智慧財產及商業法院行政-IPCA,110,行專訴,24,20220112,3

110年度行專訴字第24號

 民國110年12月22日辯論終結

原告南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司

代表人李福姬

訴訟代理人洪武雄

複代理人陳孚竹

被告經濟部智慧財產局

代表人洪淑敏

訴訟代理人吳韶淳

上列當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國110年3月24日經訴字第11006300610號訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如下：

原告之訴駁回。　　

訴訟費用由原告負擔。

原告於民國106 年8 月23日以「單體、聚合物及光致抗蝕劑

組合物」向被告申請發明專利，並以105 年8 月31日申請之美國第15/253,845號專利案主張優先權，經被告編為第106128653號（下稱系爭申請案）進行審查，於109 年9 月29日以（109）智專三（五）01182 字第10920936420 號專利再審查核駁審定書為不予專利之處分（下稱原處分）。原告不服，提起訴願，經經濟部復於110 年3 月24日經訴字第11006300610 號決定（下稱訴願決定）駁回，原告遂提起本件行政訴訟。

二、原告主張：　　

㈠系爭申請案請求項1至14所載之單體結構包括3鹼反應性基團，與引證1所揭示之單體24至29之2鹼反應性基團，兩者鹼反應性部分體之數目不同，於酯基團後所連接之集團結構亦不相同，是兩者結構並不相似，又該發明所屬技術領域中具有通常知識者無法輕易自引證1所公開之技術內容輕易得到系爭申請案所請之聚合物結構，依專利審查基準第二篇第十三章第5.3.1節內容，系爭申請案已符合進步性要件。

㈡系爭申請案所界定具3鹼反應性部分體之式(IIB)（即化合物，如後所述），須先選定具有3羥基(-OH)之特定前驅物，再進行對應之酯化反應方能獲得，非單純重複鍵結即可完成。而引證1未建議或教示單體24至29自何處可鍵結3個、4個或5個鹼反應性部分體，僅稱可採用具3鹼反應性部分體之化合物，且引證1說明書亦未明確揭露化合物之合成流程或反應程序，熟習該項技術者無法推知第3個鹼反應性部分體應鍵結於單體24之二級碳位置上，是無法依引證1之技術內容而實現具3鹼反應性部分體之化合物，遑論能輕易完成如系爭申請案所界定具3鹼反應性部分體之式(IIB)，然原處分卻稱系爭專利案之發明所屬技術領域具有通常知識者可修飾或置換所含鹼反應性基團而得上開推論之結構，有理由不備，違反行政程序法第96條第1項第2款之情事。

㈢引證1之發明係關於方法之範疇，與系爭申請案請求項1所請聚合物之發明顯有不同，熟習該項技術者不會依引證1所揭示單體進行結構變更而完成如系爭申請案請求項所請聚合物之發明，原處分理由應為後見之明。

㈣依系爭申請案說明書、實施例、表1等記載可知，系爭申請案請求項所界定具3鹼反應性部分體之式(IIB)達成「較小分子量仍能表現出較大的後退水接觸角」之無法預期功效，依專利發明審查基準關於選擇發明之相關規定，若其選擇部分相對於先前技術能達成無法預期功效，應認定該發明非能輕易完成，故系爭申請案應具有進步性。

㈤依系爭申請案說明書第【0083】段落、表1等記載，可知具3鹼反應性部分體之聚合物7會於顯影前呈現較大之78.5º水後退接觸角，顯與引證1所欲達成者為聚合物顯影後呈現至少小於40º之水後退接觸角相反，故引證1已構成對系爭申請案之反向教示。

㈥並聲明：

⒈訴願決定及原處分均撤銷。

⒉命被告就系爭申請案作成准予專利審定之處分。

三、被告抗辯：

　㈠按專利審查基準第二篇第十三章乃規範審查有關醫藥相關發明時必須獨特判斷及處理之有關事項，查系爭申請案之發明係關於光致抗蝕劑組合物及光刻方法，顯非前述審查基準規範之對象，原告援引前述基準章節論究系爭申請案之進步性，實無可採。又縱以系爭申請案所請之化合物結構，與引證1已知化合物結構間是否具類似性作為判斷進步性之基礎，依專利審查基準第二篇第十三章第5.3.2節，判斷兩種化合物結構是否類似主要係考量分子結構本身是否具有相同之基本核心部分，則本件系爭申請案請求項1和14所揭示之化合物結構，與引證1所揭示之單體結構相較，具有相同鹼反應性基團，應認二者結構間存在類似性。

　㈡依引證1說明書內容觀之，其具體記載多種鹼反應性部分體典型地為2或3鹼反應性部分體，此型式例示之較佳單體包括單體24至29結構（均為2鹼反應性部分體），由上可知，引證1將2鹼反應性部分體與3鹼反應性部分體均列為典型可採用的多種鹼反應性部分體，系爭申請案之發明所屬技術領域中具有通常知識者即有合理動機依引證1所例示之2鹼反應性部分體結構，製備相應之3鹼反應性部分體，亦即於鍵結有兩個鹼反應性基團的碳原子上，再鍵結一個相同的鹼反應性基團。又引證1雖未記載具體的合成流程或方法，然系爭申請案之發明所屬技術領域中具有通常知識者，依基本有機化學合成之通常知識，即可理解如何製備上述3鹼反應性部分體，且由於該等鹼反應性基團係具有相當碳數之鏈狀結構，在與其他原子鍵結時，當不致產生立體障礙而有無法鍵結於相同碳原子上之虞。此外，針對「在同一碳原子上鍵結有3個鹼反應性基團」之結構，系爭申請案說明書僅於第8頁記載式(F)，並未特別敘明如何合成該等結構（實施例之合成單體4及合成單體5的三個鹼反應性基團均非鍵結於同一碳原子上），足證原告亦肯認系爭申請案所屬技術領域中具有通常知識者參酌申請時之通常知識即可據以製造具有在同一碳原子上鍵結有三個鹼反應性基團之結構的單體。

　㈢另引證1所揭露之技術內容均可作為審查系爭申請案進步性之依據，是引證1所揭示「包括鹼反應性基團之材料」雖非其申請發明之標的，仍屬系爭申請案之發明所屬技術領域中具有通常知識者於閱讀引證1後所能理解的內容。因此，引證1既已記載單體可為2或3鹼反應性部分體，則系爭申請案之發明所屬技術領域中具有通常知識者可將2鹼反應性單體簡單變更為3鹼反應性單體，確為基於引證1所揭露之技術內容之客觀判斷，非為原告所指後見之明。

㈣並聲明：原告之訴駁回。

四、得心證之理由： 

㈠系爭申請案之申請日為106年8月23日，再審查核駁審定日為109年9月29日，本件於110年12月22日言詞辯論終結，故系爭申請案是否符合專利要件，應以108年5月1日修正公布、108年11月1日施行專利法（下稱現行專利法）為斷。按發明雖無專利法第22條第1項各款所列情事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，仍不得取得發明專利，現行專利法第22條第2項定有明文。而判斷進步性應以申請專利之發明整體為對象，若該發明所屬技術領域中具通常知識者依據先前技術，並參酌申請時之通常知識，認定會促使其組合、修飾、置換或轉用先前技術而完成申請專利之發明者，即應認定該發明為能輕易完成，不具進步性。審查進步性時，應以引證文件中所揭露之技術內容為準，包含形式上明確記載的內容及形式上雖然未記載但實質上隱含的內容。所稱實質上隱含的內容，指該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌申請時之通常知識，能直接且無歧異得知的內容。

　㈡系爭申請案與引證1之技術分析：

　⒈系爭申請案技術內容：

　　系爭申請案發明係提供一種新型聚合物及包括此類聚合物之光致抗蝕劑，在一個較佳實施例中，提供聚合物，其包括以下式(I)之結構：

　在另一實施例中，提供聚合物，其包括以下式(IIA)之結

　　構：

　　其中在式(IIA)中：

　　X及X'為相同或不同之連接子；R為氫或非氫取代基；A及B各自獨立地為氫或氟；且R'及R"各自獨立地為氫或非氫取代基，其中當R為氫時，R'及R"中之至少一個為除鹵素或經鹵素取代之基團以外的非氫取代基。

　　在另一實施例中，提供聚合物，其包括以下式(IIB)之結構：

　　其中在式(IIB)中：

　　X、X'及X"各自為相同或不同之連接子；A'、B'及C'各自獨立地為氫或氟；且R'、R"及R'''各自獨立地為氫或非氫取代基。發明之尤其較佳聚合物可包括聚合丙烯酸酯單元。在相關實施例中，較佳聚合物包含包括藉由一或多個以下式(III)之單體之聚合獲得之單元之聚合物：

其中在式(III)中：

Y為氫或視情況經取代之烷基；X及X'為相同或不同之連接

子；R為氫或非氫取代基；A'、B'及C'各自獨立地為氫或

氟；且R'及R"各自獨立地為氫或非氫取代基，其中當R為氫

時，R'及R"中之至少一個為除鹵素或經鹵素取代之基團以外

的非氫取代基。在式(III)中，Y宜為氫或包含視情況經取代

之甲基之視情況經取代之C1-3烷基。

⒉引證1之技術內容：

　⑴引證1為101年8月16日公開之第TZ000000000A號「包括鹼反應性成份之組成物及光微影製程」發明專利案，其公開日早於系爭申請案優先權日即105年8月31日，可為系爭申請案之先前技術。

　⑵引證1係關於一種光阻組成物，該光阻組成物包括一種或多種具有鹼反應性基團之材料且特別適用於乾式微影製程。特別佳之本發明光阻可在顯影光阻塗層後展現降低的缺陷。該光阻組成物包括包含一種或多種鹼反應性基團之材料及使用於乾式曝光應用，即，在曝光設備與光阻上表面間介入空氣或其他非液體介質。更特定言之，較佳之光阻可包括：⑴一種或多種樹脂，⑵可適當地包括一種或多種光酸產生劑(PAG)化合物之光活性成分，及⑶一種或多種包括一種或多種鹼反應性基團之材料，該鹼反應性基團在曝光及曝光後之微影製程步驟之後具反應性。其中該單體並可為具有多種鹼反應性部分體之鹼反應性基團，且典型地可為2或3鹼反應性部分體（即對應前述式(II)中n等於2或3者），其中2鹼反應性部分體可為如單體24、25所示者：

　㈢引證1足以證明系爭專利案請求項1不具進步性：　

　⒈系爭專利案申請範圍請求項1為：一種聚合物（下稱「技術特徵1A」），其包括以下式(IIB)之結構（以下稱「技術特徵1B）：

  其中在式(IIB)中：

 X、X'及X"各自為相同或不同之選自單鍵和-CH-之連接子

（下稱「技術特徵1B-1」)；A、B及C各自獨立地為氫或氟

（下稱「技術特徵1B-2」)；R'、R"及R'''各自獨立地為氫

或非氫取代基（下稱「技術特徵1B-3」)。

⒉經比對引證1與系爭申請案請求項1：  

　⑴依引證1之發明摘要、說明書所載內容（見原處分卷第138頁、第139頁背面至第141頁），已揭示一種用於半導體製程之光阻組成物，其可包括一或多種鹼反應性基團之材料，該材料可由包含鹼反應性基團之單體聚合而得，可對應即揭露系爭申請案請求項1之技術特徵1A。復依引證1說明書關於多羥基所載（見原處分卷第137頁背面），可知該單體可為式(II)所示者，其包含n個與R鍵結之-O-C(=O)-Rf結構，n為等於或大於2之整數，Rf為至少α碳被氟化之氟化烷基或全氟烷基，如具有1至8個氟原子之C1-20烷基；及說明書關於多種鹼反應部分體（見原處分卷第136頁背面），亦知該單體可為具有多種鹼反應性部分體之鹼反應性基團，且典型地可為2或3鹼反應性部分體（即可對應n等於2或3者），並具體例示單體24、25等多個具有2鹼反應性部分體（即可對應於n等於2、且Rf為α碳被氟化之氟化烷基者）之鹼反應性基團，而其中單體24可對應於系爭申請案請求項1所界定式(IIB)中，X、X'或X''為-CH-，A、B或C為氟，且R、R'或R''為非氫取代基，故引證1已揭露系爭申請案請求項1之技術特徵1B-1、1B-2、1B-3。

　⑶又引證1與系爭申請案請求項1差異處僅在於：當引證1之單體24多具備1個相同結構之鹼反應性部分體（即前述之n為3）而形成如下式(甲)之單體（3鹼反應性部分體）時，即可對應於系爭申請案請求項1之式(IIB)所界定者（即技術特徵1B）。

⑷經查，引證1已揭示該單體之鹼性反應基團典型地可具有2或3鹼反應性部分體，如前所述，又依引證1說明書所載「對本發明光阻組成物而言，包括一種或多種鹼反應性基團之較佳材料為樹脂，而該樹脂包括包含鹼反應性基團之一種或多種重複單位。此類樹脂可含有範圍廣泛之鹼反應基團，如，樹脂重複單位總數之約1至90或100百分比可包含鹼反應性基團，更典型地樹脂重複單位總數之約1至約20、30、40、50或60百分比可包含鹼反應性基團。本發明光阻成分之較佳鹼反應性基團以鹼（諸如鹼性水溶液顯影劑）處理時可提供使光阻塗層更為親水性之一種或多種羥基、一種或多種羧酸基、一種或多種磺酸基，及/或一種或多種其他極性基」、「本發明特別佳之光阻可呈現降低與自光阻組成物形成光阻浮凸圖像有關之缺陷」（見原處分卷第138頁、第139頁背面、第140頁）等語，熟習該項技術者當會理解可藉由調整前述光阻組成物之成分組成（如樹脂成分、重複單位等），以適度提升其效能（如可降低光阻浮凸圖像有關的缺陷等）。再者，系爭申請案說明書並未以具體實施例或比較例對照、證明前述差異確已使其發明達成無法預期之功效，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據引證1所揭露之前述技術內容調整其光阻組合物之成分組成（如該單體之鹼反應性部分體個數等），並經數量有限如最佳化試驗等之簡單試驗而完成如系爭申請案請求項1之發明，且可合理預期其功效。基此，引證1與系爭申請案請求項1之前述差異特徵，乃該發明所屬技術領域中具有通常知識者依引證1之教示與建議，並透過基礎化學反應之簡單試驗所能輕易完成，是引證1足以證明系爭申請案請求項1不具進步性。

⒊引證1足以證明系爭申請案請求項2至14不具進步性：

　⑴系爭申請案109年4月13日修正後之申請專利範圍共14項，其中請求項1、10、12與14為獨立項，其中請求項2至9均為依附於請求項1之附屬項、請求項11為依附於請求項10之附屬項、請求項13為依附於請求項12之附屬項，茲就各項請求項分述如下：

　①請求項2：如申請專利範圍第1項之聚合物，其中所述聚合物具有以下式(IIA)之結構：

其中在式(IIA)中：

　　X及X'為相同或不同之選自單鍵和-CH2-之連接子；A及B各自獨立地為氫或氟；且R'及R"各自獨立地為除鹵素或經鹵素取代之基團以外的非氫取代基，排除R'及R"為非氫取代基，以及A及B獨立地為氟。

　②請求項3：

　　如申請專利範圍第1項之聚合物，其中R'及R"各自獨立地為氫、氟、鹵化烷基、非鹵化烷基或雜烷基。

③請求項4：

　　如申請專利範圍第1項之聚合物，其中X與X'不同。

④請求項5：

　　如申請專利範圍第1項之聚合物，其中X與X'相同。

⑤請求項6：

如申請專利範圍第1項之聚合物，其中X及X'中之至少一個

為-CH2-。

⑥請求項7：

如申請專利範圍第1項之聚合物，其中所述聚合物包括丙烯

酸酯單元。

⑦請求項8：

如申請專利範圍第1項之聚合物，其中所述聚合物包括藉由

一或多個以下式(III)之單體之聚合獲得之單元：

其中在式(III)中：

　　Y為氫或視情況經取代之烷基；X及X'為相同或不同之選自單鍵和-CH2-之連接子；R為氫或非氫取代基；A及B各自獨立地為氫或氟；且R'及R"各自獨立地為氫或非氫取代基，其中當R為氫時，R'及R"中之至少一個為除鹵素或經鹵素取代之基團以外的非氫取代基，排除當R為氫時，R'及R"為非氫取代基，以及A及B獨立地為氟。

⑧請求項9：

如申請專利範圍第1項之聚合物，其中A及B中之至少一個為

氟。

⑨請求項10：

一種光致抗蝕劑組合物，其包括光敏性組分及如申請專利範

圍第1項之聚合物。

⑩請求項11：

如申請專利範圍第10項之光致抗蝕劑組合物，其進一步包括

第二種不同的聚合物。

⑪請求項12：

一種處理光致抗蝕劑組合物之方法，其包括：

在基板上塗覆如申請專利範圍第10項之光致抗蝕劑組合物之

層；使所述光致抗蝕劑組合物層暴露於活化輻射；及使所述

經曝光之光致抗蝕劑組合物顯影，從而得到光致抗蝕劑浮雕

圖像。

⑫請求項13：

如申請專利範圍第12項之方法，其中所述光致抗蝕劑組合物

層經浸沒式曝光。

⑬請求項14：

　　一種單體，其包括以下式(IIB)之結構：

其中在式(IIB)中：

　　X、X'及X"各自為相同或不同之選自單鍵和-CH2-之連接子；A、B及C各自獨立地為氫或氟；R'、R"及R'''各自獨立地為氫或非氫取代基。

　⒉經比對引證1與系爭申請案請求項2至14：

　⑴系爭申請案請求項2係請求項1所述之全部技術特徵，並進一步界定「請求項1所述聚合物具有式(IIA)之結構（詳如前述）」之技術特徵，而引證1足以證明系爭案請求項1不具進歩性，已如前述，復依引證1説明書内容 (見原處分卷第136頁背面），可知其所述單體可為如單體25所示者，而經比對引證1所示之單體25與系爭專利請求項2 所揭示之式(IIA)結構後，兩者技術特徵差異處僅在於單體25之CF2-CH3（即前述之Rf）結構變更為僅α碳（即前述CF2之C）被單個F原子部分氟化之乙烷基時，即可對應於請求項2所述式(IIA)之技術特徵。又依引證1説明書所載「Rf為至少α碳（接在羰基磷上的碳）被氟化之氟化烷基或全氟烷基)」之內容（見原處分卷第137頁背面），可知前述單體25所示之CF2-CH3 (即Rf)可為至少α碳被氟化之氟化烷基，則該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據引證1所揭露之技術内容調整前述α碳被氟化之氟化烷基類別（如α碳之氟原子數等），進而輕易完成系爭申請案請求項2之發明，故引證1足以證明系爭申請案請求項2不具進步性。

　⑵系爭申請案請求項3、5、6、7、9含請求項1所述全部技術特徵，並分別進一步界定「其中R'及R"各自獨立地為氫、氟、鹵化烷基、非鹵化烷基或雜烷基」、「其中X與X'相同」、「其中X及X'中之至少一個為-CH2-」、「其中所述聚合物包括丙烯酸酯單元」、「A及B中之至少一個為氟」之技術特徵，而引證1足以證明系爭案請求項1不具進歩性，如前所述，且該發明所屬技術領域中具有通常知識者因引證1之內容亦會調整單體24之鹼反應性部分個數，而輕易完成如前述式(甲)之單體，業經本院認定如前，又經比對後，前述式(甲)之結構符合系爭案請求項3、5、6、7、9所界定（R'及R"為鹵化烷基、X及X'為-CH2-、具有丙烯酸酯單元、A及B為氟等）之技術特徵，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自依引證1所揭露之前述技術内容得輕易完成如系爭申請案請求項3、5、6、7、9之發明，故引證1足以證明系爭申請案請求項3、5、6、7、9不具進步性。

　⑶系爭申請案請求項4係請求項1所述之全部技術特徵，並進一步界定「其中X與X'不同」之技術特徵，而引證1足以證明系爭案請求項1不具進步性，如前所述，又依引證1說明書所載

　　（見原處分卷第136頁），單體21之鹼反應性基團可分別有單鍵及-CH-作為鍵結，其中單鍵及-CH-分別揭露系爭申請案請求項4所界定之X、X'，又因單鍵與-CH-並不相同，故已揭露上開請求項4進一步界定之技術特徵。再者，因引證1亦揭示可藉由調整光阻組成物成分、組成等以提升拋光效能等情，復經本院認定如前，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據引證1所揭露之前述技術內容輕易完成如系爭申請案請求項4之發明，故引證1足以證明系爭申請案請求項4不具進步性。

　⑷系爭申請案請求項8係請求項1所述之全部技術特徵，並進一步界定「請求項1所述聚合物包括藉由一或多個以下式(III)之單體之聚合獲得之單元等（詳如前述）」之技術特徵，而引證1足以證明系爭申請案請求項1不具進步性，如前所述，

　　又依引證1所揭示技術內容，可知該單體之鹼性反應基團典型地可具有2或3鹼反應性部分體，並具體例示單體24、25，且該發明所屬技術領域中具有通常知識者因引證1之內容亦會調整單體24之鹼反應性部分個數而輕易完成如前述式(甲)之單體，業經本院認定如前，又經比對後，前述單體24、式(甲)之單體結構符合請求項8之式(III)所界定（Y為甲烷基，X及X'為-CH2-，A及B為氟，R為非氫取代基，且R'或R''為非氫取代基）之技術特徵，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據引證1所揭露之前述技術內容輕易完成如系爭申請案請求項8之發明，故引證1足以證明系爭申請案請求項8不具進步性。

　⑸系爭申請案請求項10所請光致抗蝕劑組合物之主要技術特徵為「其包括光敏性組分及如申請專利範圍第1項之聚合物」，又引證1已證明系爭申請案請求項1所請之聚合物不具進步性，如前所述，且依引證1之摘要、發明所屬技術領域及說明書等內容（見原處分卷第140頁至第141頁背面、第135頁背面），可知引證1明確表示該發明用以製作光阻組成物，且可包含樹脂及光活性成分，實已揭露系爭申請案請求項10所稱之光敏性組分，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據引證1所揭露之前述技術內容輕易完成如系爭申請案請求項10之發明，故引證1足以證明系爭申請案請求項10不具進步性。

　⑹系爭申請案請求項11係請求項10所述之全部技術特徵，並進一步界定「包括第二種不同的聚合物」之技術特徵，又引證1已證明系爭案請求項10不具進步性，如前所述，復依引證1說明書所載（見原處分卷第136頁背面至第137頁背面、第138頁、第139頁背面、第140頁、第141頁背面），已揭示其光阻組成物可包括由包含鹼反應性基團之單體聚合而得一或多種鹼反應性基團之材料，並具體例示該單體可為單體24、25等多個具有2鹼反應性部分體，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據引證1所揭露之技術內容而調整該光阻組合物中單體24、25等形成之聚合物，並經簡單試驗而獲得具多種聚合物之光致抗蝕劑組合物，此已揭露系爭申請案請求項11之技術特徵，故引證1足以證明系爭申請案請求項11不具進步性。

　⑺系爭申請案請求項12所請為處理光致抗蝕劑組合物之方法，主要技術特徵為「在基板上塗覆如申請專利範圍第10項之光致抗蝕劑組合物之層；使所述光致抗蝕劑組合物層暴露於活化輻射；及使所述經曝光之光致抗蝕劑組合物顯影，從而得到光致抗蝕劑浮雕圖像」，又引證1已證明系爭案請求項10所請之光致抗蝕劑組合物不具進步性，業如前述，復依引證1說明書所載（見原處分卷第133頁背面），亦揭示處理光阻方法可包含將光阻組成物以旋塗製程施加於基板、將光阻層曝光、復經顯影而得到圖像等步驟之技術內容，可對應於請求項12前述主要技術特徵，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據引證1所揭露之前述技術內容輕易完成如系爭申請案請求項12之發明，故引證1足以證明系爭申請案請求項11不具進步性。

　⑻系爭申請案請求項13係請求項12所述之全部技術特徵，並進一步界定「其中所述光致抗蝕劑組合物層經浸沒式曝光」之技術特徵，又引證1已證明系爭案請求項12不具進步性，如前所述，復依引證1說明書關於先前技術所載（見原處分卷第141頁背面），已揭示習用曝光方法除乾式曝光外，尚包含浸潤式曝光，即可對應於請求項13前述進一步界定之技術特徵，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據引證1所揭露之前述技術內容輕易完成如系爭申請案請求項13之發明，故引證1足以證明系爭申請案請求項13不具進步性。

　⑼系爭申請案請求項14所請者為單體，主要技術特徵為「包括由式(IIB)所示之結構（詳如前述，內容同為請求項1之式(IIB)所示之結構）」，又引證1足以證明系爭申請案請求項1所界定具式(IIB)結構之聚合物不具進步性，業如前述，而基於已知結構聚合物獲致具相對應結構之單體亦係相關技術領域之通常知識，而該發明所屬技術領域中具有通常知識者

　　依引證1所揭示技術內容確有動機調整單體24而輕易完成具有式(IIB)結構之單體，亦如前述，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據引證1所揭露之前述技術內容輕易完成如系爭申請案請求項14之發明，故引證1足以證明系爭申請案請求項14不具進步性。

　㈣原告主張不足採之理由：

⒈原告雖稱：引證1 所揭示之單體24至29，與系爭專利案請求

項1、14所述之式(IIB)，兩者結構不同，依專利審查基準第二篇第十三章第5.3.1節規定，系爭申請案之發明應具有進步性云云。然按發明專利審查基準第二篇第十三章乃規範審查醫藥相關發明時必須獨特判斷及處理之有關事項，係指涉及醫藥用途之單一化合物、醫藥組成物、診斷或檢驗試劑、化妝品等醫藥領域之相關發明，而依前述，系爭申請案之發明係關於光致抗蝕劑組合物及光刻方法，應屬於一般化學、材料、化工等之技術領域，並未涉及醫藥相關發明，故非發明專利審查基準第二篇第十三章所規範對象，原告逕引該基準篇章內容為系爭申請案進步性之判斷標準，實非可採。

⒉原告復稱：系爭申請案說明書第【009】段落所載「在某些較佳式(IIB)之聚合物中R、R'及R''各自獨立地為氫、非鹵化烷基或雜烷基」等語，可知系爭申請案之式(IIB)所界定者於其酯基團後連接的不可含有鹵素族元素，並非如引證1所揭示單體24等，兩者結構並不類似，應認定系爭申請案之發明具有進步性云云。按「申請專利之發明的範圍，係指請求項之文字所界定的範圍，該範圍以請求項為準……不得將說明書或圖式有揭露但請求項未記載之內容引入請求項……」，發明專利審查基準第二篇第三章所明定，查系爭申請案說明書第【009】段落雖有上開限定條件之記載，然究其本意應僅限定於某些較佳實施例，而非泛指任何由該式(IIB)所界定者；且前開條件並未具體地記載於系爭申請案申請專利範圍之請求項中，依前揭說明，自不得將系爭申請案說明書或圖式有揭露但請求項未記載之內容引入請求項，本院即無從依此認定原告所述系爭申請案之式(IIB)所界定者於其酯基團後連接的不可含有鹵素族元素等情屬實，是原告此部分主張，尚屬無據。

⒊原告又稱：引證1未建議或教示單體24至29的何處可鍵結3個、4個或5個鹼反應性部分體，亦未提及3鹼反應性部分體等之合成流程或方法，熟習該項技術者無從推知第3個鹼反應性部分體鍵結於單體24之二級碳位置上或完成具多個鹼反應性部分體之單體，遑論輕易完成系爭申請案所界定之技術內容云云。惟依引證1說明書內容，已揭示其組成物之單體可為具有多種鹼反應性部分體之鹼反應性基團，且典型地可為2或3鹼反應性部分體，並具體例示單體24、25等多個具有2鹼反應性部分體之鹼反應性基團，業如前述，而觀諸引證1所揭示之單體中可供鹼反應性部分體鍵結又不會影響其特性之碳位置數目至多僅為十數個，且單體24、25具有2個鹼反應性部分體均係鍵結於同一個二級碳之位置上，該發明所屬技術領域中具有通常知識者為適度提升前述效能等原因，自會藉由調整光阻組成物之成分組成（即調整單體24、25鹼反應性部分體個數），且基於一般化學反應之基本理解，當會優先考量將所增加之部分體鍵結於如單體24、25所示之二級碳位置上，並經數量有限之試驗而完成如系爭申請案所界定之發明。再者，依引證1說明書及實施例所載（見原處分卷第135頁至第136頁），既已具體敘明如何製造、使用其所揭示具2個鹼反應性部分體之單體的相關技術內容（包含合成流程等），該發明所屬技術領域中具有通常知識者依引證1所揭示之內容，佐以基本有機化學合成之通常知識，即可類推理解如何製備、使用並實現3 鹼反應性部分體，另參考發明專利審查基準第二篇第一章明定「實施方式或實施例的記載內容應依申請專利之發明的性質而定……技術手段簡單之發明或於技術手段中之記載已符合可據以實現要件者，均無須再敘明其實施方式……」等語，足見引證1所揭露之技術內容，透過有機化學合成之簡單技術手段即可完成3 鹼反應性部分體，實不須於引證1記載3 鹼反應性部分體合成流程等實施方式，且因該等鹼反應性基團係具有相當碳數之鏈狀結構，在與其他原子鍵結時，應不致產生立體障礙而有無法鍵結於相同碳原子上之虞，難謂有原告所稱無法依引證1所揭示之技術內容實現3 鹼反應性部分體之情事。況依系爭申請案說明書記載如前述請求項式(IIB)所示之3個鹼反應性部分體均鍵結於同一碳原子上的結構鹼反應性部分體時（即式（F），見原處分卷第98頁背面），亦未特別敘明如何合成具該結構之3 鹼反應性部分體的合成流程或方法，益徵該發明所屬技術領域中具有通常知識者依照其對於基本有機化學合成之通常知識，即可據以製造並實現具有「在同一碳原子上鍵結有三個鹼反應性基團」之結構的單體。基此，原告所稱上情，仍非可採。

　⒋原告再稱：引證1之發明係關於方法之範疇，與系爭申請案請求項1所請聚合物之發明，兩者顯有不同，熟習該項技術者不會據引證1揭示之單體進行結構變更而完成如系爭申請案該請求項之聚合物發明，原處分理由為後見之明，故系爭申請案所請應具有進步性云云。然依前述，引證1說明書已揭示與系爭申請案前述請求項所界定之聚合物發明類似結構之單體，且包含可調整該單體之鹼反應性部分體數目之相關技術內容，又引證1所述之單體實為用於聚合之物，是引證1已實質揭露與系爭申請案請求項1所界定之技術內容，自不因引證1請求項1所載「一種加工光阻組成物之方法」等語而有所不同。況查，一發明是否具有進步性之判斷，端視所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術相關內容能否輕易完成該發明，應與系爭申請案特定請求項所界定之發明、先前技術請求項所請者間範疇是否相同（物或方法)，並無必然之關聯性，申言之，若先前技術中存在足認系爭申請案之發明能被輕易完成之相關技術內容，即使引證1請求項之範疇與系爭申請案請求項所界定者不相同，亦無礙於該發明不具進步性之論理，是本院自難僅因系爭申請案與引證1之發明屬不同範疇而逕認系爭申請案之發明具有進步性。從而，原告上開主張，尚非可取。

　⒌原告另稱：依系爭申請案說明書第【0047】段落、實施例、表1等記載，可知系爭申請案請求項所界定具3鹼反應性部分體之式(IIB)化合物達成了「較小分子量仍能表現出較大的後退水接觸角」之無法預期功效，依發明審查基準第二篇第三章第3.5節關於選擇發明之相關規定，若其選擇部分相對於先前技術均能達成無法預期功效，應認定該發明非能輕易完成，故系爭申請案應具有進步性云云。但查：

⑴觀諸系爭申請案說明書第【0047】段落所述者（見原處分卷第91頁），僅為敘述聚合物之重量平均分子量較小時，通常較不容易引起圖案劣化等語，然並無參酌任何實施例之內容，自無從作為原告所稱該發明已達到無法預期功效之情形，先予敘明。

⑵按發明審查基準第二篇第一章關於發明專利對照先前技術之功效所載「……係實施發明內容中之技術手段所直接產生的技術效果，亦即構成技術手段之技術特徵所直接產生的技術效果，其為認定申請專利之發明是否具進步性的重要依據」，是原告如欲主張系爭申請案之發明對照先前技術已揭示者所達成之功效更為有利或無法預期，必須是構成請求項之所有技術特徵必然能直接產生的。查原告所稱上情，所憑者乃係依系爭申請案說明書實施例所載2鹼反應性部分體之聚合物2至3，與3鹼反應性部分體之聚合物7相較之結果（見原處分卷第84頁背面，表1），然依系爭申請案說明書第【0073】、【0075】、【0081】段落所載（見原處分卷第84頁至第85頁），聚合物7係以單體5替代單體1重複實例7之程序而完成，而觀諸單體5之結構及實例7之合成反應，聚合物7之結構應相似於聚合物2，即聚合物7雖屬3鹼反應性部分體，然3鹼反應性部分體並未鍵結於同一碳上，而僅由其中2鹼反應性部分體鍵結於同一碳上，是原告所引用表1之內容，該實施例所採用之3鹼反應性部分體即聚合物7，因該聚合物結構中3鹼反應性部分體未鍵結於同一碳上，與系爭申請案請求項1、14所載之式(IIB)所界定之技術特徵實不相符，自無從證明原告所稱前述功效係構成系爭申請案請求項之所有技術特徵所必然能直接產生。

⑶又縱認原告所述前開功效為系爭申請案之發明能達成，惟按審查基準關於發明專利進步性判斷時考量系爭案之發明是否具有無法預期之功效的規定，所謂「無法預期之功效」，係指申請專利之發明與相關先前技術相較，產生無法預期之功效，包括產生功效的顯著提升（量的變化），或產生新的功效（質的變化），且其對於該熟習該項技術者而言，係該發明申請時無法預期者。易言之，即使申請專利之發明產生功效的顯著提升，或產生新的功效，惟該功效對於該熟習該項技術者而言，係發明申請時能夠預期者，仍非屬「無法預期之功效」。查本件發明關於調整光阻劑（聚合物）之鹼反應性部分體數量（如2變為3等）會導致其表面張力（如前述接觸角）等性質之變化，係相關技術領域之通常知識者所得知悉，是系爭申請案之發明難謂達到質變之功效，且為熟習該項技術者所無法預期；再者，原告並無提出該發明所屬技術領域中具有通常知識者對於上開功效數量、等級之一般期望值等數據資料，亦無相關數據資料對照上開表1之內容而佐其說，則原告僅憑系爭申請案所述之實施例、表1等數據資料而認系爭申請案之發明已達成該發明所屬技術領域中具有通常知識者所無法預期之顯著提升功效，實嫌速斷。

⑷因此，系爭申請案前述實施例、表1所載功效尚難認定為其請求項所界定發明能達成，且無證據證明系爭申請案之發明與相關先前技術相較，已經產生無法預期之功效，是原告上開主張，洵屬無憑。

　⒍原告末主張：引證1所欲達成者為聚合物顯影後呈現至少小於40°之水後退接觸角，與此相對，依系爭申請案說明書第【0083】段落、表1等記載，可知具3鹼反應性部分體之聚合物7會於顯影前呈現較大之78.5°水後退接觸角，顯與引證1所欲達成者相反，故引證1已構成對系爭申請案之發明的反向教示云云。經查，依引證1說明書所載關於「吾等在此提供新光阻組成物及製程。該光阻組成物包括包含一種或多種鹼反應性基團之材料及使用於乾式曝光應用，即，在曝光設備與光阻上表面間介入空氣或其他非液體介質」、「本發明特別佳之光阻可呈現降低與自光阻組成物形成光阻浮凸圖像有關之缺陷…在這點上，本發明特別佳之光阻於顯影後呈現(光阻塗層)約少於40°之水後退接觸角，更佳地少於30°，再更佳地少於25°或20°。如本文所稱，水接觸角，包括靜態接觸角、後退角及前進角，如Burnett etal.,J. Vac. Sci. Techn. B,23(6),pages 0000-0000(Nov/Dec 2005)中之定義並可以其所揭示之步驟測定」、「較佳之鹼性反應材料……（顯影後）……更佳小於25°之後退角」等內容（見原處分卷第141頁背面、第140頁至第140頁背面、第139頁背面），可知引證1所欲達成之目的包含達成較小之顯影後水後退接觸角為其較佳者之技術內容；復依引證1說明書所敘明「在本發明之某些方面，顯影前（包括曝光後）本發明光阻組成物塗層可能呈現超過30°之水後退接觸角，諸如40°或較大，50°或較大，或甚至60°或較大」等語（見原處分卷第139頁背面），亦揭示聚合物可包含顯影前呈現較大水後退接觸角者之情形，顯無原告所稱引證1與系爭申請案之發明所欲達成目的相反。是原告仍執此稱引證1為系爭申請案之反向教示云云，實非可採。

　㈤綜前，系爭申請案請求項1至14實為發明所屬技術領域中具

　通常知識者依據引證1所揭示之內容及該領域之通常知識，

　透過基本化合反應之試驗所能輕易完成，是引證1可證明系

　爭申請案請求項1至14不具進步性。

五、綜上所述，引證1足以證明系爭申請案請求項1至14不具進步性，被告就系爭申請案違反現行專利法第22條第2項規定而為不予專利之處分，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合。從而，原告仍執前詞，訴請撤銷原處分及訴願決定，及命被告作成准予專利之處分，為無理由，應予駁回。

六、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法及訴訟資料經本院斟酌後，核與判決結果不生影響，爰不予一一論述，併予說明。

七、據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理

法第1條，行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。

中　　華　　民　　國　　111 　年　　1　 　月　　12　　日

智慧財產第三庭

審判長法官　蔡惠如

法官　何若薇

法官　潘曉玫

以上正本係照原本作成。

如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第241條之1第1項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1項但書、第2項）。

中　　華　　民　　國　　111 　年　　1 　　月　　12　　日

書記官李建毅