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智慧財產法院行政判決
99年度行專訴字第56號
99年9月16日辯論終結
原 告 廣鎵光電股份有限公司
代 表 人 甲○○
訴訟代理人 陳邦禮專利師
被 告 經濟部智慧財產局
代 表 人 乙○○（局長）住同上
訴訟代理人 丁○○
參 加 人 丙○○
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國99年2 月25日經訴字第09906052330 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院裁定命參加人獨立參加本件之訴訟，本院判決如下：
主 文
訴願決定及原處分均撤銷。
訴訟費用由被告負擔。
事實及理由
一、事實概要：原告前於民國90年1 月5 日以「一種高亮度藍光發光晶粒的結構」向被告原處分機關經濟部智慧財產局申請發明專利，經被告編為第90100257號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第146335號專利證書。
嗣參加人丙○○以其違反核准時專利法第20條第2項之規定，對之提起舉發，案經被告審查，於96年3 月27日以（96）智專三（二）04066 字第09620174440 專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。
原告不服，訴經經濟部96年8 月30日訴字第09606073750 號訴願決定駁回其訴願後，遞向臺北高等行政法院提起行政訴訟。
案經該院以97年5 月22日96年度訴字第03643 號判決核認原處分有理由不備等瑕疵，而撤銷前揭處分及經濟部訴願決定。
被告乃重行審查，並以98年6 月24日（96）智專三（二）04066 字第09820377950 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。
原告不服，提起訴願，經經濟部99年2 月24日經訴字第09906052330 號訴願決定駁回，原告仍不服，遂向本院提起行政訴訟。
本院認本件判決之結果，將影響參加人之權利或法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件訴訟。
二、原告之主張：㈠系爭專利係被告於90年11月6 日審定核准，其是否有應不予專利之情事，自應以核准審定時所適用之90年10月24日修正公布之專利法及被告83年11月25日公告之專利審查基準為斷。
又原告於起訴狀與準備程序中所提之各申請專利範圍具有特殊增進功效，縱未載於系爭專利說明書中，亦應視為「輔助性證明資料」而加以審酌，被告於準備程序中多次主張因未見於系爭專利說明書而不予審酌，實有違前揭專利審查基準第二篇第三章第2-3-23頁之相關規定，合先敘明。
㈡系爭專利申請專利範圍第3、4項：1.證據5第3圖所揭露之粗糙表面(21)會將接近垂直之入射光(B)散射至晶粒之側邊，誠如原處分第7 頁第14至17行所述，導致由晶粒頂面射出之光度降低，因此，若於基板(33) 中加設布拉格反射鏡(DBR，31) ，即可將接近垂直之入射光反射至晶粒頂面，增加晶粒之亮度。
另證據1 所欲解決的問題是「增加亮度」，證據5 中粗糙表面卻會導致「降低亮度」之結果，熟習該項技術者，如遭遇系爭專利所欲解決之問題（即如何增加發光二極體之射出光度）時，應無法輕易組合證據1 與證據5 之技術內容以解決該問題，揆諸前揭專利審查基準相關規定，則此等證據之組合，應視為非能輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第3項應具有進步性。
2.證據5 僅揭露有粗糙表面，並未揭露其粗糙度。
系爭專利申請專利範圍第4項「粗糙度約為5 至20um」，可維持晶粒之明亮度，可使晶粒發光的照射角度更寬廣，益加有利於鏡面鍍層之鍍著，此等無法預期之功效，縱未載於系爭專利說明書中，亦應視為「輔助性證明資料」而加以審酌。
揆諸前揭專利審查基準第2-3-24頁所載內容，系爭專利申請專利範圍第3 、4 項應具有進步性。
㈢系爭專利申請專利範圍第5、6項應具有進步性：1.證據2 之技術係應用於紅光與綠光之間的發光二極體（如說明書第5 頁發明目的所載），使用會吸光之GaAs作基板(52)，故需於基板(52)上設置布拉格反射層(80)，以減少源自活性層(542) 之光線被基板(52)所吸收，且二電極(50 ，60)係縱向排列；
相對地，證據1 之技術係應用於藍光發光二極體，使用可透光之藍寶石作為基板(1) ，基板(1) 本身並不會吸收光線，且二電極(8，9)係橫向排列，兩者分屬不同之技術領域，熟習該項技術者，無法輕易組合證據1 與證據2之技術內容，以解決系爭專利所遭遇「如何增加發光二極體之射出光度」之問題。
揆諸前揭專利審查基準相關規定，則此等證據之組合，應視為非能輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第5項應具有進步性。
2.證據2 中僅揭露DBR 層通常以AlGaInP 或AlGaAs形成，並未揭露其材質為(AlxGa1 至x)1 至y InyN/(AlaGa1至a)1 至bInbN ，證據2 係利用該DBR 層來反射紅光至綠光而非藍光，且證據2 中該DBR 層雖共有20層以上，卻未揭露每一DBR層具有「成對之磊晶層」結構，亦未揭露每一磊晶層之厚度。
再者，原告多年研發始確認採用(AlxGa1 至x)1 至y InyN/(AlaG a1 至a)1 至bInbN 此一特殊材質，配合成對之磊晶層結構，以及恰為藍光波長的四分之一的層厚，始能將半導體堆疊層所發出的藍光最大程度地予以反射，此一技術特徵對於熟習該項技術者以證據1 、2 為基礎，無法由邏輯分析、推理或試驗而得，且非各證據所可及。
另被告於本件準備程序中答稱各項證據並未揭露系爭專利中反光磊晶層具有n對的磊晶層之結構時，但系爭專利說明書並未載明該結構之進步性何在，故無需加以審酌云云。
惟系爭專利說明書第9頁末段已載明該結構之特殊功效，被告復已自承各項證據並未揭露該結構。
因此，系爭專利申請專利範圍第5 、6 項應非能輕易完成而具有進步性。
㈣系爭專利申請專利範圍第8項應具有進步性：證據3 第一(C) 圖所揭露之內容有違物理法則而屬應予排除之證據，蓋第一(C) 圖可分為左圖與右圖，左圖為氧化前之狀態，右圖則為氧化後之狀態，左圖中於P 至GaN 層上方有一Ni層與一Au層，因Au不會氧化，且Au層在第一(C) 圖左圖與右圖中均呈現連續之層狀，以此觀之，Au層上方竟然會無中生有形成一NiO 層，殊不符一般物理法則。
依專利審查基準第九章第三節第五點規定，證據3 所揭露之技術特徵顯與一般事理有違，屬應予排除之證據。
且各項證據均無法證明系爭專利申請專利範圍第8項不具進步性。
㈤系爭專利申請專利範圍第9項：1.證據4 所揭露之抗反射層僅有一層，材質為Si3N4 ，且該抗反射層並無所謂「異質層」之結構，此等特徵均與系爭專利第9項之專利範圍不同。
再者，根據原告多年研發始確認採用SiO2/TiO2(或AlN/ AlGaN) 之特殊材質組合，配合成對之異質層結構，以及恰為藍光波長的二分之一的層厚，始能供半導體堆疊層所發出的藍光最大程度地予以穿透，此一技術特徵對於熟習該項技術者而言，即使以證據1、2、4 為基礎，仍然無法由邏輯分析、推理或試驗而得，屬「突出的技術特徵」，且此一特殊功效非各項證據所可及，系爭專利已具備「顯然的進步」。
因此，依據前揭專利審查基準，系爭專利申請專利範圍第9項所界定之範圍應非能輕易完成而具有進步性。
系爭專利申請專利範圍第10項係具有進步性之第8項之附屬項，自應具有進步性。
2.另被告於本件準備程序中答稱各項證據並未揭露系爭專利中抗反射層具有n 對的材質相異層( 如SiO2/TiO2 或AlN/AlGaN)之結構時，被告答稱各項證據並未揭露該結構，但系爭專利說明書並未載明該結構之進步性何在，故無需加以審酌云云。
然系爭專利說明書第7 頁第16至19行即已載明該結構之進步性，被告復已自承各項證據並未揭露該結構，故系爭專利申請專利範圍第9 、10項應具有進步性無疑。
㈥系爭專利申請專利範圍第11項至14項：系爭專利申請專利範圍第11項係依附於第1項、第3項或第5項，如前所述，系爭專利申請專利範圍第3項與第5項應具有進步性，故若將第11項排除依附於第1項，僅依附於具有進步性之第3項或第5項，則第11項應同樣具有進步性。
系爭專利申請專利範圍第12、13項係依附於具有進步性之第11項，自應具有進步性，第14項係依附於具有進步性之第12項，亦應具有進步性。
㈦並聲明：撤銷訴願決定及原處分。
三、被告之主張：㈠起訴理由未就原處分論述系爭專利申請專利範圍第1 、2及7 項已見於舉發證據所揭示不具專利要件為陳述，即認為不爭執，合先敘明。
㈡系爭專利申請專利範圍第3項特徵已見於證據1 、3 、5 所揭示：1.證據1 說明書第3 欄第5 至24行及第58行至第4 欄第4 行所揭示為一種利用基板底面之鏡面鍍膜層之氮化鎵發光二極體結構11，圖1 （a ）所示結構包含藍寶石透明基板1 與複數個半導體層2 至5 所組成，其中半導體層2 至5 形成於透明基板1 之上。
該發光二極體結構11包含金屬層7 、p 型電極8 與n 型電極9 ，該p 型電極形成於金屬層7 之上，n 型電極9 形成於n 型半導體層3 上。
複數個半導體層2 至5 包含有半導體緩衝層2 、n 型半導體層3 、主動層4 以及p 型半導體層5 ，該半導體緩衝層2 為0.01um至0.2um 厚之氮化鎵半導體，n 型半導體層3 形成於半導體緩衝層之上，主動層4 形成於n 型半導體層3 之上，p 型半導體層則形成於主動層4 之上，上述複數個半導體層2 至5 之材料為氮化鎵之Ⅲ至Ⅴ半導體。
另於透明基板1 之另一側形成反光層1a ， 藉此將主動層4 所激發之光線穿過該透明基板1 之另一側反光層1a反射光線以增加發光亮度。
2.證據3 系爭專利說明書所稱先前技術圖1 （c ）所揭示為一種利用p 型透明電極或薄型透明鎳金（Ni/Au ）金屬層之氮化鎵發光二極體結構，另說明書背景說明第4 頁至第5 頁所載，該前案包含透明藍寶石基板10、n 型氮化鎵半導體層、p 型氮化鎵半導體層、鎳金透明金屬層、p 型透明電極（NiO ）、與n 型電極。
其中鎳金透明金屬層位於p 型透明電極之下，而鎳金透明金屬層亦視為p 型透明電極之一部份。
證據5 第3 圖及說明書第59行至第4 欄第3 行揭示一種利用多層反光磊晶膜（DBR ）與透明基板底部粗糙面（rough backsurface ）可將光線產生散射並使散射光線導向晶片邊緣而非晶片頂端，多層感光磊晶膜使之近乎垂直入射之光線進行反射而將其導向晶片頂端，增加發光二極體之發光效率。
3.系爭專利申請專利範圍第1項與申請專利範圍第3項差異在於申請專利範圍第3項相較申請專利範圍第1項增加一粗化鏡面層結構，然系爭專利申請專利範圍第1項之特徵已見於證據1 、3 所揭示，可為熟習該項技術者結合證據1 、3 所揭示所能輕易完成已如前述，證據1 、3 雖未有揭示粗化鏡面層結構，但證據5 第3 圖已有揭示於該基板表面粗糙化結構。
據此，系爭專利申請專利範圍第3項特徵已見於證據1、3 、5 所揭示，可為熟習該項技術領域者結合證據1 、3、5 所能輕易完成。
系爭專利其餘申請專利範圍不具進步性詳如原處分，不另贅述。
㈢原處分既已詳載系爭專利申請專利範圍第1 至14項不具專利要件理由，應無通知原告更正系爭專利申請專利範圍之必要，且系爭專利申請專利範圍第3 至6 及8 至14項具專利要件為原告主觀認定。
據此，原處分未有漏未審酌之情事。
㈣並聲明：駁回原告之訴。
四、參加人之主張：參加人未於準備程序及言詞辯論期日到場，亦未提出書狀或作何聲明。
五、本件之爭點：㈠證據1 、3 、5 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第3 、4 項不具進步性？㈡證據1 、2 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第5 、6 項不具進步性？㈢證據1 、2 、3 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第8項不具進步性？㈣證據1 、2 、4 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第9項不具進步性？㈤證據1 、2 、3 、4 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第10、13、14項不具進步性？㈥證據1 、2 、3 、5 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第11、12項不具進步性？
六、本院得心證之理由：㈠系爭專利係「一種高亮度藍光發光晶粒的結構」，其申請日為90年1 月5 日，於90年11月6 日經審定准予專利，是系爭專利是否有應不予專利之情事，自應以核准審定時所適用之90 年10 月24日修正公布之專利法規定為斷，合先敘明。
復按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依系爭專利核准時專利法第19條及第20條第1項之規定申請取得發明專利。
惟其發明如「係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，復為同法第20條第2項所明定。
㈡參加人於舉發階段所提之證據為：證據1 為美國第5939735號專利「Semiconductor Light Emitting Device 」，其公告日為1999年8 月17日；
證據2 為我國公告第385553號專利 (申請案號00000000) 「高亮度發光二極體」，其公告日為89年3 月21日；
證據3 為系爭專利公告本，其圖式第1(A)圖、第1(B)圖、第1(C)圖為系爭專利所自承之習知技術；
證據4 為美國公告第5077587 號專利「Light-emitting diodewith anti-reflection layer optimization 」，其公告日為1991年12月31日；
證據5 為美國第6015719 號專利「Transparent substrate light emitting diodes withdirected light output 」，其公告日為2000年1 月18日。
（相關圖示如附件所示）。
㈢系爭專利申請專利範圍第1 、2 及7 項經被告認定不具進步性，原告對此亦不爭執，原告僅對其餘之申請專利範圍是否不具專利要件，有所爭執，是本件僅就原告有爭執之申請專利範圍第3 至6 項、第8項、第9 至第12項是否不具進步性予以審酌。
㈣證據1 、3 、5 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第3 、4 項不具進步性？1.經查，證據1 揭示一具有圓點狀佈設之光反射層1a，用以改善習知技術以鍍金屬鋁佈滿基板背面之光反射層21a 無法辨識晶圓切割線之缺點。
證據3 為系爭專利公告本，其圖式第1(A)圖、第1(B)圖、第1( C) 圖為系爭專利所自承之習知技術，揭示習知之氮化鎵(GaN )系列藍光發光二極體 (lightemitfing diode ；
LED)中，其晶粒所發射之藍光是經由一透光導電膜由PGaN面射出發光。
證據5 揭示一種利用多層反光磊晶膜(DBR) 與透明基板底部粗糙面(roughbacksu rface) 可將光線產生散射並使散射光線導向晶片邊緣而非晶片頂端，多層感光磊晶膜使之近乎垂直入射之光線進行反射而將其導向晶片頂端，增加發光二極體之發光效率。
2.證據1 說明書第3 欄第5 至24行及第58行至第4 欄第4 行所揭示為一種利用基板底面之鏡面鍍膜層之氮化鎵發光二極體結構11，圖1(a)所示結構包含藍寶石透明基板1 與複數個半導體層2 至5 所組成，其中半導體層2 至5 形成於透明基板1 之上。
該發光二極體結構11包含金屬層7 、p 型電極8 與n 型電極9 ，該p 型電極形成於金屬層7 之上，n 型電極9形成於n 型半導體層3 上。
複數個半導體層2 至5 包含有半導體緩衝層2 、n 型半導體層3 、主動層4 以及p 型半導體層5 ，該半導體緩衝層2 為0.01um-0.2um厚之氮化鎵半導體，n 型半導體層3 形成於半導體緩衝層之上，主動層4 形成於n 型半導體層3 之上，p 型半導體層則形成於主動層4 之上，上述複數個半導體層2 至5 材料為氮化鎵之Ⅲ- Ⅴ半導體。
另於透明基板1 之另一側形成反光層1a，藉此將主動層4 所激發之光線穿過該透明基板1 之另一側反光層1a反射光線以增加發光亮度。
3.證據1 說明書第3 欄第5-24行及第58行至第4 欄第4 行所揭示為一種利用基板底面之鏡面鍍膜層之氮化鎵發光二極體結構11，圖1( a) 所示結構包含藍寶石透明基板1 與複數個半導體層2 至5 所組成，其中半導體層2 至5 形成於透明基板1 之上。
該發光二極體結構11包含金屬層7 、p 型電極8 與n 型電極9 ，該p 型電極形成於金屬層7 之上，n 型電極9形成於n 型半導體層3 上。
複數個半導體層2 至5 包含有半導體緩衝層2 、n 型半導體層3 、主動層4 以及p 型半導體層5,該半導體緩衝層2 為0.01um-0.2um厚之氮化鎵半導體，n 型半導體層3 形成於半導體緩衝層之上，主動層4 形成於n 型半導體層3 之上，p 型半導體層則形成於主動層4 之上，上述複數個半導體層2 至5 材料為氮化鎵之Ⅲ- Ⅴ半導體。
另於透明基板1 之另一側形成反光層1a，藉此將主動層4所激發之光線穿過該透明基板1 之另一側反光層1a反射光線以增加發光亮度。
證據3 為系爭專利說明書所稱先前技術圖1(c)所揭示為一種利用p 型透明電極或薄型透明鎳金(Ni/Au )金屬層之氮化鎵發光二極體結構，另說明書背景說明第4頁至第5 頁所載，該前案包含透明藍寶石基板10、n 型氮化鎵半導體層、p 型氮化鎵半導體層、鎳金透明金屬層、p 型透明電極(NiO) 、與n 型電極。
其中鎳金透明金屬層位於p型透明電極之下，而鎳金透明金屬層亦視為p 型透明電極之一部份。
系爭專利申請專利範圍第1項所揭示特徵，半導體堆疊層，該半導體堆疊層係形成於該透明基板之該第一表面上，其中至少包括N 型氮化鎵(N-GaN) 系列之III-V 族化合物半導體層，和P 型氮化鎵(P- GaN)系列之III-V 族化合物半導體層；
鏡面鍍層，該鏡面鍍層係形成覆蓋於該透明基板之第二表面；
第一電極，該第一電極係提供使與該N 型氮化鎵(N-GaN) 系列之III-V 族化合物半導體層接觸；
第二電極，該第二電極係為一光可穿透材質之電極，且提供使與該P型氮化鎵(P-GaN) 系列之III-V 族化合物半導體層接觸。
證據1 說明書第1 欄第45行已有揭示光反射層21a 係鍍金屬鋁佈滿基板背面，為反射該光朝向p 側電極並更有效率增加光朝向基板行進。
而證據1 該1a層為改善其所自承之習知技術21a 無法辨識晶圓切割線而為圓點狀佈設。
據此，系爭專利申請專利範圍第1項之特徵已見於證據1 、3 所揭示，可為熟習該項技術者結合證據1 、3 所能輕易完成。
4.系爭專利申請專利範圍第2項為申請專利範圍第1項獨立項所述結構之全部技術特徵再加描述之附屬項，其中該鏡面鍍層之材料可為鋁、鎳、銀、鈦、銅、金、鈹金、鍺金或鎳金鍺等元素或其合金, 且其鏡面鍍層厚度約為1nm-10μm 。
查證據1 說明書第3 欄第63行已有揭示該光反射層1a可以藉由真空蒸鍍方式所形成之金屬反射層，如鋁、銀等，或是藉由濺鍍方式所形成之金屬氧化物，光反射層1a之厚度可約為0.1~1um ，可充分提供反射由主動層4 所激發之光線。
據此，本附屬項所載之內容係為證據1 所揭露，係屬熟習該項技術者可由證據1 、3 之技術組合所能輕易完成者，系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性已如前述，故結合證據1 、3 亦足資證明系爭專利申請專利範圍第2項為熟習該項技術者所能輕易完成者。
5.原告對於前開證據1 結合證據3 可以證明系爭專利申請專利範圍第1 、2 項不具進步性等情，並不爭執，而系爭專利申請專利範圍第3項與第1項之差異在於其將第二表面經粗化研磨處理，並將鏡面鍍層改為粗化鏡面鍍層，證據5 圖式第3 圖及說明書第59行至第4 欄第3 行揭示一種利用布拉格反射層(Distributed Bragg Reflectors ，DBR)與透明基板底部粗糙面(rough back surface 21) 可將光線產生散射並使散射光線導向晶片邊緣而非晶片頂端，布拉格反射層DBR 則將近乎垂直入射之光線進行反射而將其導向晶片頂端，增加發光二極體之發光效率。
故證據5 之可散射光線之粗糙面 (rough back surface 21)已揭露系爭專利申請專利範圍第3項之粗化鏡面鍍層，所以系爭專利申請專利範圍第3項之技術特徵已見於證據1 、3 、5 ，可為熟習該項技術者結合證據1 、3 、5 所能輕易完成，不具進步性。
6.系爭專利申請專利範圍第4項依附於第3項，其附加揭示：「該第二表面係經過粗化研磨處理之粗糙度約為5 至20 μm。」
。
經查，證據5 固未揭露其粗糙面(rough backsurface21 )之粗糙度，惟綜觀系爭專利說明書其亦未說明選擇具有粗糙度約為5 至20μm 之第二表面的依據與其功效為何？然就所屬技術領域通常知識而言，粗糙度之高低將影響其光線之散射程度，此亦為原告所不爭執，而5 至20μm 尚屬低之粗糙度，就系爭專利欲製造一種高亮度之藍光發光二極體而言，在達到使「照明的區域較為寬廣」之目的下，選擇低粗糙度是該發明所述技術領域中具有通常知識者所能輕易思及，所以證據1 、3 、5 結合可以證明系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性。
㈤證據1 、2 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第5 、6 項不具進步性？1.證據1 已如前揭所述。
證據2 則揭示一種具高亮度之發光二極體結構，其包含一形成於第一電極上之基板及具第一導電性之第一束縛層。
活性層形成於第一束縛層上，且具第二導電性之第二束縛層則形成於活性層上。
再者，具第二導電性之窗戶層形成於第二束縛層上，其中窗戶層之電阻小於第二束縛層之電阻。
接著，具第二導電性之接觸層形成於窗戶層上，用以提供一歐姆接觸(ohmic contact) 。
最後，導電透光氧化層形成於接觸層上，其中導電透光氧化層之電阻小於窗戶層及接觸層之電阻。
2.比較證據1 、2 與系爭專利申請專利範圍第5項，證據1 說明書第3 欄第5 至24行及第58行至第4 欄第4 行揭示一種利用基板底面之鏡面鍍膜層之氮化鎵發光二極體結構11，圖1(a)所示結構包含藍寶石透明基板1 與複數個半導體層2 至5 所組成，其中半導體層2 至5 形成於透明基板1 之上。
該發光二極體結構11包含金屬層7 、p 型電極8 與n 型電極9，該p 型電極形成於金屬層7 之上，n 型電極9 形成於n型半導體層3 上。
複數個半導體層2 至5 包含有半導體緩衝層2 、n 型半導體層3 、主動層4 以及p 型半導體層5 ，該半導體緩衝層2 為0.01μm 至0.2 μm 厚之氮化鎵半導體，n型半導體層3 形成於半導體緩衝層之上，主動層4 形成於n型半導體層3 之上，p 型半導體層則形成於主動層4 之上，上述複數個半導體層2 至5 材料為氮化鎵之Ⅲ至Ⅴ半導體。
另於透明基板1 之另一側形成反光層1a，藉此將主動層4 所激發之光線穿過該透明基板1 之另一側反光層1a反射光線以增加發光亮度。
證據2 所揭示利用透明電極與磊晶反射層之發光二極體結構，如圖8 所揭示一種利用p 型透明電極與光磊反射層之發光二極體結構，說明書第11頁所載，包含電極50、基板52、多層布拉格反射層(DistributedBraggReflect or)80、半導體疊層54、半導體窗56、半導體接觸層58、P型透明電極層60、與P 型焊墊62，其中透明電極層60之組成可以是氧化銦錫(ITO) 或氧化錫，布拉格反射層(DBR)80 位於基板之上，用以增加反射以提高發光效率。
3.依上所述，證據1 已有揭示透明基板1 ，複數個半導體層2至5 形成於透明基板之第一表面，其中包括有n 型氮化鎵半導體層3 及p 型氮化鎵半導體層5 ，光反射層1a形成於透明基板1 背面，n 型電極9 與n 型氮化鎵半導體層3 接觸，p型電極8 與金屬層7 及p 型氮化鎵半導體層5 接觸，證據1雖未有揭示透明電極及形成於透明基板第一表面上之複數個多層反光磊晶層，惟此二特徵已見於證據2 ，雖然原告主張「證據2 之技術係應用於紅光與綠光之間的發光二極體，使用會吸光之GaAs作基板(52)，故需於基板(52)上設置布拉格反射層(80)，以減少源自活性層(542) 之光線被基板(52)所吸收，且二電極(50 ，60) 係縱向排列；
相對地，證據1 之技術係應用於藍光發光二極體，使用可透光之藍寶石作為基板(1) ，基板(1) 本身並不會吸收光線，且二電極(8，9)係橫向排列，兩者分屬不同之技術領域，熟習該項技術者，無法輕易組合證據1 與證據2 之技術內容，以解決系爭專利所遭遇『如何增加發光二極體之射出光度』之問題…」云云。
惟查，證據1 、證據2 與系爭專利皆是發光二極體之技術領域，於研發設計時不同之顏色發光二極體間仍會互相參照實驗，並不會直接捨棄不用，系爭專利所欲解決之「如何增加發光二極體之射出光度」，於紅光、綠光或藍光等發光二極體皆是重要之課題，故原告所稱：「兩者分屬不同之技術領域，熟習該項技術者，無法輕易組合證據1 與證據2 之技術內容」云云，並不可採。
是以，系爭專利申請專利範圍第5項為所屬技術領域中具有通常知識者結合申請前之證據1 、2 先前技術所能輕易完成，不具進步性。
4.系爭專利申請專利範圍第6項依附於第5項，其附加揭示：「該多層反光磊晶層材質為(AlxGa1 至x)1 至y InyN/(AlaGa1 至a)1 至bInbN( x>a) ，且該反光磊晶層具有n 對的磊晶層( 其中n=5 至50) ，每單層厚度為其藍光波長的四分之一。」
。
經查，證據1 、2 並未揭露有材質為(AlxGa1 至x)1 至yInyN/(AlaGa1 至a)1 至bInbN(x>a)，及每單層厚度為其藍光波長的四分之一等技術特徵，且前揭技術特徵對於熟習該項技術者而言，即使以證據1 、2 為基礎，仍然無法由邏輯分析、推理或試驗而得，故證據1 、2 結合難以證明系爭專利申請專利範圍第6項不具進步性。
㈥證據1 、2 、3 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第8項不具進步性？1.經查，證據1 說明書第3 欄第5 至24行及第58行至第4 欄第4 行所揭示為一種利用基板底面之鏡面鍍膜層之氮化鎵發光二極體結構11，圖1(a)所示結構包含藍寶石透明基板1 與複數個半導體層2 至5 所組成, 其中半導體層2 至5 形成於透明基板1 之上。
該發光二極體結構11包含金屬層7 、p 型電極8 與n 型電極9 ，該p 型電極形成於金屬層7 之上，n 型電極9 形成於n 型半導體層3 上。
複數個半導體層2 至5 包含有半導體緩衝層2 、n 型半導體層3 、主動層4 以及p 型半導體層5 ，該半導體緩衝層2 為0.01um-0.2um厚之氮化鎵半導體，n 型半導體層3 形成於半導體緩衝層之上，主動層4 形成於n 型半導體層3 之上，p 型半導體層則形成於主動層4 之上，上述複數個半導體層2 至5 質材料為氮化鎵之Ⅲ- Ⅴ半導體。
另於透明基板1 之另一側形成反光層1a，藉此將主動層4 所激發之光線穿過該透明基板1 之另一側反光層1a 反 射光線以增加發光亮度。
證據2 所揭示利用透明導電層之發光二極體結構，圖5 揭示導電透光層60之組成可以是氧化銦錫(ITO) 氧化錫。
相較系爭專利申請專利範圍第7項為一種高亮度藍光發光晶粒的結構，包括：一透明基板，該透明基板具有第一表面與第二表面；
一半導體堆疊層，該半導體堆疊層係形成於該透明基板之該第一表面上，其中至少包括一N 型氮化鎵(N-GaN) 系列之III-V 族化合物半導體層，和一P 型氮化鎵(P-GaN) 系列之III-V 族化合物半導體層；
一第一電極，該第一電極係提供使與該N 型氮化鎵(N-GaN )系列之III-V 族化合物半導體層接觸；
一第二電極，該第二電極係為一光可穿透材質之電極，且提供使與該P型 氮化鎵(P-GaN) 系列之III-V 族化合物半導體層接觸，其特徵在於該光可穿透材質之電極，係為氧化銦錫(IndiumTinOxide, IT O)之透光性導電層。
證據1 已有揭示透明基板1 ，複數個半導體層2 至5 形成於透明基板之第一表面，其中包括有n 型氮化鎵半導體層3 及p 型氮化鎵半導體層5 ，光反射層1a形成於透明基板1 背面，n 型電極9 與n 型氮化鎵半導體層3 接觸，p 型電極8 與金屬層7 及p 型氮化鎵半導體層5接觸，證據1 雖未揭示透明電極，惟此特徵已見於證據2 圖5 揭示導電透光層60之組成可以是氧化銦錫(ITO) 氧化錫。
據此，系爭專利申請專利範圍第7項之特徵已見於證據1 、2 所揭示，為熟習該項技術者可藉由結合證據1 、2 所揭示而輕易完成。
原告對於前開證據1 結合證據2 可以證明系爭專利申請專利範圍第7項不具進步性等情，亦不爭執。
2.系爭專利申請專利範圍第8項依附於第7項，其附加揭示：「該氧化銦錫透光性導電層下方與該半導體堆疊層間，可預先形成一超薄之Ni/Au 層，其中該Ni/Au 層之厚度約為0.1至10nm。」
，且原告對於證據1 結合證據2 可以證明系爭專利申請專利範圍第7項不具進步性，亦不爭執，已如前述，經比較證據1 、2 、3 與系爭專利申請專利範圍第8項，證據3 圖式第一(C) 圖為系爭專利所自承之先前技術，其已揭示利用透明電極與薄型鎳金(Ni/ Au)金屬層之氮化鎵發光二極體結構。
雖原告主張：證據3 圖式第一(C) 圖所揭露之內容有違物理法則而屬應予排除之證據云云。
惟查，證據3 係系爭專利說明書先前技術所揭露之內容，原告竟稱其有違物理法則，已與系爭專利所揭示未相牟合，且就半導體磊晶技術而言，是否一定無法達成證據3 圖式第一(C) 圖所揭露之內容，原告並未實質說明，原告主張，尚無足採。
是以，系爭專利申請專利範圍第8項為所屬技術領域中具有通常知識者結合申請前之證據1 、2 、3 先前技術所能輕易完成，不具進步性。
㈦證據1 、2 、4 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第9項不具進步性？1.證據1 、2 如前所述。
證據4 為一種利用抗反射層之發光二極體結構，其包含一半導體發光層，一透明遮罩層於該半導體發光層之上，一抗反射層位於該透明遮罩層之上，該抗反射層可以增加發光二極體之發光強度。
2.系爭專利申請專利範圍第9項依附於第7項，其附加揭示：「該有化銦錫透光性導電層上可形成一覆數個抗反射層(ARC) ，該抗反射層之材質為(SiO2/TiO2) 或(AlN/AlGaN) ，且該抗反射層具有n 對的層數( 其中n=5 至50) ，每單層厚度為其藍光波長的二分之一。」
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經比較證據1 、2 、4 與系爭專利申請專利範圍第9項可知，證據1 、2 、4 並未揭露有抗反射層之材質為(SiO2/TiO2) 或(AlN/AlGaN) ，且該抗反射層具有n 對的層數( 其中n=5 至50) ，每單層厚度為其藍光波長的二分之一等技術特徵，對於熟習該項技術者而言，即使以證據1 、2 、4 為基礎，仍然無法由邏輯分析、推理或試驗而得，故證據1 、2 、4 結合難以證明系爭專利申請專利範圍第9項不具進步性。
㈧證據1 、2 、3 、4 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第10、13、14項不具進步性？系爭專利申請專利範圍第10項依附於第8項，第13項依附於第11項，第14項依附於第12項，其皆附加揭示：「該氧化銦錫透光性導電層上可形成一複數個抗反射層(ARC) ，該抗反射層之材質為(SiO2/TiO2) 或(AlN/AlGaN) ，且該抗反射層具有n 對的層數( 其中n=5 至50) ，每單層厚度為其藍光波長的二分之一。」
，比較證據1 、2 、3 、4 與系爭專利申請專利範圍第10、13、14項可知，證據1 、2 、3 、4 並未揭露有抗反射層之材質為(SiO2/TiO2) 或(AlN/ AlGaN)，且該抗反射層具有n 對的層數( 其中n=5 至50) ，每單層厚度為其藍光波長的二分之一等技術特徵，且前揭技術特徵對於熟習該項技術者而言，即使以證據1 、2 、3 、4 為基礎，仍然無法由邏輯分析、推理或試驗而得，故證據1 、2 、3、4 結合難以證明系爭專利申請專利範圍第10、13、14項不具進步性。
㈨證據1 、2 、3 、5 結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第11、12項不具進步性？1.系爭專利申請專利範圍第11項為：「一種具有如申請專利範圍第1項、第3項或第5項所述之高亮度藍光發光晶粒的結構, 其中該光可穿透材質之第二電極，係可為一氧化銦錫 (IndiumTinOxide, ITO)之透光性導電層」。
經查，證據2已揭示利用透明導電層之發光二極體結構，其圖式第5 圖揭示導電透光層60之組成可以是氧化銦錫(ITO) 或氧化錫，故其已揭露系爭專利申請專利範圍第11項之透光性導電層可為一氧化銦錫(IndiumTinOxide,ITO)之技術特徵，而系爭專利申請專利範圍第1 、3 、5 項不具進步性已如前述，是以系爭專利申請專利範圍第11項為所屬技術領域中具有通常知識者結合申請前之證據1 、2 、3 、5 先前技術所能輕易完成，亦不具進步性。
2.系爭專利申請專利範圍第12項依附於第11項，其附加揭示：「該氧化銦錫透光性導電層下方與該半導體堆疊層間，可預先形成一超薄之Ni/Au 層，其中該Ni/Au 層之厚度約為0.1至10nm。」
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經比較證據1 、2 、3 、5 與系爭專利申請專利範圍第12項，證據3 圖式第一( C)圖為系爭專利所自承之先前技術，其已揭示利用透明電極與薄型鎳金(Ni/Au) 金屬層之氮化鎵發光二極體結構，而系爭專利申請專利範圍第11項已不具進步性，已如前述，故系爭專利申請專利範圍第12項亦為所屬技術領域中具有通常知識者結合申請前之證據1、2 、3 、5 先前技術所能輕易完成，不具進步性。
七、綜上所述，證據1 、3 、5 結合固然可以證明系爭專利申請專利範圍第3 、4 項不具進步性；
證據1 、2 結合可以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性；
證據1 、2 、3結合可以證明系爭專利申請專利範圍第8項不具進步性；
證據1 、2 、3 、5 結合可以證明系爭專利申請專利範圍第11、12項不具進步性。
惟證據1 、2 結合則難以證明系爭專利申請專利範圍第6項不具進步性；
證據1 、2 、4 結合難以證明系爭專利申請專利範圍第9項不具進步性；
證據1 、2、3 、4 結合難以證明系爭專利申請專利範圍第10、13、14項不具進步性。
是被告就關於系爭專利申請專利範圍第6 、9 、10、13、14項是否不具進步性之認定，尚非正確。
又系爭專利固然有部分申請專利範圍違反專利法之規定，而不具專利要件，業如前述，然為兼顧原告對系爭專利申請專利範圍仍有更正之利益，是被告所為系爭專利全部申請專利範圍為「舉發成立，應撤銷專利權」之審定，即有未洽，訴願決定未及糾正，亦非妥適。
原告訴請撤銷訴願決定及原處分為有理由，應予准許，並應由被告就本件舉發申請依本判決之法律見解另為適法之處分。
八、本件事證已明，兩造其餘攻擊防禦方法均與本件判決結果不生影響，故不逐一論述，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為有理由，依行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
中 華 民 國 99 年 10 月 7 日
智慧財產法院第一庭
審判長法 官 李得灶
法 官 汪漢卿
法 官 王俊雄
以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中 華 民 國 99 年 10 月 7 日
書記官 王英傑
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