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智慧財產法院刑事判決
106年度刑智上易字第87號
上 訴 人
即 被 告 謝明鑫
選任辯護人 馮彥錡律師
上列上訴人因妨害秘密案件，不服臺灣苗栗地方法院105 年度易字第742 號，中華民國106 年9 月20日第一審判決（起訴案號：臺灣苗栗地方檢察署104 年度偵續一字第4 號），提起上訴，本院判決如下：
主 文
原判決撤銷。
謝明鑫無罪。
理 由
壹、公訴意旨略以：被告謝明鑫前於民國97年6 月10日至101 年2 月10日期間，任職於告訴人中美矽晶製品股份有限公司，經歷高級技術員、研發課三等助理工程師、四等助理工程師等職務。
詎其明知如附表所示之「多晶長晶」相關製程（下稱F 製程）之生產技術條件及參數等研發資料（下稱系爭資料），屬告訴人之營業秘密，於其101 年1 月12日向告訴人申請離職，並簽署離職申請書及離職人員時，負有非經告訴人事前書面同意，不得將於告訴人服務期間所知悉之所有營業祕密告知、交付或移轉予第三人、或對外發表或為自己或第三人使用等保密義務，竟接續於101 年2 月2 、10日離職前，基於洩露業務上知悉工商秘密之犯意，利用告訴人公司辦公室內電腦設備，以告訴人配發之電子郵件帳號「000000000@00000000 .000 」，將系爭資料郵寄發送至其個人申請使用之電子郵件帳號「000000000@00000 .000 .00」內，旋於同年月21日改任職於旭晶能源科技股份有限公司（下稱旭晶公司），並於不詳時間，將前揭攜出之系爭資料洩露予旭晶公司以利開發產品。
其後告訴人於102 年6 月間，發現旭晶公司推出與告訴人多晶長晶產品激似之高效多晶矽晶片「E- Wafer」，始驚覺營業祕密外洩，而循線查知上情。
因認被告涉犯刑法第318條之2 、第317條之利用電腦相關設備洩漏業務持有工商秘密罪。
貳、按犯罪事實應依證據認定之，無證據不得認定犯罪事實；不能證明被告犯罪者，應諭知無罪之判決，刑事訴訟法第154條第2項、第301條第1項定有明文。
又認定犯罪事實須憑證據，為刑事訴訟法所明定，故被告犯罪嫌疑，經審理事實之法院，已盡其調查職責，仍不能發現確實之證據足資證明時，自應依法為無罪判決。
且事實之認定，應憑證據，如未能發現相當證據，或證據不足以證明，自不能以推測或擬制之方法，以為裁判基礎（最高法院20年上字第893 號、40年台上字第86號分別著有判例可資參照）。
且檢察官就被告犯罪事實，應負舉證責任，並指出證明之方法，為刑事訴訟法第161條所明定。
因此，檢察官對於起訴之犯罪事實，應負實質之舉證責任，且其所提出之證據，無論直接或間接證據，其為訴訟上之證明，須於通常一般之人均不致有所懷疑，而得確信其為真實之程度者，始得據為有罪之認定，倘其證明尚未達到此一程度，而有合理之懷疑存在時，不足為被告有罪之積極證明，或其闡明之證明方法，無從說服法院形成被告有罪之心證，基於無罪推定原則，自應為被告無罪之諭知。
又不能證明被告犯罪或其行為不罰者，應諭知無罪之判決，同法第301條第1項亦有明文。
參、檢察官認被告涉犯前揭犯行，無非係以：⒈被告於偵訊時之供述；
⒉證人即告訴代理人○○○於偵訊之指訴；
⒊證人即告訴人研發部副總經理○○○、研發資深經理○○○、研發副理○○○等人於偵訊時之證述；
⒋證人即告訴人前品保處副理○○○於偵訊時之證述；
⒌證人即旭晶公司研發工程師○○○、○○○於偵訊時之證述；
⒍被告於101 年2 月2 日、同年月10日離職前，擅自寄發至個人郵件信箱之系爭資料、交接報告、告訴人之資訊保密措施說明、告訴人之專利申請一覽表、F 製程高效率多晶晶片報導、專利申請資料；
⒎被告任職告訴人公司期間之員工資料；
⒏旭晶公司新產品開發評估表；
⒐告訴人提供之F 製程晶片相關說明；
⒑旭晶公司發表其高效多晶矽晶產品「E-Wafer 」之相關報導；
⒒財團法人臺灣經濟科技發展研究院智慧科學研究所104 年9 月7 日「矽晶鑄錠及從其製成的矽晶圓專利權侵害鑑定研究報告書」（下稱系爭鑑定報告），為其論據。
訊據被告固不否認有將系爭資料寄至其上揭個人電子郵件信箱之事實，惟堅詞否認有何上揭犯行，辯稱：告訴人於101 年9 月28日即知悉本件事實，遲至102 年7 月19日始提起告訴，已逾告訴期間；
況旭晶公司在伊進公司前即已開始研發相同之技術，伊絕無將系爭資料洩露予旭晶公司之行為，原判決誤為論罪科刑，顯有違誤，爰提起上訴，請求撤銷原判決，另為無罪諭知等語。
肆、經查：兩造不爭執之事實：查被告於97年6 月10日至101 年2 月10日期間，任職於告訴人公司，經歷高級技術員、研發課三等助理工程師、四等助理工程師等職務，並參與F 製程之生產研發。
嗣於101 年1月12日向告訴人申請離職，並簽署離職申請書及離職人員保密切結書，且於101 年2 月2 日、10日離職前，利用告訴人辦公室內電腦設備，以告訴人配發之電子郵件帳號「000000000@ 00000000 .000」，將屬於F 製程生產技術條件及參數等研發資料之系爭資料郵寄發送至其個人申請使用之電子郵件帳號「000000000@00000 .000 .00」內，並於同年月21日改任職於旭晶公司等情，為被告所不爭執（原審卷第40頁），並有告訴人竹南分公司個人基本資料表、離職申請書、離職手續單、離職人員保密切結書及如附表所示之郵件等（102 年度他字第775 號卷【下稱他卷】第9 至13頁、第15至59頁、103 年度偵續字第11號卷【下稱偵續卷】二第11至17頁）在卷可考，堪信為真，合先敘明。
本件未逾越告訴期間：㈠按告訴乃論之罪，其告訴應自得為告訴之人知悉犯人之時起，於6 個月內為之，刑事訴訟法第237條第1項定明文。
又刑事訴訟法第216條第1項定有明文。
所稱「知悉」，係指確知犯人之犯罪行為而言，如初意疑其有此犯行，而未得確實證據，及發見確實證據，始行告訴，則不得以告訴人前此之遲疑，未經申告，遂謂告訴為逾越法定期間（最高法院28年上字第919 號判例意旨參照）。
又所謂「犯罪之被害人」係指因犯罪行為直接受害之人，該「被害人」係指具有法律上人格之自然人或法人而言；
如法人為犯罪之被害人時，由代表人代表告訴方為合法。
是告訴乃論之罪，法人為犯罪之被害人時，既應由其代表人代表告訴方為合法，自應以法人代表人何時知悉犯人之時點，判斷法人代表人所提之告訴是否逾6 個月之告訴期間。
查本件告訴人企劃組員工○○○係於102 年1 月16日與律師就離職員工洩密案進行電話會議，於同年月21日以內部報告書向總經理○○○提出報告，經○○○於同年月25日始批示：「請儘量、儘速蒐集對手wafer，分析是否確實盜用公司製程，再進一步決定是否提告」等情，有該內部報告書在卷可證（偵續卷二第241 至242 頁），足證直至102 年1 月25日止，告訴人仍無法確知被告有無犯罪事實，僅由總經理批示應進行調查蒐證，是告訴人知悉犯人之時點自應在此日期之後，而告訴人係於102 年7 月19日向臺灣苗栗地方檢察署具狀對被告提出洩漏業務上知悉工商秘密等罪嫌之告訴一節，有刑事告訴狀上該署收文章可稽（他卷第4 頁），堪認告訴人對被告提出妨害秘密之告訴應未逾告訴期間。
㈡被告及其辯護人固主張告訴人代表人○○○早於101 年9 月28日寄予被告之信件內容即提及被告保密義務，是告訴人於斯時即已知悉本件事實，至遲亦應自102 年1 月16日告訴人員工○○○與律師電話磋商離職員工洩密案時起算告訴期間云云。
惟查，被告於101 年1 月12日向告訴人提出離職申請之事由，乃「回家中果園幫忙」，有離職申請書在卷可佐（他卷第11頁），然其嗣於101 年2 月21日即前往旭晶公司任職，而告訴人於101 年9 月28日由代表人○○○署名寄予被告之信件內容乃提及：被告曾簽署離職人員保密切結書，希望確實遵守承諾，倘有違背，必當依法追訴，特此提醒等語，並同時寄予旭晶公司董事長○○○之信件內容提及：誠盼貴公司鼎力支持，確認該員工並無違背承諾之情事，而使用於貴公司產品上等語，有告訴人提出之信件2 紙在卷可考（原審卷第145 至146 頁），被告就此部分信件內容亦陳述：該信的收件人是我，內容提到我離職前有簽保密切結書，我到旭晶公司任職，不要把告訴人相關的機密洩漏，不然就會負相關責任，最後我有在上面簽名等語（原審卷第97頁背面），顯見告訴人上開信件僅係因被告乃以家庭事由申請離職，卻於離職後月餘即前往與告訴人處於競爭地位之旭晶公司任職等特殊情狀，而刻意提醒或警告被告切勿違背相關保密義務甚明，尚難以此遽認告訴人已「知悉」犯人而起算告訴期間；
又本件告訴人係法人，告訴期間之計算應以法人之代表人知悉犯人之時點為準，已如前述，而被告所指告訴人於102 年1 月16日與律師之電話磋商，僅由告訴人企劃組員工○○○參與，於會後繕打內部報告書呈交總經理○○○批示等情，有該報告書在卷可佐（偵續卷二第241 至242 頁），亦無法證明告訴人之代表人於斯時即知悉該等事實，自仍不足認被告及其辯護人此部分主張可採。
本件無營業秘密法之適用：按行為之處罰，以行為時之法律有明文規定者為限，刑法第1條前段定有明文。
查本件起訴書事實欄除認系爭資料屬工商秘密外，固亦記載屬營業秘密，惟查營業秘密法雖於85年1 月17日即制定公布，惟當時並無刑責之規定，後於102 年1 月30日修正時始於第13條之1 至第13條之4 增訂侵害營業秘密之刑事責任，而本案事實係發生於101 年2 月間，依前揭規定，自無營業秘密法相關刑責之適用，先予敘明。
系爭資料屬工商秘密，且被告對告訴人負有依契約保守因業務持有工商秘密之義務：㈠按刑法第317條規定「依法令或契約有守因業務知悉或持有工商秘密之義務，而無故洩漏之者，處1 年以下有期徒刑、拘役或1 千元以下罰金。」
係以「工商秘密」為保護之客體，刑法第318條之2 、第317條之罪，必須洩漏者為「工商秘密」，始足當之，而所謂「工商秘密」，係指工業上或商業上之秘密事實、事項、物品或資料，而非可舉以告人者而言，重在企業利益之經濟效益維護，亦即，工業或商業上之發明或經營計畫具有不公開之性質者均屬之，因此，解釋上，工業上製造之秘密、專利品之製造方法、商業之營運計畫、企業之資產負債情況及客戶名錄等，就工商營運利益上，不能公開之資料，不論屬於自然人或法人所有均屬之。
是以，該「工商秘密」，除至少應具有一般人所不得輕易知悉之秘密特性外，必須因其秘密性而具有實際或潛在之經濟價值之價值性要件，且所有人已採取一定程度之保密措施者而言。
㈡本件觀諸證人即告訴人研發部副理○○○、資深研發經理○○○於偵查中證稱：系爭資料內含之技術，包含鑑定長晶品質、判斷晶體缺陷多寡，乃告訴人獨創的技術（104 年度偵續一字第4 號卷【下稱偵續一卷】第91頁）；
證人即告訴人研發部副總經理○○○於偵查中亦證稱：告訴人開發多晶長晶技術已經8 年的時間，剛開始我們用全世界的主流技術，把晶粒長越大越好，這是過去的作法，後來我們發展LD技術，發覺晶粒越小效率越高，所以我們才去找方法做出晶粒較小的，當找到方法做出小晶粒後，我們馬上去申請專利，我們也查過當時的期刊論文並沒有這樣的技術，所以我們才會去申請七個國家的專利保護，因為有獨特的外觀，客戶拿到晶片會辦別出這是我們公司高效率的晶片，只要看到晶片就知道是告訴人的，轉換效率提高到0.3 ％到0.5 ％。
當時來看是非常大的革命性突破等語（偵續卷一第64頁反面、65頁），足證被告所寄出之系爭資料，係告訴人以相當人力、時間所獲得，具有企業利益之經濟效益，被告就此情亦不再爭執（本院卷二第28頁），參以系爭資料上均有以英文註明機密資料不得外洩，業據告訴代理人○○○於偵查中陳述在卷（偵續一卷第58頁），並有被告寄出系爭資料之郵件在卷可稽（他卷第15至59頁），可證告訴人亦已採取一定程度之保密措施，堪認系爭資料係屬工商秘密無疑。
㈢又觀諸被告與告訴人簽署之離職人員保密切結書（他卷第13頁），其上載有：「…（一）本人於服務公司期間，所持有公司之機密文件（所有屬於公司機密之書面文件、電子文件及工作底稿，正本或副本），於離職前，應交給所屬權責主管。
（二）本人於服務公司期間，所知悉之所有公司營業祕密（含技術性的及商業的），非經公司事前書面同意，不得洩露、告知、交付或移轉予第三人、或對外發表或為自己或第三人（譬如未來擬服務之新公司）使用。
（三）…。」
等保密義務，亦為被告所不爭執（原審卷第40頁）。
準此，被告對告訴人負有依契約保守因業務持有工商秘密之義務，足堪認定。
本件無法證明被告確以電腦相關設備將系爭資料洩露予旭晶公司：㈠證人○○○於偵查中雖證稱：就專利的定義來說，有三個獨立項都落入我們專利範圍內，這三個獨立向分別是晶錠的生產必須由小到大，底部晶粒尺寸較小，頂部晶粒尺寸比較大，再來缺陷面積小於15％，特定晶向比例在一定範圍內。
這三種特徵要用F 製程才做的出來，其他公司做不出來。
憑著這些評價技術可以判斷產品有無成功，晶錠的開發演進過程是先有評價技術，來判斷什麼樣的方法是最好的，我們在找出最好的方法去持續產出最好的結果。
被告之前是F 製程的種子教官，對如何實施、操作F 製程他很瞭解，所以只要取得評價技術，他帶去別的公司任職，就可以依據評價技術及本公司相關製程製造出一樣的產品，否則旭晶公司不可能做出跟我公司類似的產品等語（偵續一卷第56頁反面），證人○○○於偵查中亦證稱：評價技術是用來評價用此種製程製造出來的東西好壞，被告在我公司任職期間知道我公司晶錠整個F 製程，所以他只要再取得評價技術，配合他所知道的F 製程，就可以讓其他公司製造出相同或類似的產品等語（偵續一卷第57頁正面及反面），惟觀諸其等證述，僅表示依其等之認知，因被告熟悉F 製程，若再取得評價技術，即有讓其他公司製造出類似產品之可能，惟就被告是否確已將其所熟知之F 製程及評價技術洩露予旭晶公司乙節，該二證人均未直接見聞，顯僅以旭晶公司事後做出與告訴人相類之產品，即主觀臆測必為被告所洩露，若僅以此等間接推論即為不利被告之認定，實嫌速斷；
參以證人即旭晶公司研發工程師○○○於偵查中亦僅證稱：被告於101 年2 月21日與我同時間到職；
長晶的製程由我和○○○負責…被告主要負責實驗室的儀器管控，我負責把需要的樣本交給被告，被告負責使用實驗室的儀器幫我量測，我在從實驗室的數值判斷這產品是否合規…等語（偵續卷二第20頁反面至21頁），並未證稱被告有另行告知、提供F 製程之相關資料，且○○○所證述被告於旭晶公司之工作情形，亦核與被告於偵查中自承：告證6-16（即附件所示）是量測的數據、分析資料，所謂量測是用機器測量WAFER （晶片）的生命週期、氧含量、碳含量，我這邊量測完作統計分析，分析後提供給前段製程工程師去做製成產品改善…；
「（問：你在旭晶也是做儀器測量，並將相關數據拿給○○○？）但是我沒有參與相關製程，且每家公司都有相關儀器，並不是只有中美矽晶才有，且我在中美矽晶有作量測分析，我在旭晶只有做量測，分析則由○○○做等語（他卷第66頁反面、偵續一卷第91頁反面至92頁）相符，自仍無從證明被告確有洩露系爭資料之行為。
㈡檢察官另依據系爭鑑定報告結論為「多晶矽晶棒」產品落入系爭專利之專利權範圍，因而認定「多晶矽晶棒」產品乃旭晶公司依據被告所洩露之系爭資料而製成等情；
被告及辯護人則辯稱鑑定證物產品名稱為「多晶矽晶棒」，顯與旭晶公司之超高效多晶矽晶片「E- Wafer」名稱不同，已難認二者同一；
縱為同一，此產品乃旭晶公司於被告101 年2 月21日到職前即已開始進行開發評估之產品，自非因被告到職後有洩露系爭資料之行為始開始研發等語。
經查：⒈系爭鑑定報告之鑑定證物「多晶矽晶棒」乃旭晶公司於101年2 月21日前即已開始研發之產品，且與「E-Wafer 」係屬同一：依被告所提旭晶公司100 年3 月29日新產品開發評估表（下稱系爭評估表，偵續卷二第28頁），其上「新產品名稱」載明「不同長晶方式對晶粒數量之研究」，參以「品名/ 規格」之「0emi-wafer /單晶邊料/ 單晶頭/Poly chunk …」、「試產晶片數量」之「試產5 ingot0」，以及「效益評估」之「降低晶粒數，並提升cell轉換率」等記載，可知旭晶公司於100 年3 月29日，內部業經核定進行5 個矽晶錠之試產與開發，其係利用單晶或多晶碎料作為材料，研發不同長晶方式對於晶粒數量之影響，目標則是降低晶粒數（即提高晶粒大小），以提升太陽能電池之光電轉換率。
因此，依系爭評估表所示，旭晶公司希望開發出得以降低晶粒數之長晶方法，藉此產出具有較高光電轉換效率之多晶矽晶棒產品，是被告辯稱旭晶公司於被告101 年2 月21日到職前即已開始進行與「多晶矽晶棒」產品相關之開發評估，並非因被告到職後有洩露系爭資料之行為始開始研發等語乙節，尚非無據；
又所謂「E-Wafer 」此一名稱，僅係旭晶公司為便於新聞媒體宣傳，始另為命名，實則該產品即為旭晶公司於101 年2月21日以前已進行測試之同一產品等情，業經證人○○○於偵查中證述明確（偵續卷二第21頁），並有旭晶公司於101年6 月間發布之新聞稿1 紙在卷可憑（他卷第70頁反面），亦核與告訴代理人○○○於偵查中陳述：不確定旭晶公司是否仍以此名稱稱呼該產品等語（偵續一卷第28頁反面）相符；
復參以系爭鑑定報告就其所取得之鑑定證物「多晶矽晶棒」所附之出貨單及照片（系爭鑑定報告第55、58頁），其上乃記載商品名稱為「多晶方棒」，顯見旭晶公司為便於不同場合使用，而就同一產品會出現不同之名稱，自堪認上述「E-Wafer 」、「多晶矽晶棒」、「多晶方棒」等名稱實均指涉同一產品，先予敘明。
⒉系爭專利之技術內容與系爭資料之內容實質上並不相同，不可等同視之：①系爭專利之主要技術內容如下：習知的矽晶鑄錠長晶過程，會在坩堝底部成長為大晶粒且缺陷密度偏高，致使矽晶鑄錠整體晶體品質變差，其後續製成的太陽能電池的光電轉換效率較低。
系爭專利乃在模( 3)中放置由多個結晶顆粒( 22) 所構成之成核促進層( 2)，接著將矽原料( 14) 安裝至模( 3)內並熔化成矽熔湯( 16) （見系爭專利第3 圖）。
接著在冷卻過程中，多個矽晶粒( 12)會在成核促進層( 2)上成核（見系爭專利第5 圖），且沿著垂直方向V 成長。
藉由小尺寸矽晶粒分佈緊密較易趨於單一向上成長，以抑制缺陷快速增加，進而獲得較佳的晶體品質。
而依前述方法所獲得之矽晶鑄錠(1)結構（見系爭專利第2圖），具有一底部以及一垂直方向( V)，其包含：沿該垂直方向( V)成長的多個矽晶粒( 12) ，其晶向包含3 種以上；
位在該底部之一成核促進層( 2)；
其中該多個矽晶粒( 12)之平均晶粒尺寸由該底部區域沿該垂直方向遞增（主要圖式如附圖所示）。
②經比對後，系爭專利之上開主要技術內容均未見系爭資料之資訊，分述如下：⑴如附表編號1 所示告證54之內容（偵續卷二第11至17頁）係告訴人公司內部關於協助執行專案、客訴處理流程、晶體評價項目及其流程等事項，與系爭專利之技術內容並不相同。
⑵如附表編號2 所示告證6 之內容（他卷第15至18頁）係就角落棒、側邊棒及中央棒經「E 製程」、「F 製程」及「U 製程」製作後，呈現出晶棒中間、底部及頂部之「抗折強度」數據及相關結論。
與系爭專利相較，系爭專利中並未見有任何關於抗折強度之相關數據或說明。
⑶如附表編號3 所示告證7 之內容（他卷第19至21頁）係就LD16=1.38 、LD16=1.39 、LD16=1.40 （μ0 ）（前16% 群組之載子壽命）之多個晶碇，去除其頭尾60mm及70mm後，所量測之LD18載子壽命值。
與系爭專利相較，系爭專利中並未見有任何關於載子壽命值之相關數據或說明。
⑷如附表編號4 所示告證8 之內容（他卷第22至27頁）係就不同晶圓產品（A+晶圓、A3+ 晶圓），依中央棒、角落棒及側邊棒所測量之載子壽命（lifetime）數據，以及依照載子壽命長度區間分析其所佔比例。
與系爭專利相較，系爭專利中並未見有任何關於載子壽命值之相關數據或說明。
⑸如附表編號5 所示告證9 之內容（他卷第28至39頁）係在探討不同製程（E 製程或U 製程）之矽晶片缺陷密度（EPD ）與轉換效率之相關性，依其分析數值及結果，E 製程之矽晶片缺陷密度與轉換效率具有60.5% 之相關性，但U 製程之矽晶片則看不出其相關性。
與系爭專利相較，系爭專利第12圖雖揭露光電轉換效率相關數據，但其係針對A 、B 矽晶鑄錠不同區域（底部、中間及頂部）及平均光電轉換效率進行比較，與系爭專利之比較對象不同，數據及結論亦不相同。
同理，系爭專利第9 圖係比對A 、B 矽晶鑄錠的角落區域、側壁區域以及中央區域矽晶鑄錠「不同高度」與缺陷密度間之關係，與告證9 探討晶片缺陷密度與「轉換效率」之關係不同，數據上亦無任何相關或相似之處。
⑹如附表編號6 所示告證10之內容（他卷第40至44頁）係在探討LD（載子壽命）與Efficiency（太陽能電池轉換效率）之相關性。
與系爭專利相較，系爭專利中並未見有任何關於載子壽命值之相關數據或說明。
⑺如附表編號7 所示告證11之內容（他卷第45、46頁）提及可將公式「σ=( 3F( L- L_i) ) /( 2bd2) 」（F ：最大荷重、L ：下方支撐點長度、Li：上方施壓點長度、b : 晶片寬度、d ：晶片厚度）帶入抗折試驗中，以消除厚度及面積變異性。
與系爭專利相較，系爭專利中並未見有任何相關之公式或抗折試驗。
⑻如附表編號8 、9 所示告證12、13之內容（他卷第47、48頁）係分別針對Ari0e 、Millinet公司之失效太陽能晶片去除上方金屬層( decap)後，進行分析晶片之壽命期間( life time)、缺陷密度、片電阻值、氧/ 碳含量等數據之分析，據以推論造成晶片失效之可能因素。
與系爭專利相較，系爭專利並未見有任何關於討論失效太陽能晶片之內容或數據。
⑼如附表編號10所示告證14之內容（他卷第49至51頁）係以晶棒底部之晶粒尺寸與LD10/LD60 值（載子壽命）分析其相關性。
與系爭專利相較，系爭專利中並未見有任何關於載子壽命值之相關數據或說明。
⑽如附表編號11所示告證15之內容（他卷第52至55頁）係探討不同公司（M 社、0 社）之3 支晶棒平均缺陷面積與轉換效率之相關性。
與系爭專利相較，系爭專利第12圖係針對A 、B 矽晶鑄錠「不同區域」（底部、中間及頂部）及平均光電轉換效率進行比較，而系爭專利第9 圖則係比對A 、B 矽晶鑄錠的角落區域、側壁區域以及中央區域矽晶鑄錠「不同高度」與缺陷密度間之關係，與如附表編號5 所示告證9 探討晶片缺陷密度與「轉換效率」之比對對象不同，數據上亦無任何相關或相似之處。
⑾如附表編號12所示告證16之內容（他卷第56至59頁）係在分析晶碇或晶棒之LD18與轉換效率之相關性。
與系爭專利相較，系爭專利中並未見有任何關於載子壽命值之相關數據或說明。
③綜上，系爭專利說明書內容係在敘述利用成核促進層以獲得較佳晶體品質之矽晶鑄錠製法及其結構，並與習知之矽晶鑄命就「晶向比例」、「晶粒尺寸」、「光電轉換效率」與「缺陷密度」數據進行比較（系爭專利說明書第7 至9 、12、13圖，偵續卷二第186 至188 、191 、192 頁），而系爭資料雖然亦提及矽晶鑄錠之相關分析數據或晶體評價項目，但其分析之對象、項目與數據均與系爭專利不同，系爭資料也未提及任何關於成核促進層之內容，故系爭專利與系爭資料之內容實質上並不相同，尚不可等同視之。
⒊依系爭鑑定報告亦無法認定「多晶矽晶棒」產品有使用到系爭資料所示F 製程之評價技術或技術內容：系爭鑑定報告係依系爭專利請求項1 、27及47與旭晶公司之「多晶矽晶棒」產品進行侵權比對。
而系爭專利請求項1 、27及47之內容如下：「1.一種多晶矽晶鑄錠，具有一底部以及一垂直方向，該多晶矽晶鑄錠包含：沿該垂直方向成長的多個矽晶粒，其中該多個矽晶粒之晶向包含3 種以上；
位在該底部之一成核促進層；
以及位在該底部上方之一底部區域；
其中該多個矽晶粒之平均晶粒尺寸由該底部區域沿該垂直方向遞增。」
、「27. 一種多晶矽晶鑄錠，具有一底部以及一垂直方向，該多晶矽晶鑄錠包含：沿該垂直方向成長的多個矽晶粒，其中該多個矽晶粒之晶向包含3 種以上；
位在該底部之一成核促進層；
以及位在該底部上之一底部區域；
其中在矽晶鑄錠高度約150mm 至約250mm 之間的一切片的缺陷密度小於約15% 。」
、「47. 一種多晶矽晶片，具有多個矽晶粒，該多個矽晶粒之晶向包含3 種以上，該多個矽晶粒之晶向至少包含{113} 與{115} ，其中具有{113} 與{115} 之多個矽晶粒所佔體積百分比介於約20% 至約35% 之間。」
由上可知，系爭專利請求項1 、27、47之內容係關於多晶矽晶鑄錠與多晶矽晶片之結構，意即旭晶公司之「多晶矽晶棒」如具有該些請求項所界定之結構，即落入其文義範圍而構成文義侵權。
然如前述，告證6 至16、54係關於抗折強度、載子壽命等之相關分析數據，因此縱使「多晶矽晶棒」構成系爭專利請求項1 、47之文義侵權，但由「多晶矽晶棒」之產品本身尚無從得知在製造前或製造過程中曾使用過哪些評價因素進行分析，遑論是否涉及告證6 至16、54之特定分析數據資訊，故由鑑定報告之鑑定結果無法遽以認定「多晶矽晶棒」有使用到系爭資料之評價技術或技術內容，更不足證明有落入與系爭資料非實質相同之系爭專利文義範圍。
⒋至證人○○○、○○○於偵查中雖另證述類單晶是追求單一晶體，是從一個單晶一直維持著大顆的晶粒長成晶錠，但F製程則相反，是透過很多小晶粒長成晶錠，是由小變大，從由小變大的過程中會把應力釋放掉，來減少晶錠的缺陷，故二者完全不同，而由旭晶公司的系爭評估表可看出其目的是在降低晶粒數，做出大晶粒產品，是在開發類單晶，與F 製程的小晶粒產品完全相反等語（偵續一卷第57頁反面至58頁、偵續卷二第53頁反面），參以系爭專利說明書第9 頁第4段「小尺寸矽晶粒也可以有效抑制缺陷密度的增率。
本發明之矽晶鑄錠1 其中央底部成長小尺寸晶粒( < 10mm )的機率較高…」（偵續卷二第168 頁），及第13頁第1 段「…A 鑄錠的長晶利用引入成核促進層直接提供矽熔湯密集的成核點，來大量降低大尺寸矽晶粒分佈比例…」（偵續卷二第172頁）等記載，而足認定告訴人之系爭專利之技術內容與系爭評估表乃為求增大晶粒尺寸之研發方向不同，惟查系爭專利之技術內容與被告寄送至私人郵件信箱之系爭資料並不實質相同，無法證明旭晶公司之「多晶矽晶棒」產品有使用系爭資料之技術或落入系爭專利範圍，均業如前述，是系爭專利之技術內容與本案被告有無洩露系爭資料之事實認定尚無直接影響，自仍難為不利被告之認定，附予敘明。
伍、綜上所述，公訴人所舉前開證據，尚不足以證明被告確有公訴意旨所指洩漏工商秘密之犯行，即無從使本院形成被告有罪之心證。
此外，復查無其他積極證據可佐，依前揭法條及說明，自應為被告無罪之判決。
原審未予詳查，遽就被告被訴上揭犯行予以論罪科刑，其認事用法尚有未洽，被告上訴意旨指摘原判決有所不當，求予撤銷改判，為有理由，應由本院撤銷原判決，改為無罪之諭知。
據上論斷，應依刑事訴訟法第369條第1項前段、第364條、第301條第1項，判決如主文。
本案經檢察官游忠霖起訴，檢察官孫冀薇到庭執行職務。
中 華 民 國 108 年 1 月 30 日
智慧財產法院第三庭
審判長法 官 蔡惠如
法 官 張銘晃
法 官 黃珮茹
以上正本證明與原本無異。
本件不得上訴。
中 華 民 國 108 年 2 月 11 日
書記官 鄭楚君
附表
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│編號│郵寄時間│ 名 稱 │
├──┼────┼────────────────────┤
│1 │106/2/2 │告證54：信件主旨交接報告.ppt │
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│2 │106/2/10│告證6：信件主旨「F/E/U製成晶片強度評估」│
│ │ │ 之郵件列印 │
├──┼────┼────────────────────┤
│3 │同上 │告證7：信件主旨「LD16＝1.40～1.38之LD18 │
│ │ │ 值」之郵件列印 │
├──┼────┼────────────────────┤
│4 │同上 │告證8：信件主旨4「A＋& A3＋Wafer LT分佈 │
│ │ │ 」之郵件列印 │
├──┼────┼────────────────────┤
│5 │同上 │告證9：信件主旨「E/U Proce00 EPD & eff相│
│ │ │ 關性」之郵件列印 │
├──┼────┼────────────────────┤
│6 │同上 │告證10：信件主旨「LD與Efficiency相關性」│
│ │ │ 之郵件列印 │
├──┼────┼────────────────────┤
│7 │同上 │告證11：信件主旨「抗折試驗－本質分析報告│
│ │ │ （帶入公式可消除面積及厚度差異）│
│ │ │ 」之郵件列印 │
├──┼────┼────────────────────┤
│8 │同上 │告證12：信件主旨「Ari0e失效晶片分析0204.│
│ │ │ ppt」之郵件列印 │
├──┼────┼────────────────────┤
│9 │同上 │告證13：信件主旨「Millinet失效晶片分析02│
│ │ │ 04.ppt」之郵件列印 │
├──┼────┼────────────────────┤
│10 │同上 │告證14：信件主旨「Grain 0ize與LD10/LD60 │
│ │ │ 相關性」之郵件列印 │
├──┼────┼────────────────────┤
│11 │同上 │告證15：信件主旨「缺陷面積與轉換效率相關│
│ │ │ 性」之郵件列印 │
├──┼────┼────────────────────┤
│12 │同上 │告證16：信件主旨「晶碇/晶棒之LD18與轉換 │
│ │ │ 效率之間相關性」之郵件列印 │
└──┴────┴────────────────────┘
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