- 主文
- 一、原告之訴駁回。
- 二、訴訟費用由原告負擔。
- 事實及理由
- 壹、程序方面:
- 貳、實體方面:
- 一、爭訟概要:
- 二、原告主張要旨及聲明:
- (一)系爭專利申請案修正後的請求項1至17並未引入新事項,
- (二)聲明(本院卷第162頁)
- 三、被告答辯要旨及聲明:
- (一)原告主張系爭專利申請案之修正內容未引入新事項,並無
- (二)聲明:駁回原告之訴(本院卷第162頁)。
- 四、本件爭點(本院卷第125頁):
- 五、本院判斷:
- (一)應適用之法令:
- (二)系爭專利申請案技術分析:
- (三)技術爭點分析:
- (四)不採原告主張的理由:
- 六、綜上所述,原告就系爭專利申請案108年6月19日申請專利
- 七、本件判決基礎已經明確,當事人其餘的攻擊防禦方法及訴訟
- 八、結論:本件原告之訴為無理由,應予駁回。依智慧財產案件
- 法官與書記官名單、卷尾、附錄
- 留言內容
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智慧財產法院行政判決
109年度行專訴字第2號
原 告 國立成功大學
代 表 人 蘇慧貞(校長)住同上
原 告 國立成功大學醫學院附設醫院
代 表 人 沈孟儒(院長)住同上
共 同
訴訟代理人 劉哲郎專利師
輔 佐 人 黃偉倫
陳家慧
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 洪淑敏(局長)住同上
訴訟代理人 楊淑珍
上列當事人間因發明專利申請事件,原告不服經濟部中華民國108 年11月19日經訴字第10806314320 號訴願決定,提起行政訴訟,本院判決如下:
主 文
一、原告之訴駁回。
二、訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序方面:原告起訴聲明第2項原為:被告應就第104130772 號「非金屬半導體量子點及以其進行化學反應或光致發光反應的方法」發明專利申請案作成准予專利之審定(本院卷第15頁),其先更正聲明為:被告應就第104130772 號「非金屬半導體量子點及以其進行化學反應或光致發光反應的方法」發明專利申請案准予修正,並作成適法之處分(本院卷第125 頁),嗣又更正聲明為:被告應就第104130772 號「非金屬半導體量子點及以其進行化學反應或光致發光反應的方法」發明專利申請案作成准予專利之處分(本院卷第162 頁),而被告對此並無意見,因原告係使聲明更加明確,非屬訴之變更或追加,故無行政訴訟法第111條第1項規定之適用,合先敘明。
貳、實體方面:
一、爭訟概要:原告前於民國104 年9 月17日以「非金屬半導體量子點及以其進行化學反應或光致發光反應的方法」向被告申請發明專利,並同時主張優先權(受理國家:美國,申請日:西元2014年9 月19日,申請案號:62/052884 ),經被告編為第104130772 號審查。
嗣原告於106 年6 月5 日提出摘要、說明書修正本,並將發明名稱改為「半導體量子點及以其進行化學反應或光致發光反應的方法」(下稱系爭專利申請案),案經被告審查,為不予專利之處分。
原告不服,申請再審查,並多次提出系爭專利申請案之專利範圍修正本。
經被告依原告最後所提之108 年6 月19日修正本審查,認系爭專利申請案有違專利法第43條第2項規定,以108 年7 月8 日(108 )智專三㈤01103 字第10820643510 號專利再審查核駁審定書(下稱原處分)為不予專利之處分。
原告不服,提起訴願,經經濟部於108 年11月19日以經訴字第10806314320 號決定駁回(下稱訴願決定),原告仍未甘服,遂向本院提起行政訴訟。
二、原告主張要旨及聲明:
(一)系爭專利申請案修正後的請求項1 至17並未引入新事項,未超出原說明書及申請專利範圍所載內容,符合專利法第43條第2項規定:⒈系爭專利申請案108 年6 月19日修正本,將請求項1 改寫為方法項,並將氧化石墨烯量子點的粒徑範圍修正為「2.6 奈米至5.4 奈米之間」,此修正係依照系爭專利申請案說明書實施例第【0072】段實施例3-2 中明確記載的氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點的粒徑為10、16、26、54、61、79A,並通過圖式呈現照光產生的量子特性差異,其製備手段也已揭示於說明書第【0070】至【0071】段。
因此在數值限定上,氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點並無訴願決定及被告所稱「修正本超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍」,系爭專利申請案說明書確實揭示了粒徑數值「2.6 奈米至5.4 奈米之間」。
⒉原告雖認同「不同材料會在不同粒徑範圍內呈現量子特性」,然而,不同材料展現量子特性的粒徑範圍是可以部分重疊的。
系爭專利申請案以相同主體材料-氧化石墨烯所獲得的一系列氧化石墨稀量子點,經原告多次實驗,均可在所限定的粒徑範圍(2.6 奈米至5.4 奈米之間)內展現其量子特性,並被使用於請求項1 之方法中,可以支持所請求之範圍,例如系爭專利申請案第lb圖及第7e圖(如附圖)可見,於所限定的尺寸範圍內具有類似摻雜的氧化石墨烯可展示量子特性。
此外,原告並非如訴願決定所云「顯見二種不同組成之氧化石墨烯縱使具有相似之性質或反應性,亦無法直接且無歧異得知二者尺寸相同」,嘗試爭論以相似之性質或反應性即可無歧異得知二者尺寸相同,僅是依前述理由(即這些氧化石墨烯量子點均可在所限定的粒徑範圍內展現量子特性),在說明書支持下進行尺寸範圍之限縮。
⒊訴願決定所稱「由不同尺寸所組成之顆粒,只要其粒徑小於過濾膜之孔徑,均可以相同孔徑之過濾膜過篩,顯見用以篩分之過濾膜孔徑縱使相同,亦不必然獲致相同尺寸之顆粒」,此一結論雖然合乎邏輯,但與本案的實施狀態顯有差異,以此作為駁回原告訴願之結論並不合理。
由系爭專利申請案之多個實施例中已明確記載,系爭專利申請案係以一系列不同孔徑大小的過濾膜,以得到不同尺寸範圍之量子點。
而在系爭專利申請案實施例中,這些不同孔徑大小的過濾膜,確實可以有效篩分各種摻雜或未摻雜的氧化石墨烯量子點,並沒有任何一種摻雜的氧化石墨烯量子點的粒徑完全小於所選用的孔徑尺寸的過濾膜,導致其無法通過此一系列不同孔徑的過濾膜進行篩分。
因此,訴願決定認為「顯見用以篩分之過濾膜孔徑縱使相同,亦不必然獲致相同尺寸之顆粒」並不符合本案狀況。
⒋系爭專利申請案所屬技術領域之通常知識者亦能輕易理解,在量子點製造的過程中所得到的量子點尺寸多介於一範圍之內(如系爭專利申請案所請求之範圍),而非指涉之一絕對尺寸。
例如,可參考被告於108 年2 月15日(108)智專三㈤01103 字第10820128120 號審查意見通知函所提列之引證7 第14337 頁右下方最後一段倒數第五行:「The average size of the observed pure , doped andco-doped-GOQDs is about 2 nm , with rather sharpsize dispersion (s 1/4 1nm)」即為一明確例證。
在系爭專利申請案之說明書中,明確記載了摻雜或未摻雜的氧化石墨烯量子點製備及實驗過程,所使用的粒徑篩分手法亦詳細於各種摻雜及未摻雜的氧化石墨烯實施例中。
⒌由系爭專利申請案說明書第【0053】、【0065】、【0070】段之記載可以看出,均是利用具有不同孔徑且相同材質的過濾膜(聚醚膜)來取得不同尺寸範圍、摻雜或未摻雜的氧化石墨烯量子點。
是以,系爭專利申請案所屬技術領域的通常知識者通過這樣的實驗描述,已經可以充分理解到「可以利用相同材質過濾膜,以所需要的孔徑來獲得不同尺寸範圍的摻雜及未摻雜的氧化石墨烯量子點」。
⒍此外,由於用來篩分尺寸所使用的多種孔徑(即100 KD、30KD、10KD、5 KD、3 KD、2 KD)都是相同的,因此當然可以理解到系爭專利申請案說明書雖然在第【0072】段僅描述了實施例3-2 所獲得的氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點的粒徑為10、16、26、54、61、79A,並通過圖式呈現照光產生的量子特性差異,但其他摻雜或未摻雜的氧化石墨烯量子點都是以相同的方式進行篩分,所取得的粒徑範圍當然都是相同的,例如雖然系爭專利申請案說明書並未特別提及篩分氮硼摻雜氧化石墨烯量子點的過程,但利用同樣方法,於圖式第7e圖中亦呈現包含限定尺寸範圍內,不同大小的氮硼摻雜氧化石墨烯量子點,因此說明書所教導或隱含的發明概念不應因未以文字或圖式呈現而被忽視,或被直觀認為未明確揭示。
⒎綜上,雖然系爭專利申請案說明書明確提及氨-氮氧化石墨烯量子點的粒徑,但其他氧化石墨烯的特定粒徑範圍的取得方式與氨-氮氧化石墨烯量子點相同且無其他實施差異,系爭專利申請案所屬技術領域的通常知識者,當然可以從氨-氮氧化石墨烯量子點的特定尺寸範圍,直接且無歧異的推論到以相同的方法所獲得具有相同的特定尺寸範圍之其他摻雜或未摻雜氧化石墨烯量子點。
事實上,通過相同孔徑的過濾膜與實驗手法篩分,對於通常知識者而言是相當容易實施且易於獲得相同的粒徑範圍。
因此,系爭專利申請案之請求項1 並未引入新事項,同時其附屬請求項2 至17也未引入新事項。
故請求項1 至17之修正並未超出原申請時說明書、申請專利範圍或圖式,符合專利法第43條第2項之規定。
準此,原處分、訴願決定均有違誤,應予撤銷,被告並應就系爭專利申請案作成准予專利之審定。
(二)聲明(本院卷第162 頁)⒈訴願決定、原處分均撤銷。
⒉被告應就系爭專利申請案作成准予專利之處分。
三、被告答辯要旨及聲明:
(一)原告主張系爭專利申請案之修正內容未引入新事項,並無理由:⒈原告主張系爭專利申請案修正請求項1 限定量子點的粒徑介於「2.6 奈米至5.4 奈米」之間,該粒徑範圍已揭示於申請時說明書第【0072】段,故修正內容未引入新事項。
惟查,依系爭專利申請案說明書【0072】段落僅揭示氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點直徑為「10、16、26、54、61、79A」(即1 、1.6 、2.6 、5.4 、6.1 、7.9nm ),該發明所屬技術領域中具有通常知識者,並無法由「氨-氮」摻雜氧化石墨烯粒徑範圍直接且無歧異得知其他氧化石墨烯(「無摻雜」或「摻雜氨-氮以外」之氧化石墨烯)之特定粒徑。
⒉原告主張系爭專利申請案修正後之粒徑範圍可為系爭專利申請時說明書及圖式第1b圖及第7e圖所支持。
然而,判斷修正內容是否引進新事項,係以該發明所屬技術領域中具有通常知識者是否可由申請時說明書、申請專利範圍或圖式直接且無歧異得知該修正內容為斷,以避免申請人藉由修正增加申請時所無之發明,至於修正後內容是否可為說明書所支持,則非所問。
準此,縱使原告修正後之內容仍可達成系爭專利申請案說明書所稱之發明目的及功效,仍不足以證明該修正並未引進新事項。
⒊原告主張由系爭專利申請案說明書第【0053】、【0065】段內容可知,系爭專利申請案對於不同氧化石墨烯量子點材料均以相同濾膜進行篩分,所製備之所有量子點材料粒徑當然相同,是以系爭專利申請案發明所屬技術領域中具有通常知識者,可以從說明書記載之氨-氮氧化石墨烯尺寸直接且無歧異得知其他(摻雜或未摻雜)氧化石墨烯之尺寸,故所為修正並未引入新事項。
然查,由不同尺寸所組成之顆粒,縱使以相同孔經之過濾膜過篩,不必然獲致相同尺寸之顆粒。
例如,顆粒組成分別為「2 至5A 」及「6 至9A 」者,均可通過孔徑為10A之薄膜,顯見用以篩分之薄膜孔徑,並非決定最終產物粒徑之因素。
因此,原告前述主張顯然悖於一般知識,不足為採。
此外,當修正後的事項包括多個含意時,如只取其中一個含意,並非屬直接而無歧異得知,原告修正後的粒徑範圍實際上是不同實施例重組而成,顯見已引入新事項。
⒋綜上,原處分並無違法,原告之主張並無理由。
(二)聲明:駁回原告之訴(本院卷第162 頁)。
四、本件爭點(本院卷第125頁):系爭專利申請案於108 年6 月19日修正時是否有導入新事項而超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍?
五、本院判斷:
(一)應適用之法令:⒈按系爭專利申請案之申請日為104 年9 月17日,再審查核駁審定日為108 年7 月8 日,本件於109 年7 月1 日言詞辯論終結,故系爭專利申請案是否符合專利要件,應以106 年1 月18日修正公布、106 年5 月1 日施行專利法(下稱現行專利法)為斷。
⒉次按「發明專利申請案違反第43條第2項規定者,應為不予專利之審定」、「專利專責機關於審查發明專利時,除本法另有規定外,得依申請或依職權通知申請人限期修正說明書、申請專利範圍或圖式。
修正,除誤譯之訂正外,不得超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍」,現行專利法第46條第1項、第43條第1 、2 項分別定有明文。
是以,申請案於審定前,雖然對於據以取得申請日之申請時說明書、申請專利範圍或圖式得進行修正,但修正之結果,依現行專利法第43條第2項規定,不得增加其所未揭露之事項,亦即不得增加新事項。
又審查時,應以修正後之說明書、申請專利範圍或圖式與申請時之說明書、申請專利範圍或圖式比較。
惟申請人如提出多次修正說明書、申請專利範圍或圖式時,應以最近一次之修正本與申請時說明書、申請專利範圍或圖式比較,判斷其修正是否超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍。
⒊本件被告係依系爭專利申請案108 年6 月19日之修正本暨申請專利範圍(乙證卷第251 至255 頁),作出應不予專利之處分,故系爭專利申請案之申請專利範圍修正本是否超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍,應與申請時(104 年9 月17日)之說明書、申請專利範圍或圖式進行比較,以判斷是否違反專利法第43條第2項規定,合先敘明。
(二)系爭專利申請案技術分析:⒈系爭專利申請案技術內容:系爭專利申請案乃關於一種非金屬半導體量子點,其包含一非金屬基材,且該非金屬半導體量子點的粒徑介於0.3奈米至100 奈米之間。
本發明另提供一種以非金屬半導體量子點進行化學反應或光致發光反應的方法,藉由提供一預設能量至該非金屬半導體量子點,使一目標樣品發生一氧化還原反應或產生一活性物質,或者使該非金屬半導體量子點產生電子電洞對,藉由該電子電洞對的結合而釋放光子,以進行光致發光反應(參系爭專利申請案摘要,乙證1 卷第99頁)。
⒉系爭專利申請案主要圖式:如附圖所示。
⒊系爭專利申請案專利範圍分析:被告係以原告於108 年6 月19日提送申請專利範圍修正本進行再審查審定,並作成請求項1 至17之修正超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍應不予專利的處分。
系爭專利申請案108 年6 月19日修正後之申請專利範圍共17項,其中請求項1 為獨立項,其餘均為附屬項,修正後之內容分別如下:⑴請求項1:一種以半導體量子點進行化學反應的方法,其包含步驟如下:①混合一目標樣品與一半導體量子點,其中該半導體量子點包含一氧化石墨烯量子點,且該氧化石墨烯量子點的粒徑介於2.6 奈米至5.4 奈米之間;
以及②提供一預設能量至該半導體量子點,使該半導體量子點產生電子電洞對,且該電子電洞對使該目標樣品發生一氧化還原反應;
或者使該目標樣品或其周遭分子產生一活性物質,且該活性物質使該目標樣品發生一氧化還原反應。
⑵請求項2:如申請專利範圍第1項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該半導體量子點,另包含一或多種摻雜物。
⑶請求項3:如申請專利範圍第2項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該摻雜物係選自第三族、第四族、第五族、第六族元素以及具有空的d 軌域之過渡金屬元素中的至少一種。
⑷請求項4:如申請專利範圍第3項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該摻雜物為氧、氮、磷、硼、鐵、鈷或鎳。
⑸請求項5:如申請專利範圍第2項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該摻雜物的摻雜比例係大於0 且小於50莫耳% 。
⑹請求項6:如申請專利範圍第1項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該氧化石墨烯量子點之表面含有選自氫原子、第五族原子以及第六族原子中之一種或多種官能基。
⑺請求項7:如申請專利範圍第6項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該第五族官能基為氨基、磷原子或磷酸酯基。
⑻請求項8:如申請專利範圍第6項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該第六族官能基為羥基、羰基、羧基或醯基。
⑼請求項9:如申請專利範圍第1項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中在該步驟(2)中,該預設能量係以包含雷射、汞燈、可見光、紫外光、紅外光、內視鏡光能、X 光、超音波、外加電場、外加磁場、核磁共振或發光二極體方式來提供。
⑽請求項10:如申請專利範圍第1項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中在該步驟(2)中,其中該氧化還原反應包括分解該目標樣品、使該目標樣品聚合、使該目標樣品活化或使該目標樣品去活化的反應。
⑾請求項11:如申請專利範圍第10項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該活性物質為一自由基或一過氧化物。
⑿請求項12:如請專利範圍第11項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該自由基為O2.或OH.;
該過氧化物為H2O2。
⒀請求項13:如申請專利範圍第1項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該目標樣品為生物細胞、細菌、病毒、寄生蟲、細胞分泌物、生物分子、有機化合物或無機化合物。
⒁請求項14:如申請專利範圍第13項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該有機化合物為芳香性化合物、醇、醛、酮、酸、胺、尿素或其聚合物。
⒂請求項15:如申請專利範圍第13項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該無機化合物為水分子、亞硝酸鹽、硝酸鹽或氨。
⒃請求項16:如申請專利範圍第13項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該生物分子為胜肽、核酸、脂質、醣類、維生素、激素或其聚合物。
⒄請求項17:如申請專利範圍第13項所述之以半導體量子點進行化學反應的方法,其中該細胞分泌物為細胞外囊泡或細胞外基質。
(三)技術爭點分析:⒈按「對於說明書、申請專利範圍或圖式修正之審查,係判斷修正後之說明書、申請專利範圍或圖式內容是否符合『不得超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍』。
申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍,係指申請當日已明確記載(明顯呈現)於申請時說明書、申請專利範圍或圖式(不包含優先權證明文件)中之全部事項,或該發明所屬技術領域中具有通常知識者自申請時說明書、申請專利範圍或圖式所記載事項能直接且無歧異得知者,因此並不侷限於逐字逐句解釋申請時說明書、申請專利範圍或圖式所記載之文字意思。
該發明所屬技術領域中具有通常知識者自申請時說明書、申請專利範圍或圖式所記載事項能直接且無歧異得知者,係指該發明所屬技術領域中具有通常知識者自申請時說明書、申請專利範圍或圖式所記載之事項,若能明確得知(或不懷疑)其已經單獨隱含或整體隱含修正後之說明書、申請專利範圍或圖式所記載之固有的特定事項,而沒有隱含其他事項,則該固有的特定事項(例如單一技術特徵、複數技術特徵、功效或實施例等)係能直接且無歧異得知者。
…惟若申請時說明書、申請專利範圍或圖式所記載之事項可能隱含數個意義,即使修正後之事項雖屬於其中一個或某些個意義,但由於該一個或某些個意義並非修正前所明確定義的特定事項,則修正後所限定之事項不得認為係由申請時說明書、申請專利範圍或圖式即能直接且無歧異得知者。
修正後之事項超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露範圍者,包括非申請時說明書、申請專利範圍或圖式明確記載之事項(例如相反的或增加的事項),以及該發明所屬技術領域中具有通常知識者不能自申請時說明書、申請專利範圍或圖式記載之事項直接且無歧異得知者,即可判斷為引進了新事項。」
(智慧局專利審查基準第二篇第六章「2.超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍的判斷」參照)。
⒉依原告108 年6 月19日提出申請專利範圍修正本與其申請時(104 年9 月17日)之說明書、申請專利範圍或圖式比較後可知,該申請專利範圍修正本係將原請求項1 改寫為方法項,刪除請求項6 、10,並新增請求項9 至17,其中修正後之請求項1 並將原請求項中非金屬半導體量子點(包含氧化石墨烯量子點)粒徑範圍的技術特徵,由「介於0.3 奈米至100 奈米之間」,重新界定為「介於2.6 奈米至5.4 奈米之間」。
⒊關於系爭專利申請案請求項1 之上開修正已超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍:⑴查系爭專利申請時說明書【0072】段僅揭示:「不同尺寸氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點」(即氧化石墨烯量子點之下位概念)直徑為『10、16、26、54、61、79A』(即為1 、1.6 、2.6 、5.4 、6.1 、7.9 奈米),在可見光下呈現由淡黃色到紅棕色的顏色差異(如附圖之第1b圖)」,因氧化石墨烯量子點可包含「無摻雜」或「摻雜氨-氮」或「摻雜氨-氮以外元素」之氧化石墨烯,故「氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點」僅屬氧化石墨烯量子點之下位概念,且參酌附圖之第1b圖式所載粒徑分別為「1 、1.6 、2.6 、5.4 、6.1 、7.9 奈米」,與修正後重新界定為「介於2.6 奈米至5.4 奈米之間」,粒徑範圍明顯不同。
因此,原告所為修正已隱含原申請時所無事項,該發明所屬技術領域中具有通常知識者依申請時說明書、申請專利範圍或圖式,並無法直接且無歧異得知其他氧化石墨烯量子點(如「無摻雜」或「摻雜氨-氮以外」之氧化石墨烯)之粒徑,亦限定在前述「介於2.6 奈米至5.4 奈米之間」粒徑範圍之中,尚難逕將該下位概念之記載,上位概念化成為「(任何)氧化石墨烯量子點的粒徑介於2.6 奈米至5.4 奈米之間」的技術特徵。
⑵又依系爭專利申請案發明所屬技術領域之一般知識,不同材料係於不同尺寸粒徑範圍內呈現量子特性,此為原告於系爭專利申請案再審查階段107 年6 月8 日所提申復理由書第6 頁第9 至13段所闡述明確(乙證卷第183頁背面)。
據此益可證,該發明所屬技術領域中具有通常知識者並無法由「氨-氮摻雜氧化石墨烯」粒徑範圍,直接且無歧異得知「其他氧化石墨烯量子點」粒徑範圍,更遑論將「氨-氮摻雜氧化石墨烯」產生量子特性之粒徑範圍,予以上位概念化為(任何)氧化石墨烯材料量子特性之粒徑範圍(即為前述量子點之粒徑範圍)。
是以,系爭專利申請案經原告修正後請求項1 重新界定之氧化石墨烯量子點粒徑範圍,已引進申請時未揭露之新事項,而超出系爭專利申請案之說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍。
職是,原告主張修正後請求項1 之「氧化石墨烯量子點的粒徑介於2.6 奈米至5.4奈米之間」的技術內容,已揭示於申請時說明書及圖式等等,並不可採。
⒋又系爭專利申請案請求項2 至17乃依附於請求項1 ,是亦包含前述原告於修正時所引入之「新事項」(即粒徑範圍介於2.6 奈米至5.4 奈米之間)。
是以,原告對於系爭專利申請案請求項1 至17之修正已超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍,即不符合專利法第43條第2項之規定。
(四)不採原告主張的理由:⒈原告雖主張:系爭專利申請案係以相同主體材料-氧化石墨烯所獲得的一系列氧化石墨烯量子點,經原告多次實驗均可在所限定的粒徑範圍(2.6 奈米至5.4 奈米之間)內展現其量子特性,並被使用於請求項1 之方法中,可以達成說明書所稱之發明目的及功效而支持所請求之範圍,例如系爭專利第lb圖及第7e圖(如附圖)可見,於所限定的尺寸範圍內具有類似摻雜的氧化石墨烯可展示量子特性等等。
惟按,判斷一專利申請案之修正內容是否引進新事項,係以該發明所屬技術領域中具有通常知識者是否可由申請時說明書、申請專利範圍或圖式直接且無歧異得知該修正內容為斷,已如前述,以避免申請人藉由修正增加申請時未揭露之發明;
至於修正後內容是否可為說明書或圖式所支持,則非所問。
準此,縱使系爭專利申請專利範圍修正後之內容,仍可達成系爭專利說明書所稱之發明目的及功效,亦僅能證明修正後之申請專利範圍能為系爭專利說明書所支持,尚難認定該申請專利範圍之修正並未引進新事項或未超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍。
⒉原告另主張在前述實驗中篩分顆粒的目的,是將不同尺寸範圍內的顆粒區分開來,因此可依照所想要的粒徑範圍來主動選擇適合的過濾膜孔徑,在系爭專利申請時說明書之多個實施例中,明確記載摻雜或未摻雜的氧化石墨烯量子點製備及實驗過程,並以一系列不同孔徑大小(100KD 、30KD、10KD、5 KD、3 KD、2 KD)聚醚膜(polyethersulfone membrane )的濃縮離心管在離心力的作用下,將不同大小的氧化石墨烯量子點依照孔徑大小進行分離,獲得不同粒徑大小的氧化石墨烯量子點(參系爭專利說明書第【0053】、【0065】、【0070】等段落,乙證卷第21頁、第22及23頁背面),該發明所屬技術領域的通常知識者通過這樣的實驗描述,已可充分理解到「可以利用相同材質過濾膜,以所需要的孔徑來獲得不同尺寸範圍的摻雜及未摻雜的氧化石墨烯量子點」,故系爭案申請專利範圍修正本所為之修正,係該發明所屬技術領域中具有通常知識者能直接且無歧異得知等等。
然查:⑴前述系爭專利申請案說明書所載「100KD 、30KD、10KD、5KD 、3 KD、2 KD」之KD,應是Kilo Dalton 的縮寫,係指1000分子量截留值(即MWCO,參本院卷第201 頁之原告簡報),而非原告所稱之過濾膜孔徑或氧化石墨烯量子點粒徑,故不同組成之氧化石墨烯量子點(摻雜或未摻雜)若經聚醚膜截留而具有相同或相近之KD值,理當會因所含成分(元素原子量)之不同而使其分子中所含元素數量有所差異,並導致其分子大小即粒徑不盡相同。
因此,該發明所屬技術領域中具有通常知識者當知,無法僅因氧化石墨烯之主體材料相同,而認定系爭專利申請案組成不同之所有氧化石墨烯量子點皆會具有相同的粒徑尺寸或範圍。
⑵況且,縱使該等KD值可實質對應特定過濾膜孔徑,由於系爭專利申請案說明書並未明確揭示該KD值與過濾膜孔徑之對應關係,且該對應關係亦非相關技術領域之通常知識,故該發明所屬技術領域中具有通常知識者尚難由前述KD值或不明確之過濾膜孔徑範圍而明確得知系爭專利說明書所載任何「氧化石墨烯量子點」的粒徑皆會介於2.6 奈米至5.4 奈米之間,更難謂能基於前述內容而直接且無歧異得知系爭專利申請專利範圍修正本所為氧化石墨烯量子點的粒徑係「介於2.6 奈米至5.4 奈米之間」之修正內容,故該申請專利範圍之修正仍屬引進新事項或已超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍。
⒊原告又主張在系爭專利申請案說明書之多個實施例中所使用一系列不同100KD 、30KD、10KD、5 KD、3 KD、2 KD值之聚醚膜濃縮離心管,將不同大小的氧化石墨烯量子點依照孔徑大小進行分離,熟悉該項技術者依系爭專利說明書及附圖之第1b圖與第7e圖內容可知該等KD值與特定尺寸孔徑之對應關係,並可由此獲得修正後請求項1 所界定之量子點粒徑範圍,即如原告所提簡報第6 頁所示之組合(本院卷第177 頁);
及以系爭專利申請案第1b圖與第7e圖所示之不同成分氧化石墨烯量子點為例,其可包含如粒徑1.0~7.9 奈米與5.0~8.0 奈米(參原告簡報第20頁之藍色及紅色線段,本院卷第205 頁)等不同量子點材料,熟習該項技術者自可得知氧化石墨烯量子點可具有如系爭專利請求項1 所界定粒徑範圍之量子點材料,故原告就系爭案申請專利範圍所為之修正係所屬技術領域中具有通常知識者能直接且無歧異得知等等。
然查:⑴如前所述,依該發明所屬相關技術領域之通常知識,KD值應係指經過濾處理後被截留粒子之分子量截留值(MWCO),此觀原告109 年7 月1 日言詞辯論當庭所提簡報第18頁亦呈現類似之內容(本院卷第201 頁),故該KD值應非如原告所稱之過濾膜孔徑,亦難謂能與特定尺寸孔徑產生對應關係;
又於原告主張系爭專利說明書段落【0039】、【0052】至【0053】、【0056】至【0065】、【0067】至【0070】、【0072】、附圖之第1b圖與第7e圖等記載中,僅段落【0039】、【0072】與第1b圖有關於氧化石墨烯量子點與氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點等二種材料粒徑範圍之記載,並非如原告所稱前述說明書之相關內容已記載如簡報第6 頁所述之多種組合粒徑範圍(例如A1+C1+C2等,本院卷第177 頁) 。
再者,由於氧化石墨烯量子點與氨-氮摻雜氧化石墨烯量子點,二者之粒徑範圍並不相同,亦可佐證無法由摻雜某一成分之氧化石墨烯量子點的粒徑範圍推知摻雜其他成分或未經摻雜之氧化石墨烯量子點的粒徑範圍,遑論基於系爭專利申請案實施例所示特定材料成分氧化石墨烯量子點之粒徑範圍,而能直接且無歧異得知如系爭專利修正後請求項1 所界定之任意成分氧化石墨烯量子點的特定粒徑範圍。
⑵又由於原告所提簡報第20頁所示二種不同量子點材料會呈現1.0~7.9 奈米(藍色線段) 、5.0~8.0 奈米(紅色線段)之不同粒徑範圍,熟悉該項技術者更當會認知到,尚難以由摻雜某一成分之氧化石墨烯量子點的粒徑範圍推知摻雜其他成分或未經摻雜之氧化石墨烯量子點的粒徑範圍,遑論能直接且無歧異得知如系爭專利申請案修正後請求項1 所界定之任意成分氧化石墨烯量子點的特定粒徑範圍,故原告以簡報第20頁內容之主張,難以證明系爭專利申請案修正後請求項1 所界定之任意成分氧化石墨烯量子點特定粒徑範圍,係基於其申請時說明書、申請專利範圍或圖式所記載內容而能直接且無歧異得知。
⑶基此,原告前揭主張並不足以佐證系爭專利申請案之申請專利範圍修正內容未引進新事項,且如前述,該修正已超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍,故原告前揭主張為無理由,並無足採。
六、綜上所述,原告就系爭專利申請案108 年6 月19日申請專利範圍所為之修正,並不符合現行專利法第43條第2項之規定,被告依同法第46條第1項規定不予專利之處分,尚無不合,訴願決定予以維持,亦無違誤。
從而,原告仍執前詞,訴請撤銷原處分及訴願決定,並命被告作成准予專利之處分,為無理由,應予駁回。
七、本件判決基礎已經明確,當事人其餘的攻擊防禦方法及訴訟資料經本院斟酌後,核與判決結果不生影響,並無一一論述的必要,一併說明。
八、結論:本件原告之訴為無理由,應予駁回。依智慧財產案件審理法第1條,行政訴訟法第98條第1項前段,判決如主文。
中 華 民 國 109 年 8 月 5 日
智慧財產法院第三庭
審判長法 官 蔡惠如
法 官 伍偉華
法 官 吳俊龍
以上正本係照原本作成。
如不服本判決,應於送達後20日內,向本院提出上訴狀並表明上訴理由,其未表明上訴理由者,應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書;
如於本判決宣示後送達前提起上訴者,應於判決送達後20日內補提上訴理由書(均須按他造人數附繕本)。
上訴時應委任律師為訴訟代理人,並提出委任書(行政訴訟法第241條之1第1項前段),但符合下列情形者,得例外不委任律師為訴訟代理人(同條第1項但書、第2項)。
┌─────────┬────────────────┐
│得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 │
│代理人之情形 │ │
├─────────┼────────────────┤
│㈠符合右列情形之一│1.上訴人或其法定代理人具備律師資│
│ 者,得不委任律師│ 格或為教育部審定合格之大學或獨│
│ 為訴訟代理人 │ 立學院公法學教授、副教授者。 │
│ │2.稅務行政事件,上訴人或其法定代│
│ │ 理人具備會計師資格者。 │
│ │3.專利行政事件,上訴人或其法定代│
│ │ 理人具備專利師資格或依法得為專│
│ │ 利代理人者。 │
├─────────┼────────────────┤
│㈡非律師具有右列情│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、│
│ 形之一,經最高行│ 二親等內之姻親具備律師資格者。│
│ 政法院認為適當者│2.稅務行政事件,具備會計師資格者│
│ ,亦得為上訴審 │ 。 │
│ 訴訟代理人 │3.專利行政事件,具備專利師資格或│
│ │ 依法得為專利代理人者。 │
│ │4.上訴人為公法人、中央或地方機關│
│ │ 、公法上之非法人團體時,其所屬│
│ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業│
│ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │
├─────────┴────────────────┤
│是否符合㈠、㈡之情形,而得為強制律師代理之例外,上訴│
│人應於提起上訴或委任時釋明之,並提出㈡所示關係之釋明│
│文書影本及委任書。 │
└──────────────────────────┘
中 華 民 國 109 年 8 月 5 日
書記官 謝金宏
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