屬項。
參加人對系爭專利提起舉發6案，包含下述（四）共計10項舉發事由（見審定書第6-77頁，本院卷1第51-52頁），原告於舉發審查程序之1068年6月5日提出更正本（見乙證2卷第80-86頁），9更正請求項1、4、5、7、8、10、11、13-34，而於10相應項次之公告請求項增列「其中該液晶介質包含至少三11種式I-1至I-6之化合物」之技術特徵；
刪除105年1212月1日所公告申請專利範圍之請求項2；
更正請求項3、136、9，改為依附於請求項1，致使「其中該液晶介質包14含至少一種式I-1至I-6之化合物」技術特徵改為「其中15該液晶介質包含至少三種式I-1至I-6之化合物」技術特16徵；
更正請求項12，增列「其中該液晶介質包含至少三種17式I-1至I-6之化合物」之技術特徵，並將「式CCH-2318」更正為「式I-3」。
此經被告審查核准並為「106年619月5日之更正事項，准予更正」之處分。
嗣當事人均未對20該更正表示不服，是本件應依更正後之申請專利範圍審查21。
22（二）被告依106年6月5日之更正事項予以審查後，認證據523可以證明系爭專利請求項1、3-15、18、22、25、26、3024-34不具進步性；
證據6可以證明系爭專利請求項1、3-2534不具進步性；
證據7可以證明系爭專利請求項1、13-1268、20-23、25、26、30-34不具進步性；
證據8可以證明27系爭專利請求項1、3-18、23、26、30-34不具進步性；
28證據2與證據6之組合，可以證明系爭專利請求項1、3-16
134不具進步性；
證據3與證據6之組合，可以證明系爭專2利請求項1、3-34不具進步性；
證據3可以證明系爭專利3請求項22不具進步性；
然認系爭專利請求項1、3-34對4應之說明書內容，未違反審定時專利法第26條第1項之規5定；
系爭專利請求項1、3-34未違反審定時專利法第266條第2項之規定；
證據4無法證明系爭專利請求項1、3-718、23、25、26、30擬制喪失新穎性；
且證據5無法證明8請求項16、17、23不具進步性（上揭各爭點詳如附表所示9）而作成「請求項1、3至34舉發成立，應予撤銷」之處10分。
11（三）參加人於本案訴訟主張原處分系爭專利請求項1、3-34對12應之說明書內容違反專利法第26條第1項規定，系爭專利13請求項1、3-34違反專利法第26條第2項規定，證據414可以證明系爭專利請求項1、3-18、23、25、26及30擬15制喪失新穎性，及證據5可以證明請求項16、17、23不具16進步性部分，應屬合法：
171.按行政訴訟法第4條第1項規定：「人民因中央或地方18機關之違法行政處分，認為損害其權利或法律上之利益，19經依訴願法提起訴願而不服其決定，或提起訴願逾三個月20不為決定，或延長訴願決定期間逾二個月不為決定者，得21向行政法院提起撤銷訴訟。」
故撤銷訴訟之訴訟標的應為22「行政處分之違法性致損及原告權利或法律上利益之主張23」（最高行政法院104年度判字第454號判決意旨參照24）。
252.參加人（即舉發人）於舉發程序即主張系爭專利請求項126、3-34對應之說明書內容違反審定時專利法第26條第127項規定，系爭專利請求項1、3-34違反審定時專利法第2826條第2項規定、證據4可以證明系爭專利請求項117
1、3-18、23、25、26及30擬制喪失新穎性，及證據52可以證明請求項16、17、23不具進步性，此等舉發理由3，均為主張系爭專利無效之爭點，案經被告審查，認定系4爭專利請求項1、3-34對應之說明書內容未違反審定時5專利法第26條第1項之規定、系爭專利請求項1、3-634未違反審定時專利法第26條第2項之規定、證據47無法證明系爭專利請求項1、3-18、23、25、26及308擬制喪失新穎性、證據5無法證明請求項16、17、23不9具進步性（見原處分（五）、1、2、3、4，見本院
10卷1第52-70頁）。
嗣原告就該舉發成立部分提起訴願11，經訴願決定駁回，遂提起本件撤銷行政訴訟。
可知，參12加人前揭主張系爭專利請求項1、3-34對應之說明書內13容違反審定時專利法第26條第1項規定，系爭專利請求14項1、3-34違反審定時專利法第26條第2項規定，證15據4可以證明系爭專利請求項1、3-18、23、25、26、1630擬制喪失新穎性、證據5可以證明請求項16、17、2317不具進步性等舉發理由，業經被告審酌不成立，並載明於18審定書中（下稱：不利部分之舉發理由審定），而參加人19未就被告所為不利部分之舉發理由審定結果提起訴願程序20，乃因被告業已認定系爭專利請求項1、3-34不具進步21性（詳如附表爭點4、5-10），而為有利於參加人之22舉發成立的審定結果（下稱：有利部分之舉發理由審定）23，已達參加人提起舉發之目的，參加人倘就「不利部分之24舉發理由審定」提起訴願，將因欠缺訴願利益而遭訴願機25關決定駁回，可徵，參加人客觀上無從就「不利部分之舉26發理由審定」提起訴願程序救濟，惟不能因此即謂參加人27對於「不利部分之舉發理由審定」不為爭執；
又基於三權28分立之憲法原理及對行政機關之第一次判斷權之尊重，法18
1院審理撤銷訴訟時，應以原處分之事實理由及法律適用有2無違誤為審理對象，準此，被告於本件舉發審定書，業就3不利部分之舉發理由為判斷，則在專利權人所提之撤銷行4政訴訟中，允許參加人針對被告認定「不利部分之舉發理5由審定」再為爭執，並無違反權力分立原則、侵害行政機6關第一次判斷權或剝奪專利權人更正治癒瑕疵之程序利益7的違法情事甚明；
再者，從實務面向考量，在本件專利權8人所提之撤銷行政訴訟中，如否定參加人針對「不利部分9之舉發理由審定」再為爭執，一旦本院審理後認定被告前10揭所為有利部分之舉發理由審定有所違誤，而依原告即專11利權人之請求，判決撤銷原處分此部分舉發成立之審定及12訴願決定時，則參加人為達系爭專利請求項1、3-34舉13發成立之審定結果，勢必得就前開不利部分之舉發理由，14再向被告提出舉發案，倘當事人對該舉發案之審定結果不15服者，勢將又開啟另一個訴願及行政訴訟等救濟程序，如16此一來，不僅造成系爭專利請求項1、3-34之權利有效17性長期處於不安定狀態，且亦違背訴訟紛爭一次解決之訴18訟經濟原則；
此外，參加人就系爭專利請求項1、3-3419提出之舉發理由，僅因被告審查後分別為前揭部分有利、20部分不利參加人之舉發理由審定結果，卻造成部分有利參21加人之舉發理由審定結果，因專利權人不服提起行政救濟22而得獲得司法訴訟程序檢視其適法性，反之，部分不利參23加人之舉發理由審定結果，卻因專利權人未聲明不服而無24提起行政救濟，因而無法獲得司法訴訟程序檢視其適法性25，則參加人就系爭專利請求項1、3-34提出之舉發理由26，將因被告所為部分有利、部分不利參加人之舉發理由審27定結果，而異其是否可獲得司法訴訟程序審查被告審定適28法性之相異結果，亦顯不符合事理之平。
19
13.本院綜合考量參加人對於被告所為不利部分之舉發理由審2定無從提起訴願救濟之非可歸責客觀情狀，及在專利權人3所提之撤銷行政訴訟中，允許參加人於行政訴訟程序針對4被告認定前揭不利部分之舉發理由再為爭執，並無違反權5力分立原則、侵害行政機關第一次判斷權或剝奪專利權人6更正治癒瑕疵之程序利益的違法情事，且亦符合紛爭一次7解決之訴訟經濟原則，及訴訟救濟之衡平理念等一切情狀8，自應肯認參加人於本件訴訟程序就前於舉發程序業已提9出且經被告審查之系爭專利請求項1、3-34對應之說明10書內容，有無違反審定時專利法第26條第1項之規定；
11系爭專利請求項1、3-34，有無違反審定時專利法第2612條第2項之規定；
證據4是否可證明系爭專利請求項113、3-18、23、25、26及30擬制喪失新穎性，而違反專14利法第23條之規定；
證據5是否可以證明請求項16、1157、23不具進步性等舉發理由再為爭執。
是以，原告主張16不利部分之舉發理由未依期限提起訴願而已確定，參加人17不得於訴訟程序中再就被告對參加人所為不利部分之舉發18理由之判斷再為爭執云云（見本院卷2第147頁），即19無可採。
20（四）爭點內容（見本院卷2第151頁）：
211.系爭專利請求項1、3-34對應之說明書內容，有無違22反核准時專利法第26條第1項之規定？
232.系爭專利請求項1、3-34，有無違反核准時專利法第2246條第2項之規定？
253.證據4是否可證明系爭專利請求項1、3-18、23、25、2626及30擬制喪失新穎性，而違反專利法第23條之規定27？
284.證據5是否可證明系爭專利請求項1、3-18、22、23、20
125、26及30-34不具進步性？
25.證據6是否可證明系爭專利請求項1、3-34不具進步性3？
46.證據7是否可證明系爭專利請求項1、13-18、20-23、525、26及30-34不具進步性？
67.證據8是否可證明系爭專利請求項1、3-18、23、26及730-34不具進步性？
88.證據2與6之組合，是否可證明系爭專利請求項1、3-934不具進步性？
109.證據3與6之組合，是否可證明系爭專利請求項1、3-1134不具進步性？
1210.證據3是否可證明系爭專利請求項22不具進步性？13七、得心證之理由：
14（一）按關於舉發案件進步性之判斷，應先確定先前技術（即舉15發證據）之範圍及內容，繼之確定系爭發明與舉發證據間16之差異，最後以該發明所屬技術領域中具有通常知識者，17參酌舉發證據所揭露之內容及申請時的通常知識，判斷是18否能輕易完成系爭發明。
如系爭發明與舉發證據間所存在19之差異，為系爭發明之重要技術特徵者，審查時應就該技20術特徵是否為舉發證據所揭露，或該技術特徵是否為該發21明所屬技術領域中具通常知識者，以轉用、置換、改變或22組合舉發證據等方式所能輕易完成等情，詳加審酌。
進步23性之審查不得以發明說明中循序漸進、由淺入深的內容所24產生的『後見之明』作成能輕易完成的判斷，逕予認定發25明不具進步性；
而應將系爭發明的整體與舉發證據進行比26對，以該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌申請時27的通常知識之觀點，作成客觀的判斷（最高行政法院10928年度判字第29號判決意旨參照）。
21
1（二）次按，由於判斷專利有無進步性之相關事實，往往涉及專2門知識，而專利權人、舉發人或其等訴訟代理人、專利專3責機關之代理人等，多係具有發明所屬技術領域之相關知4識或技能者，是以當事人就「具有通常知識者」及其於申5請日之技術水準之認定加以爭執時，自應提出證據加以證6明，並具體指明該事實涵攝於個案之先前技術組合後，對7於進步性之決定究有何影響。
如當事人已於事實審就系爭8專利與舉發證據所揭露之內容間有何差異，參酌相關先前9技術所揭露之內容及申請時之通常知識，是否能輕易完成10申請專利之發明加以辯論，應認當事人已就該發明所屬技11術領域中具有通常知識者及其於申請日之技術水準進行辯12論（最高行政法院106年度判字第651號判決意旨參照）13。
查本件當事人已於本院就系爭專利與舉發證據所揭露之14技術內容間有何差異，以及參酌上開技術內容，是否能輕15易完成系爭專利之發明進行辯論，本判決並據以說明系爭16專利不具進步性決定之理由（詳如後述），揆諸前揭判決17意旨，應認當事人已就系爭專利所屬技術領域中具有通常18知識者及其於申請日之技術水準進行辯論，先予敘明。
19（三）系爭專利技術內容：
201.本發明係關於一種具有負介電各向異性之液晶介質，其21包含至少一種式I化合物
22
11*
23其中R、R及a具有在請求項1中所指示之含義，且係24關於該介質用於尤其基於VA、PS-VA、PALC、FFS或IPS25效應之主動矩陣式顯示器的用途（參系爭專利發明摘要，26見乙證1卷第379頁）。
272.系爭專利106年6月5日更正後請求項共計33項，其22
1中請求項1、31、32、33項為獨立項，其餘為附屬項，2本件系爭專利請求項1、3-34之內容如下：（見乙證23卷第80-86頁）：
請求項1：一種基於極性化合物之混合物之具有負介
電各向異性的液晶介質，其特徵在於其包
含至少一種式I化合物

其中：
11*
R、R各彼此獨立地表示具有1-6個C原
子之烷基，且
a表示1；及
至少一種選自於式IIB及IIC化合物之化
合物：

其中
2B
R表示H、烯基、具有多達15個C原子
之烷基，其係未經取代、經CN或CF3單取
代或至少經鹵素單取代，而且其中，此等
基團中之一或多個CH2基團可由-O-、-S-、
、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-
O-或-O-CO-以O原子不彼此直接連接之方
式置換，
2C
R表示H、具有多達15個C原子之烷基，
其係未經取代、經CN或CF3單取代或至少
23
經鹵素單取代，而且其中，此等基團中之
一或多個CH2基團可由-O-、-S-、、
-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以O原子不彼此直接連接之方式置換，
34
L及L各彼此獨立地表示F或Cl，
22'
Z及Z各彼此獨立地表示單鍵、-CH2CH2-
、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF=CF-、-CH=CHCH2O-，
q表示0；且
v表示1至6；
其中該介質包含至少三種式I-1至I-6之
化合物

請求項3：如請求項1之液晶介質，其特徵在於該介
質包含至少一種式I化合物及濃度為15至
35%之式I-1及式I-3化合物。
請求項4：如請求項3之液晶介質，其特徵在於式I-1
及式I-3化合物之濃度為15至25%。
請求項5：如請求項3之液晶介質，其特徵在於式I-1
及式I-3化合物之濃度為18至22%。
請求項6：如請求項1之液晶介質，其特徵在於該介
24
質包含至少一種式I化合物及濃度為15至
35%之式I-2及式I-3化合物。
請求項7：如請求項6之液晶介質，其特徵在於該式
I-2及式I-3化合物之濃度15至25%。
請求項8：如請求項6之液晶介質，其特徵在於該式
I-2及式I-3化合物之濃度18至22%。
請求項9：如請求項1之液晶介質，其特徵在於該介
質包含至少一種式I化合物及濃度為15至
35%之式I-1、式I-2及式I-3化合物。
請求項10：如請求項9之液晶介質，其特徵在於該式
I-1、式I-2及式I-3化合物之濃度15至
25%。
請求項11：如請求項9之液晶介質，其特徵在於該式
I-1、式I-2及式I-3化合物之濃度18至
22%。
請求項12：如請求項1之液晶介質，其特徵在於該介
質包含式I-3化合物。
請求項13：如請求項1之液晶介質，其特徵在於其另
外包含式IIA化合物：

其中
2A
R表示H、烯基、具有多達15個C原子之
烷基，其係未經取代、經CN或CF3單取代
或至少經鹵素單取代，而且其中，此等基
團中之一或多個CH2基團可由-O-、-S-、
、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-
O-或-O-CO-以O原子不彼此直接連接之方
式置換，
25
12
L及L各彼此獨立地表示F或Cl，
2
Z表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF=CF-、-CH=CHCH2O-，p表示1或2；且
v表示1至6。
2A
請求項14：如請求項13之液晶介質，其特徵在於R
2B
及R各自獨立地表示烯基或烷基。
請求項15：如請求項13之液晶介質，其特徵在於其包
含至少一種式I化合物、至少一種式IIA
化合物，其中p為1及至少一種式IIA化
合物，其中p為2。
請求項16：如請求項13之液晶介質，其特徵在於其包
含至少一種式I化合物、至少一種式IIA
化合物及至少一種式IIB化合物。
請求項17：如請求項13之液晶介質，其特徵在於其包
含至少一種式I化合物及至少一種式IIB
化合物。
請求項18：如請求項13之液晶介質，其特徵在於其包
含至少一種式I化合物及至少一種式IIA
2
化合物，其中Z為單鍵、-CH2O-或-CH2CH2-。
請求項19：如請求項13之液晶介質，其特徵在於其另
包含至少一種式V-1至V-8化合物：
26

其中
7-10
R各彼此獨立地具有在請求項13中關於
2A
R所指示之一種含義，且
w及x各彼此獨立地表示1至6。
請求項20：如請求項1至19中任一項之液晶介質，其
特徵在於其另包含至少一種式B-1至B-3
化合物：

其中
*
烷基及烷基各彼此獨立地表示具有1-6個
C原子之直鏈烷基，且
*
烯基及烯基各彼此獨立地表示具有2-6個
C原子之直鏈烯基。
請求項21：如請求項20之液晶介質，其特徵在於其包
27
含至少一種式B-1a至B-2c化合物：

*
其中烷基表示具有1-6個C原子之烷基。
請求項22：如請求項1之液晶介質，其特徵在於其另
包含至少一種選自於以下組成之群之化合
物：式CC-n-V之化合物：

其中n為3、4或5；及式CC-n-V1之化合
物：

，其中n為3。
請求項23：如請求項1至19中任一項之液晶介質，其
特徵在於其另外包含一或多種式III化合
物

其中
3132
R及R各彼此獨立地表示具高達12個C
原子之直鏈烷基、烷氧基烷基或烷氧基，
且
28

3
Z表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H9-或-CF=CF-。
請求項24：如請求項1至19中任一項之液晶介質，其
特徵在於該介質另外包含一或多種式L-1
至L-11之化合物：
29

其中：
R、R1及R2各彼此獨立地具有請求項13中
2A
關於R所指示之含義，且
s表示1或2。
請求項25：如請求項1至19中任一項之液晶介質，其
特徵在於該介質另外包含一或多種式T-1
至T-20之聯三苯：
30



31

其中
R表示具有1-7個C原子之直鏈烷基或烷
氧基，且
m表示1-6。
請求項26：如請求項1至19中任一項之液晶介質，其
特徵在於該介質包含一或多種式O-1至O-
18之化合物：
32


33

其中
12
R及R各彼此獨立地具有請求項13中關於
2A
R所指示之含義。
請求項27：如請求項1至19中任一項之液晶介質，其
特徵在於該介質另外包含一或多種式In之
茚滿化合物：

其中
111213
R、R、R表示具有1-5個C原子之直鏈
烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，
1213
R及R另外表示鹵素，

i表示0、1或2。
請求項28：如請求項27之液晶介質，其特徵在於其包
34
含至少一種式I化合物、至少一種式IIA
化合物及至少一種式In化合物。
請求項29：如請求項27之液晶介質，其特徵在於其包
含至少一種式I化合物、至少一種式IIB
化合物及至少一種式In化合物。
請求項30：如請求項1至19中任一項之液晶介質，其
特徵在於該式I化合物在該整個混合物中
之比例為≥3重量%。
請求項31：一種製備如請求項1至30中任一項之液晶
介質的方法，特徵在於將至少一種式I化
合物與至少一種其他液晶化合物混合，且
視情況添加添加劑。
請求項32：一種如請求項1至30中任一項之液晶介質
的用途，其係用於電光顯示器中。
請求項33：一種具有主動矩陣定址之電光顯示器，其
特徵在於其含有如請求項1至30中任一項
之液晶介質作為介電質。
請求項34：如請求項33之電光顯示器，其特徵在於其
為VA、PS-VA、PALC、FFS或IPS顯示器。
1（四）參加人主張系爭專利請求項1、3-34不具新穎性及進步性2，其引用之舉發證據為證據2-8及其組合，茲就舉發證據13-4之技術內容，分析如下：
41.證據2：
5證據2為西元2008年11月27日公開之日本第0000-6000000A號「液晶組成物液晶表示素子」發明專
7利案。證據2之公開日早於系爭專利優先權日（97年
812月22日），可為系爭專利相關之先前技術。
9證據2提供一液晶組成物，在向列相的上限溫度高、
35
1向列相的下限溫度低、黏度小、光學異向性大、負的介
2電異向性大、比電阻大、對紫外線的高安定性、對於熱
3的高安定性等的特性中，其滿足至少1個特性，或具
4有關於至少2個特性的適切平衡。提供AM元件，具有
5短響應時間、大電壓保持率、對比率大、壽命長等。本
6發明之液晶組成物及含該組成物的液晶顯示元件，該液
7晶組成物含：具負介電異向性大的特定的2環化合物作
8為第一成分、具負介電異向性大的特定的3環化合物
9作為第二成分、具黏度特別小的特定的化合物作為第三
10成分，且具有向列相（參證據2之摘要，見乙證1卷
11第331頁；
中譯文，見本院卷1第466頁、本院卷212第149頁）。
132.證據3：
14證據3為西元2008年11月13日公開之日本第0000-15000000A號「基有化合物
16用液晶組成物」發明專利案。證據3之公
17開日早於系爭專利優先權日（97年12月22日），可18為系爭專利相關之先前技術。
19證據3提供一液晶化合物，其具有液晶化合物所必要
20的一般的物性，即對於熱、光等的安定性、黏度小、適21切大小的折射率異向性數值、適切大小的介電異向性數22值及陡峭的光電特性、廣向列相的溫度範圍、及與其他23液晶化合物的優良相溶性，特別是具有廣向列相的溫度24範圍的液晶化合物。該液晶化合物係為通式所示的化
25合物：
26
27
36
1123
1例如，R為氫；
環A、環A及環A為、1,4-伸環己基123
2或1,4-伸苯基；
Z、Z及Z為-CH2CH2-、-CH=CH-、-C3≡C-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、或-O121
4CH2-；
L及L為氟；
X為碳原子數1至10的烷基或碳5原子數1至10烷氧基；
m、n為0或1、p為0、1或26（參證據3之摘要，見乙證1卷第318頁；中譯文，
7見本院卷1第472頁）。
83.證據4：
9證據4為98年10月16日公開之我國第200942599A110號「含有側向氟之3環液晶性化合物、液晶組成物以
11及液晶顯示元件」發明專利案，其優先權日為97年412月9日，早於系爭專利優先權日（97年12月22日）13，可為判斷系爭專利是否擬制喪失新穎性之先前技術。
14證據4為一種液晶化合物，其具有對熱、光等的穩定
15性，在較廣的溫度範圍內處於向列相，黏度較小，具有16較大的光學異向性、及適當的彈性常數K33（K33：彎17曲彈性常數），進而具有適當的負介電異向性、及與其18他液晶性化合物的優異的相容性；
一種液晶組成物，其19黏度較小，具有較大的光學異向性、適當的彈性常數K2033、及適當的負介電異向性，臨界電壓較低，進而向21列相的上限溫度較高，向列相的下限溫度較低。
本發明22是製備一種3環液晶性化合物及包含此化合物的液晶
23組成物，該3環液晶性化合物在具有苯環上的氫被氟
24取代的伸苯基的特定結構中，在側向位上具有氟（參證25據4之摘要，見乙證1卷第270頁）。
264.證據5：
27證據5為97年2月16日公開之我國第200808943號28「液晶組成物以及液晶顯示元件」發明專利案，其公開37
1日早於系爭專利優先權日（97年2月22日），可為系2爭專利之先前技術。
3證據5提供一種液晶組成物，該液晶組成物於向列相之
4上限溫度高、向列相之下限溫度低、黏度小、光學異向
5性大、負性介電常數異向性大、比電阻大、對紫外線之
6穩定性高、對熱之穩定性高等特性中，滿足至少一種特
7性，或關於至少兩種特性具有適當之平衡。這種液晶組
8成物也括第一成分以及第二成分，且具有負性介電常數
9異向性，其中該第一成分包含選自式（1－1）及式（110－2）所表示之化合物族群中的至少一種化合物，該第11二成分包含選自式（2）所表示之化合物族群中的至少12一種化合物。
13
123412
14例如，R、R、R及R為碳數1至12的烷基；
Z、Z及3
15Z為單鍵或-（CH2）2-；
環A為1,4-伸環己基或1,4-16伸苯基（參證據5之摘要）。
175.證據6：
18證據6為97年5月1日公開之我國第200819520號「19液晶介質」發明專利案，其公開日早於系爭專利優先權20日（97年12月22日），可為系爭專利之先前技術。
21證據6係關於一種液晶介質，其係基於包含至少一種式22Ⅰ化合物之負介電極性化合物之混合物，
38
1
2其中該等參數具有如請求項1中所示之含義，且係關於
3其於光電顯示器，尤其是基於VA、ECB、PALC、FFS或4IPS效應之主動式矩陣顯示器中之用途，且係關於此類5型之顯示器（參證據6之摘要）。
66.證據7：
7證據7為93年1月16日公開之我國第200401024號8「液晶介質及含彼之電光顯示器」發明專利案，其公開
9日早於系爭專利優先權日（97年12月22日），可為10系爭專利之先前技術。
11證據7係關於向列液晶介質，其包含a）一種內含一或12更多式I化合物的介電負性液晶成分A，
13
14其中各參數如在本文中的定義，及b）另一介電負性液15晶成分B，且視需要c）一種介電中性液晶成分C，且16視需要d）一種介電正性液晶成分D，且將此類介質使17用於晶顯示器，及關於使用此類介質的液晶顯示器，尤18其是ECB及IPS顯示器（參證據7之摘要）。
197.證據8：
20證據8為西元2007年10月3日公開之大陸地區第10121045866A號「液晶材料及液晶面板的制造方法」發明專22利案，其公開日早於系爭專利優先權日（97年12月2223日），可為系爭專利之先前技術。
24證據8提供一種液晶材料包括數個可聚合單體以及數
25個液晶分子。
液晶分子選自化合物1、2、3、4、5、639
135
1其中至少一種。其中，“G”、“G”及“G”獨立地
2為具有1至8個碳原子的烷基或2至8個碳原子的炔基
26
3；“G”及“G”獨立地為具有1至8個碳原子的烷基
4
4或具有1至7個碳原子的烷氧基；“G”是具有1至8
5個碳原子的烷基、具有2至8個碳原子的炔基或具有1
1
6至7個碳原子的烷氧基；“Z”為單鍵、乙撐基或甲氧
23
7基；“Z”為單鍵、乙撐基、甲氧基或羧基；“Z”為
8單鍵、乙撐基、二氟甲氧基、二氟丙氧基或氧羰乙基；
4
9“Z”為單鍵、乙撐基、二氟甲氧基或二氟丙氧基。式
1
107分別為1，4－環己烯基或1，4-苯撐基。
“E”及“E2
11”其中之一為氟，另一為氯。
12
13（參證據8之摘要，見乙證3卷第29頁）。
14（五）系爭專利請求項1、3-34對應之說明書內容，未違反核准15時專利法第26條第1項之規定：
161.按核准時專利法第26條第1項規定：「發明說明應明確17且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，18能瞭解其內容，並可據以實現」，「關於系爭專利說明書是19否符合明確且充分揭露而可據以實現要件之審查，係指說20明書應明確且充分記載申請專利之發明，記載之用語亦應21明確，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，在說明40
1書、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時2之通常知識，無須過度實驗，即能瞭解其內容，據以製造3及使用申請專利之發明，解決問題，並且產生預期的功效4」（最高行政法院108年度判字第161號判決意旨參照）5；
又「所謂發明說明應『明確揭露』，是指申請專利之發6明應記載所欲解決之問題、解決問題之技術手段及以該技7術手段解決問題而產生之功效，且問題、技術手段及功效8之間應有相對應的關係，使該發明所屬技術領域中具有通9常知識者能瞭解申請專利之發明，另外記載之用語亦應明10確，以界定其真正涵義，不得模糊不清或模稜兩可。
所謂11發明說明應『充分揭露』，是指發明說明應記載如『發明12所屬之技術領域及先前技術、圖式簡單說明、發明所欲解13決之問題、解決問題之技術手段及對照先前技術之功效、14一個以上實施發明之方式，必要時得以實施例說明』等形15式要件外，且若有該發明所屬技術領域中具有通常知識者16從先前技術無法直接且無歧異得知有關申請專利之發明內17容者，亦均應於發明說明中記載」（最高行政法院107年18度判字第441號判決意旨參照）。
192.參加人主張：系爭專利發明所欲解決之問題在於避免介電20中性化合物產生圖像不可磨滅之缺點，惟説明書、實施例21均未包含有介電中性烯基化合物，無法使該發明所屬技術22領中具有通常知識者瞭解其内容並據以實現系爭專利之發23明；
又系爭專利請求項19-22進一步界定之化合物成分，24於説明書並未記載該等成分所欲解決之問題，系爭專利說25明書之記載違反審定時專利法第26條第1項之規定云云26（見本院卷1第330-331頁、乙證1卷第387頁背面-第27390頁背面）云云。然查：
28系爭專利說明書載明：習知的液晶介質組成物可能有黏41
1度過高、回應時間過長、…、或圖像殘留而不可磨滅等
2問題，系爭專利之發明不具有上述缺點或僅具有減少程
3度之此等缺點（參系爭專利說明書【先前技術】、【發
4明內容】等欄位，見乙證1卷第357-377頁），其解決5問題的技術手段為採用如系爭專利請求項所界定具有特
6定成分之液晶組成物，並以複數個實施例證明，對應於
7系爭專利前述請求項成分組成的液晶介質可達成黏度低
8等功效，則系爭專利之發明所屬技術領域中具有通常知
9識者，基於前述內容，參酌申請時之通常知識，無須過
10度實驗，當能瞭解其內容，據以製造及使用申請專利之11發明，解決問題，並且產生前述預期的功效。
12參加人雖主張避免介電中性化合物產生圖像不可磨滅等13功效云云。
惟查，説明書是否符合據以實現要件，係以14「申請專利之發明」為對象，故說明書中有記載而申請15專利範圍中未記載之發明，無論説明書是否明確且充分16揭露，與判斷可據以實現要件無涉，則系爭專利請求項17中並未記載該等技術特徵，自非屬請求項發明的限制條18件，此與是否符合據以實現要件無涉。
又系爭專利請求19項1、3-30所請「基於極性化合物之混合物之具有負介20電各向異性的液晶介質」、請求項31所請為該介質之21製備方法、32-34所請為該介質之用途，説明書已揭示22對應該等請求項之發明的液晶介質之組成内容，依上所23述，已可使該發明所屬技術領域中具有通常知識者得以24製造、並預期可獲致「具有負介電各向異性」之液晶介25質而應用於顯示器，已符合「可據以實現」之要件。
再26者，説明書應記載「發明整體」所欲解決之問題，並非27要求説明書記載個別技術特徴之目的、功效，如前所述28，系爭專利説明書已記載其發明整體所欲解決之問題為42
1達成「短回應時間」、「低溫穩定性」等目的，縱然系
2爭專利請求項19-22進一步界定之化合物成分（即附屬3技術特徴）未於説明書記載其發明中各化合物成分之目
4的，亦無違反「可據以實現」要件。
5參酌系爭專利説明書【發明内容】第1段、第66-77頁6所示實施例，本發明所欲解決之問題係為達成「短回應
7時間」、「低溫穩定性」等目的，並非僅限於「避免介
8電中性化合物產生圖像不可磨滅之缺點」，且亦可為提
9供具有減少程度之此等缺點的液晶介質（見乙證1卷第
10375頁、第375頁背面、第339頁-第345頁背面）。
11可知，系爭專利請求項1、3-34及實施例、未將「介電12中性烯基化合物」限定為必要成分，並未與説明書所載13「發明所欲解決之問題」矛盾。
因此，系爭專利説明書14所載内容，亦無參加人主張會導致矛盾之情事。
153.綜上，系爭專利說明書已明確且充分揭露與系爭專利請求16項1、3-34所對應之技術內容，且使該發明所屬技術領域17中具有通常知識者，在說明書、申請專利範圍及圖式三者18整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無須過度實驗，19即能瞭解其內容，據以製造及使用系爭專利之發明，解決20問題，並且產生預期的功效。
是以，系爭專利1、3-34所21對應之說明書內容，未違反核准時專利法第26條第1項22之規定。
23（六）系爭專利請求項1、3-34，未違反核准時專利法第26條第242項之規定：
2B
251.參加人主張：系爭專利請求項1式IIB化合物中之R，26未定義烯基之碳數範圍，無法確認該化合物可否表現做為27液晶組成物成分之功能，其申請專利範圍不明確；
系爭專28利請求項19-22、25於說明書中，欠缺相應之實施例，無43
1法得知該等發明相較舉發證據有何顯著功效，無法為説明2書所支持；
系爭專利請求項26之式O-9化合物與請求項31之式I-1、I-2化合物部分重疊，其記載不符簡潔之規4定云云（見本院卷1第330-331頁、乙證1卷第385頁5背面-第391頁背面、乙證3卷第133頁）。
經查：6按專利法第26條第2項規定請求項之記載須符合明確
7、簡潔，且必須為說明書所支持，其規範目的在於發明
8專利權範圍，以申請專利範圍為準；申請專利範圍中之
9記載是否適切，對於專利權人權利之保護及相對於公眾
10利用上之限制，均具有重大意義，因此，申請人具體請11求保護的發明必須記載於申請專利範圍，即申請專利範12圍應界定申請專利之發明；
而申請專利範圍得包括一項13以上之請求項，各請求項應以明確、簡潔之方式記載，14且必須為說明書所支持。
又關於請求項之記載須明確，15係指每一請求項之記載應明確，且所有請求項整體之記16載亦應明確，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者17，單獨由請求項之記載內容，即可明確瞭解其意義，而18對其範圍不會產生疑義。
具體而言，即每一請求項中記19載之範疇及必要技術特徵應明確，且每一請求項之間的20依附關係亦應明確。
再者，關於請求項之記載須簡潔，21係指每一請求項之記載應簡潔，且所有請求項整體之記22載亦應簡潔，除記載必要技術特徵外，不得作不必要之23記載，亦不得記載商業性宣傳用語。
至於請求項須為說24明書所支持，係指每一請求項記載之申請標的，必須根25據說明書揭露之內容為基礎，若該發明所屬技術領域中26具有通常知識者，參酌申請時之通常知識，利用例行之27實驗或分析方法，可由說明書揭露的內容合理預測或延28伸至請求項之範圍時，即可認定請求項為說明書所支持44
1。
2系爭專利請求項1、3-34已具體界定其液晶介質之成分3（技術特徵），該發明所屬技術領域中具有通常知識者
4，由請求項之記載内容，即可明確瞭解其意義，並可由
5系爭專利說明書中相對應記載之實施方式、實施例，確
6認系爭專利請求項之記載，並無必要特徵以外之不必要
7記載。
又系爭專利1、3-34雖未界定式IIB化合物中之2B
8R為烯基時之碳數範圍，惟該化合物係習知液晶組成物
9之成分，其結構與液晶特性之關聯性亦為習知之技術內
10容，則該發明所屬技術領域中具有通常知識者，即可推2B
11知該R為烯基時之碳數範圍，尚不致無法瞭解其意義
12。
是以，系爭專利請求項1、3-34之記載，應符合明確13與簡潔之要件。
再者，系爭專利請求項26之式O-9化21
14合物之取代基R，與請求項1之式I-1、I-2中，R、R2
15二群組之定義並非相同，顯見該式O-9化合物與請求16項1之式I-1、I-2並非相同化合物，因此，系爭專利17請求項26之記載，並非與系爭專請求項1為相同化合18物成分，並無違反「簡潔」之要件，況且，解釋請求項19時，不得以實施例限縮任一請求項之範圍，則參加人徒20以實施例内容，而認系爭專利請求項26之記載，有違21「簡潔」規定云云，尚無可取。
22按判斷請求項所載之發明是否「可為説明書所支持」，23並非以説明書與申請專利範圍形式上是否一致為斷，而24係立於該發明所屬技術領域中具有通常知識者之觀點，25判斷由説明書揭示之内容可否合理預測或延伸至請求項26之範圍。
查依據系爭專利說明書所揭示之內容，所屬技27術領域中具有通常知識者，已可在說明書、申請專利範28圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，45
1並據以製造及使用申請專利之發明，業如前述，則所屬
2技術領域中具有通常知識者，參酌申請時之通常知識，
3利用例行之實驗或分析方法，即可由說明書揭露的內容
4合理預測或延伸至請求項1之範圍，是以，系爭專利請
5求項1、3-34之記載，應認定為說明書所支持。
又系爭6專利説明書並未排除液晶介質包含「中性烯基化合物」
2A2B
7，且該式IIA及式IIB化合物中R與R為「烯基」，8亦屬該發明所屬技術領域中具有通常知識者可合理延伸
9者，益徵，系爭專利請求項1、3-34應可為系爭專利說10明書所支持。
至於發明是否相對先前技術具有顯著之功11效，係關於「進步性」之判斷，核與「可為説明書所支12持」要件無關，是以，參加人前揭辯稱系爭專利說明書13未證明前述請求項具有顯著功效為由，無法證明糸爭專14利為說明書所支持云云，乃係混淆「進步性」之判斷標15準，尚無可採。
16綜上，系爭專利說明書請求項1、3-34已明確、簡潔界17定其發明，且發明所屬技術領域中具有通常知識者，參18酌申請時之通常知識，利用例行之實驗或分析方法，即19可由說明書揭露的內容合理預測或延伸至請求項之範圍20。
是以，系爭專利請求項1、3-34之記載，未違反核准21時專利法第26條第2項之規定。
22（七）證據4無法證明系爭專利請求項1、3-18、23、25、26及2330擬制喪失新穎性：
241.參加人主張：證據4具體揭示之第二成分、第三成分均涵25蓋系爭專利式I、IIC及I-1～I-6化合物。
例如：證據426實施例18之V-HB（2F,3F）-O2、V-HHB（2F,3F）-O2、27V-HBB（2F,3F）-O2及V-HBB（2F,3Cl）-O2，或實施例2821之5-H2B（2F，3F）-O2、3-HH2B（2F，3F）-O2及V-46
1HH2B（2F，3F）-O2均歸類於液晶組成物之第三成分，系2爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者自可將實施例318、21中的第三成分，直接置換為該第三成分群組中之4其他化合物（如：式（3-2）、（3-11）、（3-20））。
5同理，亦可將證據4實施例19之第二成分，直接置換為6該第二成分群組中之其他化合物（如，式（2-1））。
原7處分以證據4所揭露之技術非屬通常知識因而不可直接置8換，與最高行政法院101年度判字第1032號判決所稱新9穎性直接置換無須考量通常知識之意旨牴觸云云（見本院10卷1第405-409頁、本院卷2第392-395頁、本院卷311第459-464頁）。經查：
12系爭專利請求項1所請基於極性化合物之混合物之具有13負介電各向異性的液晶介質，而該液晶介質之特徵在於14其包含至少一種式I化合物、至少一種選自於式IIB及15IIC化合物之化合物、至少三種式I-1至I-6之化合物16，I化合物、IIB及IIC化合物。
又證據4揭示一種負17介電異向性液晶組成物（對應於系爭專利請求項1所界18定之液晶介質），該組成物除包含式（a-1）化合物以19外，更含有選自式（e-1）～式（e-3）所表示之液晶性20化合物作為第二成分，及選自式（g-1）～式（g-4）所21表示之液晶化合物做為第三成分；
該第二成分群組之式22（2-25）化合物包含系爭專利式I化合物；
該第三成分23群組之式（h-7）化合物包含系爭專利式IIC化合物；
24此外，第二成分群組中之式（2-1）包含系爭專利式I-253至I-6、式（2-25）化合物包含系爭專利式I-1至I-262。
47
1
2
3
4
48
1
2是以，證據4前揭揭示之化合物與系爭專利式I、IIC3及I-1～I-6相同，因此，證據4之液晶組成物（2）應4具有系爭專利界定之「基於極性化合物之混合物之具有
5負介電各向異性的液晶介質」技術特徴。
6又證據4與系爭專利請求項1組成化學成分最為相近者
7，即為實施例18、19及21揭示之組合成分，析述如下8（見乙證1卷第198-199頁）：
9
49
1
2
3證據4實施例18具體揭示其液晶介質可包含3-HHB-14（相當於系爭專利之式I或式I-1），3-HHB-3（相當5於系爭專利之式I或式I-2），3-HH-4化合物（相當於6系爭專利I-6）等成分。
因此，證據4實施例18所揭7示者與系爭專利請求項1主要的差異在於：該實施例未
8具體揭示其液晶介質中可包含如系爭專利請求項1所界
50
1定「至少一種選自於式IIB及IIC化合物」之技術特徴2。
又證據4實施例19具體揭示其液晶介質可包含3-HH3B-1（相當於系爭專利之式I或式I-1），2-BB（2F,3F4）B-3化合物，相當於系爭專利式IIC等成分。
因此，5證據4實施例19所揭示者與系爭專利請求項1主要的
6差異在於：該實施例未具體揭示其液晶介質中可包含如
7系爭專利請求項1所界定「至少三種式I-1至I-6之化8合物」之技術特徴。再者，證據4實施例21具體揭示
9其液晶介質可包含3-HHB-1（相當於系爭專利之式I或10式I-1），3-HHB-3（相當於系爭專利之式I或式I-211），3-HH-5化合物（相當於系爭專利I-5）等成分。
因12此，證據4實施例21所揭示者與系爭專利請求項1主13要的差異在於：該實施例未具體揭示其液晶介質中可包14含如系爭專利請求項1所界定「至少一種選自於式IIB15及IIC化合物」之技術特徴。
基此，證據4並未揭示與16系爭專利請求項1内容相同之發明，無法證明該請求項17擬制喪失新穎性。
此外，系爭專利請求項3-30依附於18請求項1之附屬項，系爭專利請求項31-34則引用請求19項1之全部技術特徵，故其等權利範圍自包括請求項120之全部技術特徵，而證據4與系爭專利請求項1所揭示21之技術特徵相較，具有前述差異技術特徴，證據4既無22法證明請求項1擬制喪失新穎性，亦無法證明如參加人23所舉之系爭專利請求項3-18、23、25、26及30擬制24喪失新穎性。
25關於新穎性之判斷標準為「差異僅在於參酌引證文件即26能直接置換的技術」，此一標準主要係適用在於擬制喪27失新穎性之判斷。
就申請在前、公告在後之先申請專利28與後申請之專利而言，除非抄襲，否則兩者當然會有所51
1差異。換言之，兩者幾無可能完全相同，倘以一般新穎
2性之觀點判斷，此等差異即有可能因此使後申請之專利
3具備新穎性，至其中差異是否屬等效置換，僅能在進步
4性之階段加以判斷，惟因先申請案係公開在後，又不屬
5於已公開之先前技術，不適用進步性之審查，致使後申
6請案可能因此與先申請案兩個技術特徵類似之專利並存
7，為解決此一問題，始有所謂擬制喪失新穎性之判斷，
8而就先申請案與後申請案兩者之間之差異，即以其中差
9異是否屬於參酌引證文件即能「直接置換」此一標準為
10審度依據，用與進步性審查中之「等效置換」相區別等11情明確。
至於進步性判斷所涉及之「等效置換」，係指12具有差異之技術特徵為該發明所屬技術領域中具有通常13知識者利用申請時的通常知識即能予以置換，且未產生14無法預期的功效，其與前述新穎性「直接置換」之判斷15，兩者仍有不同，合先敘明。
又參加人所舉之最高行政16法院101年度判字第1032號判決，謂：「判斷新穎性17之『直接置換』…，若係具有差異之技術特徴，係所屬18技術領域中具有通常知識者，依申請時之先前技術所無19法產生預期功效，則屬進步性之等效置換，與新穎性之20直接置換有別」等語（見本院卷2第422頁），乃係闡21述新穎性之直接置換不須基於通常知識判斷功效，蓋以22是否產生無法預期的功效乃屬進步性判斷所涉及之「等23效置換」之理甚明，是以，被告所為證據4無法證明系24爭專利請求項1、3-18、23、25、26及30擬制喪失新25穎性之處分，並無違反前述判決意旨，參加人此部分抗26辯，自無可取。
27綜上，證據4並未（於單一發明中）特定揭示與系爭專28利請求項1、3-18、23、25、26、30内容相同之發明52
1，且其與系爭專利之發明的差異，亦非所屬技術領域中
2具有通常知識者依通常知識而能直接置換的，故證據4
3無法證明系爭專利請求項1、3-18、23、25、26、304擬制喪失新穎性，自無違反核准時專利法第23條之規
5定。
6（八）證據5可以證明系爭專利請求項1、3-15、18、22、25、276及30-34不具進步性；
但證據5無法證明系爭專利請求項816、17、23不具進步性：
91.證據5可以證明系爭專利請求項1不具進步性：
10系爭專利請求項1為獨立項，關於系爭專利請求項1與11證據5之技術內容，均如前述。
12證據5揭示一種具有負介電各向異性之液晶組成物（對13應於系爭專利請求項1所界定之液晶介質），該液晶介14質具有如黏度低、向列相之上限溫度高、向列相之下限15溫度低、響應時間短等優異性質，並可藉由調整該組成16物之成分以達成較佳前述液晶介質（見乙證1卷第18717頁、第187頁背面、第189頁背面）。
又該組成物包含18第一至第四成分，其中，該第一成分為選自式（1-1-119）及式（1-2-1）所表示之化合物族群中的至少一種化20合物，該第二成分為選自式（2-1）所表示之化合物族21群中的至少一種化合物，該第三成分為選自式（3-1）22至式（3-4）所表示之化合物族群中的至少一種化合物23，而該第四成分為選自式（4-1）至式（4-4）所表示之24化合物族群中的至少一種化合物（見乙證1卷第184頁25-第186頁背面）。
其中該式（3-1）、式（4-4）、式26（2-1）化合物分別與系爭專利請求項1式I及式I-127～I-2、式IIC、式I-3～I-6化合物重疊。
28
53
1
2
3
4又證據5實施例7揭示其液晶介質可包含3-HBB-1（相5當於系爭專利所界定之式I或I-1化合物）、2-HH-3（6相當於系爭專利所界定之式I-3化合物）、3-HH-4（相7當於系爭專利所界定之式I-6化合物）、3-HH-5（相當8於系爭專利所界定之式I-5化合物）等成分。
54
1
2
3依上，證據5實施例7所揭示者與系爭專利請求項1主
4要的差異在於：該實施例未具體揭示其液晶介質中可包
5含如系爭專利請求項1所界定「至少一種選自於式IIB6及IIC化合物」之技術特徴。
惟證據5亦揭示當將成分7化合物混合於組成物中時，成分化合物帶給組成物之特
8性的主要效果如下所述：「…化合物（4-4）將提高光9學異向性，増大介電常數異向性的絕對值」（見乙證1
10卷第182頁），而該化合物（4-4）為系爭專利請求項111所界定式IIC化合物之下位概念化合物，且與式IIC12所界定者範圍重疊（參證據5請求項12），則系爭專13利發明所屬技術領域中具有通常知識者，基於證據5之14教示，為獲得具較佳性質（如進一步提升異向性等）之15液晶介質，當會嘗試將該化合物（4-4）與實施例7為16結合，並經簡單試驗而輕易完成如系爭專利請求項1所17界定之液晶介質，且可預期該液晶介質仍能達成如證據185所揭示響應時間短等功效。
是以，系爭專利所屬技術19領域中具有通常知識者，依證據5揭示之內容僅需簡單20變更，即可輕易完成系爭專利請求項1之發明，證據555
1可以證明該請求項1不具進步性。
22.證據5可以證明系爭專利請求項3-15、18、22、25、263、30-34不具進步性；
但證據5無法證明系爭專利請求項416、17、23不具進步性：
5系爭專利請求項3-5：
6系爭專利請求項3係依附請求項1之附屬項，其權利
7範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一步界定「
8其特徴在於該介質包含至少一種式I化合物及濃度為
915至35%式I-1及式I-3化合物」之附屬技術特徵；
10系爭專利請求項4係依附請求項3之附屬項，其權利
11範圍包括請求項3之全部技術特徵，並進一步界定「
12其特徴在於該介質包含至少一種式I化合物及濃度為
1315至25%之式I-1及式I-3化合物」之附屬技術特徵14；系爭專利請求項5係依附請求項3之附屬項，其權
15利範圍包括請求項3之全部技術特徵，並進一步界定
16「其特徴在於該介質包含至少一種式I化合物及濃度
17為18至22%之式I-1及式I-3化合物」之附屬技術18特徵。又證據5可以證明系爭專利請求項1不具進步
19性，已如前述。
20證據5實施例7之3-HHB-1（相當於系爭專利之式I21或式I-1）與2-HH-3（相當於系爭專利之式I-3），22二者濃度和為14%（3%+11%），僅略低於前述系爭專23利界定之下限值（15%或18%）。
又，證據5教示該24化合物（2）係可降低組成物下限溫度，繼而降低黏
25度（見乙證1卷第182頁），系爭專利發明所屬技術26領域中具有通常知識者，依證據5所揭示之内容，為
27調整實施例7組成物之黏度時，自有動機自該濃度1
284%為始，透過例行性試驗獲致所需黏度值之組成物，56
1且可預期該組成物之功效。因此，系爭專利請求項3
2-5，為該發明所屬技術領域中具有通常知識者，依證
3據5為簡單變更即可輕易完成，不具進步性。
4系爭專利請求項6-8：
5系爭專利請求項6係依附請求項1之附屬項，其權利
6範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一步界定「
7其特徴在於該介質包含至少一種式I化合物及濃度為
815至35%之式I-2及式I-3化合物」之附屬技術特徵9；系爭專利請求項7係依附請求項6之附屬項，其權
10利範圍包括請求項6之全部技術特徵，並進一步界定
11「其特徴在於該式I-2及式I-3化合物之濃度為1512至25%」之附屬技術特徵；
系爭專利請求項8係依附13請求項6之附屬項，其權利範圍包括請求項6之全部
14技術特徵，並進一步界定「其特徴在於該式I-2及式15I-3化合物之濃度為為18至22%」之附屬技術特徵。
16又證據5可以證明系爭專利請求項1不具進步性，已
17如前述。
18證據5實施例7之3-HHB-1（相當於系爭專利之式I19，且相似於式I-2所示之3HHB-3）與2-HH-3（相當20於系爭專利之式I-3），二者濃度和為14%（3%+11%21），僅略低於前述系爭專利界定之下限值（15%或1822%）。
又，證據5教示該化合物（2）係可降低組成物23下限溫度，繼而降低黏度（見乙證1卷第182頁），24系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者，依證
25據5所揭示之内容，為調整實施例7組成物之黏度時
26，自有動機自該濃度14%為始，並經簡單試驗（如嘗27試添加與3-HHB-1結構相似之3-HHB-3等的其他化合28物）獲致所需黏度值之組成物，且可預期該組成物之
57
1功效。因此，系爭專利請求項6-8，為該發明所屬技
2術領域中具有通常知識者，依證據5為簡單變更即可
3輕易完成，不具進步性。
4系爭專利請求項9-11：
5系爭專利請求項9係依附請求項1之附屬項，其權利
6範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一步界定「
7其特徴在於該介質包含至少一種式I化合物及濃度為
815至35%之式I-1、式I-2及式I-3化合物」之附屬9技術特徵；系爭專利請求項10係依附請求項9之附
10屬項，其權利範圍包括請求項9之全部技術特徵，並
11進一步界定「其特徴在於該式I-1、式I-2及式I-312化合物之濃度為15至25%」之附屬技術特徵；
系爭13專利請求項11係依附請求項9之附屬項，其權利範
14圍包括請求項9之全部技術特徵，並進一步界定「其
15特徴在於該式I-1、式I-2及式I-3化合物之濃度為1618至22%」之附屬技術特徵。
又證據5可以證明系爭17專利請求項1不具進步性，已如前述。
18證據5實施例7之3-HHB-1（相當於系爭專利之式I-191，且相似於式I-2所示之3HHB-3）與2-HH-3（相20當於系爭專利之式I-3），二者濃度和為14%（3%+1121%），僅略低於前述系爭專利界定之下限值（15%或1228%）。
又，證據5教示該化合物（2）係可降低組成23物下限溫度，繼而降低黏度（見乙證1卷第182頁）24，系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者，依
25證據5所揭示之内容，為調整實施例7組成物之黏度
26時，自有動機自該濃度14%為始，並經簡單試驗（如27嘗試添加與3-HHB-1結構相似之3-HHB-3等的其他化28合物）獲致所需黏度值之組成物，且可預期該組成物
58
1之功效。因此，系爭專利請求項9-11，為該發明所
2屬技術領域中具有通常知識者，依證據5為簡單變更
3即可輕易完成，不具進步性。
4系爭專利請求項12：
5系爭專利請求項12係依附請求項1之附屬項，其權
6利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一步界定
7「特徴在於該介質包含I-3化合物」之附屬技術特徵
8。又證據5可以證明系爭專利請求項1不具進步性，
9已如前述。
10證據5實施例7揭示其液晶介質可包含化合物2-HH-113（相當於系爭專利之式I-3），證據5已揭示前述12附屬技術特徵，故亦可以證明系爭專利請求項12不
13具進步性。
14系爭專利請求項13-15：
15系爭專利請求項13係依附請求項1之附屬項，其權
16利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一步界定
17「其特徴在於其另外包含IIA化合物」之附屬技術特18徵；
系爭專利請求項14係依附請求項13之附屬項，19其權利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進一
2A2B
20步界定「其特徴在於R及R各自獨立地表示烯基或
21烷基」之附屬技術特徵；系爭專利請求項15係依附
22請求項13之附屬項，其權利範圍包括請求項13之全23部技術特徵，並進一步界定「其特徴在於其包含至少
24一種式I化合物、至少一種式IIA化合物，其中p
25為1及至少一種式IIA化合物，其中p為2」之附屬26技術特徵。又證據5可以證明系爭專利請求項1不具
27進步性，已如前述。
28證據5實施例7亦揭示其液晶介質可包含3-HHB-1（59
1相當於系爭專利式I），且其說明書具體揭示可於液
2晶介質中加入如式（4-1）、式（4-2）化合物（見乙910
3證1卷第180頁背面），其中，當R、R均為碳數2
2A
4至6之烯基時，相當於系爭專利式IIA化合物（R
122
5為烯基，L及L為F，Z為單鍵，p為1或2，v為2
6至6），亦即，證據5式（4-1）、式（4-2）化合物7與系爭專利式IIA定義之化合物重疊。又，證據5說
8明書第揭示化合物（4-1）及化合物（4-2）係可增大9組成物介電常數異向性的絕對值（見乙證1卷第182
10頁），系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者
11，依前述證據5之教示，當為調整介電常數異向性時
12，自有動機將該式（4-1）或（4-2）化合物與實施例137為結合，並可預期具有響應時間短等功效。據上，
14系爭專利請求項13-15，為該發明所屬技術領域中具15有通常知識者，依證據5可輕易完成者，故證據5亦
16可以證明系爭專利請求項13-15不具進步性。
17系爭專利請求項16、17：
18系爭專利請求項16係依附請求項13之附屬項，其權19利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進一步界
20定「特其特徴在於其包含至少一種式I化合物、至少
21一種式IIA化合物及至少一種式IIB化合物」之附屬22技術特徵；
系爭專利請求項17係依附請求項13之附23屬項，其權利範圍包括請求項13之全部技術特徵，
24並進一步界定「其特徴在於其包含至少一種式I化合
25物及至少一種式IIB化合物」之附屬技術特徵。
又證26據5可以證明系爭專利請求項13不具進步性，已如
27前述。
28因證據5未揭示如系爭專利式IIB化合物，又該化合60
1物非屬該發明所屬領域之通常知識，難謂該發明所屬
2技術領域中具有通常知識者依證據5為簡單變更即可
3完成請求項16或17之發明。參加人未指摘證據5何
4處揭示有該式IIB化合物，亦未論理說明，故證據5
5實無法證明請求項16與17不具進步性。
6系爭專利請求項18：
7系爭專利請求項18係依附請求項13之附屬項，其權
8利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進一步界
9定「其特徴在於其包含至少一種式I化合物及至少一
2
10種式IIA化合物，其中Z為單鍵、-CH2O-或-CH2CH2-11」之附屬技術特徵。又證據5可以證明系爭專利請求
12項13不具進步性，已如前述。
13查證據5式（4-1）、（4-2）化合物包含如系爭專利2
14式IIA中Z為單鍵的化合物，故證據5亦可以證明系15爭專利請求項18不具進步性。
16系爭專利請求項22：
17系爭專利請求項22係依附請求項1之附屬項，其權
18利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一步界定
19「其特徴在於其另包含至少一種選自於以下組成之群
20之化合物：式CC-n-V之化合物及CC-n-V1之化合物21」之附屬技術特徵。又證據5可以證明系爭專利請求
22項1不具進步性，已如前述。
23證據5亦揭示可於其液晶介質中添加如式（2-1）之12
24化合物（見乙證1卷第180頁），其中，R為碳數313
25至5之烷基，R為碳數為2之烯基時，則相當於系爭
26專利之式CC-n-V化合物；
而該式（2-1）化合物中，1213
27R為碳數3之烷基，R為碳數為3之烯基時，則相
28當於系爭專利之式CC-n-V1化合物。
換言之，證據561
1式（2-1）化合物與系爭專利式CC-n-V、CC-n-V1化2合物物範圍重疊。又證據5掲示化合物（2）係可降
3低組成物黏度（見乙證1卷第182頁），則系爭專利
4發明所屬技術領域中具有通常知識者，依證據5之教
5示，當為調整黏度時，自有動機將該式（2-1）化合
6物與實施例7為結合，且功效可為預期（響應時間短
7等）。據上，系爭專利請求項22亦為該發明所屬技
8術領域中具有通常知識者，依證據5為簡單變更即可
9輕易完成者，故證據5可以證明系爭專利請求項22
10不具進步性。
11系爭專利請求項23：
12系爭專利請求項23係依附請求項1-19任一項之附屬13項，並進一步界定「其特徴在於其另外包含一或多種
14式III化合物」之附屬技術特徵。
又證據5可以證明15系爭專利請求項1、3-15、18任一項不具進步性，已16如前述。
17證據5並未揭示如該式III所示化合物之性質等技術18内容，已如前述，故系爭專利發明所屬技術領域中具
19有通常知識者，難謂具有動機將該等化合物與證據5
20實施例7為結合，故證據5無法證明請求項23不具
21進歩性。
22系爭專利請求項25：
23系爭專利請求項25係依附請求項1-19任一項之附屬24項，並進一步界定「其特徴在於該介質另外包含一或
25多種式T-1至T-20之聯三苯」之附屬技術特徵。
又26證據5可以證明系爭專利請求項1、3-15、18任一項27不具進步性，已如前述。
28證據5揭示之式（3-3）化合物（見乙證1卷第18562
1頁背面）涵蓋系爭專利式T-20化合物。又，證據5
2教示該式（3-3）化合物可降低組成物下限温度、提
3高光學異向性（見乙證1卷第182頁）；系爭專利發
4明所屬技術領域中具有通常知識者，依前述證據5之
5教示，當為調整組成物下限溫度或光學異向性時，自
6有動機將該式（3-3）化合物與實施例7為結合，且
7功效可為預期（響應時間短等）。據上，系爭專利請
8求項25依附於請求項1、3-15、18之部分，為該發9明所屬技術領域中具有通常知識者，依證據5為簡單
10變更即可輕易完成者，故證據5亦可以證明系爭專利
11請求項25不具進步性。
12系爭專利請求項26：
13系爭專利請求項26係依附請求項1-19任一項之附屬14項，並進一步界定「其特徴在於該介質包含一或多種
15式O-1至O-18之化合物」之附屬技術特徵。
又證據165可以證明系爭專利請求項1、3-15、18任一項不具17進步性，已如前述。
18查證據5揭示之第三成分包含式O-1至O-18化合物19，如證據5式（3-5）對應系爭專利式O-3，式（3-620）對應系爭專利式O-4，式（3-7）對應系爭專利式O21-13（見乙證1卷第185頁背面）；
又，證據5教示22該式（3-5）化合物可降低組成物下限溫度及黏度，23式（3-6）及式（3-7）可提高上限溫度及光學異向性24（見乙證1卷第182頁）。
系爭專利發明所屬技術領25域中具有通常知識者，依前述證據5之教示，當為調
26整下限溫度或黏度時，自有動機將該式（3-5）、式27（3-6）及式（3-7）化合物與實施例7為結合，且功28效可為預期（響應時間短等）。據上，系爭專利請求
63
1項26依附於請求項1、3-15、18之部分，為該發明2所屬技術領域中具有通常知識者，依證據5為簡單變
3更即可輕易完成者，故證據5亦可以證明系爭專利請
4求項26不具進步性。
5系爭專利請求項30：
6系爭專利請求項30係依附請求項1-19任一項之附屬7項，並進一步界定「其特徴在於該式I化合物在該整
8個混合物中之比例為≧3重量％」之附屬技術特徵。
9又證據5可以證明系爭專利請求項1、3-15、18任一10項不具進步性，已如前述。
11查證據5實施例7揭示該3-HHB-1化合物比例為3重12量％，已落入前述附屬技術特徴所界定之範圍，因此
13，請求項30附於請求項1、3-15、18之部分，為該14發明所屬技術領域中具有通常知識者，依證據5為簡
15單變更即可輕易完成者，不具進步性，故證據5亦足
16以證明系爭專利請求項30不具進步性。
17系爭專利請求項31：
18系爭專利請求項31為一種製備如請求項1至30任一19項之液晶介質的方法，並界定「特徵在於將至少一種
20式I化合物與至少一種其他液晶化合物混合，且視情
21況添加添加劑」之技術特徵。又證據5可以證明系爭
22專利請求項1、3-15、18、22、25、26、30任一項23不具進步性，已如前述。
24查證據5亦揭示其液晶介質組成物可混合其他添加物
25，如：光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、
26色素、消泡劑等（即對應於系爭專利所界定之添加劑
27，見乙證1卷第183頁、第183頁背面）。
據上，系28爭專利請求項31為該發明所屬技術領域中具有通常
64
1知識者，依證據5為簡單變更即可輕易完成的，故證
2據5亦可以證明系爭專利請求項31不具進步性。
3系爭專利請求項32-34：
4系爭專利請求項32為一種製備如請求項1至30任一
5項之液晶介質的用途，並界定「其係用於電光顯示器
6中」之技術特徵；系爭專利請求項33為一種具有主
7動定址之電光顯示器，並界定「其特徵在於其含有如
8請求項1至30任一項之液晶介質作為介電質」之技
9術特徵；系爭專利請求項34係依附請求項33之附屬
10項，並進一步界定「其特徵在於其為VA、PS-VA、PA11LC、FFS或IPS顯示器」之附屬技術特徵。
又證據512可以證明系爭專利請求項1、3-15、18、22、25、2613、30任一項不具進步性，已如前述。
14查證據5說明書第6頁第1段已揭示其液晶組成物係
15應用於主動矩陣定址之顯示器，包含IPS或VA模式16元件等（見乙證1卷第189頁）。
據上，系爭專利請17求項32-34為該發明所屬技術領域中具有通常知識者18，依證據5為簡單變更即可輕易完成的，故證據5亦
19可以證明系爭專利請求項32-34不具進步性。
203.原告主張：證據5揭露式（4-1）至式（4-4）化合物對21液晶介質之上限溫度、黏度及光學異向性等性質的影響程22度上，具有相當大的差異，顯證結構相似化合物間並不能23互相置換，故所屬技術領域中具有通常知識者無法預期經24置換後液晶介質之性質或功效（如黏度、響應時間等），25因此，系爭專利之發明具進步性云云（見本院卷2第18026-181頁）。
惟查，原告所稱證據5表2-2所列示之性質27差異，係指其所列示之化合物彼此間性質（如黏度等）的28差異程度，並非特定化合物之該性質（的絕對數值）必然65
1過高（見乙證1卷第183頁背面），以黏度為例，其雖列2示式（4-4）化合物呈現中等或大的程度，然係指該式（43-4）化合物相較於式（4-1）~式（4-3）化合物而言會略4高，並非指式（4-4）化合物之黏度必然過高而導致不宜5應用於液晶介質。
又依證據5說明書之內容可知，證據56具體建議在符合液晶介質整體效能之要求下，可再依實務7需求（如提高上限溫度、調整黏度、成本考量等），藉由8選用（置換或添加）式（4-1）~式（4-4）等不同化合物9，而適度調整液晶介質之性質，故應無原告所稱該等化合10物間不可相互置換等之情事，遑論逕認結構相似化合物間11並不能互相置換。
再者，證據5既已具體揭示其液晶介質12整體而言可具有如黏度低、向列相之上限溫度高、向列相13之下限溫度低、響應時間短等優異性質（見乙證1卷第11489頁背面、第187頁、第187頁背面），並可藉由調整15該組成物之成分以達成較佳前述液晶介質（見乙證1卷第16182-183頁、證據5表2-1、表2-2之相關內容等），故17所屬技術領域中具有通常知識者，當會依實際所需而選用18合適之化合物進行添加或置換，並經簡單試驗（如成分組19成之最佳化試驗）而完成系爭專利之發明，且應能預期置20換所得液晶介質組成物亦具有類似、或相等當、甚或更佳21之性質或功效，因此，系爭專利之發明前述性質或功效並22非無法預期，系爭專利之發明自具有進步性。
原告前揭主23張，並無可取。
244.綜上，系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者，依25證據5所揭示之內容，僅需簡單變更即可輕易完成系爭專26利請求項1、3-15、18、22、25、26及30-34之發明，27故證據5可以證明系爭專利請求項1、3-15、18、22、2528、26及30-34不具進步性。
又證據5並無揭示系爭專利66
1請求項16、17及23之技術特徵，且將系爭專利請求項126、17及23的整體發明與證據5進行比對，以該發明所3屬技術領域中具有通常知識者參酌申請時的通常知識之觀4點，尚無從輕易完成該發明，故證據5無法證明系爭專利5請求項16、17及23不具進步性。
6（九）證據6可以證明系爭專利請求項1、3-34不具進步性：71.證據6可以證明系爭專利請求項1不具進步性：
8系爭專利請求項1為獨立項，關於系爭專利請求項1與
9證據6之技術內容，均如前述。
10證據6揭示一種含有極性化合物之混合物的負介電各向11異性液晶介質（對應於系爭專利請求項1所界定之液晶12介質），其說明書揭示該液晶介質具有如旋轉黏度低、13響應時間短、高電壓保持率、高清澈點、低溫穩定性極14佳等優異性質，並可藉由調整該混合物之成分以達成較15佳前述液晶介質（見乙證1卷第155頁、156頁背面）16。
17證據6說明書揭示該混合物之成分較佳包含a）第一負18介電介晶組分（組分A），其較佳由一或多種式I之負19介電化合物組成；
b）第二負介電介晶組分（組分B）20，其由一或多種式II之負介電化合物組成；
及c）介21電中性介晶組分（組分C）等（見乙證1卷第151-15422頁）。
23
24
25又證據6說明書揭示在一較佳實施例中，該介質（組分67
1B）包含一或多種選自式II-1至II-13之化合物之群的2式II化合物；在另一較佳實施例中，該介質（組分C
3）包含一或多種選自III-1至III-11之化合物之群，4尤其較佳選自式III-1及III-4之群的式III化合物；
5在另一較佳實施例中，該介質（組分C）包含一或多種
6選自III-1a至III-1e之化合物；
在另一較佳實施例中7，該介質（組分C）包含一或多種選自III-4a至III-48d之化合物（見乙證1卷第133頁-第134頁背面、第1935頁、第136頁、第144頁背面-第145頁背面）。
10
68
1
2
69
1
2
70
1
2其中，證據6式III-4、II-3、II-7等所示之化合物3，可分別對應於系爭專利請求項1所界定I、IIB、IIC4等化合物，且範圍重疊；
證據6式III-la同於系爭專5利請求項1所界定之式I，且其所示化合物相當於系爭
6專利請求項1所界定式I-1與I-2之化合物。
7證據6實施例8.1並具體揭示其液晶介質可包含CCP-38-1（相當於系爭專利所界定之式I-1化合物）、CCP-3-93（相當於系爭專利所界定之式I-2化合物）、CC-2-510（相當於系爭專利所界定之式I-4化合物）、CC-3-4（11相當於系爭專利所界定之式I-6化合物）、CC-3-5（相12當於系爭專利所界定之式I-3之化合物）、CY-5-O2（13即證據6式II-1下位概念化合物）等成分。
71
1
2依上，證據6實施例8.1與系爭專利請求項1主要的差3異在於：該實施例未具體揭示其液晶介質中可包含如系
4爭專利請求項1所界定「至少一種選自於式IIB及IIC5化合物」之技術特徴。惟依前述證據6所載「在一較佳
6實施例中，該介質包含一或多種選自式II-1至II-137之化合物之群的式II化合物」，可知II-1~13等所示8者為功能或作用具有共通性而可互相置換之化合物，又
9證據6實施例8.1亦揭示該液晶介質中可含有II-1所10示之（下位概念）化合物CY-5-O2，故系爭專利發明所11屬技術領域中具有通常知識者，基於該實施例8.1所揭12示者，為獲得具較佳性質（如低溫穩定性等）之液晶介13質，當會嘗試將該CY-5-O2化合物置換為同一證據所示14其他功能或作用相當之化合物（例如：置換為式II-315下位概念化合物PY-5-O2（相當於系爭專利請求項式II16B，R2B為烷基）；
或置換為式II-7下位概念化合物PY17P-2-3或PYP-2-4（二者相當於系爭專利請求項式IIC18）），並經簡單試驗（如取代基類別、含量範圍等之最72
1佳化試驗）而完成系爭專利請求項1之整體，且可預期
2經置選出者（與被置換者相較）功效。從而，系爭專利
3所屬技術領域中具有通常知識者，依證據6揭示之內容
4僅需簡單變更，即可輕易完成系爭專利請求項1之發明
5，故證據6可以證明該請求項1不具進步性。
62.證據6可以證明系爭專利請求項3-34不具進步性：7系爭專利請求項3-11：
8系爭專利請求項3-11為直接或間接依附於請求項1
9之附屬項，其等進一步該液晶介質之界定組成比例等
10技術特徵。又證據6可以證明系爭專利請求項1不具
11進步性，已如前述。
12又如前述，系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知
13識者，運用申請時之通常知識，自可調整液晶介質之
14組成比例以獲致所需性質。因此，系爭專利請求項3
15-11之發明，為所屬技術領域中具有通常知識者依證16據6揭示之內容經簡單變更即可輕易完成的。是以，
17證據6可以證明系爭專利請求項3-11不具進步性。
18系爭專利請求項12：
19系爭專利請求項12為直接依附於請求項1之附屬項
20，其權利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一
21步界定「其特徴在於該介質包含I-3化合物」之附屬22技術特徵。又證據6可以證明系爭專利請求項1不具
23進步性，已如前述。
24因證據6實施例8.1亦揭示其液晶介質可包含化合物25CC-3-5（相當於系爭專利之式I-3），故證據6亦可26以證明系爭專利請求項12不具進步性。
27請求項13-15：
28系爭專利請求項13為直接依附於請求項1之附屬項
73
1，其權利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一
2步界定「特徴在於其另外包含IIA化合物」之附屬技
3術特徵；系爭專利請求項14為直接依附於請求項13
4之附屬項，其權利範圍包括請求項13之全部技術特
2A2B
5徵，並進一步界定「其特徴在於R及R各自獨立地
6表示烯基或烷基」之附屬技術特徵；系爭專利請求項
715為直接依附於請求項13之附屬項，其權利範圍包
8括請求項13之全部技術特徵，並進一步界定「其特
9徴在於其包含至少一種式I化合物、至少一種式II
10A化合物，其中p為1及至少一種式IIA化合物，其11中p為2」之附屬技術特徵。又證據6可以證明系爭
12專利請求項1不具進步性，已如前述。
13證據6實施例8.1已揭示其液晶介質可包含CCP-3-114（相當於系爭專利式I）、CY-3-O2、CY-5-O2（相當15於系爭專利之式IIA，p為1）、CCY-3-O3、CCY-2-12A
16（相當於系爭專利之式IIA，R為烷基，p為2）等17，故證據6已揭示前述附屬技術特徴，自可以證明系
18爭專利請求項13、14與15不具進步性。
19系爭專利請求項16、17：
20系爭專利請求項16為直接依附於請求項13之附屬項21，其權利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進
22一步界定「其特徴在於其包含至少一種式I化合物、
23至少一種式IIA化合物及至少一種式IIB化合物」之24附屬技術特徵；系爭專利請求項17為直接依附於請
25求項13之附屬項，其權利範圍包括請求項13之全部26技術特徵，並進一步界定「其特徴在於其包含至少一
27種式I化合物及至少一種式IIB化合物」之附屬技術28特徵。又證據6可以證明系爭專利請求項13不具進
74
1步性，已如前述。
2證據6實施例8.1已揭示其液晶介質可包含化合物C
3CP-3-1（相當於系爭專利式I）、CY-3-O2（相當於4系爭專利之式IIA）、CY-5-O2等，而如前述，該CY5-5-O2化合物與PY-5-O2（相當於系爭專利之式IIB6）為功能或作用具有共通性之化合物，系爭專利發明
7所屬技術領域中具有通常知識者，自有動機將該實施
8例8.1中之CY-5-O2化合物替換為PY-5-O2，。
是以9，系爭專利請求項16與17為所屬技術領域中具有通
10常知識者，依據證據6之技術內容，經簡單變更而可
11輕易完成的，故證據6亦可以證明系爭專利請求項1
126與17不具進步性。
13系爭專利請求項18：
14系爭專利請求項18為直接依附於請求項13之附屬項15，其權利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進
16一步界定「其特徴在於其包含至少一種式I化合物及
2
17至少一種式IIA化合物，其中Z為單鍵、-CH2O-或-18CH2CH2-」之附屬技術特徵。
又證據6可以證明系爭專19利請求項13不具進步性，已如前述。
20證據6實施例8.1已揭示其液晶介質可包含化合物C21Y-3-O2、CY-5-O2、CCY-3-O3、CCY-2-1（相當於系2
22爭專利之式IIA，Z為單鍵）等之附屬技術特徵，故23證據6亦可以證明系爭專利請求項18不具進步性。
24系爭專利請求項19：
25系爭專利請求項19為直接依附於請求項13之附屬項26，其權利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進
27一步界定「其特徴在於其另包含至少一種式V-1至V28-8化合物」之附屬技術特徵。又證據6可以證明系
75
1爭專利請求項13不具進步性，已如前述。
2證據6說明書第49頁第2行至第50頁第7行揭示在
3一較佳實施例中，其液晶介質包含一或多種選自式I
4I-9a至II-9d之化合物之群的式II-9化合物，另一5較佳實施例中，其液晶介質包含一或多種選自式II-
610a至II-10e之化合物之群的式II-10化合物（見7乙證1卷第138頁、第138頁背面），其中，該式I8I-9a至II-9d、式II-10a至II-10d化合物分別相9當於系爭專利之式V-1至V-8，則系爭專利發明所屬10技術領域中具有通常知識者，依前述證據6教示之較
11佳實施例，自有動機將實施例8.1與式II-9a至II-129d、式II-10a至II-10d化合物為結合，並經簡單試13驗而完成本請求項之發明。是以，系爭專利請求項1
149為所屬技術領域中具有通常知識者，依據證據6之
15技術內容，經簡單變更而可輕易完成的，故證據6亦
16可以證明系爭專利請求項19不具進步性。
17系爭專利請求項20：
18系爭專利請求項20係依附請求項1-19任一項之附屬19項，並進一步界定「其特徴在於其另包含至少一種式
20B-1至B-3化合物」之附屬技術特徵。
又證據6可以21證明系爭專利請求項1、3-19任一項不具進步性，已22如前述。
23證據6說明書第57頁第6行至第58頁第8行揭示在24另一較佳實施例中，該介質包含一或多種選自式III25-3a至III-3c之化合物之群的式III-3化合物（見26乙證1卷第134頁、第134頁背面），其中，該式I27II-3a至III-3c化合物分別相當於系爭專利之式B-128至B-3，則系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知76
1識者，依前述證據6教示之較佳實施例，自有動機嘗
2試結合實施例8.1與式III-3a至III-3c之化合物3，並經簡單試驗而完成本請求項之發明。是以，系爭
4專利請求項20為所屬技術領域中具有通常知識者，
5依據證據6之技術內容，經簡單變更而可輕易完成的
6，故證據6亦可以證明系爭專利請求項20不具進步
7性。
8系爭專利請求項21：
9系爭專利請求項21為直接依附於請求項20之附屬項
10，其權利範圍包括請求項20之全部技術特徵，並進
11一步界定「其特徴在於其另包含至少一種式B-1a至12B-2c化合物」之附屬技術特徵。
又證據6可以證明13系爭專利請求項20不具進步性，已如前述。
14證據6說明書第57頁末行、第58頁第4~7行揭示其15液晶介質可包含較佳式III-3a及3b化合物（見乙證161卷第134頁、第134頁背面），其等即相當於系爭17專利式B-1a至B-2c之化合物，因此，證據6已揭示18前述附屬技術特徴，自亦可以證明系爭專利請求項2
191不具進步性。
20系爭專利請求項22：
21系爭專利請求項22為直接依附於請求項1之附屬項
22，其權利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一
23步界定「其特徴在於其另包含至少一種選自於以下組
24成之群之化合物：式CC-n-V之化合物及CC-n-V1之25化合物」之附屬技術特徵。又證據6可以證明系爭專
26利請求項1不具進步性，已如前述。
27證據6說明書第72頁第13行至第73頁第10行亦揭28示其較佳實施例中，該液晶介質包含式III-1c及II77
1I-1d化合物（見乙證1卷第126頁、第127頁背面2），其中，第72頁最末二行所示之化合物即相當於
3系爭專利式CC-n-V與CC-n-V1化合物，系爭專利發4明所屬技術領域中具有通常知識者，依前述證據6教
5示之較佳實施例，自有動機嘗試將其組成與實施例8
6.1為結合，並經簡單試驗而完成本請求項之發明，
7故證據6亦可以證明系爭專利請求項22不具進步性
8。
9系爭專利請求項23：
10系爭專利請求項23係依附請求項1-19任一項之附屬11項，並進一步界定「其特徴在於其另外包含一或多種
12式III化合物」之附屬技術特徵。
又證據6已證明系13爭專利請求項1、3-19任一項不具進步性，已如前述14。
15證據6實施例8.1揭示其液晶介質可包含化合物CP-165-3（相當於系爭專利之式III），則證據6已揭示17前述附屬技術特徴，故亦可以證明系爭專利請求項2
183不具進步性。
19系爭專利請求項24：
20系爭專利請求項24係依附請求項1-19任一項之附屬21項，並進一步界定「其特徴在於該介質另外包含一或
22多種式L-1至L-11之化合物」之附屬技術特徵。
又23證據6可以證明系爭專利請求項1、3-19任一項不具24進步性，已如前述。
25證據6說明書第29頁第4行至第34頁第10行、第2695頁第8行至97頁第8行揭示其液晶介質較佳化合27物可為選自子式IA-1、式V等所示之化合物（見乙28證1卷第114-115、146-148頁），該等化合物涵蓋78
1系爭專利請求項24式L-1至L-11之化合物。
則系爭2專利發明所屬技術領域中具有通常知識者，依前述證
3據6揭示之技術內容，自有動機嘗試結合實施例8.1
4與同證據所示之較佳化合物，並經簡單試驗而完成本
5請求項之發明。是以，系爭專利請求項24為所屬技
6術領域中具有通常知識者，依據證據6之技術內容，
7經簡單變更而可輕易完成的，故證據6可以證明系爭
8專利請求項24不具進步性。
9系爭專利請求項25：
10系爭專利請求項25係依附請求項1-19任一項之附屬11項，並進一步界定「其特徴在於該介質另外包含一或
12多種式T-1至T-20之聯三苯」之附屬技術特徵。
又13證據6可以證明系爭專利請求項1、3-19任一項不具14進步性，已如前述。
15證據6說明書第36頁第7行至第38頁第7行、第4167頁第12行至第48頁第11行、第51頁第4行至第1752頁第11行揭示在其較佳實施例中，該液晶介質可18包含化合物II-3、II-7e、II-7f、II-7h、II-7i、I19I（IV）-2、II（V）-1等（見乙證1卷第137頁、20第137頁背面、第139頁、第139頁背面、第144-12145頁背面），前述化合物與系爭專利請求項25式T-221至T-20化合物重疊，則系爭專利發明所屬技術領23域中具有通常知識者，依前述證據6教示之較佳實施
24例，自有動機嘗試結合實施例8.1與同證據所示之較25佳化合物，並經簡單試驗而完成本請求項之發明。是
26以，系爭專利請求項25為所屬技術領域中具有通常
27知識者，依據證據6之技術內容，經簡單變更而可輕
28易完成的，故證據6可以證明系爭專利請求項25不
79
1具進步性。
2系爭專利請求項26：
3系爭專利請求項26係依附請求項1-19任一項之附屬4項，並進一步界定「其特徴在於該介質包含一或多種
5式O-1至O-18之化合物」之附屬技術特徵。
又證據66可以證明系爭專利請求項1、3-19任一項不具進步7性，已如前述。
8證據6說明書第21頁第2行至第23頁第7行、第5
93頁第7行至第54頁第12行揭示在其較佳實施例中
10，該液晶介質可包含化合物式III、III-1、III-4、11III-10等（見乙證1卷第136頁、第136頁背面、12第151-152頁），而前述化合物與系爭專利請求項2136式O-1至O-18化合物重疊，則系爭專利發明所屬14技術領域中具有通常知識者，依前述證據6教示之較
15佳實施例，自有動機嘗試結合實施例8.1與同證據所16示之較佳實施例化合物，並經簡單試驗而完成本請求
17項之發明。是以，系爭專利請求項26為所屬技術領
18域中具有通常知識者，依據證據6之技術內容，經簡
19單變更而可輕易完成的，故證據6可以證明系爭專利
20請求項26不具進步性。
21系爭專利請求項27：
22系爭專利請求項27係依附請求項1-19任一項之附屬23項，並進一步界定「其特徴在於該介質另外包含一或
24多種式In之茚滿化合物」之附屬技術特徵。又證據
256可以證明系爭專利請求項1、3-19任一項不具進步26性，已如前述。
27證據6說明書第23頁第9行至第26頁第4行揭示在28其較佳實施例中，該液晶介質可包含式IV化合物（
80
1見乙證1卷第150-151頁），該式IV化合物涵蓋系2爭專利請求項27式In化合物，則系爭專利發明所屬
3技術領域中具有通常知識者，依證據6教示之較佳實
4施例，自有動機嘗試結合實施例8.1與同證據所示之
5較佳化合物，並經簡單試驗而完成本請求項之發明。
6是以，系爭專利請求項27為所屬技術領域中具有通
7常知識者，依據證據6之技術內容，經簡單變更而可
8輕易完成的，故證據6亦可以證明系爭專利請求項2
97不具進步性。
10系爭專利請求項28、29：
11系爭專利請求項28為直接依附於請求項27之附屬項12，其權利範圍包括請求項27之全部技術特徵，並進
13一步界定「其特徴在於其包含至少一種式I化合物、
14至少一種式IIA化合物及至少一種式In化合物」之15附屬技術特徵；系爭專利請求項29為直接依附於請
16求項27之附屬項，其權利範圍包括請求項27之全部17技術特徵，並進一步界定「其特徴在於其包含至少一
18種式I化合物、至少一種式IIB化合物及至少一種式19In化合物」之附屬技術特徵。又證據6可以證明系
20爭專利請求項27不具進步性，已如前述。
21證據6實施例8.1揭示其液晶介質可包含化合物CCP22-3-1（相當於系爭專利式I）、CY-3-O2（相當於系23爭專利之式IIA）、CY-5-O2等，如前所述，CY-5-O242化合物與PY-5-O2（相當於系爭專利之式IIB）為25功能或作用具有共通性之化合物，系爭專利發明所屬
26技術領域中具有通常知識者，自有動機將該實施例8
27.1中之CY-5-O2化合物替換為PY-5-O2。
是以，系28爭專利請求項28與29為所屬技術領域中具有通常知81
1識者，依據證據6之技術內容，經簡單變更而可輕易
2完成的，故證據6可以證明系爭專利請求項28與29
3不具進步性。
4系爭專利請求項30：
5系爭專利請求項30係依附請求項1-19任一項之附屬6項，並進一步界定「其特徴在於該式I化合物在該整
7個混合物中之比例為≧3重量％」之附屬技術特徵。
8又證據6可以證明系爭專利請求項1、3-19任一項不9具進步性，已如前述。
10證據6實施例8.1之液晶介質中，包含4.0重量％之11CCP-3-1、4.0重量％之CCP-3-3，其等相當於包含812.0重量％之系爭專利式I化合物，因此，證據6已
13揭示前述附屬技術特徴，自可以證明系爭專利請求項
1430不具進步性。
15系爭專利請求項31：
16系爭專利請求項31係依附請求項1-30任一項之附屬17項，並進一步界定「特徵在於將至少一種式I化合物
18與至少一種其他液晶化合物混合，且視情況添加添加
19劑」之附屬技術特徵。又證據6可以證明系爭專利請
20求項1、3-30任一項不具進步性，已如前述。
21證據6實施例8.1之液晶介質，依上所述，包含CCP22-3-1、CCP-3-3（相當於系爭專利式I化合物），且23該液晶介質通常包含二種液晶化合物（組分A及B）
24及其他成分（即對應於系爭專利所界定之添加劑，參
25證據6說明書第79頁第1行至第80頁第7行，見乙26證1卷第123頁、第123頁背面）。
是以，系爭專利27請求項31為該發明所屬技術領域中具有通常知識者
28，依證據6為簡單變更即可輕易完成的，故證據6可
82
1以證明系爭專利請求項31不具進步性。
2系爭專利請求項32-34：
3系爭專利請求項32為一種製備如請求項1至30任一
4項之液晶介質的用途，並界定「其係用於電光顯示器
5中」之技術特徵；系爭專利請求項33為一種具有主
6動定址之電光顯示器，並界定「其特徵在於其含有如
7請求項1至30任一項之液晶介質作為介電質」之技
8術特徵；系爭專利請求項34係依附請求項33之附屬
9項，並進一步界定「其特徵在於其為VA、PS-VA、PA10LC、FFS或IPS顯示器」之附屬技術特徵。
又證據611可以證明系爭專利請求項1、3-30任一項不具進步性12，已如前述。
13證據6說明書第6頁第3至7行、第11頁第15至1147行已揭示其液晶介質可作為介電質，用於光電顯示
15器及IPS顯示器（見乙證1卷第157頁、第160頁背16面）。
是以，系爭專利請求項32-34為該發明所屬技17術領域中具有通常知識者，依證據6為簡單變更即可
18輕易完成的，故證據6可以證明系爭專利請求項32-1934不具進步性。
20綜上，系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者，21依證據6所揭示之內容，僅需簡單變更即可輕易完成該22發明，故證據6可以證明系爭專利請求項1、3-34不具23進步性。
243.原告主張：證據6並未以如系爭專利之發明所界定式I的25介電中性烷基化合物為必要成分，且實施例8.1須將CY-265-O2置換為PY-5-O2、PYP-2-3或PYP-2-4後始等同於27系爭專利之發明，然依原證1、原證2等先前技術之內容28可知，該置換會使液晶介質黏度提升，故基於證據6之技83
1術內容並無法預期系爭專利之發明具有黏度低等性質或功2效云云（見本院卷2第186-189頁）。
惟查，先前技術3某證據中所揭示液晶介質是否含有與系爭專利之發明相同4之必要成分，係以其所揭示之成分組成為判斷依據，而證5據6之較佳實施例中已揭示其液晶介質包含與系爭專利之6發明所界定式I實質相同（或範圍重疊）之化合物，且實7施例8.1並具體揭示其液晶介質包含CCP-3-1（相當於系8爭專利所界定之式I-1化合物）、CCP-3-3（相當於系爭9專利所界定之式I-2化合物）、CC-2-5（相當於系爭專10利所界定之式I-4化合物）、CC-3-4（相當於系爭專利11所界定之式I-6化合物）、CC-3-5（相當於系爭專利所12界定之式I-3之化合物）等成分，該等成分均符合系爭專13利之發明所界定式I的介電中性烷基化合物，已難認系爭14專利之發明具有進步性。
又原證1或原證2並未揭示與系15爭專利之發明或本件先前技術（如證據6等）所揭示者組16成相符的液晶介質，尚難據以論斷系爭專利之發明與該等17先前技術相較是否達成有利功效（詳如後述）；
且由證據186之技術內容可知，其揭示之液晶介質組成物可具有低黏19度、低溫穩定性極佳等性質或功效，而就該液晶介質組成20物而言，CY-5-O2、PY-5-O2、PYP-2-3、PYP-2-4等為實21質功能或作用具有共通性可互相置換之化合物，故所屬技22術領域中具有通常知識者理應能預期置換所得液晶介質組23成物亦具有類似或相等當之性質或功效，因此，系爭專利24之發明前述性質或功效並非無法預期，系爭專利之發明當25不具有進步性，原告此部分主張，自無可採。
26（十）證據7可以證明系爭專利請求項1、13-18、20-23、25、2276、30-34不具進步性：
281.證據7可以證明系爭專利請求項1不具進步性：
84
1系爭專利請求項1為獨立項，關於系爭專利請求項1與
2證據7之技術內容，均如前述。
3證據7揭示一種液晶介質（對應於系爭專利請求項1所
4界定之液晶介質），該液晶介質可達成解決先前技術之
5液晶介質的如旋轉黏度高、反應時間長、低溫穩定性差
6等問題，並可藉由調整該液晶介質之成分以達成較佳前
7述液晶介質。
證據7說明書第12頁第3行至第16頁第813行揭示該液晶介質之成分包含a）一種介電負性的液9晶成分（成分A），其包含一或更多式I之介電負性化
10合物，b）一種介電負性液晶成分（成分B），其宜包11含一或更多介電負性化合物，其系選自由式II與式II12I化合物所組成的類群，及c）一種介電中性成分（成13分C），其包含一或更多式IV之介電負性化合物（見14乙證1卷第79-81頁背面）等。
15
16
17
18
19又說明書第22頁第11行至第25頁第4行揭示該式I20之化合物特別宜選自由式I-1a、I-1b、I-2a至I-2f21及I-3a至I-3e之化合物所組成的類群（見乙證1卷第85
174-76頁背面）；
說明書第31頁末行至第35頁第1行2揭示該式IV之化合物特別地宜包含一或更多選自由式
3IV-1a至IV-1d、IV-1e-IV-2a至IV-2e及IV-3a至IV4-3c之化合物所組成的類群（見乙證1卷第69-71頁）5。
6
86
1
2
87
1
2
3
88
1
2其中，該式IV-2C與系爭專利式I、I-1及I-2重疊，3該式IV-1b與系爭專利式I-3～I-6重疊，該式I-1a4及I-1b與系爭專利式IIB重疊，該式I-2a與系爭專利5式IIC重疊。
由於證據7之成分A（包含式I）與成分6C（包含式IV）均為液晶介質之必要成分，且證據7已7教示式I、式IV化合物之較佳態樣，則系爭專利發明
8所屬技術領域中具有通常知識者，自有動機結合證據7
9教示之較佳化合物群組而輕易完成系爭專利請求項1之
10發明，且可預期其功效（如反應時間短等）。
是以，系11爭專利請求項1為該發明所屬技術領域中具有通常知識12者，依證據7為簡單變更即可輕易完成者，故證據7可13以證明該請求項1不具進步性。
142.證據7可以證明系爭專利請求項13-18、20-23、25、2615、30-34不具進步性：
16系爭專利請求項13：
17系爭專利請求項13為直接依附於請求項1之附屬項
18，其權利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一
19步界定「其特徴在於其另外包含IIA化合物」之附屬20技術特徵。又證據7可以證明系爭專利請求項1不具
21進步性，已如前述。
22證據7說明書第29頁第6至13行揭示較佳之式II89
1化合物可為式II-1a至II-1c（見乙證1卷第72頁2），其中，其該式II-1a至II-1c與系爭專利式IIA3重疊等，則系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知
4識者，自有動機結合證據7教示之較佳化合物而完成
5系爭專利請求項13之發明。是以，系爭專利請求項
613為該發明所屬技術領域中具有通常知識者，依證
7據7為簡單變更即可輕易完成者，故證據7可以證明
8系爭專利請求項13不具進步性。
9系爭專利請求項14：
10系爭專利請求項14為直接依附於請求項13之附屬項11，其權利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進
2A2B
12一步界定「其特徴在於R及R各自獨立地表示烯基
13或烷基」之附屬技術特徵。又證據7可以證明系爭專
14利請求項13不具進步性，已如前述。
1112
15證據7揭示其式I-1a至I-1b化合物中，R及R較16佳者可為烷基或烯基（見乙證1卷第74頁），式II2122
17-1a至II-1c化合物中，R及R較佳者可為烷基或18烯基（見乙證1卷第72頁），因此，證據7已揭示
19前述附屬技術特徴，故可以證明系爭專利請求項14
20不具進步性。
21系爭專利請求項15：
22系爭專利請求項15為直接依附於請求項13之附屬項23，其權利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進
24一步界定「其特徴在於其包含至少一種式I化合物、
25至少一種式IIA化合物，其中p為1及至少一種式I26IA化合物，其中p為2」之附屬技術特徵。
又證據727可以證明系爭專利請求項13不具進步性，已如前述
28。
90
1證據7揭示之式IV-2c與系爭專利式I化合物重疊，2式II-1a、II-1b與系爭專利式IIA（p為1）重疊，3式II-1c與系爭專利式IIA（p為2）重疊，因此，4證據7已揭示前述附屬技術特徴，可以證明系爭專利
5請求項15不具進步性。
6系爭專利請求項16、17：
7系爭專利請求項16為直接依附於請求項13之附屬項
8，其權利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進
9一步界定「其特徴在於其包含至少一種式I化合物、
10至少一種式IIA化合物及至少一種式IIB化合物」之11附屬技術特徵；系爭專利請求項17為直接依附於請
12求項13之附屬項，其權利範圍包括請求項13之全部13技術特徵，並進一步界定「其特徴在於其包含至少一
14種式I化合物及至少一種式IIB化合物」之附屬技術15特徵。又證據7可以證明系爭專利請求項13不具進
16步性，已如前述。
17證據7揭示之較佳液晶介質組成成分，已涵蓋系爭專
18利式I、IIA及IIB，業如前述，則系爭專利請求項1196與17為所屬技術領域中具有通常知識者，依據證
20據7之技術內容，經簡單變更而可輕易完成的，故證
21據7可以證明系爭專利請求項16與17不具進步性。
22系爭專利請求項18：
23系爭專利請求項18為直接依附於請求項13之附屬項24，其權利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進
25一步界定「其特徴在於其包含至少一種式I化合物及
2
26至少一種式IIA化合物，其中Z為單鍵、-CH2O-或-27CH2CH2-」之附屬技術特徵。
又證據7可以證明系爭專28利請求項13不具進步性，已如前述。
91
1證據7所揭示之較佳液晶介質組成，已涵蓋系爭專利
2式I、IIA及IIB，業如前述，其中，證據7式II-1b3，即涵蓋系爭專利式IIA（Z為-CH2CH2-）者，則系爭4專利請求項18為所屬技術領域中具有通常知識者，
5依據證據7之技術內容，經簡單變更而可輕易完成，
6故證據7可以證明系爭專利請求項18不具進步性。
7系爭專利請求項20、21：
8系爭專利請求項20係依附請求項1-19任一項之附屬9項，並進一步界定「其特徴在於其另包含至少一種式
10B-1至B-3化合物」之附屬技術特徵；
系爭專利請求11項21係依附請求項20之附屬項，並進一步界定「其12特徴在於其另包含至少一種式B-1a至B-2c化合物」13之附屬技術特徵。又證據7可以證明系爭專利請求項
141、13-18任一項不具進步性，已如前述。
15證據7式IV化合物涵蓋系爭專利式B-1至B-3化合16物及B-1a至B-2c化合物，該式IV群組内之化合物17，為功能或作用具有共通性，因此，系爭專利發明所
18屬技術領域中具有通常知識者，自有合理動機嘗試結
19合該群組内之化合物以形成液晶介質。又系爭專利請
20求項20依附於請求項1與13-18之部分，則為所屬21技術領域中具有通常知識者，依據證據7之技術內容
22，經簡單變更而可輕易完成的，故證據7可以證明系
23爭專利請求項20、21不具進步性。
24系爭專利請求項22：
25系爭專利請求項22為直接依附於請求項1之附屬項
26，其權利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一
27步界定「其特徴在於其另包含至少一種選自於以下組
28成之群之化合物：式CC-n-V之化合物及CC-n-V1之92
1化合物」之附屬技術特徵。又證據7可以證明系爭專
2利請求項1不具進步性，已如前述。
3證據7說明書第31頁末行至第32頁第9行揭示其液
4晶介質特別地一包含一或更多選自由式IV-1a至IV-51d、IV-1e至IV-2a等所組成的類群（見乙證1卷第671頁、第71頁背面），其中，該式IV-1c至IV-1e7已揭示系爭專利式CC-n-V之化合物及CC-n-V1之化8合物，則系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識
9者，依證據7揭示之内容，自有動機結合證據7教示
10之較佳化合物。是以，系爭專利請求項22為該發明
11所屬技術領域中具有通常知識者，依證據7為簡單變
12更即可輕易完成者，故證據7可以證明系爭專利請求
13項22不具進步性。
14系爭專利請求項23：
15系爭專利請求項23係依附請求項1-19任一項之附屬16項，並進一步界定「其特徴在於其另外包含一或多種
17式III化合物」之附屬技術特徵。
又證據7可以證明18系爭專利請求項1、13-18任一項不具進步性，已如19前述。
20證據7說明書第31頁末行至第32頁第9行揭示其液21晶介質特別地宜包含一或更多選自由式IV-1e至IV-222a等所組成的類群（見乙證1卷第71頁、第71頁23背面），其中，該式IV-1e已揭示系爭專利式III化24合物，則系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識
25者，依證據7揭示之内容，自有動機結合證據7教示
26之較佳化合物。是以，系爭專利請求項23依附於請
27求項1、13-18之部分，為該發明所屬技術領域中具28有通常知識者，依證據7為簡單變更即可輕易完成者
93
1，故證據7可以證明系爭專利請求項23不具進步性
2。
3系爭專利請求項25：
4系爭專利請求項25係依附請求項1-19任一項之附屬5項，並進一步界定「其特徴在於該介質另外包含一或
6多種式T-1至T-20之聯三苯」之附屬技術特徵。
又7證據7可以證明系爭專利請求項1、13-18任一項不8具進步性，已如前述。
9證據7揭示其式I化合物特別宜選自由式I-1a、I-110b、I-2a至I-2f及1-3至1-3e之化合物所組成的類11群，該I-2b至I-2f、I-3a至I-3c、I-3e涵蓋系爭12專利請求項25式T-15、T-14、T-7、T-18、T-9、T-132、T-5、T-4及T-19，則系爭專利發明所屬技術領域14中具有通常知識者，依證據7揭示之内容，自有動機
15結合證據7教示之較佳化合物。是以，系爭專利請求
16項25依附於請求項1、13-18之部分，為該發明所屬17技術領域中具有通常知識者，依證據7為簡單變更即
18可輕易完成者，故證據7可以證明系爭專利請求項2
195不具進步性。
20系爭專利請求項26：
21系爭專利請求項26係依附請求項1-19任一項之附屬22項，並進一步界定「其特徴在於該介質包含一或多種
23式O-1至O-18之化合物」之附屬技術特徵。
又證據247可以證明系爭專利請求項1、13-18任一項不具進25步性，已如前述。
26證據7說明書第31頁末行至第35頁第1行揭示其液27晶介質特別地宜更多選自由式IV-2a至IV-2e、IV-328a至IV-3c等所組成的類群（見乙證1卷第69-71頁94
1），而該式IV-2a、IV-2c、IV-2e、IV-3a、IV-3及2IV-3d已涵蓋系爭專利請求項26式O-3、O-9、O-113、O-4、O-17及O-18，則系爭專利發明所屬技術領域4中具有通常知識者，依證據7揭示之内容，自有動機
5結合證據7教示之較佳化合物。是以，系爭專利請求
6項26依附於請求項1、13-18之部分，為該發明所屬7技術領域中具有通常知識者，依證據7為簡單變更即
8可輕易完成者，故證據7可以證明系爭專利請求項2
96不具進步性。
10系爭專利請求項30：
11系爭專利請求項30係依附請求項1-19任一項之附屬12項，並進一步界定「其特徴在於該式I化合物在該整
13個混合物中之比例為≧3重量％」之附屬技術特徵。
14又證據7可以證明系爭專利請求項1、13-18任一項15不具進步性，已如前述。
16證據7較佳具體實施例中，已揭示其液晶介質共包含
170%至50%，較佳者為0%至40%，特別宜為10%至40%18，且非常特別宜為5%至25%的成分C，較佳者為式IV19之化合物（見乙證1卷第68頁），因此，證據7已
20揭示前述附屬技術特徴。是以，系爭專利請求項30
21依附於請求項1、13-18之部分，為該發明所屬技術22領域中具有通常知識者，依證據7為簡單變更即可輕
23易完成者，故證據7可以證明系爭專利請求項30不
24具進步性。
25系爭專利請求項31：
26系爭專利請求項31為一種製備如請求項1至30任一27項之液晶介質的方法，並界定「特徵在於將至少一種
28式I化合物與至少一種其他液晶化合物混合，且視情
95
1況添加添加劑」之技術特徵。又證據7可以證明系爭
2專利請求項1、13-18、23、26、30任一項不具進步3性，已如前述。
4證據7已揭示其液晶介質包含之式IV-2C與系爭專利5式I、I-1及I-2重疊，且包含液晶化合物（成分A6及B），並可加入其他添加劑（見乙證1卷第65頁
7），則系爭專利請求項31為該發明所屬技術領域中
8具有通常知識者，依證據7為簡單變更即可輕易完成
9者，故證據7可以證明系爭專利請求項31不具進步
10性。
11系爭專利請求項32-34：
12系爭專利請求項32為一種製備如請求項1至30任一13項之液晶介質的用途，並界定「其係用於電光顯示器
14中」之技術特徵；系爭專利請求項33為一種具有主
15動定址之電光顯示器，並界定「其特徵在於其含有如
16請求項1至30任一項之液晶介質作為介電質」之技
17術特徵；系爭專利請求項34為依附於系爭專利請求
18項33之附屬項，並進一步界定「其特徵在於其為VA19、PS-VA、PALC、FFS或IPS顯示器」之附屬技術特20徵。
又證據7可以證明系爭專利請求項1、13-18、2213、26、30不具進步性，已如前述。
22證據7已揭示其液晶介質作為介電體（質），用於電
23光顯示器（見乙證1卷第84頁背面）及IPS等顯示24器（見乙證1卷第64頁背面）。是以，系爭專利請
25求項32-34為該發明所屬技術領域中具有通常知識者26，依證據7為簡單變更即可輕易完成，故證據7可以
27證明系爭專利請求項32-34不具進步性。
283.綜上，系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者，依96
1證據7所揭示之內容，僅需簡單變更即可輕易完成爭專利2請求項1、13-18、20-23、25、26及30-34之發明，且3未產生無法預期之功效，故證據7可以證明系爭專利請求4項1、13-18、20-23、25、26及30-34不具進步性。
5（十一）證據8可以證明系爭專利請求項1、3-18、23、26、30-634不具進步性：
71.證據8可以證明系爭專利請求項1不具進步性：
8系爭專利請求項1為獨立項，關於系爭專利請求項1與
9證據8之技術內容，均如前述。
10證據8揭示一種包括含氯的液晶分子及可聚合單體之液11晶材料（對應於系爭專利請求項1所界定之液晶介質）12，該液晶介質可達成應答時間短、穩定取向等功效（見13乙證3卷第22頁背面），並可藉由調整該液晶介質之14成分以達成較佳前述液晶介質（乙證3卷第21頁背面15）。
又證據8說明書第28頁末段揭示該液晶介質之成16分包括選自化合物2的化合物[2-1]、[2-2]、[2-3]、17[2-4]、[2-5]，選自化合物3或的化合物[3-1]、[3-218]、[3-3]、[4-1]、[4-2]，以及選自化合物5的化合19物[5-1]、[5-2]（見乙證3卷第16頁背面）。
20
97
1
2
3
4
5
6證據8揭示之該式[4-1]相當於系爭專利之式I或I-17，該式[2-3]相當於系爭專利之式IIB，該式[3-2]、[38-3]分別相當於系爭專利之式I-6、I-4。
基此，證據89已揭示與系爭專利請求項1相同之組成内容，而基於「
98
1相同組成之物，當具有相同性質」之理，故證據8所揭
2示者當然亦具有系爭專利請求項1所界定「基於極性化
3合物之混合物之具有負介電各向異性」之性質。因此，
4系爭專利請求項1為該發明所屬技術領域中具有通常知
5識者，依證據8所揭示之技術內容為簡單變更即可輕易
6完成，故證據8可以證明該請求項1不具進步性。
72.證據8可以證明系爭專利請求項3-18、23、26、30-348不具進步性：
9系爭專利請求項3-11：
10系爭專利請求項3-11為直接或間接依附於請求項111之附屬項，其等進一步該液晶介質之界定組成比例等
12技術特徵。又證據8可以證明系爭專利請求項1不具
13進步性，已如前述。
14系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者，運用
15申請時之通常知識，自可調整液晶介質之組成比例以
16獲致所需性質。
因此，系爭專利請求項3-11之發明17，為所屬技術領域中具有通常知識者依證據8揭示之
18內容經簡單變更即可輕易完成的。是以，證據8可以
19證明系爭專利請求項3-11不具進步性。
20系爭專利請求項12：
21系爭專利請求項12係依附請求項1之附屬項，其權
22利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一步界定
23「其特徴在於該介質包含I-3化合物」之附屬技術特24徵。又證據8可以證明系爭專利請求項1不具進步性
25，已如前述。
26證據8揭示之式[3-2]、[3-3]為式[3]群組中功能或27作用具有共通性之化合物，系爭專利發明所屬技術領
28域中具有通常知識者，自有動機將該式[3-2]、[3-3]99
1置換為其他式[3]化合物（如：式[3]中，G3為碳數2為2之烷基、G4為碳數為3之烷基、A為伸環己基，
3相當於系爭專利式I-3）。
是以，系爭專利請求項124為系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者，依
5證據8為簡單變更即可輕易完成，且未產生無法預期
6之功效，故證據8可以證明系爭專利請求項12不具
7進步性。
8系爭專利請求項13-15：
9系爭專利請求項13係依附請求項1之附屬項，其權
10利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一步界定
11「其特徴在於其另外包含IIA化合物」之附屬技術特12徵；
系爭專利請求項14係依附請求項13之附屬項，13其權利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進一
2A2B
14步界定「其特徴在於R及R各自獨立地表示烯基或
15烷基」之附屬技術特徵；系爭專利請求項15係依附
16請求項13之附屬項，其權利範圍包括請求項13之全17部技術特徵，並進一步界定「其特徴在於其包含至少
18一種式I化合物、至少一種式IIA化合物，其中p
19為1及至少一種式IIA化合物，其中p為2」之附屬20技術特徵。又證據8可以證明系爭專利請求項1不具
21進步性，已如前述。
22證據8具體揭示之液晶分子，其中，式[2-1]及[2-2]2A
23即相當於系爭專利之式IIA中R為烷基、p為2，式2B
24[2-3]即相當於系爭專利式IIB中R為烷基；
證據825揭示之另一具體實施例中，液晶分子包括選自下列化
26合物所組成的群組中的至少一種，在此一群組中，包
27括隸屬於化合物1一類的化合物[1-1]，以及隸屬於28化合物2一類的化合物[2-1]，[2-2]，[2-3]，[2-4100
1]與[2-5]（見乙證3卷第20頁背面），其中，該式[21-1]即相當於系爭專利之式IIA化合物，則系爭專利3發明所屬技術中具有通常知識者，依證據8揭示之較
4佳實施例，自有動機結合前述成分而獲得特定之組成
5成分。
是以，系爭專利請求項13-15為該發明所屬技6術領域中具有通常知識者，依證據8為簡單變更即可
7輕易完成，且未產生無法預期之功效，故證據8可以
8證明系爭專利請求項13、14、15不具進步性。
9系爭專利請求項16、17：
10系爭專利請求項16係依附請求項13之附屬項，其權11利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進一步界
12定「其特徴在於其包含至少一種式I化合物、至少一
13種式IIA化合物及至少一種式IIB化合物」之附屬技14術特徵；
系爭專利請求項17係依附請求項13之附屬15項，其權利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並
16進一步界定「其特徴在於其包含至少一種式I化合物
17及至少一種式IIB化合物」之附屬技術特徵。
又證據188可以證明系爭專利請求項13不具進步性，已如前
19述。
20證據8揭示之液晶分子所包含的式[4-1]即相當於系21爭專利之式I，式[2-1]及[2-2]即相當於系爭專利之22式IIA，式[2-3]相當於系爭專利之式IIB，因此，證23據8已揭示前述附屬技術特徴，故可以證明系爭專利
24請求項16、17不具進步性。
25系爭專利請求項18：
26系爭專利請求項18係依附請求項13之附屬項，其權27利範圍包括請求項13之全部技術特徵，並進一步界
28定「其特徴在於其包含至少一種式I化合物及至少一
101
2
1種式IIA化合物，其中Z為單鍵、-CH2O-或-CH2CH2-2」之附屬技術特徵。又證據8可以證明系爭專利請求
3項13不具進步性，已如前述。
4證據8揭示之液晶分子所包含之式[5-1]及[5-2]即相2
5當於系爭專利之式IIA中Z為-CH2CH2-者，是以，證6據8已揭示前述附屬技術特徴，故可以證明系爭專利
7請求項18不具進步性。
8系爭專利請求項23：
9系爭專利請求項23係依附請求項1-19任一項之附屬10項，並進一步界定「其特徴在於其另外包含一或多種
11式III化合物」之附屬技術特徵。
又證據8可以證明12系爭專利請求項1、3-18任一項不具進步性，已如前13述。
14證據8揭示之液晶分子所包含的式[3-1]即相當於系15爭專利之式III。
故證據8已揭示該附屬技術特徴，16則系爭專利請求項23依附於請求項1、3-18部分，17為該發明所屬技術領域中具有通常知識者，依證據8
18為簡單變更即可輕易完成者，故證據8可以證明系爭
19專利請求項23不具進步性。
20系爭專利請求項26：
21系爭專利請求項26係依附請求項1-19任一項之附屬22項，並進一步界定「其特徴在於該介質包含一或多種
23式O-1至O-18之化合物」之附屬技術特徵。
又證據248可以證明系爭專利請求項1、3-18任一項不具進步25性，已如前述。
26證據8揭示之液晶分子所包含的式[4-1]、[4-2]即相27當於系爭專利之式O-9。
是以，證據8已揭示前述附28屬技術特徴，則系爭專利請求項26依附於請求項1
102
1、3-18部分，為該發明所屬技術領域中具有通常知
2識者，依證據8為簡單變更即可輕易完成者，故證據
38亦可以證明系爭專利請求項26不具進步性。
4系爭專利請求項30：
5系爭專利請求項30係依附請求項1-19任一項之附屬6項，並進一步界定「其特徴在於該式I化合物在該整
7個混合物中之比例為≧3重量％」之附屬技術特徵。
8又證據8可以證明系爭專利請求項1、3-18任一項不9具進步性，已如前述。
10證據8說明書第28頁第4至6行已揭示其液晶介質
11中「選自化合物3或4的化合物大約占液晶分子總重
12量的10%至50%之間」（即，實施例中之式[4-1]化合13物占液晶分子總重量的10%至50%）（見乙證3卷第1416頁背面），因此，證據8已揭示前述附屬技術特
15徴。
是以，系爭專利請求項30依附於請求項1、3-1168之部分，為該發明所屬技術領域中具有通常知識者
17，依證據8為簡單變更即可輕易完成者，故證據8可
18以證明系爭專利請求項30不具進步性。
19系爭專利請求項31：
20系爭專利請求項31為一種製備如請求項1至30任一21項之液晶介質的方法，並界定「特徵在於將至少一種
22式I化合物與至少一種其他液晶化合物混合，且視情
23況添加添加劑」之技術特徵。又證據5可以證明系爭
24專利請求項1、3-18、23、26、30任一項不具進步性25，已如前述。
26證據8揭示其液晶介質包含式[4-1]化合即相當於系27爭專利式I及可聚合單體，而揭示前述附屬技術特徴
28。是以，系爭專利請求項31為該發明所屬技術領域
103
1中具有通常知識者，依證據8為簡單變更即可輕易完
2成者，故證據8可以證明系爭專利請求項31不具進
3步性。
4系爭專利請求項32-34：
5系爭專利請求項32為一種製備如請求項1至30任一
6項之液晶介質的用途，並界定「其係用於電光顯示器
7中」之技術特徵；系爭專利請求項33為一種具有主
8動定址之電光顯示器，並界定「其特徵在於其含有如
9請求項1至30任一項之液晶介質作為介電質」之技
10術特徵；
系爭專利請求項34係依附請求項33之附屬11項，並進一步界定「其特徵在於其為VA、PS-VA、PA12LC、FFS或IPS顯示器」之附屬技術特徵。
又證據613可以證明系爭專利請求項1、3-18、23、26、30任一14項不具進步性，已如前述。
15證據8已揭示其液晶介質可作為介電質，用於顯示器
16（見乙證3卷第22頁背面），而揭示前述附屬技術
17特徴。
是以，系爭專利請求項32-34為該發明所屬技18術領域中具有通常知識者，依證據8為簡單變更即可
19輕易完成者，故證據8可以證明系爭專利請求項32-2034不具進步性。
213.綜上，系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者，依22證據8所揭示之內容，僅需簡單變更即可輕易完成系爭專23利請求項1、3-18、23、26、30-34之發明，且未產生無24法預期之功效，故證據8可以證明系爭專利請求項1、3-2518、23、26、30-34不具進步性。
26（十二）證據2、6之組合，可以證明系爭專利請求項1、3-34不27具進步性：
281.系爭專利請求項1為獨立項，關於系爭專利請求項1與證104
1據2、6之技術內容，均如前述。
22.證據2之液晶組成物，其含有選自如式（1）所示的化合3物的群組中至少一個化合物作為第一成分、選自如式（24）所示的化合物的群組中至少一個化合物作為第二成分、5選自如式（3）所示的化合物的群組中至少一個化合物作6為第三成分，且具有負介電異向性。
7式（1）～（3）如下所示
8
12
9其中，R及R獨立地為碳原子數1至12的烷基、碳原子34
10數1至12的烷氧基或碳原子數2至12的烯基；
R及R11獨立地為碳原子數1至12的烷基、碳原子數1至12的12烷氧基、碳原子數2至12的烯基或任意的氫為氟所取代13的碳原子數2至12的烯基；
環A、環B、環C及環D獨14立地為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或四氫吡喃-2,5-ニ15基；
Z1及Z2獨立地為單键、伸乙基；
n為0或1。
16又（該）液晶組成物，其含有選自如式（1-1）及式（1-172）所示的化合物的群組中至少一個化合物作為第一成分18、選自如式（2-1）及式（2-2）所示的化合物的群組中至19少一個化合物作為第二成分、選自如式（3-1）至式（3-320）所示的化合物的群組中至少一個化合物作為第三成分，21且具有負介電異向性。
105
1
12
2其中，R及R獨立地為碳原子數1至12的烷基、碳原子3數1至12的烷氧基或碳原子數2至12的烯基；
R5及R64獨立地碳原子數1至12的烷基或碳原子數2至12的烯基5。
6（證據2申請專利範圍）第1至8項的其中一項所載的液7晶組成物，其更含有選自如式（4）所示的化合物的群組8中至少一個化合物作為第四成分。
9
34
10其中，R及R獨立地為碳原子數1至12的烷基、碳原子11數1至12的烷氧基、碳原子數2至12的烯基或任意的12氫為氟所取代的碳原子數2至12的烯基；
環E、環F及13環G獨立地為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-3
14伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基或2,5-ニ氟-1,4-伸苯基；
Z106
4
1及Z獨立地為單键、伸乙基或羰醯氧基；m為1或2。
2（如申請專利範圍）第10項所載液晶組成物，該第四成3分為選自如式（4-1）所示的化合物的群組中至少一個化4合物及選自如式（4-2）所示的化合物的群組中至少一個5化合物的混合物。
6
7其實施例3的組成物，相較於比較例1的組成物，具有高8向列相的上限溫度。
9
10
113.證據2揭示一種具有負介電各向異性之液晶組成物，可對12應於系爭專利請求項1所界定之液晶介質，又該液晶介質13可達成應答時間短、使用溫度範圍廣等功效（參證據2說107
1明書段落[0008]～[0009]等，見乙證1卷第328頁、第3229頁背面，中譯文見本院卷1第467頁），並可藉由調3整該液晶介質之成分以達成較佳前述液晶介質。
再參酌證4據2說明書[0015]～[0016]、[0023]～[0025]等段落，5已揭示該組成物含有第一成分、第二成分及第三成分，還6含有選自式（4）所示化合物群組中的至少一種化合物作7為第四成分，具體揭示之第二成分係至少一種選自式（2-81）和（2-2）所表示的化合物，第四成分係至少一種選自9式（4-1）代表的化合物和至少一種選自式（4-2）代表的10化合物的混合物（見乙證1卷第326頁-第328頁背面，11中譯文見本院卷1第467-470頁）。
其中，該式（2-2）12、式（4-1）化合物分別與系爭專利請求項1式IIB及式13I化合物重疊。
此外，證據2實施例3所揭示組成物中，14該3-BB（2F,2F）-O2化合物相當於系爭專利請求項1之15式IIB化合物、該3-HHB-1化合物相當於系爭專利請求16項1之式I化合物。
是以，證據2實施例3與系爭專利請17求項1主要的差異在於：該實施例未具體揭示其液晶介質18中可包含如系爭專利請求項1所界定「至少三種式I-1至19I-6之化合物」之技術特徴。
然此一技術特徵為證據6所20揭示，已如前述（參前述六、（九）、1、及）。
214.證據2、6具有組合動機：
22證據2、6均為液晶組成物技術領域，均為達成低黏度、23高負介電各向異性、短應答時間等目的（參證據2[0009]24，見乙證1卷第328頁，中譯文見本院卷1第467頁；
25證據6第14、15頁，見乙證1卷第155頁、第156頁背26面），是以，該二證據發明所欲解決之問題具有關聯性，27則所屬技術領域中具有通常知識者，為解決達成低黏度、28高負介電各向異性、短應答時間等問題，自具有合理動機108
1結合證據2、6之液晶組成物，並進行如成分組成、含量2範圍等之最佳化試驗等簡單試驗，而可輕易完成系爭專利3請求項1之整體發明。
45.是以，系爭專利請求項1為該發明所屬技術領域中具有通5常知識者，依證據2、6之組合所揭示技術內容即可輕易6完成者，且為產生無法預期之功效，故證據2、6之組合7，可以證明該請求項1不具進步性。
又證據6可以證明請8求項1、3-34不具進步性，業如前述，故證據2、6之組9合，自亦可以證明請求項1、3-34不具進步性。
10（十三）證據3、6之組合，可以證明系爭專利請求項1、3-34不11具進步性：
121.系爭專利請求項1為獨立項，關於系爭專利請求項1與證13據3、6之技術內容，均如前述。
142.證據3揭示一種具有負介電各向異性之液晶組成物（對應15於系爭專利請求項1所界定之液晶介質），該液晶介質可16達成應答時間短、使用溫度範圍廣等功效（參證據3說明17書段落[0012]～[0020]等，見乙證1卷第312頁、第31318頁背面，中譯文見本院卷1第473-475頁），並可藉由19調整該液晶介質之成分以達成較佳前述液晶介質。
又證據203說明書[0013]、[0110]~[0123]等段落揭示該組成物之21成分包含液晶化合物（1）及式（2）～（4）表示之第二22成分，該第二成分較佳為選自式（2-1）至式（4-6）（見23乙證1卷第312頁、第313頁背面、第302-304頁背面24，中譯文見本院卷1第473、475-483頁）。
109
1
2
110
1
111
1
2
112
1
2其中，該式（3-1）化合物涵蓋系爭專利請求項1式I及3式I-3～I-6化合物、式（1-a）化合物涵蓋系爭專利請求4項1式IIB、IIC化合物，式（2-1）化合物涵蓋系爭專利5請求項1式I-1~I-3化合物，式（3-1）化合物涵蓋系爭6專利請求項1式I-3～I-6化合物。
7此外，證據3實施例6揭示之組成物中，該3-HHB-1化合8物相當於系爭專利請求項1之式I及I-1化合物，該V2V92-BB（2F,2F）-O2化合物相當於系爭專利請求項1之式10IIB化合物，該2-BB（2F,2F）B-3化合物相當於系爭專11利請求項1之式IIC化合物。
113
1
23.依上，證據3實施例6與系爭專利請求項1之差異主要在3於：證據3實施例6未揭示系爭專利請求項1所界定之「4至少三種式I-1至I-6之化合物」技術特徴。
惟證據3揭5示式（2）化合物可降低液晶組成物之黏度及電阻率值，6式（3）化合物可有效提高組成物之向列相最高溫度及電7阻率值，則系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者8，為調整該實施例6組成物之黏度或向列相區域時，自有9動機嘗試組合其他式（2）或式（3）化合物（如：式（2-101）或式（3-1））。
因此，系爭專利請求項1為該發明所11屬技術領域中具有通常知識者，依證據3揭示之内容為簡12單變更即可輕易完成者，故證據3可以證明該請求項1不13具進步性。
144.證據3、6具有組合動機：
15證據3、6均為液晶組成物技術領域，均為達成低黏度、16高負介電各向異性、短應答時間等目的（參證據3說明書17[0012]~[0020]等段落，見乙證1卷第312頁、第313頁18背面，中譯文見本院卷1第473-475頁；
證據6第14、1195頁，見乙證1卷第155頁、第156頁背面），是以該二20證據發明所欲解決之問題具有關聯性，所屬技術領域中具114
1有通常知識者自為解決達成低黏度、高負介電各向異性、2短應答時間等問題時，自具有合理動機結合證據3、6之3液晶組成物，並進行如成分組成、含量範圍等之最佳化試4驗等簡單試驗，而可輕易完成系爭專利請求項1之整體發5明。
65.是以，系爭專利請求項1為該發明所屬技術領域中具有通7常知識者，依證據3、6之組合所揭示技術內容即可輕易8完成者，故證據3、6之組合，可以證明該請求項1不具9進步性。
又證據6可以證明請求項1、3-34不具進步性，10業如前述，故證據3、6之組合，自亦可以證明請求項111、3-34不具進步性。
12（十四）證據3可以證明系爭專利請求項22不具進步性：131.系爭專利請求項22為直接依附於請求項1之附屬項，其14權利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一步界定「15其特徴在於其另包含至少一種選自於以下組成之群之化合16物：式CC-n-V之化合物及CC-n-V1之化合物」之附屬技17術特徵。
又證據3可以證明系爭專利請求項1不具進步性18，已如前述。
192.證據3實施例6揭示之組成物中，該3-HHB-1化合物相20當於系爭專利之式I及I-1化合物，該V2V2-BB（2F,2F21）-O2化合物即相當於系爭專利之式IIB化合物，該2-B22B（2F,2F）B-3化合物即相當於系爭專利之式IIC化合物23，該3-HH-V相當於系爭專利之式CC-n-V化合物。
是以24，證據3已揭示前述附屬技術特徴，則系爭專利請求項2252為該發明所屬技術領域中具有通常知識者，依證據3為26簡單變更即可輕易完成者，未產生無法預期之功效，故證27據3可以證明系爭專利請求項22不具進步性。
28（十五）原告關於進步性主張之論駁：
115
11.原告主張：系爭專利之發明核准日為105年5月19日，2依專利法中「專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時3之規定」的相關條文，系爭專利之發明的進步性應以（核4准審定時之）103年版審查基準進行判斷，被告卻採用1056年版之審查基準進行系爭專利之發明是否具進步性之判6斷，由於該二版本關於進步性判斷步驟5中對於關連性等7結合動機之規定有互相衝突、不能貫通使用，因此被告之8處分必然不符合專利法的相關規定；
被告以錯誤審查基準9版本（106年版）進行本件之舉發審查，違法在先；
又恣10意拼湊103年及106年版審査基準關於證據關連性等之規11定，未合理評價系爭專利之進步性云云（見本院卷3第21226-233頁）。
13按專利法第71條第3項前段所稱「發明專利權得提起14舉發之情事，依其核准審定時之規定」，係指發明專利15權有無違反法定舉發事由，應依核准審定時之專利法規16定，是以判斷本件是否有應撤銷專利權之情事，自應依17系爭專利核准審定時（103年3月24日施行）之專利18法為斷，至於被告審查時所參考之相關審查基準之內容19，僅係作為解釋或補充專利法之參考意見，先予敘明。
20又系爭專利核准審定至舉發審定期間，專利法對於「進21步性」之相關規定並無變更，106年7月公告之進步性22審查基準（下稱：106年版審查基準），係針對103年231月公告之相關審查基準（下稱：103年版審查基準）24中之審查細節作進一步完整之闡釋，其內容、要旨等與25103年版審查基準略有修正，並無相違之情形，則被告26依106年版審查基準規定之進步性審查原則步驟進行判27斷，尚難認有何違誤之處。
佐以，專利主管機關經濟部28發布之「專利審查基準」，於專利法中雖無授權訂定之116
1相關規定，但係經濟部就專利有效性審查有關之細節性
2、技術性事項，本於職權而發布，提供相關法令、有權
3解釋之資料或實務上之見解，作為所屬專利審查人員執
4行職務之依據，則專利審查基準本質乃被告內部之行政
5規則，並無拘束本院之效力，遑論不同年度之專利審查
6基準版本，更無裁判基準時之問題，故本院所應審酌者
7，乃原處分之適法性，此與被告究竟係參酌何年度版本
8之專利審查基準進行系爭專利進步性之審查，並不具關
9聯性，是以，原告爭執被告依106年版審查基準規定而10為本件舉發成立審定部分之處分為違法云云，尚屬無據11。
12依據106年版審查基準之相關規定，其係將進步性之判13斷略分為5個步驟，在其步驟2中已明確規定相關先前14技術應與申請專利之發明（系爭專利之發明）具有關連15性等，而後在其步驟5判斷「否定進步性之因素」的結16合動機時則著重於判斷：「在步驟2中所確定之相關先17前技術並於步驟4中被選用作為引證者（即引用的相關18先前技術），其等彼此間是否亦互有關連性而能產生結19合、改良等之動機，以避免（因僅考慮引證與申請專利20之發明的關聯係，卻忽略引證彼此間實際上不具關連性21而產生）不合理的後見之明」，故於步驟5之「否定進22步性之因素」不再考量該等相關先前技術與申請專利之23發明的關連性。
就此而言，由於在步驟2中所確定的相24關先前技術已與系爭專利之發明具備關連性，且於步驟255進行論理所引用之證據（即引證）係由步驟2中所確26定的相關先前技術中（於步驟4）選出，故在步驟5之27「否定進步性之因素」等程序中，自無再論究「引證與28系爭專利之發明」關連性的必要；
再者，於該步驟5之117
1「肯定進步性之因素」中明確指出應考量申請專利之發
2明對照先前技術之有利功效、該有利功效是否為基於該
3等相關先前技術而能預期的，若答案為否，則應認定存
4在「肯定進步性之因素」。
申言之，106年版審查基準5實質上係將103年版關於如何考量前述關聯性的方式作6進一步完整之闡釋，並未限制不得考量相關先前技術與
7系爭專利之發明的關聯性，因此，106年版審查基準之8進步性判斷相關規定，並未有原告所稱與103年版審查9基準之相關規定互為衝突不能貫通使用之情事。從而，
10原告主張被告恣意拼湊103年及106年版審査基準關於11證據關連性等之規定，未合理評價系爭專利之進步性云12云，並無可採。
132.原告主張：證據2-3與5-8等先前技術揭示多種實施態14樣，且該等先前技術間並不存在組合動機，所屬技術領域15中具有通常知識者在先前技術所揭示之繁多拼湊組合中，16並不必然會選用與系爭專利之發明所界定者相同成分的液17晶介質，縱使依據106年版審查基準之相關規定，被告未18考量前述因素而選出實施例中的部分成分與其他液晶化合19物成分恣意組合，未依循「整體審查」原則中應考量系爭20專利之發明所欲解決問題、技術手段、達成功效等之規定21；
再者，將系爭專利之發明與證據2-3與5-8等先前技術22進行比較，其等在所欲解決問題、技術手段與達成功效等23個別層面均不相同，所屬技術領域中具有通常知識者不可24能有動機結合該等先前技術之內容並經簡單變而完成系爭25專利之發明；
被告在執行步驟5之判斷時，係針對相關先26前技術所揭露之內容與系爭專利之發明的差異（液晶）化27合物本身進行是否能輕易完成之論述，而非爭對液晶組成28物之整體是否能輕易完成，因此，違反103年版或106年118
1版審查基準之整體審查的相關規定云云（見本院卷3第2234-340頁）。經查：
3106年版審查基準中關於整體審查之相關規定為「審查4進步性時，應以申請專利之發明的整體（asawhole）5為對象，不得僅針對個別或部分技術特徵，亦不得僅針
6對發明與相關先前技術之間的差異本身，判斷該發明是
7否能被輕易完成」，就其意旨而言係指於判斷發明之進
8步性時，應考量相關先前技術習知者與差異（特徵）組
9合後而形成的如系爭專利之發明的創作整體能否被輕易
10完成（例如是否存在結合動機、是否產生無法預期功效11等），不得僅應差異特徵本身是能輕易完成，而逕認其12與先前技術之結合亦為能輕易完成的（參106年版審查13基準第二篇第三章第2-3-16～27頁），先予敘明。
14依原處分（五）之記載，被告於執行系爭專利之發明是15否具進步性之判斷時，係先確認相關先前技術所揭露之16內容與系爭專利之發明整體的差異特徵（如液晶化合物17成分），再具體論述所屬技術領域中具有通常知識者將18該差異特徵與相關先前技術習知之液晶組成物進行結合19之理由或動機（如關連性、共通性等），且亦一併考量20經結合後而完成者與系爭專利之發明等所達成功效後，21而認定系爭專利之發明整體應不具進步性。
又關於證據225相較於系爭專利請求項1之審查而言，被告係基於該23證據中具體揭示之實施例7確認差異特徵為「該實施例24未具體揭示其液晶介質中可包含如系爭專利請求項1所25界定至少一種選自於式IIB及IIC化合物」，再與由同26證據中具體建議可依實際需求（如提高異向性等）添加27或置換而調整該液晶組成物性質之（等同於差異特徵I28IC化合物的）化合物（4-4）進行結合，並一併考量將119
1該實施例7.1之組成物（所有成分）與該化合物（4-42）結合後所得（新）組成物之整體，應具有如原告所稱
3之功效，佐以，參加人所提之先前技術（如證據2-3與45-8等）亦已實質包含應選用特定化合物以獲致性質較5佳液晶介質（混合物）等教示，且其等所揭示者具有技
6術領域之關聯性、功能或作用之共通性等結合動機，故
7所屬技術領域中具有通常知識者當有動機依實際需求，
8而在先前技術所揭示實施例、較佳實施例中已具體建議
9或使用化合物、較佳化合物之範圍內，進行數量有限之
10簡單試驗（如成分組成之最佳化試驗等）而選用合適的11替換化合物，並經簡單變更而能輕易完成申請專利之發12明，是被告依舉發證據進而認定系爭專利之發明係能輕13易完成，並無違反「整體審查」原則，原告此部分主張14被告未依循「整體審查」原則而逕為處分云云，尚屬無15據。
163.原告主張：依103年版審查基準之相關規定，由於系爭專17利之發明解決了液晶介質中因使用介電中性烯基化合物所18衍生之問題，達成了低溫穩定性（如-30℃及-40℃下之極19佳低溫穩定性）、改良的可靠性（在長時間操作後不具有20圖像殘留），而證據2-3與證據5-8等先前技術均未提及21前述功效，且原告並進一步提出原證1至3佐證該等功效22為無法預期之功效云云（見本院卷3第248-270、341-35237頁）。經查：
24系爭專利說明書雖包含其發明可達成-30℃及-40℃下之25極佳低溫穩定性、改良的可靠性（尤其在長時間操作後26不具有圖像殘留）等功效，然說明書等相關文件中僅部27分實施例有進行低溫穩定性之測試，且並無關於可靠性28之測試方法或實測數據等內容證明確實達成所稱之可靠120
1性改良的功效，則所屬技術領域中具有通常知識者，尚
2難僅由系爭專利說明書所載之內容，而確認系爭專利之
3發明，皆能達成低溫穩定性、改良的可靠性等功效，故
4尚難將該等功效視為系爭專利之發明必然會具備的有利
5功效。又系爭專利說明書並未載明比較先前技術（如證
6據2-3與5-8等），陳明系爭專利發明與先前技術習知7者所達成功效之差異，自難謂系爭專利之發明相較於該
8等先前技術所揭示者確已達成較佳低溫穩定性、改良的
9可靠性等之性質或功效。
10原證3雖補充部分實施例與可靠性比較例之測試數據，11然該等數據係原告於本件之訴訟階段自行提出之實驗數12據，該等實驗係系爭專利申請日後且為原告單方所進之13試驗，且經參加人爭執該等數據之真正，尚難據以佐證14系爭專利之發明確已達成有利功效。
況且，原證3僅補15充部分實施例或比較例的實驗數據，而該等實施例並未16皆同時具有原告所稱低溫穩低性、改良的可靠性等功效17，且未敘明實驗結果之客觀測試方式，再者，就原證318中唯一提及改良的可靠性功效之實施例19群組而言，19其至多僅能證明含有中性烷基化合物之液晶組成物（實20例19）相對於（亦）含有中性烯基化合物之比較例（21實例19A~D等）具有改良的可靠性，然而，由先前技術22如證據5實施例7、證據6實施例8.1…等，習知者亦23為含有中性烷基化合物（且不含中性烯基化合物）之液24晶組成物，故該實施例19之實驗群組，亦無法證明系25爭專利之發明，相較於前述先前技術所揭示者，確已達26成該改良的可靠性之有利功效。
是以，原證3並無從補27充系爭專利說明書與先前技術相較具有低溫穩定性、改28良的可靠性等功效記載不足之處，難謂系爭專利之發明121
1相較於先前技術所揭示者確已具有較佳低溫穩定性、改
2良的可靠性等之有利性質或功效，遑論逕予認定系爭專
3利之發明具有進步性。是以，原告主張原證3可以證明
4系爭專利之發明同時達成了低溫穩定性、改良的可靠性
5云云，即無可取。
6原證1係1990年出版之「LiquidCrystals:Applica7tionsandUses（Vol.1）」工具書，其第163-165頁8揭示不同液晶化合物對於液晶黏度之影響趨勢的相關經
9驗法則，並敘明前述法則會存在例外之情事；原證2為
101997年公開之日本專利JPH0-000000公開號「ジアル11ケニルビフェニル誘導體」發明專利案，其揭示二烷基12聯苯化合物通常具有低黏度及大的折射率各異向性，然13亦有可能會有超出前述預期之性質。
惟原證1或原證214所揭示液晶介質之組成，與系爭專利之發明或本件先前15技術（如證據2-3與5-8等）所揭示液晶介質之成分組16成並不相符，且亦無從說明系爭專利說明書關於增進低17溫穩定性、改良的可靠性等功效記載不足之處，無從據18以論斷系爭專利之發明與該等先前技術相較是否達成有19利功效。
又證據2-3與證據5-8等先前技術所揭示液晶20介質之組成與原證1或原證2所揭示者已有明顯不同，21則所屬技術領域中具有通常知識者，僅能得知「可能不22宜由原證1或原證2之功效推論前述先前技術（或系爭23專利之發明）所達成之功效」，並無法直接推論得出「24系爭專利之發明必然會具備基於前述先前技術所無法預25期之功效」，故原證1或原證2無從佐證系爭專利之發26明相較於舉發證據等先前技術，可達成無法預期之功效27而具有進步性。
284.原告主張：專利審查基準中關於據以實現要件、支持要件122
1之相關規定而言，並未規定說明書或申請人應以比較例證2明其功效，參加人主張必須提供比較例以茲證明，才能理3解發明欲解決之問題及功效，實有違專利實務云云（見本4院卷3第357-360、413頁）。
經查：專利審查基準關於5發明專利進步性判斷時，關於專利之發明是否具有無法預6期之功效的規定中，敘明「無法預期之功效（應）包含產7生新的特性或在數量上的顯著變化。
申請專利之發明對照8先前技術具有無法預期之功效，而其係該發明之技術特徵9所導致時，該無法預期之功效得佐證該發明並非能輕易完10成」。
準此，原告欲據無法預期之功效佐證系爭專利之發11明具有進步性，自應證明系爭專利之發明的技術特徵確實12已達成所稱低溫穩定性等功效，且應證明其發明相較於先13前技術具有特性或在數量上的顯著變化而屬於無法預期的14程度，則原告前開主張專利審查基準中沒有須證明其發明15達成功效係無法預期之相關規定云云，尚有誤會。
165.原告主張：被告在執行進步性之判斷步驟4（由先前技術17選出與系爭專利技術內容最相關者）時，係使用（考量）18系爭專利之發明的技術特徵，刻意挑選、組合成「與系爭19專利技術內容最相關者」，並非依據先前技術之教示進行20選擇與系爭專利技術內容最相關者，然在系爭專利申請之21前系爭專利之發明尚未存在，故被告係刻意挑選所引用「22相關先前技術所揭露之內容」（如實施例等），以便能以23任意拼湊方式否定系爭專利之進步性，為不合理的後見之24明云云（見本院卷3第235-239、420-421）。
經查：25106年版審查基準關於進步性之判斷步驟4為「確認該26發明與相關先前技術所揭露之內容間的差異」，而依其27所載內容可知，106年審查基準並未規定於依據系爭專28利之發明選擇「引用的相關先前技術所揭露之內容」（123
1下稱：引用內容）時，不可考量系爭專利之發明的技術
2特徵。又步驟4係於步驟2中已確定之相關先前技術中
3，選擇所屬技術領域中具有通常知識者可能會引用的內
4容，故被告於選擇相關證據之引用內容時，選用該等證
5據說明書中之實施例、較佳實施例、申請專利範圍等技
6術內容，由於該等證據為專利公開或公告文獻，所屬技
7術領域中具有通常知識者於理解或引用該類文獻時，理
8當會優先著重前述申請專利範圍、實施例等之內容而進
9行選用或改良，故被告上開審查步驟尚難認有違反10610年審查基準相關規定之情事。
11發明專利進步性判斷步驟，其規範意旨係出於與系爭專12利之發明「最相關的引用發明」（即相關先前技術之主13要引證中被用以與系爭專利之發明進行差異比對之發明14）為出發點，仍無法完成系爭專利之發明，方能證系爭15專利之發明係無法輕易完成的，並肯認其應具有進步性16，故有關引用發明（乃至最相關引用發明）選擇之重點17，自應與系爭專利之發明相關者選出最適合用於前述比18較者，蓋如以與系爭專利之發明無關聯性之引用發明為19起點，將會因無法完成不具進步性之論理，而導致與先20前技術相同（或極相似）之發明亦能獲准專利，甚或造21成受專利權保護之發明間因彼此範圍相同（或極相近）22而全部無法實施、最終導致產業技術停滯不前等弊端，23此等均與專利法第一條所述「促進產業發展」之最重要24目的相違，故被告於本件系爭專利進步性判斷過程中，25選擇最相關先前技術之發明，尚無原告所主張以複數引26證之技術內容恣意加以拼湊，而構成後見之明之違誤之27處。
286.原告主張：審查基準中關於無法預期之功效的規定，若涉124
1及發明固有性質時，仍應考量該功效是否為所屬技術領域2中具有通常知識者基於先前技術而能預期的，被告混淆引3用固有性質而認定系爭專利之發明未達成無法預期之功效4云云（見本院卷3第348-351頁）。
經查：原處分理由5（五）已載明系爭專利之發明相較於先前技術應不具有無6法預期之功效的理由，被告並未採用固有性質對系爭專利7之發明所達成的功效進行論斷，合先敘明。
又被告於本件8舉發審定時，業依106年版審查基準關於專利要件之相關9規定，以「整體審查」等原則進行系爭專利之發明的進步10性判斷，並非僅依系爭專利是否達成有利功效而驟下結論11。
是以，原告上開主張被告有「被告混淆引用固有性質，12從而認定系爭專利之發明未達成無法預期之功效」云云，13自屬無稽。
147.原告主張：證據2-3與證據5-8雖提及其液晶介質可個15別視需要選用液晶化合物成分，以達成向列相之上限溫度16高、向列相之下限溫度低、黏度小、適當的光學異向性、17負性介電常數異向性的絕對值大、比電阻大、對紫外線及18熱的穩定性高…等功效，但卻未敘明選用那些液晶化合物19可以達成或同時達成哪些功效，則所屬技術領域中具有通20常知識者即使調整了該液晶組成物之某些成分而完成與系21爭專利之發明相同的組成物，亦無法預測調整成分後之該22液晶組成物的功效云云（見本院卷3第88-102頁）。
惟23查，證據2-3與證據5-8已實質揭示可依需要選用其所列24示之特定液晶化合物成分，以適度調整其液晶組成物的向25列相之上下限溫度、黏度、響應時間…等性質，並可達成26如原告所稱向列相之上限溫度高、向列相之下限溫度低、27黏度小…等功效，故縱使該等證據未具體揭示選用某一成28分之特定結果，然所屬技術領域中具有通常知識者，基於125
1該等證據所揭示之技術內容，當可輕易得知依該等證據具2體建議的化合物進行成分選用或調整，至少可達成上述功3效的其中一者，或是可基於達成上述複數功效中的某些（4或全部）功效為目標（功效），進行液晶組成物之成分組5成的最佳化試驗而選用特定液晶化合物或完成具特定組成6之液晶組成物，且可預期該組成物具有最佳化之前述目標7功效，自無特別具體敘明選用何種液晶化合物達成何種特8定功效之必要。
98.原告主張：縱使依據106年版基準進行審查，由於證據210-3與證據5-8先前技術並未提及系爭專利所欲解決之問11題、手段或功效，所屬技術領域中具有通常知識者無法以12該所欲解決問題做為特定問題而進行簡單設計變更，遑論13基於相同之技術手段而達成與系爭專利之發明相同的功效14，故系爭專利之發明並非基於先前技術的簡單變更，且因15系爭專利之發明達成無法預期之功效，具有進步性云云（16見本院卷3第270-341頁）。經查：
17106年版審查基準中「否定進步性之因素」之「簡單變18更」並未限定其「特定問題」須與系爭專利之發明所欲19解決者完全相同，就其要旨乃在於不同發明人有可能為20解決不同之技術問題，而採相同技術手段，而完成相同21或相似之發明，倘若以「所欲解決之問題」不同即認定22具進步性，將導致授多數技術極為相似（或完全相同）23發明予專利權之弊，亦可能使專利申請人藉由規避先前24技術所載創作目的之撰寫技巧，而導致與先前技術相同25（或極相似）之發明亦能獲准專利，此均非專利保護之26目的，故不得僅因先前技術未揭示與系爭專利之發明完27全相同之所欲解決問題，即認定無法依先前技術所揭示28之內容而完成與系爭專利相同之發明。
126
1證據2-3與證據5-8等先前技術已揭示其等之液晶組成2物可解決黏度高、響應時間過長等問題，已如前述，該
3等問題與系爭專利之發明所欲解決者實質上並無不同，
4且由該等先前技術所揭示技術內容之整體可知藉由調控
5該液晶組成物之成分組成等，能進一步調整（提升）組
6成物之性質，故所屬技術領域中具有通常知識者當會有
7動機以該等問題作為「特定問題」，進行液晶組成物成
8分組成之調整，並經簡單變更而完成與系爭專利請求項
9所界定者相同之發明，因此，系爭專利之發明應具有「
10否定進步性之因素」。
再者，依系爭專利說明書，或原11告於本院所提原證1-3等均無法證明系爭專利之發明，12相較於前述先前技術所揭示者，確已達成有利功效，亦13如前述，是以，綜合考量系爭專利「否定進步性之因素14」與「肯定進步性之因素」等事項後，尚難認定其具有15基於先前技術無法預期之功效，則原告前開主張系爭專16利具有進步性因素云云，亦無可採。
17（十六）原告關於被告審查程序違法主張之論駁：
181.原告主張：被告於本件之舉發階段未適時行使其闡明權19，致使原告未能完整陳述系爭專利具進步性之意見，違20反行政程序法第102條與專利審查基準之規定，原處分21應予撤銷云云（見本院卷3第225-226頁）：
22按102年1月1日修正施行之專利法第74條第2項規23定，專利權人應於舉發申請書、理由書、證據副本送達24後一個月內答辯；
除先行申明理由，准予展期者外，屆25期未答辯者，逕予審查。
復依專利審查基準第五篇第一26章專利權之舉發3.4.3（2）准予更正明定「舉發案所伴27隨之更正經審查擬准予更正者，應將更正內容副本交付28舉發人表示意見，舉發人表示之任何理由或證據均應送127
1交專利權人答辯……。」。經查，本件被告業已依上揭
2規定，於舉發後、舉發人對於擬准予更正表示意見後，
3均已依專利法及其相關規定，踐行請原告（專利權人）
4答辯之程序（參原處分（一）、2事實經過），已充分
5賦予原告表示意見或強調其發明可專利性之機會，尚難
6謂原處分有違反行政程序法第102條相關規定之情事。
7本件舉發事由包含違反審定時專利法第22條第2項（
8即「不具進步性」），此由歷次舉發理由書、舉發補充
9理由書可稽，被告均將前述書狀交付原告答辯，原告歷
10次答辯書狀內容亦均有主張系爭專利具進步性，又被告11曾於107年11月19日函知兩造面詢事項並臚列爭點，12面詢當日兩造所提簡報資料均包含針對「進步性」要件13之攻防，顯見被告已踐行相關行政程序，可使原告充分14明瞭舉發爭點並進行攻防，並無違反行使闡明權之規定15。
16原告主張：被告面詢重點圍繞在系爭專利是否擬制喪失17新穎性，對於系爭專利之進步性爭點隻字未提云云（見18本院卷3第226頁）。
惟查，依107年12月13日面詢19紀錄表，上載之爭點已與最終原處分所判斷之爭點相符20，且被舉發人（即原告）已就系爭專利是否具進步性及21是否擬制喪失新穎性之爭點為主張，此有經被舉發人（22即原告）代理人簽名在卷之面詢內容（見所勾選之面詢23事項）及其提出之投影片在卷可參（見乙證3卷第11824-149頁），原告上開主張，核與卷內事證不符，無可25採信。
262.原告主張：被告於本件之舉發階段被告更違反行政程序法27第43條及第36條之規定，未斟酌全部陳述並詳盡其調查28事實之責，甚至對原告主張系爭專利具有提升低溫穩定性128
1等無法預期功效之有利事項視而不見，原處分應予撤銷云2云（見本院卷3第233-234頁）：
3依原處分理由（五）相關內容之記載，被告於系爭專利
4之發明是否具進步性之判斷時，係先確認相關先前技術
5所揭露之內容與系爭專利之發明整體的差異特徵（如液
6晶化合物成分），再具體論述所屬技術領域中具有通常
7知識者將該差異特徵與相關先前技術習知之液晶組成物
8進行結合之理由或動機（如關連性、共通性等），亦一
9併考量經結合後而完成者與系爭專利之發明等所達成功
10效（即對原告有利之事項）後，並說明系爭專利相較於11先前技術並未產生無法預期的功效，因而認定系爭專利12之發明整體而言應不具進步性，且如前述，被告機關於13舉發階段業依專利法及其相關規定，踐行請原告（專利14權人）答辯之程序，充分賦予原告表示意見或強調其發15明可專利性之機會，難認被告有違反行政程序法第4316條或第36條相關規定之情事。
17再者，「系爭專利具有低溫穩定性之無法預期功效」係18原告主張系爭專利具進步性之理由之一。
因此，原告自19應負有說明及舉證該功效之責，然原告於舉發審查程序20、訴願程序、乃至本件行政訴訟程序中均未提出相關證21據以實其說，質疑被告之審查程序有違法之處，亦違反22一般舉證責任分配之法理。
23綜上，被告於原處分之審查程序，已考量對原告有利與24不利之事項，尚難遽謂被告作成「系爭專利請求項1、253至34舉發成立，應予撤銷」之審定，有何違反行政26程序法第43條、第36條之餘地。
27八、綜上所述，證據5可以證明系爭專利請求項1、3-15、18、2228、25、26、30-34不具進步性；
證據6可以證明系爭專利請求129
1項1、3-34不具進步性；
證據7可以證明系爭專利請求項1、213-18、20-23、25、26、30-34不具進步性；
證據8可以證3明系爭專利請求項1、3-18、23、26、30-34不具進步性；
證4據2與證據6之組合，可以證明系爭專利請求項1、3-34不5具進步性；
證據3與證據6之組合，可以證明系爭專利請求6項1、3-34不具進步性；
證據3可以證明系爭專利請求項227不具進步性。
從而，被告為「請求項1、3至34舉發成立，8應予撤銷」部分之處分，參照首揭法條規定及說明，於法並9無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。
原告主張前詞，請10求撤銷訴願決定及原處分關於請求項1、3-34舉發成立部分11之審定，為無理由，應予駁回。
12九、本件事證已臻明確，兩造及參加人其餘主張或答辯，經本院13審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。
14據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第115條、行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。

16中華民國109年6月17日
17智慧財產法院第三庭
18審判長法官蔡惠如
19法官黃珮茹
20法官張銘晃
21以上正本係照原本作成。
22如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴23狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上24訴後20日內向本院補提上訴理由書；
如於本判決宣示25後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上26訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
27上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政130
1訴訟法第241條之1第1項前段），但符合下列情形者2，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1項但書、
3第2項）。
得不委任律師為訴訟代所需要件
理人之情形
（一）符合右列情形之1.上訴人或其法定代理人具
一者，得不委任備律師資格或為教育部審
律師為訴訟代理定合格之大學或獨立學院
人公法學教授、副教授者。
2.稅務行政事件，上訴人或
其法定代理人具備會計師
資格者。
3.專利行政事件，上訴人或
其法定代理人具備專利師
資格或依法得為專利代理
人者。
（二）非律師具有右列1.上訴人之配偶、三親等內
情形之一，經最之血親、二親等內之姻親
高行政法院認為具備律師資格者。
適當者，亦得為2.稅務行政事件，具備會計
上訴審訴訟代理師資格者。
人3.專利行政事件，具備專利
師資格或依法得為專利代
理人者。
4.上訴人為公法人、中央或
地方機關、公法上之非法
人團體時，其所屬專任人
員辦理法制、法務、訴願
業務或與訴訟事件相關業
務者。
是否符合（一）、（二）之情形，而得為強制律師代理
之例外，上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提
131
出（二）所示關係之釋明文書影本及委任書。
1中華民國109年6月17日
2書記官葉倩如
附表
爭點原處分訴願決定本院判斷
1系爭專利請求項1、3至34未判斷同原處分
對應之說明書內容，未違反審
定時專利法第26條第1項之
規定。
2系爭專利請求項1、3至34未判斷同原處分
未違反審定時專利法第26條
第2項之規定。
3證據4無法證明系爭專利請求未判斷同原處分
項1、3至18、23、25、26
及30擬制喪失新穎性
4（1）證據5可以證明系爭專訴願維持同原處分
利請求項1、3至15、
18、22、25、26及30至
34不具進步性
（2）證據5無法證明請求項未判斷同原處分
16、17、23不具進步性
5證據6可以證明系爭專利請求訴願維持同原處分
項1、3至34不具進步性
6證據7可以證明系爭專利請求訴願維持同原處分
項1、13至18、20至23、
25、26及30至34不具進步
性
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7證據8可以證明系爭專利請求訴願維持同原處分
項1、3至18、23、26及30
至34不具進步性
8證據2與證據6之組合，可訴願維持同原處分
以證明系爭專利請求項1、3
至34不具進步性
9證據3與證據6之組合，可訴願維持同原處分
以證明系爭專利請求項1、3
至34不具進步性
10證據3可以證明系爭專利請求訴願維持同原處分
項22不具進步性
1
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