智慧財產及商業法院民事-IPCV,102,民專訴,112,20161111,3

智慧財產法院民事判決
102年度民專訴字第112號
原 告 中國砂輪企業股份有限公司
法定代理人 林陳滿麗
訴訟代理人 盧柏岑律師
訴訟代理人 李彥群律師
訴訟代理人 黃麗蓉律師
複代理人 馮達發律師
被 告 宋健民
訴訟代理人 張澤平律師
訴訟代理人 林曉晴律師
訴訟代理人 吳明蒼律師
訴訟代理人 蘇妍旭律師
訴訟代理人 許樹欣律師
上列當事人間確認專利權等事件，本院於105 年10月4 日言詞辯論終結，判決如下：

主 文

一、被告應將附表一編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予原告。

二、被告就附表一編號2 至5 所示專利不得為處分、設定負擔、授權或為任何變更。

三、被告應給付原告新臺幣貳佰萬元，及自民國一百零二年八月十六日起至清償日止，按年息百分之五計算之利息。

四、原告其餘之訴駁回。

五、訴訟費用由被告負擔十分之六，餘由原告負擔。

六、本判決第三項於原告以新臺幣陸拾柒萬元或等值之第一商業銀行股份有限公司總行營業部無記名可轉讓定期存單為被告供擔保後，得假執行。

但被告如以新臺幣貳佰萬元為原告預供擔保，得免為假執行。

七、原告其餘假執行之聲請駁回。

事實及理由甲、程序方面：

壹、按依專利法、商標法、著作權法、光碟管理條例、營業秘密法、積體電路電路布局保護法、植物品種及種苗法或公平交易法所保護之智慧財產權益所生之第一審及第二審民事訴訟事件，暨其他依法律規定或經司法院指定由智慧財產法院管轄之民事事件，均由智慧財產法院管轄，智慧財產法院組織法第3條第1款、第4款及智慧財產案件審理法第7條分別定有明文。

本件係專利法所保護之智慧財產權益所生之第一審民事事件，符合智慧財產法院組織法第3條第1款規定，本院依法自有管轄權。

貳、次按訴之變更或追加，非經他造同意，不得為之，但請求之基礎事實同一者，或擴張或減縮應受判決事項之聲明者，不在此限，民事訴訟法第255條第1項第2款、第3款定有明文。

所謂請求之基礎事實同一，係指變更或追加之訴與原訴之主要爭點有其共同性，各請求利益之主張在社會生活上可認為同一或關連，而就原請求之訴訟及證據資料，於審理繼續進行在相當程度範圍內具有同一性或一體性，得期待於後請求之審理予以利用，俾先後兩請求在同一程序得加以解決，避免重複審理，進而為統一解決紛爭者即屬之（最高法院100 年度台抗字第716 號裁定參照）。

本件原告於起訴時訴之聲明第一、二項為：㈠確認附表1 編號1 至5 所示專利申請權及所有權屬原告所有。

㈡禁止被告就附表1 編號1 至5所示專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更。

嗣102 年11月13日準備㈠狀將訴之聲明第一項確認之訴變更為給付之訴，請求被告應將附表一編號1 至5 所示專利之專利權移轉登記予原告。

嗣因附表1 編號1 專利未獲准予專利權確定，原告乃撤回訴之聲明第一、二項關於附表1 編號1 專利之請求，揆諸前揭法條規定，原告上開訴之變更，請求之基礎事實為同一，僅變更或擴張應受判決事項之聲明，揆諸前揭說明，應予准許。

乙、原告主張：

壹、原告為附表一編號2 至5 專利（以下合稱系爭專利）之專利申請權及真正權利人，得請求被告將系爭專利之專利權移轉登記予原告：原告中國砂輪企業股份有限公司是我國上市公司，也是世界鑽石工具（用以研磨、切削）之領導廠商。

因被告自稱其具有研發製造鑽石工具之能力，兩造乃於85年10月28日簽訂英文版「Joint Venture Agreement 」（原證1 ），延攬被告為原告研發製造鑽石工具之相關技術（下稱「他案合作案」），原告並與被告簽訂工作契約（原證2 ）、聘任合約書（原證3 ）。

為維持鑽石工具技術在全球的領導地位，除委聘被告外，原告經年持續進行產學合作，資助或委託學界開發新技術。

96年至98年間，原告出資委託中華大學陳○○教授開發相關鑽石工具新技術，包括：96年簽署「化學機械拋光（CMP）的延伸技術」研究案，經費新臺幣（下同）74萬元；

97年度簽署「次世代鑽石修整器研製及技術開發」研究案，經費76萬元；

98年度簽署「鑽石碟新產品開發」研究案，經費76萬元（原證4 至6 ，以下合稱系爭產學合作契約）。

系爭產學合作案產生之技術成果，即採用機械力結合方式製作之「組合式鑽石碟」（Brazed Organic Diamond Disk ；

以下簡稱「BODD」），至少產生包含附表一所示5 件專利在內之7 件專利（原證7 ）。

因上開委託研究案屬鑽石工具製造技術，原告委由被告代表原告聯繫監督委託研究案。

依系爭產學合作契約，委託研究案所生之智慧財產歸屬於原告（原證4 、6 、8 、9 ）。

詎被告不僅未向原告呈送系爭委託研究案之成果報告，反利用職權勸誘陳○○教授，將委託研究案所生之專利，以被告自己名義申請登記為發明人或共同發明人，不法據為己有，被告再向原告謊稱此等專利為「他案合作案」所生，藉此向原告詐取專利申請維護費用及權利金。

惟系爭專利均是原告與中華大學陳○○教授間產學合作契約之研發成果，原告始為系爭專利之專利申請權及專利權之真正權利人，為此，原告得依民法第184條第1項、第544條、第227條、第213條第1項、第179條等規定，請求被告將附表一編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予原告。

貳、原告就附表一編號2 至5 所示之專利權，對被告有「防止侵害請求權」：按專利權為準物權，具有類似民法第767條所有權人禁止侵害、排除侵害及防止侵害之權能（附件8 至12）。

系爭專利均是原告與中華大學間產學合作契約之研發成果，原告始為系爭專利之專利申請權及專利權之真正權利人，在被告將系爭專利移轉登記予原告之前，原告依民法第767條、專利法第96條第1項等規定，有權禁止被告就系爭專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更。

被告辯稱系爭專利屬於「他案合作案」所生之專利，並不可採，惟縱如被告所辯（原告仍否認之），原告基於他案合作案對被告之「專利移轉請求權」、「契約上不作為請求權」，及由原告就系爭專利「三分之二所有權」之防止侵害請求權等權利，亦有權禁止被告就系爭專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更。

參、被告違反競業禁止及保密義務，原告得依「聘任合約書」第19條 第2項約定，請求被告給付懲罰性違約金暨利息：

一、兩造間之「聘任合約書」（原證3 ）第15條約定：「競業禁止：非經乙方（即原告）書面同意，甲方（即被告）不得為下列行為：（一）甲方以其自己或他人名義經營與乙方業務性質相類似之公司或商號等營業機構，或投資前述事業資本額或已發行股份總數百分之五以上。

（二）為與乙方業務、或營業、研發目標相同或類似之公司…之受僱人、受任人、代理人、承攬人或顧問。

…」。

第10條約定：「機密資訊：本合約所稱之機密資訊，係指甲方（即被告）於聘任期間，所取得、創作、開發、收集或知悉（不論是否與其職務有關）之乙方（即原告）…之資訊，且該資訊係指非一般涉及該類資訊之人所知悉，乙方（即原告）並已對其採取合理之保密措施者。

前述機密資訊包括但不限於商業上、技術上或生產上之概念…資料…文件…研究…機器裝置…模具或其他設備以及專門技術（Know-How）…等。」

、第11條約定：「保密義務：甲方（即被告）同意對其聘任期間所知悉或持有之前條機密資訊負保密義務…且非經乙方（即原告）書面同意，甲方不得…以任何方式將其洩漏、告知、交付或使他人得以知悉、轉移他人或對外發表。

本條保密約定於本合約終止或解除後仍然有效」。

第19條第2項約定：「甲方（即被告）如違反保密、禁止競業、禁止行索賄之規定，除依前項規定外，乙方（即原告）並得另行請求相當於所給付甲方報酬總數（包含歷年薪資、以請求當日市價計算之歷年紅利、獎金等）之懲罰性賠償金」。

二、被告自98年3 月2 日起成為中國深圳○○微電子技術有限公司（下稱○○公司）持股60% 之股東及董事長（原證17），與原告競業，已違反「聘任合約書」第15條之「競業禁止」約定。

又，被告將原告BODD之設計、測試及結果等營業秘密不法洩漏給○○公司、美國○○公司及其他第三人，另於101 年8 月14日帶領美國應用材料公司（A○○○○○○ ○○○○○○○○○Inc.，下稱美國○○公司）進入原告「鑽石事業部」高度機密之管制場所（原證12、69），洩漏原告鑽石碟產線QC檢驗之營業秘密，已違反「聘任合約書」第11條之「保密義務」約定。

原告得依「聘任合約書」第19條第2項，請求被告給付98年4 月至102 年7 月間所支付予被告之薪資、顧問費共10,683,966元之懲罰性違約金（見準備九狀第7-8 頁及後附更正附表2 、原證60-1至60-4），及自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息。

肆、並聲明：

一、被告應將附表一編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予原告。

二、禁止被告就附表一編號2 至5 所示專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更。

三、被告應給付原告1068萬3966元，及自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息。

四、第一項及前項聲明，原告願以現金或等值之第一商業銀行股份有限公司總行營業部無記名可轉讓定期存單或銀行保證書供擔保，請准宣告假執行。

五、訴訟費用由被告負擔。丙、被告抗辯：

壹、原告訴之聲明第一項，請求被告將附表一編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予原告，並無理由：原告並未舉證證明系爭專利係由原告與中華大學96、98年度產學合作計畫所衍生，自無從主張其依據委託研究案合約書之約定有系爭專利之專利權。

何況97年產業學術合作委託合約書（原證5 ），並無任何專利歸屬之約定，原告更無從因97 年 產學合作計畫之結案報告，主張任何專利申請權或專利權。

原告之民事準備（四）狀提出系爭專利之獨立項及附屬項，與中華大學產學合作計畫比對結果，有諸多不實與有誤之處，被告已臚列並詳細說明並就原告比對結果之爭執點整理如答辯六、七狀。

綜觀原告之比對，非但避重就輕，且所稱對應項目皆乃斷章取義、恣意解釋之結果，殊無足採，益證系爭專利確非衍生自中華大學產學合作計畫。

系爭專利申請範圍所載之技術特徵，與被告先前個人專利相比對，二者皆有相同或相關之概念（詳見被告102 年12 月12 日民事答辯㈢及民事答辯㈣狀），故系爭專利乃源自於被告之先前個人專利技術，被告就系爭專利申請範圍所載之技術特徵，確有實質貢獻，自得列為共同發明人。

另依被證37至被證39之內容，與上開事證相符，益證系爭專利確由被告提供相關技術知識研發而成，被告為系爭專利之共同發明人，並無不當。

貳、原告訴之聲明第2項，請求禁止被告就附表所示專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更，並無理由：按物權法定主義，專利權既非民法上之所有權或其他物權；

專利法亦未規定專利權視為物權，準用民法關於物權之規定，專利權人自無從依據民法第767條第2項之規定，主張準用該條第1項防止侵害請求權，乃屬當然，是原告主張得適用或類推適用民法第767條第1項之規定，請求禁止被告處分、設定負擔、授權或變更系爭專利，洵屬無據。

且系爭專利並非衍生自中華大學產學合作案，而屬兩造間他案合作案，原告就他案合作案之專利並無專利移轉請求權及契約上不作為請求權，詳如被告102 年12月12日民事爭點整理狀之說明。

參、原告無從依「聘任合約書」第19條第2項，請求被告給付其所稱之違約金：

一、原告主張被告違反競業禁止義務部分：被告擔任○○公司之董事長，係為執行兩造合資事業之對外合作案，經原告指示且同意，且有利於原告，有被告行文給原告之簽呈（被證18），及98年4 月1 日被告行文給原告之簽呈（原證17），及兩造簽署之備忘錄（一）前言（被證4），足資為證。

○○公司合作案，確為原告所指示且同意，故相關過程被告皆以簽呈報告之，嗣後亦有如上述備忘錄之簽署，以調整兩造之合作關係；

且衡諸常理，如被告確有私下經營其他事業以損害原告利益之情事，豈有自始至終皆將相關細節向原告報告、雙方並就此簽訂合約之理。

準此，○○公司合作案既經原告書面同意，被告擔任該公司董事長，自無違反聘任合約書第15條競業禁止之約定，原告所稱未經其同意云云，純屬虛言。

再者，93年10月30日「聘任合約」書末端即載明：「本聘任合約書只適用於附件正式合約書內未規範事項，附件為有效的正式合約。

附件A ：JointVenture Agreement 、附件B ：Joint Venture Agreement中文版」（原證3 第2 頁）；

96年12月13日「聘任合約」書末端亦有相同記載（原證3 第5 頁），是聘任合約書不適用於雙方合資事業，兩造已有明文約定；

且被告99年4 月30日離職申請單，注意事項中關於競業禁止之規定亦經雙方合意刪除，並以文字書寫更正為「依JV規定辦理」（原證3 第6頁），益證競業禁止條款不適用於兩造合資事業，實屬明確。

二、原告主張被告違反保密義務部分：㈠兩造已於99年4 月30日離職申請單，合意解除被告原聘任合約中之商業機密保密義務（原證3 第6 頁），本件原告於民事準備（18）狀指摘被告有侵害營業秘密之行為，均在99年4 月之後，原告即無從依聘任合約第10條、第11條主張被告行為違反聘任合約之條款。

㈡營業秘密法第2條規定，得作為該法保護對象之營業秘密，須具有秘密性（非一般涉及該類資訊之人所知）、經濟價值（因其秘密性而具有實際或潛在之經濟價值）、保密措施（所有人已採取合理之保密措施），且可用於生產、銷售或經營之資訊，始足稱之。

原告於民事準備（18）狀所指摘之被告侵害營業秘密之資料，不符合上開要件。

被告與○○合作之事，雙方早已記載於99年1 月7 日簽署之備忘錄（被證4），原告早已同意；

鑽石科技中心向來與美國○○公司就技術事項之合作事宜，亦向來為原告主管胡紹中所知悉並同意（被證63、64），原告之指摘本屬無稽。

尤有甚者，原告主張之BODD技術之結構及製程，早經被告申請專利後公開於各期刊，原告竟仍主張BODD技術為其營業秘密，更屬荒唐。

又原告企圖將被告排除於合資事業外，於101 年8 月4 日片面更換門鎖、取消被告識別證之感應，以阻擋被告至合資事業生產部門，卻反而誣陷被告侵害營業秘密，實不足取。

且被告行為亦並不具備營業秘密法之「故意或過失」之要件。

㈢原告知悉該其主張之營業秘密資料業經被告使用，並公開於期刊後之2 年內，均未曾就該等相同之資料或相同之行為類型，主張被告有侵害其營業秘密，原告之請求權顯已罹於2年之消滅時效。

肆、並聲明：

一、原告之訴及假執行之聲請均駁回。

二、訴訟費用由原告負擔。

三、如受不利判決，願供擔保請准宣告免為假執行。丁、本件兩造不爭執事項：

壹、兩造於85年10月28日簽訂英文版JV契約（原證1 ），另於91年8 月21日簽訂中文版JV契約（被證2 ），嗣於97年10 月15日簽訂JV增補條款（被證3 ），99年1 月7 日簽訂備忘錄（被證4 ），99年5 月1 日簽訂備忘錄（二）（被證5 ），100 年1 月21日簽訂備忘錄（三）（被證6 ）。

又兩造另簽訂工作契約（原證2 ）及聘任合約書（原證3 ），聘任被告為原告公司人員，嗣被告於99年4 月30日申請離職，轉任為原告公司技術顧問（見本院卷㈠第21頁反面）。

貳、被告代表原告與中華大學於96、97、98年分別簽訂產業學術合作委託合約書（原證4 、原證5 、原證6 ）。

參、附表一編號2 、3 由被告提出申請（被告與訴外人陳○○共同列為發明人），附表一編號4 、5 為被告與訴外人陳○○共同提出申請（被告與訴外人陳○○共同列為發明人），均經核准在案，被告為附表一編號2 、3 登記之專利權人，被告及陳○○為為附表一編號4 、5登記之專利權人。

肆、被告自98年3 月2 日擔任○○公司之董事長。

伍、被告於101 年8 月14日帶領美國○○公司人員進入原告鑽石事業部。

戊、兩造間之爭點：

壹、原告請求被告將附表一編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予原告，有無理由？

貳、原告請求禁止被告就附表一編號2 至5 所示專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更，有無理由？

參、原告請求被告給付違反競業禁止義務及洩漏營業秘密之違約金1068萬3966元，及自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息，有無理由？己、本院之判斷：

壹、原告請求被告將附表一編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予原告，有無理由？

一、原告委託中華大學之96、97、98年度產學合作契約，該研發成果之智慧財產權，應歸屬原告所有：經查，原告於96年至98年間，出資委託中華大學開發相關鑽石工具新技術，包括：96年簽署「化學機械拋光（CMP ）的延伸技術」研究案，經費74萬元；

97年度簽署「次世代鑽石修整器研製及技術開發」研究案，經費76萬元；

98年度簽署「鑽石碟新產品開發」研究案，經費76萬元等情，業據原告提出96、97、98年度委託合約書及研究費轉帳傳票（原證4至6 ），及該研究計畫主要負責人陳○○教授101 年8 月31日、101 年9 月27日訪談記錄（原證8 、9 ）為證。

按「一方出資聘請他人從事研究開發者，其專利申請權及專利權之歸屬依雙方契約約定」，專利法第7條第3項定有明文。

又專利法並未規定該約定須以書面為之，故只要出資人及受聘人雙方合意，契約即可成立。

查96年度、98年度委託合約書第7條約定：「本計畫所衍生之智慧財產權及專利為甲方（即原告）所有，專利權得由甲方及乙方主持人（即陳○○教授）、共同主持人共同具名申請之」。

97年度委託合約書雖未明載專利權歸屬，惟依陳○○教授2012年8 月31日訪談記錄之陳述：「96年的部分成果申請了I342248 及研發合約書上的第二個專利（I369270 ）〔即附表一編號2 之專利〕，97 年 的研究成果申請I369271 〔即附表一編號3 之專利〕及公開號000000000 〔即附表編號1 之專利〕。

並將I369271 的概念申請中砂98年的研究計畫」；

「我認為宋博士是代表中砂，學校是跟中砂訂約」；

「委託合約書已載明專利是企業的，雖先申請專利，次一年度再寫研究計畫申請經費，我個人認為專利是一年計畫的延伸，三年度的計畫彼此之間有延續性，依合約書是屬於中砂的」（原證8 第2 、3 頁）。

及陳○○教授2012年9 月27日訪談記錄之陳述：「（問：您與宋健民博士共同申請之二件BODD專利（98.04 月申請號：第98113256號、公開號：第201038 362號〔即附表一編號4 之專利〕），及98.10 月申請號：第98136436號、公開號第201100198 號〔即附表一編號5 之專利〕）跟中砂補助中華大學3 年研究計畫之關連性？）從技術延伸觀點而言確實是相關連的，沒有前面的技術不會延伸出98年的BODD。

宋先生要我轉讓的四個專利依計畫的經費來源及簽約對象實應歸屬中砂的，且上述兩個BODD的專利屬於前項計畫技術的延伸發展，應該也是屬於中砂的，從專利的概念、背景、圖等可以和研究成果互相參考」（原證9 ），足認陳○○教授已肯認97年度委託研究案為96年度研究案之延伸。

另證人陳○○於本院104 年8 月24日審理時，亦到庭具結證稱：「（問：原證8 第2 頁最上方段落，96年研究成果申請系爭專利2 、97年研究成果申請系爭專利3 ，原證9 第1 頁，系爭專利4、5 從技術延伸觀點是跟中華大學產學合作案相關，這些敘述是否屬實？）所有的技術都有相關，所有專利都是有因果關係，是為了改善前一個產品的缺點，才會研究下一個產品的技術」。

「（問：本件兩造所爭執者在於系爭專利2 至5之技術內容，是否源自於96、97、98年中華大學產學合作計畫中，已經存在或發想的技術？）所有的計畫都是向原告公司申請之後，去執行計畫，為了改善產品的缺點，我們會去尋找各種專利或其他技術，申請新的專利，這幾個系爭專利與產學合作計畫內容都是有相關的」，證人陳○○上開證述內容，與101 年8 月31日、101 年9 月27日訪談記錄相符，足認附表一編號2 至5 之專利確係原告委託中華大學96、97、98年度產學合作契約所產出之研發成果，該研發成果之智慧財產權依96、98年度委託合約書之明文約定，應歸屬原告所有，至於97年度之委託合約書雖漏未載明，惟三個年度之委託研究計畫彼此之間具有延續性，且均由原告公司出資委託中華大學開發CMP 鑽石工具之相關技術，足認委託合約書當事人間就97年度研究計書所生之智慧財產權及專利，亦應合意由原告公司取得。

二、被告雖辯稱：系爭專利申請範圍所載之技術特徵，與中華大學產學合作計畫之技術並不相同，系爭專利乃源自於被告之先前個人專利技術，被告就系爭專利申請範圍所載之技術特徵，確有實質貢獻，自得列為共同發明人云云。

經查，被告係具有研發鑽石工具技術之人，原告始會與被告訂立JV合約，由原告提供資金、人員、設備等資源，被告提供其「專屬技術」，共同開發鑽石工具，此即他案合作案之由來，由於被告長年研究CMP 鑽石碟相關技術，故被告可提出諸多其所申請之CMP 鑽石碟有關專利案，然而，被告與原告之他案合作案，係在原告公司內部成立鑽石科技中心（DTC ），由被告提供其所有之專屬技術，配合原告公司提供之資源進行研發，本件所爭執者，係原告出資委託外部第三者即中華大學進行之產學合作案，依原告與中華大學之產學合作契約之法律關係，產學合作計畫所衍生之智慧財產權歸原告所有，從而，如果系爭專利之技術內容已揭露於產學合作案之結案報告中，或雖未明白揭示，但可由先前技術及結案報告所教示之內容所產生，即足以證明系爭專利與系爭產學合作計畫之研發成果之間的關連性，依系爭產學合作契約之約定，系爭專利即應由原告取得，被告不得再主張系爭專利係源自於被告先前之專利技術，本院玆就系爭專利各請求項，與中華大學產學合作計畫結案報告之技術內容，比對如後。

三、系爭專利之技術內容：㈠系爭專利2：⑴系爭專利2 揭露一種研磨工具，包括多數個磨粒、一固定模具、一基板及一結合劑層所組成；

固定模具的多數個孔分別容置多數個磨粒；

磨粒的第一端及第二端分別置於固定模具的下方及上方；

基板的第一端面分別抵靠多數個磨粒的第二端；

結合劑層結合多數個磨粒、固定模具及基板；

磨粒的第二端為研磨端；

結合劑層隱藏於固定模具內側，因此在研磨過程中較不會接觸液體而被腐蝕，利用固定模具結合磨粒，方便控制磨粒的排列圖案、間距及露出高度，並可以更穩固的固定磨粒，使磨粒較不會在研磨加工中脫落。

（摘自系爭專利2 摘要）⑵系爭專利2 所欲解決的技術問題為：利用孔洞容置磨料顆粒的技術，只能使磨料顆粒被定位於特定位置，並不能使磨料顆粒的尖端朝上且具有相同的突出量，且不能利用孔洞本身的形狀來限制磨料顆粒，使磨料顆粒被定位後即難以轉動。

（摘自系爭專利2 說明書第6 頁）⑶系爭專利2 所欲達成的主要目的為：在提供一種研磨工具及其製法，使用固定模具固定磨粒，方便控制磨粒的排列圖案、間距及露出高度。

（摘自系爭專利2 說明書第5頁）。

⑷系爭專利2 解決先前問題所使用之技術手段，包括如下步驟：包括如下步驟：（a ）使多數個磨粒的第一端分別穿過一固定模具的多數個孔抵靠於一基準平台的多數個凹槽的底端，多數個磨粒的第二端分別置於固定模具的上方，其中固定模具疊置於基準平台的上方；

（b ）使一基板的第一端面分別抵靠多數個磨粒的第二端，基板與固定模具之間有一間隙；

（c ）使結合劑流佈於間隙內形成一結合劑層，結合劑層結合多數個磨粒、固定模具的上端面及基板的第一端面，使多數個磨粒、固定模具、結合劑層及基板結合一體；

其中使結合劑流佈於間隙內的技術包括如下步驟（c1）至（c3）：（c1）將組合好的多數個磨粒、固定模具、基準平台及基板放置於一密封模具內；

（c2）使密封模具相對的一第一連通部及一第二連通部分別抽出密封模具內的空氣及將結合劑輸入密封模具內，使結合劑流佈於間隙內形成一結合劑層；

（c3）將多數個磨粒、固定模具、基板、結合劑層及基準平台與密封模具分離；

（d）將結合一體的多數個磨粒、固定模具、結合劑層及基板與基準平台分離；

多數個磨粒、固定模具及基板即形成本發明第一實施例的研磨工具，即一修整刀具。

（摘自系爭專利2 說明書第5,6 頁）。

⑸系爭專利2 相較於先前技術所達成的功效在於：本發明的研磨工具及其製法，利用固定模具結合磨粒，方便控制磨粒的排列圖案、間距及露出高度，也可以更穩固的固定磨粒，使磨粒較不會在研磨加工中脫落。

又使磨粒的結合劑層有一層固定模具的保護，較不會在研磨過程中接觸液體被腐蝕而失去固定磨粒的效果。

（摘自系爭專利2 說明書第10頁）⑹系爭專利2之主要圖式如附圖一所示。

⑺系爭專利2申請專利範圍分析：系爭專利2 請求項共計32項，其中第1項為獨立項，依本院103 年2 月27日筆錄、被告103 年3 月10日陳報狀及103 年6 月24日筆錄主張爭執的請求項整理如下：①第1項：一種研磨工具的製法，包括如下步驟：（1 ）使多數個磨粒的一第一端分別穿過一固定模具的多數個孔抵靠於一基準平台的多數個凹槽的底端；

該多數個磨粒的一第二端分別置於該固定模具的上方；

（2 ）使結合劑流佈於該固定模具的上端面且結合該多數個磨粒的第二端形成一結合劑層，使該多數個磨粒、該固定模具及該結合劑層結合一體；

其中使該結合劑流佈於該間隙內的技術包括如下步驟：（a ）將組合好的該多數個磨粒、該固定模具及該基準平台放置於一密封模具內；

（b ）使該密封模具相對的一第一連通部及一第二連通部分別抽出該密封模具內的空氣及將結合劑輸入密封模具內，使該結合劑流佈於該固定模具的上端面且結合該多數個磨粒的第二端形成該結合劑層；

（c ）將該多數個磨粒、該固定模具、該結合劑層及該基準平台與該密封模具分離；

（3 ）分離該基準平台與結合一體的該多數個磨粒、該固定模具及該結合劑層；

結合一體的該多數個磨粒、該固定模具及該結合劑層即形成一修整刀具。

②第2項：如申請專利範圍第1項所述之研磨工具的製法，其中該結合劑層的厚度高於該多數個磨粒的第二端。

③第7項：如申請專利範圍第1 至6 項中任一項所述之研磨工具的製法，進一步包括使該固定模具脫離該結合劑層。

④第8項：如申請專利範圍第1項所述之研磨工具的製法，其中該步驟（1 ）、（2 ）之間進一步包括如下步驟：使一基板的第一端面分別抵靠該多數個磨粒的一第二端，該基板與該固定模具之間有一間隙；

其中該步驟（a ）進一步包括使該基板放置於該密封模具內；

該步驟（b ）進一步包括使該結合劑流佈於該間隙內形成該結合劑層，該結合劑層結合該基板；

該步驟（c ）進一步包括使該基板與該密封模具分離。

⑤第9項：如申請專利範圍第8項所述之研磨工具的製法，其中該第一連通部及該第二連通部分別連接一真空泵及一裝有該結合劑的容器，俾當該真空泵啟動時，使該結合劑填充滿整個該間隙。

⑥第10項：如申請專利範圍第9項所述之研磨工具的製法，其中該容器內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性。

⑦第11項：如申請專利範圍第10項所述之研磨工具的製法，其中該密封模具內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性。

⑧第12項：如申請專利範圍第11項所述之研磨工具的製法，其中該基板及該固定模具係經潤濕處理，俾使該基板及該固定模具更有效的結合該結合劑。

⑨第13項：如申請專利範圍第12項所述之研磨工具的製法，其中該密封模具的該第一連通部及該第二連通部分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及該結合劑的流動速率。

⑩第14項：如申請專利範圍第13項所述之研磨工具的製法，其中該第一連通部及該第二連通部靠近該間隙的一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止該結合劑流入該間隙內時產生紊流，避免造成該結合劑不均勻的分佈於該間隙內。

⑪第15項：如申請專利範圍第8 至14項中任一項所述之研磨工具的製法，其中該磨粒的材料為選自人造鑽石、非人造鑽石、多○○石、立方晶氮化硼、多晶立方氮化硼、最硬結晶體、多晶材料及上述材料的混合材料其中之一者。

⑫第16項：如申請專利範圍第15項所述之研磨工具的製法，其中該固定模具的材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料的混合物及焊接合金材料其中之一者。

⑬第17項：如申請專利範圍第16項所述之研磨工具的製法，其中該結合劑層的材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料的混合物及焊接合金材料其中之一者。

⑭第18項：如申請專利範圍第17項所述之研磨工具的製法，其中該固定模具的材料為不銹鋼。

⑮第19項：如申請專利範圍第18項所述之研磨工具的製法，其中該基板的材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料的混合物及焊接合金材料其中之一者。

⑯第20項：如申請專利範圍第19項所述之研磨工具的製法，進一步包括使該固定模具脫離該結合劑層。

⑰第21項：如申請專利範圍第第1 至6 項中任一項所述之研磨工具的製法，其中該第一連通部及該第二連通部分別連接一真空泵及一裝有該結合劑的容器，俾當該真空泵啟動時，使該結合劑填充滿整個該間隙。

⑱第22項：如申請專利範圍第21項所述之研磨工具的製法，其中該容器內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性。

⑲第23項：如申請專利範圍第22項所述之研磨工具的製法，其中該密封模具內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性。

⑳第24項：如申請專利範圍第23項所述之研磨工具的製法，其中該基板及該固定模具係經潤濕處理，俾使該基板及該固定模具更有效的結合該結合劑。

㉑第25項：如申請專利範圍第24項所述之研磨工具的製法，其中該密封模具的該第一連通部及該第二連通部分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及該結合劑的流動速率。

㉒第26項：如申請專利範圍第25項所述之研磨工具的製法，其中該第一連通部及該第二連通部靠近該間隙的一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止該結合劑流入該間隙內時產生紊流，避免造成該結合劑不均勻的分佈於該間隙內。

㉓第27項：如申請專利範圍第第7項所述之研磨工具的製法，其中該第一連通部及該第二連通部分別連接一真空泵及一裝有該結合劑的容器，俾當該真空泵啟動時，使該結合劑填充滿整個該間隙。

㉔第28項：如申請專利範圍第27項所述之研磨工具的製法，其中該容器內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性。

㉕第29項：如申請專利範圍第28項所述之研磨工具的製法，其中該密封模具內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性。

㉖第30項：如申請專利範圍第29項所述之研磨工具的製法，其中該基板及該固定模具係經潤濕處理，俾使該基板及該固定模具更有效的結合該結合劑。

㉗第31項：如申請專利範圍第30項所述之研磨工具的製法，其中該密封模具的該第一連通部及該第二連通部分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及該結合劑的流動速率。

㉘第32項：如申請專利範圍第31項所述之研磨工具的製法，其中該第一連通部及該第二連通部靠近該間隙的一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止該結合劑流入該間隙內時產生紊流，避免造成該結合劑不均勻的分佈於該間隙內。

㈡系爭專利3：⑴系爭專利3 揭露一種拋光墊修整器，包括一基座、至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒；

該基座支撐及固定結合該至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒；

該至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒的頂端分別突出該基座的頂端；

利用超硬材料顆粒可以切割拋光墊，利用CVD 鑽石刀片不僅可以切割拋光墊，也可以掃除堆積在拋光墊上的? 光碎屑，可提升CMP 修整器的移除材料效率及節省CMP 修整器的製造成本。

（摘自系爭專利3 摘要）。

⑵系爭專利3 所欲達成的主要目的為：在提供一種拋光墊修整器，利用至少一片CVD 鑽石刀片或進一步與一般傳統的單○○石等超硬材料顆粒（Grit）及PCD 鑽石刀片混合排列，以提升CMP 修整器的移除材料效率（摘自系爭專利1說明書第6 頁）。

⑶系爭專利3 所欲解決的技術問題為：目前的CMP 修整器多為單○○石的分佈排列，或是多晶的鑽石（Polycrystalline Diamond ，PCD 鑽石）切割排列，或是在基材上形成鑽石層，或是傳統的尼龍刷子。

這些鑽石修整器各有利弊，傳統的單○○石修整器的材料移除率低，無法迅速的將CMP 拋光墊上的堆積物移除，但是單○○石的耐磨性佳，壽命長；

而多○○石（PCD 鑽石，CVD 鑽石）修整器因具有較多的切刃，切削軟材料（拋光墊）的速度較快，但相對於單○○石而言，不耐磨耗，壽命較短，且成本較高。

PCD 鑽石的成本比CVD 鑽石的成本更高。

（摘自系爭專利3 說明書第5,6 頁）⑷系爭專利3 解決先前問題所使用之技術手段，是將至少一片CVD 鑽石片或與單○○石等超硬材料顆粒、PCD 鑽石片混合排列，並配合各種CMP 拋光墊的軟硬特性及所需的切削速率、使用壽命及製造成本，分別調整CVD 鑽石片、單○○石等超硬材料顆粒及PCD 鑽石片的數量及排列形狀。

例如需要較長的使用壽命時，可使用較多的超硬材料顆粒；

需要較快的切削速率時，可使用較多片的CVD 鑽石片，或是全部是CVD 鑽石片；

需要更快的切削速率且允許較高的製造成本時，可再增加PCD 鑽石片的數量。

（摘自系爭專利3 說明書第7 頁）⑸系爭專利3 相較於先前技術所達成的功效在於：利用較少面積的由整片CVD 鑽石片切割的CVD 鑽石刀片，並使CVD鑽石刀片與一般傳統的單○○石等超硬材料顆粒或PCD 鑽石刀片混合排列，除了具有單○○石等超硬材料顆粒耐磨性佳及使用壽命長的特性外，並利用CVD 鑽石刀片提升CMP 修整器的移除材料效率，同時因不需使用較貴的整片CVD 鑽石片而可節省CMP 修整器的製造成本。

（摘自系爭專利3 說明書第12頁）。

⑹系爭專利3 之主要圖式如附圖二所示。

⑺系爭專利3申請專利範圍分析：依申請時之系爭專利3 申請專利範圍請求項共計36項，其中第1項為獨立項，依103 年2 月27日筆錄及被告103 年3 月10日陳報狀主張爭執的請求項整理如下：①第1項：一種拋光墊修整器，用以修整CMP 拋光墊者，包括：一基座；

至少一CVD 鑽石刀片；

其中，該基座支撐及固定結合該至少一CVD 鑽石刀片；

該至少一CVD 鑽石刀片突出該基座；

其中該基座支撐及固定結合多個超硬材料顆粒；

該多個超硬材料顆粒分別突出該基座；

該至少一CVD 鑽石刀片及該多個超硬材料顆粒分別突出該基座的突出量相等。

②第3項：如申請專利範圍第1項所述之拋光墊修整器，其中該基座包括一基板及一結合劑層；

該至少一CVD 鑽石刀片的一端分別接觸該基板；

該基板、該至少一CVD鑽石刀片藉由該結合劑層結合一體。

③第4項：如申請專利範圍第3項所述之拋光墊修整器，其中該基座包括一固定模具；

該固定模具具有至少一第一孔；

該至少一CVD 鑽石刀片的一端分別穿過該至少一第一孔接觸該基板；

該結合劑層置於該基板及該固定模具之間；

該結合劑層固定結合該固定模具。

④第6項：如申請專利範圍第1項所述之拋光墊修整器，其中該基座包括一基板及一結合劑層；

該至少一CVD 鑽石刀片及該多個超硬材料顆粒的一端分別接觸該基板；

該基板、該至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒藉由該結合劑層結合一體。

⑤第7項：如申請專利範圍第6項所述之拋光墊修整器，其中該基座包括一固定模具；

該固定模具具有至少一第一孔及多個第二孔；

該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒的一端分別穿過該至少一第一孔、該多個第二孔接觸該基板；

該結合劑層置於該基板及該固定模具之間；

該結合劑層固定結合該固定模具。

⑥第9項：如申請專利範圍第1項所述之拋光墊修整器，其中該基座支撐及固定結合至少一PCD 鑽石刀片；

該至少一PCD 鑽石刀片突出該基座。

⑦第10項：如申請專利範圍第9項所述之拋光墊修整器，其中該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒及該至少一PCD 鑽石刀片分別突出該基座的突出量相等。

⑧第12項：如申請專利範圍第9項所述之拋光墊修整器，其中該基座包括一基板及一結合劑層；

該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒及該至少一PCD 鑽石刀片的一端分別接觸該基板；

該基板、該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒及該至少一PCD 鑽石刀片藉由該結合劑層結合一體。

⑨第13項：如申請專利範圍第12項所述之拋光墊修整器，其中該基座包括一固定模具；

該固定模具具有至少一第一孔、多個第二孔及至少一第三孔；

該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒及該至少一PCD 鑽石刀片的一端分別穿過該至少一第一孔、該多個第二孔及該至少一第三孔接觸該基板；

該結合劑層置於該基板及該固定模具之間；

該結合劑層固定結合該固定模具。

⑩第18項：如申請專利範圍第1項所述之拋光墊修整器，其中該基座包括一基板及一固定模具；

該固定模具具有至少一第一孔及多個第二孔；

該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒的一端分別穿過該至少一第一孔、該多個第二孔結合該基板；

該基板固定結合該固定模具。

⑪第20項：如申請專利範圍第9項所述之拋光墊修整器，其中該基座包括一基板及一固定模具；

該固定模具具有至少一第一孔、多個第二孔及至少一第三孔；

該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒及該至少一PCD 鑽石刀片的一端分別穿過該至少一第一孔、該多個第二孔及該至少一第三孔結合該基板；

該基板固定結合該固定模具。

⑫第27項：如申請專利範圍第26項所述之拋光墊修整器，其中該固定模具的材料為選自金屬、金屬合金、有機聚合物、陶瓷材料、碳材料玻璃材料、上述材料的混合物其中之一者。

⑬第28項：如申請專利範圍第7項所述之拋光墊修整器，其中該CVD 鑽石刀片是含硼的導電CVD 鑽石刀片。

⑭第29項：如申請專利範圍第1項至第5項及第6項至第27項 中任一項所述之拋光墊修整器，其中該CVD 鑽石刀片是含硼的導電CVD 鑽石刀片。

⑮第30項：如申請專利範圍第1項至第28項中任一項所述之拋光墊修整器，其中該多個超硬材料顆粒為選自人造鑽石顆粒、非人造鑽石顆粒、立方晶氮化硼顆粒、多晶立方氮化硼顆粒、最硬結晶體顆粒及上述顆粒的混合其中之一者。

⑯第33項：如申請專利範圍第30項所述之拋光墊修整器，包括多片CVD 鑽石刀片；

該多片CVD 鑽石刀片的形狀呈相同的長條形；

該多片CVD 鑽石刀片等間隔且呈對稱性的排列成圓形，該多片CVD 鑽石刀片的排列方向朝向圓心；

該多個超硬材料顆粒排列於該多片CVD 鑽石刀片之間。

⑰第34項：如申請專利範圍第30項所述之拋光墊修整器，包括多片CVD 鑽石刀片；

該多片CVD 鑽石刀片的形狀呈相同的長條形；

該多片CVD 鑽石刀片等間隔且呈對稱性的排列成多邊形；

該多個超硬材料顆粒排列於該多片CVD 鑽石刀片之間。

⑱第35項：如申請專利範圍第30項所述之拋光墊修整器，包括多片CVD 鑽石刀片；

該多片CVD 鑽石刀片的形狀呈相同的長條形；

該多片CVD 鑽石刀片等間隔的排列成圓形，該多片CVD 鑽石刀片的排列方向偏離圓心；

該多個超硬材料顆粒排列於該多片CVD 鑽石刀片之間。

⑲第36項：如申請專利範圍第30項所述之拋光墊修整器，包括多片CVD 鑽石刀片；

該多片CVD 鑽石刀片的形狀呈相同的長條形；

該多片CVD 鑽石刀片依序排列成鋸齒狀且為成圓形；

該多個超硬材料顆粒排列於該多片CVD 鑽石刀片之間。

㈢系爭專利4：⑴系爭專利4 提供一種組合式修整器，包括：一大基板、複數彈性單元及複數研磨單元；

複數研磨單元分別包括複數磨粒；

複數磨粒分別具有一切削端；

複數研磨單元分別結合大基板；

複數彈性單元分別置於複數研磨單元與大基板之間，以藉由複數彈性單元分別彈性調整複數磨粒的切削端突出大基板的高度，然後使複數研磨單元分別固定結合該大基板；

較容易使大面積組合式修整器的多數磨粒的切削端在同一高度，可視需要變化不同的磨粒，且製作複數小的研磨單元在組合成一大面積修整器的成本較低。

（摘自系爭專利4 摘要）⑵系爭專利4 所欲解決的技術問題為：一般修整器的直徑約是108 公厘（mm）的大盤子，因為面積大所以變形量也大，較不容易結合各種不同大小、形狀、材料的磨粒，且使多數研磨顆粒的頂點在同一高度，且大面積的修整器的價錢較高。

（摘自系爭專利4 說明書第5 頁）系爭專利4 所欲達成的主要目的為：在提供一種組合式修整器及其製法，使一大基板的同一研磨端面結合多數具有磨粒的小基板，較容易使多數磨粒的切削端在同一高度，且更容易結合各種不同大小、形狀、材料的磨粒。

（摘自系爭專利4 說明書第5 頁）⑶系爭專利4 所欲達成的主要目的為：在提供一種組合式修整器及其製法，使一大基板的同一研磨端面結合多數具有磨粒的小基板，較容易使多數磨粒的切削端在同一高度，且更容易結合各種不同大小、形狀、材料的磨粒。

（摘自系爭專利4 說明書第5 頁）⑷系爭專利4 解決先前問題所使用之技術手段，組合式整修器包括一大基板、複數研磨單元及複數彈性單元所組成；

大基板設有一結合面及突出結合面周圍的環壁；

結合面設有對應於研磨單元的複數凹槽；

複數研磨單元分別與複數彈性單元相疊且分別置於複數凹槽內；

每一研磨單元與大基板之間有一彈性單元；

研磨單元可全部或一部分突出凹槽，並且使複數研磨單元上所設複數磨粒的切削端分別突出凹槽且分別與一平面的高度差異在20微米內。

（摘自系爭專利4 說明書第6,7 頁）⑸系爭專利4之主要圖式如附圖三所示。

⑹系爭專利4申請專利範圍分析：依申請時之系爭專利4 申請專利範圍請求項共計33項，其中第1 、20、22、25、27、30項為獨立項，依103 年2 月27日筆錄及被告103 年3 月10日陳報狀主張爭執的請求項整理如下：①第1項：一種組合式修整器，是作為CMP 拋光墊的修整器者，包括：一大基板，設有一結合面；

該結合面設有複數凹槽；

複數彈性單元分別置於該複數凹槽內；

複數研磨單元，該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有切削端；

該複數小基板的相對於設有該複數磨粒的另一面分別接觸該複數彈性單元，以藉由該複數彈性單元彈性調整該複數磨粒的切削端突出該大基板的高度；

藉由一結合劑層使該大基板及該複數研磨單元的小基板分別固定結合；

其中該複數磨粒的切削端分別與一平面的高度差異在20微米內。

②第9項：如申請專利範圍第1項所述之組合式修整器，其中該小基板為圓盤狀，直徑為10-30 厘米。

③第10項：如申請專利範圍第9項所述之組合式修整器，其中該小基板的直徑為20厘米。

④第11項：如申請專利範圍第1項所述之組合式修整器，其中該複數磨粒呈由中心向四周輻射狀的形狀。

⑤第12項：如申請專利範圍第1項所述之組合式修整器，其中該複數磨粒呈同心圓的排列形狀。

⑥第13項：如申請專利範圍第1項所述之組合式修整器，其中該複數磨粒呈矩陣式的排列形狀。

⑦第14項：如申請專利範圍第1項所述之組合式修整器，其中該複數磨粒呈對稱式的排列形狀。

⑧第15項：如申請專利範圍第1項所述之組合式修整器，其中該複數彈性單元分別是橡膠材料、彈簧、半凝固的塑膠、矽膠、半凝固的膠水或泡棉其中之一製成者。

⑨第19項：如申請專利範圍第1 至18項中任一項所述之組合式修整器，其中該複數研磨單元呈具有一中心及圍繞中心的複數同心環排列的形狀、呈矩陣式排列的形狀或呈環狀排列的形狀其中之一者。

⑩第20項：一種組合式修整器，包括：一大基板；

複數研磨單元，該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有切削端；

該複數小基板的相對於設有該複數磨粒的另一面分別接觸複數彈性單元，以藉由該複數彈性單元彈性調整該複數磨粒的切削端突出該大基板的高度；

其中該大基板包括一第一支架及一結合劑層；

該第一支架設有容納該複數彈性單元的複數穿透孔；

該結合劑層固定結合該第一支架及該複數小基板；

該複數磨粒的切削端分別與一平面的高度差異在20微米內。

⑪第21項：如申請專利範圍第20項中所述之組合式修整器，其中該複數研磨單元呈具有一中心及圍繞中心的複數同心環排列的形狀、呈矩陣式排列的形狀或呈環狀排列的形狀其中之一者。

⑫第22項：一種組合式修整器，包括：一大基板；

複數研磨單元，該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有切削端；

其中該複數研磨單元分別固定結合該大基板；

該複數磨粒的切削端分別與一平面的高度差異在20微米內；

其中該大基板結合一固定模具；

該固定模具設有複數孔；

該複數磨粒的切削端分別穿過該複數孔。

⑬第23項：如申請專利範圍第22項所述之組合式修整器，其中該大基板包括一第二支架及一結合劑層；

該結合劑層固定結合該第二支架及該複數小基板。

⑭第24項：如申請專利範圍第22或23項所述之組合式修整器，其中該複數研磨單元呈具有一中心及圍繞中心的複數同心環排列的形狀、呈矩陣式排列的形狀或呈環狀排列的形狀其中之一者。

⑮第25項：一種組合式修整器的製法，包括如下步驟：（1 ）使複數彈性單元分別置於一大基板的一結合面的複數凹槽內；

（2 ）使複數研磨單元分別與該複數彈性單元相疊；

該複數彈性單元分別施予該複數研磨單元離開大基板的力量；

（3 ）使一平板同一水平方向的施予該複數磨粒的切削端靠向該大基板的力量，藉由該平板的施予該複數研磨單元的壓力及該複數彈性單元推頂該複數研磨單元的彈力呈相等的狀態，使該複數切削分別與一平面的高度差異在20微米內；

（4 ）藉由結合劑層使該大基板固定結合該複數研磨單元，使該複數切削端被固定形成該組合式修整器。

⑯第26項：如申請專利範圍第25項所述之組合式修整器的製法，其中該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有切削端；

該複數磨粒的切削端分別突出大基板。

⑰第27項：一種組合式修整器的製法，包括如下步驟：（1 ）使複數彈性單元分別置於一第一模具的複數凹槽內；

（2 ）使複數研磨單元分別與複數彈性單元相疊；

該複數彈性單元分別施予該複數研磨單元離開該第一模具的力量；

（3 ）使一平板同一水平方向的施予該複數磨粒的切削端靠向該第一模具的力量，藉由該平板分別施予該複數研磨單元的壓力及複數複數彈性單元分別推頂研磨單元的彈力呈相等的狀態，使該複數切削端分別與一平面的高度差異在20微米內；

（4 ）使一大基板分別結合該複數研磨單元，使該複數切削端被固定形成該組合式修整器。

⑱第28項：如申請專利範圍第27項所述之組合式修整器的製法，其中該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有切削端；

該複數磨粒的切削端分別突出大基板。

⑲第29項：如申請專利範圍第28項所述之組合式修整器的製法，其中該大基板包括一第一支架及一結合劑層；

該第一支架設有容納該複數彈性單元的複數穿透孔；

該第一支架置於該第一模具內；

該結合劑層固定結合該第一支架及該複數小基板。

⑳第30項：一種組合式修整器的製法，包括如下步驟：（1 ）使相疊的一固定模具及一可刺入單元置於一第二模具內；

（2 ）使複數研磨單元的複數磨粒的切削端分別穿過該固定模具的複數孔接觸該可刺入單元；

（3 ）使該複數磨粒的切削端分別刺入該可刺入單元接觸該第二模具的一底壁，而使該複數切削端分別與一平面的高度差異在20微米內；

（4 ）使一大基板分別結合該複數研磨單元及該固定模具，使該複數切削端被固定；

（5 ）使該彈性單元分離該複數切削端，形成該組合式修整器。

㉑第31項：如申請專利範圍第30項所述之組合式修整器的製法，其中該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有切削端；

該複數磨粒的切削端分別突出大基板。

㉒第32項：如申請專利範圍第31項所述之組合式修整器的製法，其中該大基板包括一第二支架及一結合劑層；

藉由一平板同一水平方向的施予該複數磨粒的切削端刺入該可刺入單元；

該結合劑層固定結合該第二支架及該複數小基板。

㉓第33項：如申請專利範圍第32項所述之組合式修整器的製法，其中該可刺入單元是雙面膠帶。

㈣系爭專利5：⑴系爭專利5 揭露一種組合式修整器，包括一大基板，設有一結合面、一底面及複數穿透孔或複數容置槽；

複數研磨單元，分別具有複數磨粒；

複數磨粒分別具有複數切削端；

複數穿透孔或複數容置槽分別容置複數研磨單元，複數切削端分別突出結合面；

複數研磨單元與大基板之間藉由結合劑固定結合；

複數磨粒的複數切削端分別與一平面的高度差異在20微米內；

較容易使大面積組合式修整器的多數磨粒的切削端在同一高度，可視需要變化不同的磨粒，且製作複數小的研磨單元再組合成一大面積修整器的成本較低。

（摘自系爭專利5 摘要）⑵系爭專利5 所欲解決的技術問題為：：一般修整器的直徑約是108 公毫米（mm）的大盤子，因為面積大所以變形量也大，較不容易結合各種不同大小、形狀、材料的磨粒，且使多數研磨顆粒的頂點在同一高度，且大面積的修整器的價錢較高。

（摘自系爭專利5 說明書第6 頁）⑶系爭專利5 所欲達成的主要目的為：在提供一種組合式修整器，使一大基板的同一研磨端面結合多數具有磨粒的小基板，較容易使多數磨粒的切削端在同一高度，且更容易結合各種不同大小、形狀、材料的磨粒。

（摘自系爭專利5 說明書第5 頁）⑷系爭專利5 解決先前問題所使用之技術手段，組合式整修器包括一大基板、複數研磨單元所組成；

大基板設有一結合面底面及對應於複數研磨單元的複數穿透孔；

複數穿透孔分別容置複數研磨單元，複數研磨單元突出結合面；

複數研磨單元與大基板之間藉由結合劑固定結合。

複數研磨單元分別包括一小基板及複數磨粒；

小基板的一面結合複數磨粒；

磨粒具有一可對一工件進行切削的切削端；

小基板相對於設有該複數磨粒的另一面與大基板的底面約在同一基準平面。

大基板形成複數穿透孔的複數內壁與複數研磨單元的複數外壁分別具有複數凹凸結構。

當結合劑滲入複數凹凸結構內，分別固化結合複數內壁、複數外壁後，將使大基板與複數研磨單元的結合更穩固。

並且使複數切削端突出大基板的高度差異在20微米內，使複數切削端與一平面的高度差異在20微米內。

（摘自系爭專利5 說明書第5,6 頁）⑸系爭專利5 相較於先前技術所達成的功效在於：本發明利用組合式的方法，先製作複數研磨單元，小的研磨單元較容易使多數磨粒的切削端在同一高度，再使一大基板結合複數研磨單元成為一大面積的組合式修整器，較容易使大面積組合式修整器的多數磨粒的切削端在同一高度。

本發明的優點是製作小的研磨單元成本較低，且組合式修整器可視需要變化不同的磨粒，例如組合式修整器的外圈可以用粒度較大的鑽石，內圈可以用粒度較小的鑽石；

或是外圈可以用切削能力差，但較耐磨，晶形完整的鑽石，內圈可以用切削能力好，但是不耐磨，晶形較不好的鑽石。

同一小研磨單元的鑽石顆粒大小、形狀、材料相同，但組合式修整器內的複數研磨單元的鑽石顆粒大小、形狀、材料可相同或不相同。

利用複數研磨單元組合成一較大的組合式修整器，可控制組合式修整器的切削速度及磨耗率。

（摘自系爭專利5 說明書第11,12 頁）⑹系爭專利5之主要圖式如附圖四所示。

⑺系爭專利5申請專利範圍分析：依申請時之系爭專利5 請求項共計22項，其中第1項為獨立項，依103 年2 月27日筆錄及被告103 年3 月10日陳報狀主張爭執的請求項整理如下：①第1項：一種組合式修整器，是作為CMP 拋光墊的修整器者，包括：一大基板，設有一結合面、一底面及複數穿透孔或複數容置槽其中之一者；

該複數穿透孔呈錐狀，該複數穿透孔的孔徑為上寬下窄的形狀；

該複數容置槽呈錐狀，該複數容置槽的槽徑為上寬下窄的形狀；

複數研磨單元，分別具有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有複數切削端；

該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有該複數磨粒；

其中該複數小基板相對於設有該複數磨粒的另一面，分別卡固的嵌入該複數穿透孔的孔徑較窄的下端或分別卡固的嵌入該複數容置槽的槽徑較窄的下端其中之一，使該複數穿透孔或該複數容置槽其中之一者分別容置該複數研磨單元，該複數切削端分別突出該結合面；

該複數研磨單元與該大基板之間藉由結合劑結合或緊配結合其中之一者固定結合；

該複數磨粒的複數切削端分別與一平面的高度差異在20微米內。

②第2項：如申請專利範圍第1項所述之組合式修整器，其中該大基板設有複數穿透孔；

該小基板相對於設有該複數磨粒的另一面分別與該大基板的該底面在同一基準平面。

③第3項：如申請專利範圍第1項所述之組合式修整器，其中該大基板設有複數容置槽；

該小基板相對於設有該複數磨粒的另一面分別與該大基板的形成該複數容置槽底部的複數底壁在同一基準平面。

④第4項：如申請專利範圍第1項所述之組合式修整器，其中該大基板形成該複數穿透孔的複數內壁的傾斜角度為1 度至15度。

⑤第5項：如申請專利範圍第1項所述之組合式修整器，其中該大基板形成該複數容置槽的複數內壁的傾斜角度為1 度至15度。

⑥第6項：如申請專利範圍第1 至第5項中任一項所述之組合式修整器，其中該大基板形成該複數穿透孔或該複數容置槽其中之一者的複數內壁與該複數研磨單元的複數外壁中至少有一具有複數凹凸結構。

⑦第7項：如申請專利範圍第6項所述之組合式修整器，其中該大基板的材料包含金屬、金屬合金、塑膠材料、陶製品、碳製品、及上述材料的混合其中之一者。

⑧第8項：如申請專利範圍第7項所述之組合式修整器，其中該大基板的材料是316L不銹鋼材料。

⑨第9項：如申請專利範圍第8項所述之組合式修整器，其中該複數磨粒與該小基板是藉由高溫高壓結合、硬焊、燒結、電鍍、塑膠膠合或陶瓷結合其中之一者固定結合。

⑩第10項：如申請專利範圍第9項所述之組合式修整器，其中該大基板為圓盤狀，直徑為90-120毫米。

⑪第11項：如申請專利範圍第10項所述之組合式修整器，其中該小基板為圓盤狀，直徑為10-30 毫米。

⑫第14項：如申請專利範圍第6項所述之組合式修整器，其中該複數穿透孔或該複數容置槽其中之一者與該複數研磨單元的剖面為圓形或多邊形其中之一者。

⑬第15項：如申請專利範圍第14項所述之組合式修整器，其中該大基板周緣內側設有等間隔環狀排列的8 個研磨單元。

⑭第16項：如申請專利範圍第15項所述之組合式修整器，其中該8 個研磨單元的內側設有等間隔排列的4 個研磨單元。

⑮第17項：如申請專利範圍第15項所述之組合式修整器，其中該複數磨粒與該小基板是藉由高溫高壓結合、硬焊、燒結、電鍍、塑膠膠合或陶瓷結合其中之一者固定結合。

⑯第18項：如申請專利範圍第17項所述之組合式修整器，其中該結合劑分別滲入該複數凹凸結構內，分別固化結合該複數內壁、該複數外壁；

該結合劑的材料包含金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、及上述材料的混合物其中之一者。

四、系爭產學合作計書結案報告之技術內容：㈠96年度中國砂輪產學合作計畫「化學機械拋光技術的延伸」結案報告（原證23）：⑴原證23為報告節本，另附有完整結案報告之掃瞄檔。

其執行日期為96年1 月1 日至96年12月31日，係早於系爭專利3 之申請日（97年12月31日）。

⑵第18頁至第27頁記載：CVD 鑽石陣列微結構製程研究，主要的製程是於4 吋P-type基板上，蝕刻出109.5 度之倒金字塔狀膜仁，再以HFCVD 方式於矽基板上沈積鑽石薄膜，隨後再利用電鑄技術將基底長厚，最後將矽基板蝕刻移除，可得到表面為金字塔的鑽石陣列薄膜微結構。

其中HFCVD 沈積鑽石薄膜的步驟包括在膜仁上種植微米大小鑽石晶種，將試片放入HFCVD 爐中蒸鍍一層鑽石薄膜形成一CVD鑽石模仁，再於其上鍍一層鉻當作緩衝層、以物理氣相沈積一鎳層當作電鍍種子層，最後置於鎳- 鈷的電鍍浴槽中電鍍，完成電鑄鎳。

第19頁圖4.1 為矽模仁製程示意圖。

第21頁圖4.3 為在CVD 鑽石膜仁背後電鑄Ni-Co 金屬示意圖。

第21頁圖4.4 為脫去矽膜仁後之獨立鑽石針尖。

第251 頁圖4.14為矽模仁、鍍鑽石薄膜及獨立鑽石陣列SEM照片。

⑶其主要圖面如附圖五所示。

㈡97年度中國砂輪產學合作計畫「次世代鑽石修整器研製及技開發」結案報告（原證20）：⑴原證20為報告節本，另附有完整結案報告之掃瞄檔。

其執行日期為97年1 月1 日至97年12月31日，係涵蓋系爭專利2,3 之申請日（97年10月6 日,97 年12月31日）。

⑵97年度結案報告可以區分為兩個主要的研究實驗：（1 ）PDD 新式修整器製程的設計、製作及其修整磨耗，以及（2 ）探討刀片式聚○○石修整器（UDD ）、傳統硬焊鑽石碟（BDD ）與先進鑽石碟（ADD ）之修整特性異及對鑽石磨耗差異。

使用多○○石作為鑽石修整的切刃，因具有較多的切刃所以切削速度好及有效的切削，而且利用環樹脂能於低溫結合固化的特點，可以一般的環境下製作出新式多○○石修整器。

PDD 及UDD 均是以多齒型態的加工方式，未來也可以設計多齒、多刀的切削刀刃。

（摘自97年結案報告第78至79頁）⑶第15-19 頁記載PDD 新式修整器製程實驗的材料，包括：第16頁圖3.3 之不銹鋼模板，為直徑108mm 的圓板上，在直徑104mm 的區域內開有特殊形狀的孔洞，呈矩陣排列，其目的在使SiC-PCD 鑽石尖點統一朝下。

第18頁圖3.6 之基準基板為直徑108mm 、厚度6.6mm 的圓形不銹鋼板，透過精密雙面研磨加工，使其平面度保持在5 至10μm 之內，主要目的在當作鑽石突出量的基準點，讓鑽石的等高度能維持一致。

第19頁圖3.8 之基材金屬板為直徑108mm 、厚度6.1mm 的圓形不銹鋼板，當環氧樹脂灌注完成後，將基材黏著其上，作為鑽石修整器。

第24頁記載實驗的方法及第25~27 頁圖3.13說明PDD 新式鑽石修整器的製程。

第28頁圖3.15為新式鑽石修整器成品。

第35頁圖4.1 為刀片式鑽石碟1 （UDD1）及其刀刃形貌OM圖（光學顯微鏡圖照）。

⑷其主要圖面如附圖六所示。

㈢98年度中國砂輪產學合作計畫「鑽石碟新產品開發」結案報告（原證26）：⑴原證26為報告節本，另附有完整結案報告之掃描檔。

其執行日期為98年1 月1 日至98年12月31日，係涵蓋系爭專利4,5 之申請日（98年4 月21日,98 年10月28日）之間。

⑵98年度結案報告可以區分為兩個主要的階段：（1）以簡單的方法無須任何特殊機具或處於等殊環境條件下製造出PDD ，以及（2 ）提出另一個改良式的組合式鑽石修整器的概念，將PDD 鑽石碟的優點保留，將缺點改良。

⑶第16頁第3.7 圖為鑽石小碟，其使用直徑20mm的不銹鋼基材上方硬銲鑽石磨粒。

第17頁第3.8 圖為不銹鋼底座為結合鑽石小碟，作為鑽石修整器之基座。

第18頁第3.9 圖為厚度模板，其直徑108mm 之不銹鋼圓板，配合不銹鋼底座在其上開有12個直徑20mm的孔洞，以利用模板的厚度控制鑽石小碟在不銹鋼底座上突出的量。

第19頁第3.12圖為基準金屬板，其直徑108mm 、厚度6.6mm 、平面度保持在5至10μm 之內之不銹鋼圓板，讓鑽石小碟的等高度能維持一致。

第64頁第5.1 圖為組合式鑽石碟示意圖。

第65 頁第5.2 圖為鑽石修整器製作示意圖。

第65頁第5.3 圖為不銹鋼底座盲孔側壁內有凸出的三角榫刺。

第66頁第5.4 圖為組合式修整器的等高度比較圖，圖中正方形圖例8+4_A樣品之高度差約20um。

⑷其主要圖面如附圖七所示。

五、原告主張習知技術內容：㈠原證42：⑴原證42為西元2006年4 月21日,Tim Margqurdt發表在Recumbents.com網站上的「Vacuum Infusion-101-VIPfor dummies 」資料（網址：http://www.recumbents.com/wisil/marquardt/vip/cvacuum_in usion.htm），其公開之日期早於系爭專利2 之申請日（97年10月6 日）。

⑵原證42揭露一種真空注入技術（Vacuum Infusion Process,VIP ），係使用真空壓力將樹脂驅入層狀物。

將材料置入於模具中並在樹脂注入前即開始抽真空，在 達到預設的真空度後樹脂將經由設計過的管路被吸入層 狀物中。

（摘譯自原證42第1 頁Introduction項第2 文 段）⒊原證42之VIP 設置及組成設備圖摘示，如附圖八。

㈡原證43：⑴原證43為2003年3 月25日公告之US0000000 「PRESSUREEQUALIZED VACUUM RESIN INFUSION PROCESS 」專利案，其公開之日期早於系爭專利2 之申請日（97 年10月6 日）。

⑵原證43揭露一種樹脂浸漬物（resin impregnated article ）的製造方法，包括提供一其上可以放置強化材料的模具，以不透氣的片材（impervious sheet）密封強化材料並且藉由液體接觸不透氣片材以調節施加在強化材料上的壓力和強化材料及樹脂的溫度，以及調節液體的壓力和溫度等步驟。

（摘譯自原證43摘要）。

⑶原證43第1 圖為其發明真空樹脂灌注製程步驟簡化示意圖，如附圖九。

㈢原證44-1：⑴原證44-1為2003年12月11日公開之WO 03/101708「CONTROLLED ATMOSPHEREIC PRESSURE RESIN INFUSIONPROCESS 」專利案，其公開之日期早於系爭專利2 之申請日（97 年10 月6 日）。

⑵原證44-1係關於僅使用真空方式（vacuum-only ）的樹脂灌注的方式製造纖維強化樹脂複合材料（fiber-reinforced resin composites ），包括對預造物（perform ）實施循環式緊密（cyclic compaction ）以及控制淨緊密壓力（net compaction pressure ），在淨緊密壓力維持在壓緊預造物的情況下將樹脂入口壓力控制在大氣壓以下，使得複合材料相較於熱高壓器（autoclave ）所製成的具有較高的纖維體積分量（fiber volume fractions）。

（摘譯自原證44-1說明書第[0002]文段及請求項1）⑶原證44-1第1 圖為其發明較佳製程步驟代表圖，如附圖十。

㈣原證61：⑴原證61為2001年2 月5 日公開之論文「高分子材料漿表面處理概觀」摘要，其公開之日期早於系爭專利2 之申請日 （97 年10月6 日）。

⑵高分子材料用電槳的表面處理技術在廣義上有電漿乾剝法 （電漿灰化）、基板淨化、高分子材料與零件接著性的改善、高分子膜印刷性能的改善、材料表面的親水化或疏水化處理等會是今後電子材料電漿應用的領域。

本文對電漿表面處理的特色、高分子表面的電漿與材料表面的關係，以潤濕性的改善及接著性的改善為中心，以具體例子解說電漿化學的機構與其特色。

（原證61摘要內容）㈤原證62：⑴原證62為1931年9 月15日公告之US0000000 「VACUUMHORN CON○○RUCTION FOR TAIL BLEEDING MACHINES」專利案，其公開之日期早於系爭專利2 之申請日（97年10月6日）。

⑵原證62揭露一種用於連接於收集瓶10的真空角狀物38（vaccum horns ），其遠離收集瓶10的一端連接於真空管線32（vaccum hose ）（摘譯自原證62摘要）。

⑶原證62圖式，如附圖十一。

㈥原證63：⑴原證63為1998年7 月28日公告之US0000000 「MULTI-COMPONENT FLOW PASSAGE ASSEMBLY WITH SNAP IN SEALINGADAPTOR 」專利案，其公開之日期早於系爭專利2 之申請日（97年10月6 日）。

⑵原證63揭露一種改善密封性的轉接結構，其為一大致圓柱形的轉接結構可配接於吸塵器渦輪泵的角狀第1 氣體通道，及連接於集塵袋第2 氣通道間。

（摘譯自原證63摘要）。

⑶原證63圖式如附圖十二：

六、系爭專利2 與97年度結案報告（下稱原證20）之技術內容比對：㈠請求項1：⑴原證20第24頁背面記載：「新式鑽石修整器中鑽石的種類是屬於以燒結技術所製的SiC-PCD ，... 然後在其中一片不銹鋼模板黏上單面膠帶或雙面膠帶，在模板下置放一塊金屬基準板，當做基準點；

將鑽石排列在二片直徑108mm不銹鋼模板上，在直徑104mm 的區域內，不銹鋼模板開有特殊形狀的孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔的設計讓鑽石尖點統一朝下，使鑽石的突出高度與模板厚度概等，...然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石的半成品上；

復以不銹鋼材的金屬板當做基材黏於環氧樹脂上，... 而後移除金屬基準板及不銹鋼模板，鑽石碟即製作完成。」

另在原證20第25頁圖示製作流程，其最下子圖即揭示SiC-PCD 鑽石的一端露出不銹鋼模板的上方，另一端位於下不銹鋼模板及金屬基準板。

由上述指摘內容中之「SiC-PCD 鑽石」、「上不銹鋼模板」、「下不銹鋼模板及金屬基準板」及「環氧樹脂」可分對應於系爭專利2 請求項1 所記之「磨粒」、「固定模具」、「基準平台」及「結合劑」。

故其已揭示系爭專利請求項1所 記之「一種研磨工具的製法，包括如下步驟：（1 ）使多數個磨粒（SiC-PCD 鑽石）的一第一端分別穿過一固定模具（上不銹鋼模板）的多數個孔抵靠於一基準平台（下不銹鋼模板及金屬基準板）的多數個凹槽的底端；

該多數個磨粒的一第二端分別置於該固定模具的上方（如原證20第2 頁正面最下子圖所示）；

（2 ）使結合劑（環氧樹脂）流佈於該固定模具的上端面且結合該多數個磨粒的第二端形成一結合劑層，使該多數個磨粒、該固定模具及該結合劑層結合一體」（註：（）內為原證20所載之元件符號及元件名稱））。

⑵原證20第24頁記載：「將環氧樹脂（接著劑）混合攪拌完成後，放入真空容器中，以減少雙液型環氧樹脂在攪拌時所產生的氣泡，然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石的半成品上；

復以不銹鋼材的金屬板當做基材黏於環氧樹脂上，並於其上施加壓力，靜置數小時後，送入烘箱烘烤消除水氣待其固化，而後移除金屬基準板及不銹鋼模板，鑽石碟即製作完成。」

，可知其係在環氧樹脂灌注鑽石的半成品後才再使不銹鋼材金屬黏著於環氧樹脂上，亦即先灌注環氧樹脂於鑽石半成品而後才再施放不銹鋼材金屬板，故原證20並未揭示系爭專利請求項1 所記之「其中使該結合劑流佈於該間隙內的技術包括如下步驟：（a ）將組合好的該多數個磨粒、該固定模具及該基準平台放置於一密封模具內；

（b ）使該密封模具相對的一第一連通部及一第二連通部分別抽出該密封模具內的空氣及將結合劑輸入密封模具內，使該結合劑流佈於該固定模具的上端面且結合該多數個磨粒的第二端形成該結合劑層；

（c ）將該多數個磨粒、該固定模具、該結合劑層及該基準平台與該密封模具分離；

」。

⑶原證20第1 頁背面記載：「... 復以不銹鋼材的金屬板當做基材黏於環氧樹脂上，... 待其固化，而後移除金屬基準板及不銹鋼模板，鑽石碟即製作完成。」

，可知其係在環氧樹脂固化後移除金屬基準板及不銹鋼模板，故原證20並未揭示系爭專利請求項1 所記之「（3 ）分離該基準平台與結合一體的該多數個磨粒、該固定模具及該結合劑層；

結合一體的該多數個磨粒、該固定模具及該結合劑層即形成一修整刀具。」

。

⑷綜上所述，97年結案報告與系爭專利2 請求項1 之差異在於：（1 ）使結合劑流佈於磨粒間隙內的技術，及（2 ）固定模具不存在於完成品中的技術（下稱原證20未揭示技術特徵）。

⑸原證20未揭示技術特徵（1 ），可見於原證42，43或44-1之先前技術：①原證42第1 頁Introduction項第2 文段揭露一種真空注入技術（Vacuum Infusion Process, VIP），係使用真空壓力將樹脂驅入層狀物。

將材料置入於模具中並在樹脂注入前即開始抽真空，在達到預設的真空度後樹脂將經由設計過的管路被吸入層狀物中。

第1 頁亦揭示VIP組立及設備，包括：以真空幫浦（Vacuum pump ）維持預定真空度，使樹脂（Resin ）由樹脂容器經由樹脂入口管路（Resin Inlet ）進入密封模具（Mol d ）後，再經由真空出口管路（Vacuum Outlet ）流入樹脂回收罐（Resin Trap）。

由上述原證42指摘內容中之「密封模具（Mold）」、「真空出口管路（Vacuum Outl et）」及「樹脂入口管路（Resin Inlet ）」可分對應於系爭專利2 請求項1 所記之「密封模具」、「第一連通部」及「第二連通部」。

②原證43說明書第4 欄第44行至第52行及第1 圖揭示以樹脂浸漬纖維預成型物基材（fibrous preform substrate,112 ）的步驟，首先將預成型基材放置於模具（mold,110）中，將樹脂管線（resin line,120）及真空管線（vacuum line,116 ）固定於預成型基材上，再以不透氣真空袋（impervious vacuum bag,114 ）覆蓋於基材上並在預成型基材周圍與模具形成密封狀態，接著以真空控制器（vacuum control ler,118）抽真空，然後再開啟樹脂管線使樹脂浸漬於預成型物基材（第4 欄第65行至第66行）。

由上述原證43指摘內容中之「不透氣真空袋（impervious vacuum bag,114 ）及模具（Mold,110 ）」、「真空管線（vacuum line,116 ）」及「樹脂管線（resin line,120）」可分對應於系爭專利2 請求項1 所記之「密封模具」、「第一連通部」及「第二連通部」。

③原證44-1說明書第[0036]文段及第1 圖，其揭示以真空方式將樹脂灌注於纖維強化材料的步驟，在真空袋（bag,12）出口（exit）端使用真空幫浦（vacuum pump）抽真空以在樹脂入口端與出口端形成一驅動力，使樹脂自樹脂入口儲存罐（resin inlet reservoi r ,10）中經由入口（inlet ）及樹脂分流裝置（distributionmedia,18）進入真空袋與模具表面（mold surface,16）間的預造物（preform,14），再由出口端流入樹脂出口側小真空儲存罐（exit side small vacuumreservoir ）中。

由上述原證44-1指摘內容中之「真空袋（bag,12）及模具表面（Mold sur face,16）」、「出口（exit）」及「入口（inlet ）」可分對應於系爭專利2 請求項1 所記之「密封模具」、「第一連通部」及「第二連通部」。

⑹關於原證20未揭示技術特徵（2 ），雖然原證20所揭示者係移除不銹鋼模板，不同於系爭專利2 請求項1 所記之保留固定模具，然保留或是移除鑽石磨粒定位之固定模具，顯係所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成之簡單改變，並未產生無法預期之功效。

⑺綜上所述，系爭專利2 請求項1 所記之技術徵，已揭露於原證20及原證42、43或44-1等申請前之先前技術，而系爭專利2 請求項1 所記之保留固定模具亦為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成之簡單改變。

⑻被告雖辯稱，原證20缺少系爭專利2 請求項1 所述之「一基準平台」、「該凹槽的底端」、「結合劑流佈於該間隙內」等技術特徵；

且原證20之新式鑽石修整器製程係移走不銹鋼模板，與系爭專利2 係保留固定模具，亦有不同云云。

惟查，原證20之圖3.13及第24頁所載之新式鑽石修整器製程說明內容可知新式鑽石修整器製作時可在模板下置放一塊金屬基準板，當做基準點，透過不銹鋼模板之特殊開孔的設計讓鑽石尖點統一朝下，且在鑽石上擺放一層緩衝墊，再施加壓力於鑽石上來調整突出高度之技術內容。

顯見系爭專利2 請求項1 所述之「基準平台」技術特徵即相當於原證20之「金屬基準板」。

又系爭專利2 請求項1利用磨粒一端可抵靠基準平台之凹槽的底端，依其先前技術所載可知凹槽之作用係為控制磨料尖點突出之高度及限制磨料定位後即難以轉動之功效（參說明書第4 頁段落[0006]及[0007]）。

而原證20揭示可在鑽石上擺放一層緩衝墊，再施加壓力於鑽石上來調整突出高度，亦可達到控制磨料尖點高度及限制磨料轉動之功效。

故系爭專利2 請求項1 所述之「基準平台之凹槽」技術特徵即相當於原證20之金屬基準板與緩衝墊結合之技術內容，且系爭專利2請求項1 基準平台之凹槽設計亦僅為習知技術之運用。

另系爭專利2 請求項1 之「結合劑流佈於該間隙內」的技術主要係為使容器64內之結合劑藉由真空泵63之動作而使結合劑經管線流入密封模具60填滿內整個間隙51，並形成一結合劑層12封裝結合磨粒10、固定模具20及基板40。

而原證20第24頁已載可將環氧樹脂（接著劑）放入真空容器後，經環氧樹脂灌注在排滿鑽石的半成品之技術。

顯見原證20之新式鑽石修整器的製作亦是利用真空方式將環氧樹脂灌注到修整器的半成品上，使環氧樹脂經管線流入修整器的間隙內，形成一環氧樹脂結合磨粒、不銹鋼模板及基板之結構；

且利用真空設備導入環氧樹脂而填充密封模具之空間係屬習知慣用之技術。

故系爭專利2 請求項1 之「結合劑流佈於該間隙內」的技術，即相當於原證20之真空容器設備或習知環氧樹脂填充技術之運用。

被告之主張，並不足採。

㈡請求項2 ：系爭專利2 請求項2 係直接依附第1項之附屬項，進一步界定「其中該結合劑層的厚度高於該多數個磨粒的第二端」。

系爭專利2 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證20及原證42,43 或44-1等系爭專利2 申請時通常知識，已如前述。

又查原證20第26中間子圖可見環氧樹脂層的厚度高於該多數個鑽石顆粒的第二端。

故系爭專利2 請求項2 所記之技術特徵已見揭露於原證20及原證42,43 或44-1等系爭專利2 申請時通常知識。

㈢請求項7 ：系爭專利2 請求項7 係依附第1 至6 項中任一項之附屬項，進一步界定「進一步包括使該固定模具脫離該結合劑層。」

，經被告確認僅需比對第1,2,7 項（103 年6 月24 日 言詞辯論筆錄）。

系爭專利2 請求項1,2 所記之技術徵已見揭露於原證20及原證42,43 或44-1等系爭專利2 申請時通常知識，已如前述。

又查原證20第27下方子圖可見不銹鋼模板已自環氧樹脂移除。

故系爭專利2 請求項7 依附於請求項1,2 之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證42,43 或44-1 等 系爭專利2 申請時通常知識。

㈣請求項8 ：系爭專利2 請求項8 係依附第1項之附屬項，進一步界定「其中該步驟（1 ）、（2 ）之間進一步包括如下步驟：使一基板的第一端面分別抵靠該多數個磨粒的一第二端，該基板與該固定模具之間有一間隙；

其中該步驟（a ）進一步包括使該基板放置於該密封模具內；

該步驟（b ）進一步包括使該結合劑流佈於該間隙內形成該結合劑層，該結合劑層結合該基板；

該步驟（c ）進一步包括使該基板與該密封模具分離。」

系爭專利2 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證20及原證42、43或44-1等申請前之通常知識，已如前述。

又如前述，原證20第24頁記載及第26頁中下子圖內容，可知不銹鋼材金屬係於環氧樹脂灌注鑽石的半成品後才黏著於環氧樹脂上，故原證20之「不銹鋼材金屬」可對應於系爭專利2 請求項8 所記之「基板」。

另如前述，可知原證20之作業順序係先將被灌注物放置於模具內、啟動真空幫浦灌注樹脂於被灌注物各連通的空隙，最後再將灌注成品自模具移除。

是以，原證42、43、或44-1等真空灌注樹脂技術可對應於系爭專利2 請求項8 所記關於對步驟（a ）（b ）（c）所進一步界定的技術，故系爭專利2 請求項8 所記之技術特徵已見揭露於原證20及原證42、43、或44-1等系爭專利2申請時通常知識。

㈤請求項9 ：系爭專利2 請求項9 係依附第8項之附屬項，進一步界定「其中該第一連通部及該第二連通部分別連接一真空泵及一裝有該結合劑的容器，俾當該真空泵啟動時，使該結合劑填充滿整個該間隙」。

系爭專利2 請求項8 所記之技術徵已見揭露於原證20及原證42,43 或44-1等系爭專利2 申請時通常知識。

已如前述。

又如前原證42VIP 組成設備圖所示樹脂入口管路管路連接樹脂容器（圖左）真空出口管路連接於真空幫浦（圖右）；

原證43第1 圖所示樹脂管線120 連接樹脂容器122 （圖下）真空管線116 連接於真空控制器118 （圖右）；

原證44-1第1 圖所示入口處連接樹脂入口儲存罐10（圖左）出口側連接於小真空儲存罐（圖右）。

故系爭專利2 請求項9 之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證42,43 或44-1等系爭專利2 申請時通常知識。

㈥請求項10、11：系爭專利2 請求項10係依附第9項之附屬項，進一步界定「其中該容器內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性。」

；

系爭專利2 請求項11係依附第10項之附屬項，進一步界定「其中該密封模具內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性」。

系爭專利2 請求項9 所記之技術徵已見揭露於原證20及原證42,43 或44-1等系爭專利2申請時通常知識，已如前述。

又查原證44-1第[0038]文段揭示在需要提高灌注速度或使用高於室溫粘滯係數的樹脂的情況下，預造物或預造物和樹脂可以被加熱，可知在容器內或模具內加熱樹脂已為一習知技術。

故系爭專利2 請求項10,11 之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證44-1系爭專利2 申請時通常知識。

㈦請求項12：系爭專利2 請求項12係依附第11項之附屬項，進一步界定「其中該基板及該固定模具係經潤濕處理，俾使該基板及該固定模具更有效的結合該結合劑」，系爭專利2 請求項11所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1等系爭專利2 申請時通常知識，已如前述。

參酌系爭專利說明書潤濕處理係指鍍膜、電漿塗覆等技術增加材料的親水性，查原證61 即 揭示使用電漿、鍍膜等方式改變材料的親水性或疏水性的技術。

故系爭專利2 請求項12之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證44-1及61系爭專利2 申請時通常知識。

㈧請求項13：系爭專利2 請求項13係依附第12項之附屬項，進一步界定「其中該密封模具的該第一連通部及該第二連通部分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及該結合劑的流動速率」。

系爭專利2 請求項12所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1及61等系爭專利2 申請時通常知識，已如前述。

又查原證44-1第1 圖所示入口處連接樹脂入口儲存罐10（圖左）出口側連接於小真空儲存罐（圖右）。

故系爭專利2 請求項13之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證44-1及61系爭專利2 申請時通常知識。

㈨請求項14：系爭專利2 請求項14係依附第13項之附屬項，進一步界定「其中該第一連通部及該第二連通部靠近該間隙的一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止該結合劑流入該間隙內時產生紊流，避免造成該結合劑不均勻的分佈於該間隙內」。

系爭專利2 請求項13所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1及61等申請時通常知識，已如前述。

又查原證63第1 圖及說明書第2 欄第16至24行即揭示在真空清淨器（vacuum cleaner）的通道中使用呈漸錐形（generally cylindrical shape ）之構件（adaptor body12），即可對應於本項所記之「喇叭口狀」。

故系爭專利2請求項14之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證44-1、61及63等系爭專利2 申請時通常知識。

㈩請求項19：系爭專利2 請求項19係依附第18項之附屬項，經被告確認需一併比對第15,16,17及18項（103 年6 月24日言詞辯論筆錄）。

依次比對如下：系爭專利2 請求項15係依附第8 至14項中任一項之附屬項，進一步界定「其中該磨粒的材料為選自人造鑽石、非人造鑽石、多○○石、立方晶氮化硼、多晶立方氮化硼、最硬結晶體、多晶材料及上述材料的混合材料其中之一者。」

，查原證20第24頁第3 行所記之SiC-PCD 即為多○○石。

系爭專利2 請求項16係依附第15項之附屬項，進一步界定「其中該固定模具的材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料的混合物及焊接合金材料其中之一者」，查原證20第24頁第7,8 行所記之不銹鋼模板即為金屬或金屬合金。

系爭專利2請求項第17項係依附第16項之附屬項，進一步界定「其中該結合劑層的材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料的混合物及焊接合金材料其中之一者」，原證20第24頁第11行所記之環氧樹脂（接著劑）即為塑膠材料（即系爭專利說明書所記之塑膠材料（Polymer ）。

系爭專利2 請求項18係依附第17項之附屬項，進一步界定「其中該固定模具的材料為不鏽鋼。」

，已被揭露於原證20第24頁第7,8 行所記之不銹鋼模板其材料即為不銹鋼。

系爭專利2 請求項19項係依附第18項之附屬項，進一步界定「其中該基板的材料為選自金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、碳材料、上述材料的混合物及焊接合金材料其中之一者。

」，已揭露於原證20第24頁第13,14 行所記之不銹鋼材質的金屬板即為金屬或金屬合金。

故系爭專利2 請求項19之技術特徵已見揭露於原證20及原證44-1、61及63系爭專利2 申請時通常知識。

請求項20：系爭專利2 請求項20係依附第19項之附屬項，進一步界定「進一步包括使該固定模具脫離該結合劑層。」

。

系爭專利2 請求項19所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1、61及63等申請時通常知識，已如前述。

又查原證20第27頁下方子圖可見不銹鋼模板已自環氧樹脂移除。

故系爭專利2 請求項20之技術特徵亦已見揭露於原證20 及 原證44-1、61及63系爭專利2 申請時通常知識。

請求項21：系爭專利2 請求項21係依附第1 至6 項中任一項之附屬項，進一步界定「其中該第一連通部及該第二連通部分別連接一真空泵及一裝有該結合劑的容器，俾當該真空泵啟動時，使該結合劑填充滿整個該間隙。」

經被告確認僅需比對第1,2,21項（103 年6 月24日言詞辯論筆錄）。

系爭專利2 請求項1,2 所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1系爭專利2 申請時通常知識，已如前述。

又查原證44-1第1圖已揭示一出口（EXIT）管線連接至出口側小真空儲存罐、一入口（INLET ）管線連接至樹脂入口儲存罐10，以控制樹脂的流動。

故系爭專利2 請求項21依附於請求項1,2 之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證44 -1 系爭專利2 申請時通常知識。

請求項22、23：系爭專利2 請求項22係依附第21項之附屬項，進一步界定「其中該容器內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性。」

；

系爭專利2 請求項23係依附第22項之附屬項，進一步界定「其中該密封模具內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性。」

系爭專利2 請求項21所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1系爭專利2 申請時通常知識，已如前述。

又查原證44-1第[0038]文段揭示在需要提高灌注速度或使用高於室溫粘滯係數的樹脂的情況下，預造物或預造物和樹脂可以被加熱，可知在容器內或模具內加熱樹脂已為一習知技術。

故系爭專利2 請求項22、23之技術特徵已見揭露於原證20及原證44-1系爭專利2 申請時通常知識。

請求項24：系爭專利2 請求項24係依附第23項之附屬項，進一步界定「其中該基板及該固定模具係經潤濕處理，俾使該基板及該固定模具更有效的結合該結合劑」。

系爭專利2 請求項23所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1等系爭專利2 申請時通常知識，已如前述。

又查原證61即揭示使用電漿、鍍膜等方式改變材料的親水性或疏水性的技術。

故系爭專利2 請求項24之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證44-1及61系爭專利2 申請時通常知識。

請求項25：系爭專利2 請求項25係依附第24項之附屬項，進一步界定「其中該密封模具的該第一連通部及該第二連通部分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及該結合劑的流動速率」。

系爭專利2 請求項24所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1及61等系爭專利2 申請時通常知識，已如前述。

又查原證44-1第1 圖所示入口處連接樹脂入口儲存罐10（圖左）出口側連接於小真空儲存罐（圖右）。

故系爭專利2 請求項25之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證44-1及61系爭專利2 申請時通常知識。

請求項26：系爭專利2 請求項26係依附第25項之附屬項，進一步界定「其中該第一連通部及該第二連通部靠近該間隙的一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止該結合劑流入該間隙內時產生紊流，避免造成該結合劑不均勻的分佈於該間隙內。」

系爭專利2 請求項25所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1及61等申請時通常知識，已如前述。

又查原證63第1 圖及說明書第2 欄第16至24行即揭示在真空清淨器（vacuum cleaner）的通道中使用呈漸錐形（generally cylindrical shape ）之構件（adaptor body 12 ），即可對應於本項所記之「喇叭口狀」。

故系爭專利2 請求項26之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證44-1、61及63等系爭專利2 申請時通常知識。

請求項27：系爭專利2 請求項27係依附第7項之附屬項，進一步界定「其中該第一連通部及該第二連通部分別連接一真空泵及一裝有該結合劑的容器，俾當該真空泵啟動時，使該結合劑填充滿整個該間隙。」

系爭專利2 請求項7所 記之技術徵已見揭露於原證20及原證42,43 或44-1等系爭專利2 申請時通常知識，已如前述。

又如前原證42VIP 組成設備圖所示樹脂入口管路管路連接樹脂容器（圖左）真空出口管路連接於真空幫浦（圖右）；

原證43第1 圖所示樹脂管線120 連接樹脂容器122 （圖下）真空管線116 連接於真空控制器118 （圖右）；

原證44-1第1 圖所示入口處連接樹脂入口儲存罐10（圖左）出口側連接於小真空儲存罐（圖右）。

故系爭專利2 請求項27之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證42,43 或44-1等系爭專利2 申請時通常知識。

請求項28、29：系爭專利2 請求項28係依附第27項之附屬項，進一步界定「其中該容器內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性。」

；

請求項29係依附第28項之附屬項，進一步界定「其中該密封模具內的該結合劑被加熱，俾增加該結合劑的流動性。」

系爭專利2 請求項27所記之技術徵已見揭露於原證20及原證42,43 或44-1等系爭專利2 申請時通常知識。

又查原證44-1第[0038]文段揭示在需要提高灌注速度或使用高於室溫粘滯係數的樹脂的情況下，預造物或預造物和樹脂可以被加熱，可知在容器內或密封模具內加熱樹脂已為一習知技術。

故系爭專利2 請求項28、29之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證44-1系爭專利2 申請時通常知識。

請求項30：系爭專利2 請求項30係依附第29項之附屬項，進一步界定「其中該基板及該固定模具係經潤濕處理，俾使該基板及該固定模具更有效的結合該結合劑。」

系爭專利2 請求項29所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1 等 系爭專利2 申請時通常知識，已如前述。

又原證61即揭示使用電漿、鍍膜等方式改變材料的親水性或疏水性的技術。

故系爭專利2 請求項30之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證44-1及61系爭專利2 申請時通常知識。

請求項31：系爭專利2 請求項31係依附第30項之附屬項，進一步界定「其中該密封模具的該第一連通部及該第二連通部分別結合一第一閥及一第二閥，俾分別控制空氣及該結合劑的流動速率。」

系爭專利2 請求項30所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1及61等系爭專利2 申請時通常知識，已如前述。

又查原證44-1第1 圖所示入口處連接樹脂入口儲存罐10（圖左）出口側連接於小真空儲存罐（圖右）。

故系爭專利2 請求項31之技術特徵亦已見揭露於原證20（97年結案報告）及原證44-1及61系爭專利2 申請時通常知識。

請求項32：系爭專利2 請求項32係依附第31項之附屬項，進一步界定「其中該第一連通部及該第二連通部靠近該間隙的一第一開口及一第二開口分別為喇叭口狀，俾防止該結合劑流入該間隙內時產生紊流，避免造成該結合劑不均勻的分佈於該間隙內」。

系爭專利2 請求項31所記之技術徵已見揭露於原證20及原證44-1及61等申請時通常知識，已如前述。

又查原證63第1 圖及說明書第2 欄第16至24行即揭示在真空清淨器（vacuu m cleaner ）的通道中使用呈漸錐形（generally cylindric al shape）之構件（adaptor body 12 ），即可對應於本項所記之「喇叭口狀」。

故系爭專利2 請求項32之技術特徵亦已見揭露於原證20及原證44-1、61及63等系爭專利2 申請時通常知識。

七、系爭專利3 與96年度結案報告（下稱原證23）、97年度結案報告（下稱原證20）之技術內容比對：㈠請求項1：⑴原證20第24頁背面記載新式鑽石修整器的製程說明：「新式鑽石修整器中鑽石的種類是屬於以燒結技術所製的SiC-PCD ，外型概似立方體…在模板下置放一塊金屬基準板，當做基準點；

將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板上，在直徑104mm 的區域內，不銹鋼模板開有特殊形狀的孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔的設計讓鑽石尖點統一朝下，使鑽石的突出高度與模板厚度概等，在鑽石上擺放一層緩衝墊，再施加壓力於鑽石上來調整突出高度…然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石的半成品上；

復以不銹鋼材的金屬板當做基材黏於環氧樹脂上，並於其上施加壓力，靜置數小時後，送入烘箱烘烤消除水氣待其固化，而後移除金屬基準板及不銹鋼模板，鑽石碟即製作完成。」

，並在第28頁圖3.15完成品為一不銹鋼基材支撐及固定結合多個SiC-PCD 鑽石顆粒，分別突出不銹鋼基材。

另在原證20第4 頁第11至14行記載：「…所提供刀片式鑽石碟（UDD,Ultimate Diamond Disk ），因聚○○石（PCD,Polycrystalline Diamond ）其強韌性強、抗壓強度較天然鑽高，且可利用線切割放電加工控制刀刃高度、間距，切割出一片片一體成形刀片，運用耐化學腐蝕環氧樹脂（Epoxy Resin ）組裝成鑽石碟…」，及在第35頁圖4.1 揭示刀片式鑽石碟UDD 成品，係將多片一體成形刀片組裝於一基材上而成為鑽石碟。

又在97年結案報告第51至77頁比較各種鑽石碟之切削特性及對拋光墊移除率，包括：「傳統鑽石修整器（BDD ）為單○○石…但鑽石方向、高度無法有效控制，故傳統鑽石修整器鑽石突出量為100+/-15um 等 高度不佳…經實驗觀察鑽石磨耗刀刃，從OM（註：光學顯微鏡）並無明顯發現磨耗或掉鑽現象…僅發現鑽石刀刃產生小破裂…。」

（第70頁）、刀片式鑽石修整器經由實驗每隔十小時觀察磨耗結果，磨耗形態可區分為摩擦式磨耗及破裂式磨耗（第72頁），並於第78頁結論：「本實驗中在相同修整條件下比較三種不同的修整器（註：即ADD 、BDD 及PDD），發現新式PDD 多○○石修整器的拋光墊移除率是最高的。」

、「UDD 聚○○石修整器由PCD 放電加工製作刀刃形貌能有效控制尖點高度、角度、間距等，且刀刃齒數少，4.5kg 荷重下移除量（率）以UDD1最大、其次為UDD2、BDD 與ADD 最小。」

，以及在第79頁建議：「PDD 及UDD均是以多齒型態的加工方式，實驗結果顯示有很好的加工效率，未來也可以設計多齒、多刃的切削刀刃，但需要不會掉鑽石顆粒的設計。」

⑵由上述原證20指摘內容可知：新式鑽石碟（即PDD ）與刀片式鑽石碟（即UDD ）均採用環氧樹脂組裝於基材上而成鑽石碟，兩者都有很好的加工效率。

新式鑽石碟在製作的過程中可以經由使用具有特定開孔的模具讓鑽石尖點統一朝下並控制鑽石的突出高度。

傳統鑽石修整器（BDD ）為單○○石其刀刃經實驗觀察並無明顯發現磨耗或掉鑽現象。

又由於PDD 及UDD 均係以環氧樹脂將研磨刀刃（即SiC-PCD 顆粒及PCD 刀片）固定並支撐於不銹鋼基材上，故只要在原證20第24頁所記載之新式鑽石碟（PDD ）製造過程所使用的不銹鋼模板中，按照UDD 鑽石碟中PCD 鑽石刀片的位置，將原適用於SiC-PCD 顆粒形狀的特殊開孔稍加改變為適用於PCD 刀片形狀的開孔，即可達到PCD 刀片及SiC-PCD 顆粒突出基座的突出量相等之目標，製造出混合PDD 及UDD 研磨刀刃型式的混合式鑽石碟：「一種拋光墊修整器，用以修整CMP 拋光墊者，包括：一基座；

至少一PVD 鑽石刀片；

其中，該基座支撐及固定結合該至少一PCD鑽石刀片；

該至少一PCD 鑽石刀片突出該基座；

其中該基座支撐及固定結合多個SiC-PCD 顆粒；

該多個SiC-PCD 顆粒分別突出該基座；

該至少一PCD 鑽石刀片及該多個SiC-PCD 顆粒分別突出該基座的突出量相等。」

，其與系爭專利3 請求項1 之發明間的差異僅在於構成刀片式的鑽石材質：97年結案報告為PCD 鑽石刀片，而系爭專利3 請求項1 之發明為CVD 鑽石刀片。

⑶另查，原證23（96年結案報告）第18頁記載：「…CVD 鑽石的修整器…鑽石具有高硬度及高抗化學腐蝕的特性，…表面鑽石針尖的高度一致的金字塔微結構可於CMP 拋光墊刻劃出規則的形貌，有利矽晶圓鏡面拋光，使得晶圓拋光平坦度均勻，達到最佳效果。」

，並於第27頁結論：「鑽石修整器的發展應朝向切刃高度一致、切刃外形為尖點的方向為較優。」

⑷是以，基於原證23（96年結案報告）上述之教示，將原證23所記載之CVD 鑽石薄膜，切割出一片片一體成形刀片，用以置換原證20（97年結案報告）製得之混合式鑽石碟中之PCD 鑽石刀片，即可得到系爭專利3 請求項1 之發明。

換言之，系爭專利3 請求項1 之發明僅是將97年結案報告所記載之不銹鋼模板，按照UDD 鑽石碟中PCD 鑽石刀片的位置，將原來開設配合鑽合顆粒的孔洞，簡單改變為配合增設的CVD 刀片形狀，即可達到VCD 刀片及SiC- PCD顆粒突出基座的突出量相等之目標，並製造出混合PDD 研磨顆粒及CVD 鑽石刀刃型式的混合式鑽石碟。

⑸被告雖辯稱，原告僅稱結案報告內有與系爭專利3 之相同外觀之刀片式聚○○石修整器，並未說明技術創作之發想；

另結案報告內亦未揭示CVD 鑽石刀片與超硬材料顆粒一同設置於基座，而製作為修整器之技術；

又系爭專利3 之特徵，包含CVD 鑽石刀片、多個超硬材料顆粒、具備將複數個小尺寸研磨單元組設在一個大尺寸基板上的特徵，此種組合在96、97年之計畫書並未提及；

且所謂之「CVD 鑽石碟技術」係為被告所擁有之我國專利第097137069 號「具有拼圖式研磨片斷的CMP 拋光墊修整器及其相關方法」申請案（被證22），主要特徵包含PCD （燒結多○○石）刀片、或多個其他超硬材料顆粒或小片包含CVD 刀片，故其計畫書之技術即源自於被告云云。

惟查，原證20（97年結案報告）第35頁圖4.1 、圖4.2 所揭露之不銹鋼金屬板、多○○石（PCD ）放電加工刀片，以及第28頁圖3.15所揭示之SiC-PCD 鑽石顆粒，即相當系爭專利3 請求項1 之基座、CVD 鑽石刀片、超硬材料顆粒結構所組成之拋光墊修整器結構，且以26片多○○石（PCD ）放電加工刀片組設在一個大基板上；

另原證20（97年結案報告）第18頁第1 段已說明基準金屬板主要目的在當作鑽石突出量的基準點，讓鑽石的等高度能維持一致；

故由97年結案報告內容已揭露相當於系爭專利3 請求項1 修整器的技術。

又，原證20（97年結案報告）係以相同修整條件下比較PDD 、UDD 、BDD 等不同修整器產生之分析結果，由實驗結果可知傳統鑽石修整器（BDD ）之鑽石顆粒等高度不佳，故移除量較小，但壽命長；

刀片式聚○○石修整器（UDD ）之移除量較大，但易磨耗、壽命短；

且該結案報告之結論亦說明合作計畫之目標是比較傳統修整器與PDD 及UDD 刀片式鑽石修整器修整拋光墊所得結果，提供CMP 製程選擇與判斷，並供後續改良刀具形貌的參考依據。

再者，由系爭專利3 第6 頁之先前技術亦載有傳統的單○○石修整器與多○○石（PCD 鑽石，CVD 鑽石）修整器之優缺點比較。

顯見系爭專利3 之創作技術係由97年結案報告之實驗分析結果延伸獲得，亦即，依97年結案報告之成果進行簡單組合及實驗，並加以研究及開發來改良刀具結構及性能。

被告雖稱由我國第097137069 號專利申請案（被證22）可知97年結案報告之計畫書係源自被告；

惟被證22專利申請案請求項1 記載「一種CMP 拋光墊修整器，包括複數研磨片段，各研磨片段具有一片段基質以及一附著於該片段基質的研磨層，該研磨層包括超硬研磨材料，其係為多○○石（PCD ）刀片及獨立的研磨顆粒；

另外也提供一拋光墊修整器基材，且各研磨片段能永久地以一方向附著在該拋光墊修整器基材，以使得在該拋光墊修整器與該CMP 拋光墊相對移動時，能夠藉由該研磨層將材料自CMP 拋光墊移除。

」之內容，可知該專利案係以多○○石（PCD ）刀片及獨立的研磨顆粒所組成之研磨層附著於各研磨片段，各研磨片段再附著在拋光墊修整器基材而形成拋光墊修整器。

故被證22之拋光墊修整器結構並未揭露CVD 鑽石刀片及超硬材料顆粒結構共同組成一可同時拋除拋光墊厚度之修整器結構，另查，被證22專利之申請日為97年9 月27日，雖早於系爭專利3 之申請日（97年12月31日），惟係97年產學合作計畫執行期間（97年1 月1 日至97年12月31日）提出申請，另依證人陳○○104 年8 月24日證述：「（請證人說明：一、被告在產學合作計畫中扮演何種角色？二、系爭專利2 至5 所載之技術內容，是由證人還是被告發想及撰寫？）一、被告當時是原告公司的總經理，對整個原告公司來說，是計畫的負責人，我所有的計畫內容及計畫的結案都是對被告負責。

二、系爭專利2 至5 的專利內容是由我提出構想，我有將專利的內容email 給被告請被告修改，告知他要申請這樣的專利，所有的申請專利的計畫書與專利內容都是我寫的，我是寫完請求項與說明書的草稿後，請專利代理人完成的（見本院卷㈥第211 頁），足見原告與中華大學之系爭產學合作計畫，均係由被告代表原告公司與證人陳○○接洽連繫，證人陳○○亦會就相關技術問題及所欲申請之專利內容與被告討論，被告因此得知97年產學合作研究計畫之詳細內容，然系爭產學合作計畫既係由原告委託中華大學研發，被告係代表原告公司與陳○○連繫並參與計畫之執行，自不得以其因參與系爭產學合作計畫所知悉之內容，另行申請專利，並主張係其個人所發想及創作，故被告所辯，不足採信。

⑹被告又辯稱，由系爭專利3 、4 、5 申請時，證人陳○○與專利事務所間之被證37至39電子郵件內容，足證系爭專利3 至5 係由被告提供相關技術研發而成云云。

惟查，被證37之電子郵件中，證人陳○○表示：「本案原則上是一個組合型的鑽石碟，就是把過去我申請的案子+ 宋博士（即被告）的專利+ 目前傳統的方法，以解決目前拋光所遭遇的困難」（見本院卷㈣第38頁），上開記載僅可知系爭專利3 技術創作之內容，係根據陳○○及被告過去申請之專利及習知技術作改良，而產生系爭專利3 之創作，惟系爭專利3 既經我國專利專責機關審查後，認為具備專利要件而准予專利，自與該專利所組合之先前技術有所區別，難認系爭專利3 係單純由被告提供技術所研發而成。

又被證38電子郵件係證人陳○○就系爭專利4 申請書內容，請被告提供意見，被證39係專利事務所寄予證人陳盈及被告之電子郵件，載明系爭專利5 之請求項內容，依指示（未載明依何人指示）增加請求項12、13之限制條件，僅能證明被告有參與證人陳○○申請系爭專利4 、5 之過程，仍無法證明系爭專利4 、5 係由被告提供技術所研發而成，被告所辯，均不足採信。

㈡請求項3 ：系爭專利3 請求項3 係直接依附第1項之附屬項，進一步界定「其中該基座包括一基板及一結合劑層；

該至少一CVD 鑽石刀片的一端分別接觸該基板；

該基板、該至少一CVD 鑽石刀片藉由該結合劑層結合一體。」

系爭專利3 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證20,23 ，已如前述。

又查原證20第4 頁第11至14行記載「…所提供刀片鑽石碟（UDD, Ultimate Diamond Disk），因聚○○石（PCD,Polycrystalline Diamond ）其強韌性強、抗壓強度較天然鑽高，且可利用線切割放電加工控制刀刃高度、間距，切割出一片片一體成形刀片，運用耐化學腐蝕環氧樹脂（Epoxy Resin ）組裝成鑽石碟…」。

又原證20第35頁圖4.1 所示，多片一體成形刀片係組裝於一基材上而成為鑽石碟。

由上指摘內容中，「環氧樹脂」及「基材」可分別對應於請求項3之 「結合劑層」及「基板」。

故系爭專利3 請求項3 所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

㈢請求項4 ：系爭專利3 請求項4 係直接依附第3項之附屬項，進一步界定「其中該基座包括一固定模具；

該固定模具具有至少一第一孔；

該至少一CVD 鑽石刀片的一端分別穿過該至少一第一孔接觸該基板；

該結合劑層置於該基板及該固定模具之間；

該結合劑層固定結合該固定模具。」

系爭專利3請求項3 所記之技術徵已見揭露於原證20、23 ， 已如前述。

又查原證20第24頁第7 至9 行記載：「將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板上，…不銹鋼模板開有特殊形狀的孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔的設計讓鑽石尖點統一朝下，…」，其中「不銹鋼模板」可對應於請求項4 之「固定模具」。

本項所記僅是將不銹鋼模板開設配合鑽合顆粒的孔洞，簡單改變為配合增設的CVD 刀片形狀，故系爭專利3 請求項4 所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

㈣請求項6 ：系爭專利3 請求項6 係直接依附第1項之附屬項，進一步界定「其中該基座包括一基板及一結合劑層；

該至少一CVD 鑽石刀片及該多個超硬材料顆粒的一端分別接觸該基板；

該基板、該至少一CVD 鑽石刀片及多個超硬材料顆粒藉由該結合劑層結合一體。」

系爭專利3 請求項1所 記之技術徵已見揭露於原證20、23，已如前述。

又查原證20第4 頁第11至14行記載「…所提供刀片鑽石碟（UD D , UltimateDiamond Disk），因聚○○石（PCD,Poly cry stallineDiamond ）其強韌性強、抗壓強度較天然鑽高，且可利用線切割放電加工控制刀刃高度、間距，切割出一片片一體成形刀片，運用耐化學腐蝕環氧樹脂（Epoxy Resin ）組裝成鑽石碟…」。

又由原證20第24頁第12至15 行 記載：「…然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石的半成品上；

復以不銹鋼材的金屬板當做基材黏於環氧樹脂上，並於其上施加壓力，…鑽石碟即製作完成。」

，以及第35頁圖4.1 所示，多片一體成形刀片係組裝於一基板上而成為鑽石碟。

由上指摘內容中，「環氧樹脂」及「不銹鋼基材」可分別對應於請求項6 之「結合劑層」及「基板」。

故系爭專利3 請求項6 所記之技術特徵已見揭露於原證20、23 。

㈤請求項7 ：系爭專利3 請求項7 係直接依附第6項之附屬項，進一步界定「其中該基座包括一固定模具；

該固定模具具有至少一第一孔及多個第二孔；

該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒的一端分別穿過該至少一第一孔、該多個第二孔接觸該基板；

該結合劑層置於該基板及該固定模具之間；

該結合劑層固定結合該固定模具。」

系爭專利3 請求項6 所記之技術徵已見揭露於原證20、23，已如前述。

又查原證20第24頁第7 至9 行記載：「將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板上，…不銹鋼模板開有特殊形狀的孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔的設計讓鑽石尖點統一朝下，…」，其中「不銹鋼模板」及「孔洞」可分別對應於請求項7 之「固定模具」及「第二孔」。

本項所記僅是將不銹鋼模板開設配合鑽合顆粒的孔洞，簡單改變為配合增設的CVD 刀片形狀而為第一孔，故系爭專利3 請求項7 所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

㈥請求項9 ：系爭專利3 請求項9 係直接依附第1項之附屬項，進一步界定「其中該基座支撐及固定結合至少一PCD 鑽石刀片；

該至少一PCD 鑽石刀片突出該基座。」

系爭專利3 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證20、23，已如前述。

又查原證20第4 頁第11至14行記載「…所提供刀片鑽石碟（UDD, Ultimate Diamond Disk），因聚○○石（PCD ,Polycrystalline Diamond）其強韌性強、抗壓強度較天然鑽高，…切割出一片片一體成形刀片，運用耐化學腐蝕環氧樹脂（Epoxy Resin ）組裝成鑽石碟…」，其中「聚○○石刀片」可對應於請求項9 之「PCD 刀片」。

故系爭專利3 請求項9所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

㈦請求項10：系爭專利3 請求項10係直接依附第9項之附屬項，進一步界定「其中該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒及該至少一PCD 鑽石刀片分別突出該基座的突出量相等。」

系爭專利3 請求項9 所記之技術徵已見揭露於原證20、23，已如前述。

又查原證20第24頁第7 至11行記載：「…將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板上，在直徑104mm的區域內，不銹鋼模板開有特殊形狀的孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔的設計讓鑽石尖點統一朝下，使鑽石的突出高度與模板厚度概等，在鑽石上擺放一層緩衝墊，再施加壓力於鑽石上來調整突出高度；

…」，本項所記僅是將調整鑽石顆粒突出高度的技術，簡單改變為將增設的CVD 刀片及PCD 刀片突出高度，故系爭專利3 請求項10 所 記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

㈧請求項12：系爭專利3 請求項12係直接依附第9項之附屬項，進一步界定「其中該基座包括一基板及一結合劑層；

該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒及該至少一PCD 鑽石刀片的一端分別接觸該基板；

該基板、該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒及該至少一PCD 鑽石刀片藉由該結合劑層結合一體。」

系爭專利3 請求項9 所記之技術徵已見揭露於原證20、23，已如前述。

又查原證20第4 頁第11至14行記載「…所提供刀片鑽石碟（UDD, Ultimate DiamondDisk），因聚○○石（PCD,Polycr ystalline Diamond）其強韌性強、抗壓強度較天然鑽高，且可利用線切割放電加工控制刀刃高度、間距，切割出一片片一體成形刀片，運用耐化學腐蝕環氧樹脂（Epoxy Resin ）組裝成鑽石碟…」。

又由原證20第24頁第12至15行記載：「…然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石的半成品上；

復以不銹鋼材的金屬板當做基材黏於環氧樹脂上，並於其上施加壓力，…鑽石碟即製作完成。

」，以及第35頁圖4. 1所示，多片一體成形刀片係組裝於一基板上而成為鑽石碟。

由上指摘內容中，「環氧樹脂」及「不銹鋼基材」可分別對應於請求項12之「結合劑層」及「基板」，本項所記僅是將鑽石顆粒以環氧樹脂結合於基板的技術，簡單改變為將增設的CVD 刀片及PCD 刀片併以環氧樹脂結合於基板，故系爭專利3 請求項12所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

㈨請求項13：系爭專利3 請求項13係直接依附第12項之附屬項，進一步界定「其中該基座包括一固定模具；

該固定模具具有至少一第一孔、多個第二孔及至少一第三孔；

該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒及該至少一PCD 鑽石刀片的一端分別穿過該至少一第一孔、該多個第二孔及該至少一第三孔接觸該基板；

該結合劑層置於該基板及該固定模具之間；

該結合劑層固定結合該固定模具。」

系爭專利3 請求項12所記之技術徵已見揭露於原證20、23，已如前述。

又查原證20第24頁第7 至9 行記載：「將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板上，…不銹鋼模板開有特殊形狀的孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔的設計讓鑽石尖點統一朝下，…」，其中「不銹鋼模板」及「孔洞」可分別對應於請求項13之「固定模具」及「第二孔」。

本項所記僅是將不銹鋼模板開設配合鑽石顆粒的孔洞，簡單改變為配合增設的CVD 刀片形狀而為第一孔，以及配合增設的PCD 刀片形狀而為第三孔，故系爭專利3 請求項13所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

㈩請求項18：系爭專利3 請求項18係直接依附第1項之附屬項，進一步界定「其中該基座包括一基板及一固定模具；

該固定模具具有至少一第一孔及多個第二孔；

該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒的一端分別穿過該至少一第一孔、該多個第二孔結合該基板；

該基板固定結合該固定模具。

」系爭專利3 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證20、23，已如前述。

又查原證20第24頁第7 至9 行記載：「將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板上，…不銹鋼模板開有特殊形狀的孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔的設計讓鑽石尖點統一朝下，…」，其中原證20之「不銹鋼模板」及「孔洞」可分別對應於請求項18之「固定模具」及「第二孔」。

本項所記僅是將不銹鋼模板開設配合鑽石顆粒的孔洞，簡單改變為配合增設的CVD 刀片形狀而為第一孔，故系爭專利3 請求項18所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

請求項20：系爭專利3 請求項20係直接依附第9項之附屬項，進一步界定「其中該基座包括一基板及一固定模具；

該固定模具具有至少一第一孔、多個第二孔及至少一第三孔；

該至少一CVD 鑽石刀片、該多個超硬材料顆粒及該至少一PCD鑽石刀片的一端分別穿過該至少一第一孔、該多個第二孔及該至少一第三孔結合該基板；

該基板固定結合該固定模具。

」系爭專利3 請求項9 所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又查原證20第24頁第7 至9 行記載：「將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板上，…不銹鋼模板開有特殊形狀的孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔的設計讓鑽石尖點統一朝下，…」，其中原證20之「不銹鋼模板」及「孔洞」可分別對應於請求項20之「固定模具」及「第二孔」。

本項所記僅是將不銹鋼模板開設配合鑽合顆粒的孔洞，簡單改變為配合增設的CVD 刀片形狀而為第一孔，以及配合增設的PCD 刀片形狀而為第三孔，故系爭專利3 請求項20所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

請求項27：系爭專利3 請求項27係直接依附第26項之附屬項，進一步界定「其中該固定模具的材料為選自金屬、金屬合金、有機聚合物、陶瓷材料、碳材料玻璃材料、上述材料的混合物其中之一者。」

；

第26項係直接依附第25項中任一項之附屬項，進一步界定「其中該結合劑層的材料為選自金屬、金屬合金、有機聚合物、陶瓷材料、碳材料、玻璃材料、上述材料的混合物及焊接合金材料其中之一者。」

；

第25項係直接依附第7項中任一項之附屬項，進一步界定「其中該基板的材料為選自金屬、金屬合金、有機聚合物、陶瓷材料、碳材料、玻璃材料及上述材料的混合物其中之一者」。

系爭專利3 請求項7 所記之技術徵已見揭露於原證20、23，已如前述。

又查原證20第24頁第7 至15行記載：「將鑽石排列在二片直徑108mm 不銹鋼模板上，…不銹鋼模板開有特殊形狀的孔洞呈矩陣排列，透過特殊開孔的設計讓鑽石尖點統一朝下，…然後將環氧樹脂灌注在排滿鑽石的半成品上；

復以不銹鋼材的金屬板當做基材黏於環氧樹脂上，並於其上施加壓力，…鑽石碟即製作完成。」

，其中「不銹鋼材的金屬板當做基材」可對應於請求項25之「基板為金屬或金屬合金」、「環氧樹脂」可對應於請求項26之「結合劑層為有機聚合物」、「不銹鋼模板」可對應於請求項27之「固定模具材料為金屬或金屬合金」，故系爭專利3 請求項27所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

請求項28：系爭專利3 請求項28係直接依附第7項之附屬項，進一步界定「其中該CVD 鑽石刀片是含硼的導電CVD 鑽石刀片。」

系爭專利3 請求項7 所記之技術徵已見揭露於原證20、23，已如前述。

又查原證23第20頁第4.2.2 節已記載：「用HFCVD 方式蒸鍍鑽石薄膜…最後將處理好的試片放入HFCVD 爐中，並以鎢絲加熱。

…」之技術，乃相同於系爭專利說明書第13頁第1 至9 行所列舉之氣相沉積方法實例：「本發明所稱的『化學氣相沉積法』或『CVD 』是指任何以氣相狀態化學沉積鑽石於基材的方法，包括任何實例，…因此氣相沉積的方法實例包括熱燈絲氣相沉積法（Filament CVD）…」，且系爭專利3 說明書第13頁第3 行亦記載「本發明的CVD 鑽石刀片也可以是含硼的導電CV D鑽石刀片。」

，同時系爭專利3 說明書也未記載使用含硼的導電CVD 鑽石刀片的特殊功效，故本項所請僅是將CVD 鑽石刀片的鑽石材質，由原證23的CVD 鑽石簡單改變為含硼的導電CVD 鑽石，是以系爭專利3 請求項28所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

請求項29：系爭專利3 請求項29係直接依附第第1項至第5項及第6項至第27項中任一項項之附屬項，進一步界定「其中該CVD 鑽石刀片是含硼的導電CVD 鑽石刀片」。

系爭專利3 請求項第1項至第5項及第6項至第27項中任一項所記之技術徵已見揭露於原證原證20、23，已如前述。

又原證23已記載與系爭專利3 相同HFCVD 技術，以及系爭專利3 說明書也未記載使用含硼的導電CVD 鑽石刀片的特殊功效，亦如上述，故本項所請僅是將CVD 鑽石刀片的鑽石材質，由96年結案報告中的CVD 鑽石簡單改變為含硼的導電CVD 鑽石，是以系爭專利3 請求項29所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

請求項33：系爭專利3 請求項33係直接依附第30項之附屬項，進一步界定「包括多片CVD 鑽石刀片；

該多片CVD 鑽石刀片的形狀呈相同的長條形；

該多片CVD 鑽石刀片等間隔且呈對稱性的排列成圓形，該多片CVD 鑽石刀片的排列方向朝向圓心；

該多個超硬材料顆粒排列於該多片CVD 鑽石刀片之間。」

系爭專利3 請求項30係依附第1 至28項中任一項之附屬項，進一步界定「其中該多個超硬材料顆粒為選自人造鑽石顆粒、非人造鑽石顆粒、立方晶氮化硼顆粒、多晶立方氮化硼顆粒、最硬結晶體顆粒及上述顆粒的混合其中之一者。」

系爭專利3 請求項1,3,4,6,7,9,10,1 2,13,18,20,27,28 等所記之技術徵已見揭露於原證20、23 ， 已如前述。

又查原證20第28頁圖3.15即揭露將SiC-PCD 人造鑽顆粒排列固定於基板的技術，以及第35頁圖4.1 亦揭露將PCD 鑽石長條形刀片，呈等間隔且對稱性的朝向圓心排列成圓形的技術。

故系爭專利3 請求項30及33所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

請求項34：系爭專利3 請求項34係直接依附第30項之附屬項，進一步界定「包括多片CVD 鑽石刀片；

該多片CVD 鑽石刀片的形狀呈相同的長條形；

該多片CVD 鑽石刀片等間隔且呈對稱性的排列成多邊形；

該多個超硬材料顆粒排列於該多片CVD 鑽石刀片之間。」

系爭專利3 請求項30所記之技術徵已見揭露於原證20、23，已如前述。

而原證20揭露將SiC-PCD人造鑽顆粒排列固定於基板的技術，以及將PCD 鑽石長條形刀片，呈等間隔且對稱性的朝向圓心排列成圓形的技術，亦如上述。

又且系爭專利說明書第9 頁第14至16行亦記載「本發明拋光墊修整器的鑽石刀片的形狀可以是圓形、環形、矩行、三角形、多邊形或無規則形狀等各種形狀，且多片鑽石刀片可有各種不同的排列…」，同時系爭專利3 說明書也未記載CVD 鑽石刀片排列成多邊形的特殊功效，故本項所請僅是將CVD 鑽石刀片的排列方式，由原證20的PCD 長條形鑽石刀片排列成圓形簡單改變為排列成多邊形，是以系爭專利3請求項34所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

請求項35：系爭專利3 請求項35係直接依附第30項之附屬項，進一步界定「包括多片CVD 鑽石刀片；

該多片CVD 鑽石刀片的形狀呈相同的長條形；

該多片CVD 鑽石刀片等間隔的排列成圓形，該多片CVD 鑽石刀片的排列方向偏離圓心；

該多個超硬材料顆粒排列於該多片CVD 鑽石刀片之間。」

系爭專利3 請求項30所記之技術徵已見揭露於原證20 、23 ，已如前述。

而原證20揭露將SiC-PCD 人造鑽顆粒排列固定於基板的技術，以及將PCD 鑽石長條形刀片，呈等間隔且對稱性的朝向圓心排列成圓形的技術，亦如上述。

又系爭專利說明書第9 頁第14至16行亦記載「本發明拋光墊修整器的鑽石刀片的形狀可以是圓形、環形、矩行、三角形、多邊形或無規則形狀等各種形狀，且多片鑽石刀片可有各種不同的排列…」，同時系爭專利3 說明書也未記載CVD 鑽石刀片排列方向偏離圓心的特殊功效，故本項所請僅是將CVD 鑽石刀片的排列方式，由原證20的PCD 長條形鑽石刀片排列成圓形簡單改變為排列成偏離圓心，是以系爭專利3 請求項35所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

請求項36：系爭專利3 請求項36係直接依附第30項之附屬項，進一步界定「包括多片CVD 鑽石刀片；

該多片CVD 鑽石刀片的形狀呈相同的長條形；

該多片CVD 鑽石刀片依序排列成鋸齒狀且為成圓形；

該多個超硬材料顆粒排列於該多片CVD鑽石刀片之間。」

系爭專利3 請求項30所記之技術徵已見揭露於原證20、23，已如前述。

而原證20揭露將SiC-PCD 人造鑽顆粒排列固定於基板的技術，以及將PCD 鑽石長條形刀片，呈等間隔且對稱性的朝向圓心排列成圓形的技術，亦如上述。

又系爭專利說明書第9 頁第14至16 行 亦記載「本發明拋光墊修整器的鑽石刀片的形狀可以是圓形、環形、矩行、三角形、多邊形或無規則形狀等各種形狀，且多片鑽石刀片可有各種不同的排列…」，同時系爭專利3 說明書也未記載CVD 鑽石刀片排列為鋸齒狀且為成圓形的特殊功效，故本項所請僅是將CVD 鑽石刀片的排列方式，由原證20的PCD 長條形鑽石刀片排列成圓形簡單改變為排列成鋸齒狀且為成圓形，是以系爭專利3 請求項36所記之技術特徵已見揭露於原證20、23。

八、系爭專利4 與98年度結案報告（下稱原證26）之技術內容比對：㈠請求項1 ：⑴原證26第63頁第9 至16行記載：「…新式組合式鑽石修整器可利用環氧樹脂做結合劑，將直徑20mm硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座結合。

利用有黏膠功能的調整墊將鑽石小碟固定於底座，…再利用環氧樹脂注入底座上膠化固定，最後利用基準板加壓控制等高度，待環氧樹脂固化即完成鑽石碟製作；

但其中最重要的技術是如何在環氧樹脂固化前要保持鑽石小碟的平面度，最佳的方式可在鑽石小碟下放置一彈性體作為高度控制機構，這個彈性機構可彈簧、橡膠、矽膠、雙面膠等具有微彈性的材料，俟環氧樹脂固化後，鑽石小碟的高度也不會再改變。」

；

第64頁第2 至6行記載：「…組合鑽石碟等高度比較圖如圖5.4 ，由圖中組合式鑽石碟修整器鑽石磨粒_12 的等高度差約75um；

而另一組合式鑽石修整器8+4 鑽石磨粒的等高度差可達40um以下，有效改善磨粒等高度的問題；

未來如果改善平板模具的平面度達5um 以上，便可以使壓入鑽石小碟的平行度達到20um以下。」

，另如第65頁圖5-2 （a ）所示鑽石小碟上的鑽石磨粒係突出於小碟與底座及樹脂的結合面；

又如第66頁圖5-4 所示：樣品編號8+4_A 鑽石磨粒的等高度差在20微米內。

⑵由上述原證26指摘內容中之「組合式鑽石修整器」、「不銹鋼底座」、「調整墊或彈性機構」、「硬銲的鑽石小碟」、「鑽石磨粒」及「環氧樹脂」可分別對應於系爭專利4 請求項1 所記之「組合式修整器」、「大基板」、「彈性單元」、「研磨單元」、「磨粒」及「結合劑」。

⑶故原證26已揭示系爭專利4 請求項1 所記之「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器），是作為CMP 拋光墊的修整器者，包括：一大基板（不銹鋼底座），設有一結合面；

該結合面設有複數凹槽（如第65頁圖5-3 所示圓形凹槽）；

複數彈性（調整墊或彈性機構）單元分別置於該複數凹槽內；

複數研磨單元（硬銲的鑽石小碟），該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒（鑽石磨粒）；

該複數磨粒分別具有切削端；

該複數小基板的相對於設有該複數磨粒的另一面分別接觸該複數彈性單元（如第65頁圖5.2 （a ）所示小碟底度與調整墊接觸），以藉由該複數彈性單元彈性調整該複數磨粒的切削端突出該大基板的高度；

藉由一結合劑層（環氧樹脂）使該大基板及該複數研磨單元的小基板分別固定結合；

其中該複數磨粒的切削端分別與一平面的高度差異在20微米內（如第66頁圖5.4 中：樣品編號8+4_A 所示）。」

（註：（）內為原證26所載之元件符號及元件名稱）。

綜上，原證26已完全揭露系爭專利4 請求項1 之所有的技術特徵。

⑷被告雖辯稱，原告僅稱結案報告內有與系爭專利4 之發明相同，並未說明技術創作之發想；

且所謂之「小鑽石碟底部使用橡膠、矽膠等彈性體或彈性單元」乃被告教導陳○○之方法，而「組合式鑽石修整器」是源自於被告之我國專利第097137069 號申請案（被證22），該專利具有將複數個小尺寸研磨單元組設在一個大尺寸基板上形成拼盤式等特徵；

且系爭專利4 請求項1 特徵包含「該複數磨粒的切削端分別與一平面的高度差異在20微米內」，此特徵可參見被告之我國專利第096143399 號申請案（被證24），其中請求項15即有「少於大約20微米的切割深度」之特徵，足見該特徵係由被告傳授云云。

惟查，原證26已完全揭露系爭專利4 請求項1 、20、22、25、27及30之技術特徵（除請求項1 之外，其餘請求項比對詳如後述），故系爭專利4 之技術特徵已為原證26所揭露。

再者，被證22僅揭露利用具有多○○石（PCD ）刀片及研磨顆粒組成之研磨層黏附於小尺寸之研磨片段，各研磨片段再附著於拋光墊修整器之大尺寸基材而組成修整器，並未見揭示系爭專利4 之小基板相對於設有該複數磨粒的另一面分別接觸複數彈性單元（如橡膠、矽膠等彈性體）之技術內容；

且被證24 請 求項15雖有揭露超硬切割裝置被使用於研磨一工件時，該預設高度少於大約20微米的切割深度之技術特徵，惟被證24之超硬切割裝置僅在限定各獨立聚晶切割元件之尖端對齊一共同平面後所須達到之切割深度，並未有系爭專利4 之小基板與大基板結合之間設有彈性單元之技術特徵。

其餘有關被告主張被證22及被證37至39不足採信之理由，詳如系爭專利3 所述。

㈡請求項9 、10：系爭專利4 請求項9 係直接依附第1項之附屬項，進一步界定「其中該小基板為圓盤狀，直徑為10 -30厘米。」

、請求項10係直接依附第9項之附屬項，進一步界定「其中該小基板的直徑為20厘米。」

。

系爭專利4 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又查原證26第63頁第9 至10行揭示：將直徑20mm（註: 即20厘米）硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座結合。

故系爭專利4 請求項9,10所記之技術特徵已見揭露於原證26。

㈢請求項11、12、13、14：系爭專利4 請求項11至14均係直接依附第1項之附屬項，進一步界定複數磨粒的排列形狀分別為「呈同心圓」、「呈矩陣式」、「呈矩陣式」、系爭專利4 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又查原證26第63頁第7 行揭示：鑽石磨粒可排列為輻射狀、同心圓、矩陣式及對稱式等排列組合。

故系爭專利4 請求項11至14所記之技術特徵已見揭露於原證26。

㈣請求項15：系爭專利4 請求項15係直接依附第1項之附屬項，進一步界定「其中該複數彈性單元分別是橡膠材料、彈簧、半凝固的塑膠、矽膠、半凝固的膠水或泡棉其中之一製成者。」

系爭專利4 請求項1 所記之技術徵已揭露於原證26，已如前述。

又查原證26第63頁第15行揭示：彈性機構可彈簧、橡膠、矽膠、雙面膠等具有微彈性的材料。

故系爭專利4請求項15所記之技術特徵已見揭露於原證26。

㈤請求項19：系爭專利4 請求項19係依附第1 至18項中任一項之附屬項，進一步界定「其中該複數研磨單元呈具有一中心及圍繞中心的複數同心環排列的形狀、呈矩陣式排列的形狀或呈環狀排列的形狀其中之一者。」

經被告確認請求項19僅需比對先前有比對勾選比對之項目（103 年6 月24 日 言詞辯論筆錄）。

系爭專利4 請求項1,9 至15所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又查原證26第65頁第5.3 圖揭示：外圍的8 個的凹槽可以使鑽石小碟呈環狀排列的形狀。

故系爭專利4 請求項19所記之技術特徵已見揭露於原證26。

㈥請求項20：系爭專利4 請求項20係「一種組合式修整器，包括：一大基板；

複數研磨單元，該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有切削端；

該複數小基板的相對於設有該複數磨粒的另一面分別接觸複數彈性單元，以藉由該複數彈性單元彈性調整該複數磨粒的切削端突出該大基板的高度；

其中該大基板包括一第一支架及一結合劑層；

該第一支架設有容納該複數彈性單元的複數穿透孔；

該結合劑層固定結合該第一支架及該複數小基板；

該複數磨粒的切削端分別與一平面的高度差異在20微米內。」

請求項20相較於請求項1 ，主要係更加界定大基板包括一第一支架及一結合劑層，以及以結合劑層固定結合第一支架及小基板。

系爭專利4 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

另查原證26第65頁圖5.2 （b ）即已揭示在底座上使用一隔板設有露出鑽石小碟切削端的的穿透孔，可對應於請求項20所記之第一支架。

故系爭專利4 請求項20所記之技術特徵已見揭露於原證26。

亦即，原證26已揭示系爭專利4 請求項20所記之「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器），包括：一大基板（不銹鋼底座）；

複數研磨單元（硬銲的鑽石小碟），該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒（鑽石磨粒）；

該複數磨粒分別具有切削端；

該複數小基板的相對於設有該複數磨粒的另一面分別接觸複數彈性單元（調整墊或彈性機構），以藉由該複數彈性單元彈性調整該複數磨粒的切削端突出該大基板的高度；

其中該大基板包括一第一支架（隔板）及一結合劑層（環氧樹脂）；

該第一支架設有容納該複數彈性單元的複數穿透孔；

該結合劑層固定結合該第一支架及該複數小基板；

該複數磨粒的切削端分別與一平面的高度差異在20微米內（如第66頁圖5.4 中：樣品編號8+4_A 所示）。」

（註：（）內為原證26所載之元件符號及元件名稱）。

故原證26已完全揭露系爭專利4 請求項20所有的技術特徵。

㈦請求項21：系爭專利4 請求項21係直接依附第20項之附屬項，進一步界定「其中該複數研磨單元呈具有一中心及圍繞中心的複數同心環排列的形狀、呈矩陣式排列的形狀或呈環狀排列的形狀其中之一者。」

系爭專利4 請求項20所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又查原證26第65 頁 第5.3 圖揭示：外圍的8 個的凹槽可以使鑽石小碟呈環狀排列的形狀。

故系爭專利4 請求項21所記之技術特徵已見揭露於原證26。

㈧請求項22：系爭專利4 請求項22係「一種組合式修整器，包括：一大基板；

複數研磨單元，該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有切削端；

其中該複數研磨單元分別固定結合該大基板；

該複數磨粒的切削端分別與一平面的高度差異在20微米內；

其中該大基板結合一固定模具；

該固定模具設有複數孔；

該複數磨粒的切削端分別穿過該複數孔」。

請求項22相較於請求項1 ，主要的係增加一設有複數孔固定模具。

系爭專利4 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又查原證26第65頁圖5.2 （b ）即已揭示在底座上使用一隔板設有露出鑽石小碟切削端的的穿透孔，可對應於請求項22所記之固定模具。

故系爭專利4 請求項22所記之技術特徵已見揭露於原證26。

亦即，原證26已揭示系爭專利4 請求項22所記之「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器），包括：一大基板（不銹鋼底座）；

複數研磨單元（硬銲的鑽石小碟），該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒（鑽石磨粒）；

該複數磨粒分別具有切削端；

其中該複數研磨單元分別固定結合該大基板；

該複數磨粒的切削端分別與一平面的高度差異在20微米內（如第66頁圖5.4 中：樣品編號8+4_A 所示）；

其中該大基板結合一固定模具（隔板）；

該固定模具設有複數孔；

該複數磨粒的切削端分別穿過該複數孔。」

（註：（）內為原證26所載之元件符號及元件名稱）。

故原證26已完全揭露系爭專利4請求項22所有的技術特徵。

㈨請求項23：系爭專利4 請求項23係直接依附第22項之附屬項，進一步界定「其中該大基板包括一第二支架及一結合劑層；

該結合劑層固定結合該第二支架及該複數小基板。」

系爭專利4 請求項22所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又如原證26第65頁圖5.2 （a ）所示：大基板包括一底座及一樹脂層，樹脂固定結合底座及鑽石小碟。

故系爭專利4請求項23所記之技術特徵已見揭露於原證26。

㈩請求項24：系爭專利4 請求項24係直接依附第22或23項之附屬項，進一步界定「其中該複數研磨單元呈具有一中心及圍繞中心的複數同心環排列的形狀、呈矩陣式排列的形狀或呈環狀排列的形狀其中之一者。」

。

系爭專利4 請求項22 或23項所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又查原證26第65頁第5.3 圖揭示：外圍的8 個的凹槽可以使鑽石小碟呈環狀排列的形狀。

故系爭專利4 請求項24所記之技術特徵已見揭露於原證26。

請求項25：系爭專利4 請求項25係「一種組合式修整器的製法，包括如下步驟：（1 ）使複數彈性單元分別置於一大基板的一結合面的複數凹槽內；

（2 ）使複數研磨單元分別與該複數彈性單元相疊；

該複數彈性單元分別施予該複數研磨單元離開大基板的力量；

（3 ）使一平板同一水平方向的施予該複數磨粒的切削端靠向該大基板的力量，藉由該平板的施予該複數研磨單元的壓力及該複數彈性單元推頂該複數研磨單元的彈力呈相等的狀態，使該複數切削分別與一平面的高度差異在20微米內；

（4 ）藉由結合劑層使該大基板固定結合該複數研磨單元，使該複數切削端被固定形成該組合式修整器」。

請求項25相較於請求項1 ，主要的係為請求項1組合式修整器的製作方法。

系爭專利4 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

原證26如前指摘內容可看出其製作方法。

另在第65頁圖5.2 （a ）中揭示使用一基準板隔著保護片將多個鑽石小碟朝底座方向施加壓力，基準板可對應於請求項25所記之平板。

故系爭專利4 請求項25所記之技術特徵已見揭露於原證26。

亦即，原證26已揭示系爭專利4 請求項25所記之「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器）的製法，包括如下步驟：（1 ）使複數彈性單元（調整墊或彈性機構）分別置於一大基板（不銹鋼底座）的一結合面的複數凹槽（如第65頁圖5-3 所示圓形凹槽）內；

（2 ）使複數研磨單元（硬銲的鑽石小碟）分別與該複數彈性單元相疊；

該複數彈性單元分別施予該複數研磨單元離開大基板的力量；

（3 ）使一平板（基準板）同一水平方向的施予該複數磨粒（鑽石磨粒）的切削端靠向該大基板的力量，藉由該平板的施予該複數研磨單元的壓力及該複數彈性單元推頂該複數研磨單元的彈力呈相等的狀態，使該複數切削分別與一平面的高度差異在20微米內（如第66頁圖5.4 中：樣品編號8+4_ A所示）；

（4 ）藉由結合劑層（環氧樹脂）使該大基板固定結合該複數研磨單元，使該複數切削端被固定形成該組合式修整器」（註：（）內為原證26所載之元件符號及元件名稱）。

故原證26已完全揭露系爭專利4 請求項25所有的技術特徵。

請求項26：系爭專利4 請求項26係直接依附第25項之附屬項，進一步界定「其中該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有切削端；

該複數磨粒的切削端分別突出大基板。」

系爭專利4 請求項25所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又如原證26第65頁圖5.2 （a ）所示：鑽石小碟具有一小基板及多個鑽石磨粒，一端凸出於底座及樹脂層。

故系爭專利4請求項26所記之技術特徵已見揭露於原證26。

請求項27：系爭專利4 申請專利範圍第27項係「一種組合式修整器的製法，包括如下步驟：（1 ）使複數彈性單元分別置於一第一模具的複數凹槽內；

（2 ）使複數研磨單元分別與複數彈性單元相疊；

該複數彈性單元分別施予該複數研磨單元離開該第一模具的力量；

（3 ）使一平板同一水平方向的施予該複數磨粒的切削端靠向該第一模具的力量，藉由該平板分別施予該複數研磨單元的壓力及複數複數彈性單元分別推頂研磨單元的彈力呈相等的狀態，使該複數切削端分別與一平面的高度差異在20微米內；

（4 ）使一大基板分別結合該複數研磨單元，使該複數切削端被固定形成該組合式修整器」。

請求項27相較於請求項25，主要差異係請求項27使用一第一模具容置彈性單元及研磨單元，並使一大基板結合研磨單元；

而請求項25則使用大基板容置彈性單元及研磨單元，並藉由結合劑層使該大基板固定結合該複數研磨單元。

系爭專利4 請求項25所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

另由原證26第65頁圖5.3 即揭示在不銹鋼底座上設有多個圓形凹槽，以及第63頁第9 至10行記載：利用環氧樹脂做結合劑將硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座結合，可對應於請求項26所記之第一模具及大基板，請求項27僅是將原證26中的不銹鋼底座當成模具使用，在完成修整器後使其與環氧樹脂分離，為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成之簡單改變。

故系爭專利4 請求項27所記之技術特徵已見揭露於原證26。

亦即，98年結案報告已揭示系爭專利4 請求項27所記之「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器）的製法，包括如下步驟：（1 ）使複數彈性單元（調整墊或彈性機構）分別置於一第一模具（不銹鋼底座）的複數凹槽內（如第65頁圖5-3 所示圓形凹槽）；

（2 ）使複數研磨單元（硬銲的鑽石小碟）分別與複數彈性單元相疊；

該複數彈性單元分別施予該複數研磨單元離開該第一模具的力量；

（3 ）使一平板（基準板）同一水平方向的施予該複數磨粒（鑽石磨粒）的切削端靠向該第一模具的力量，藉由該平板分別施予該複數研磨單元的壓力及複數複數彈性單元分別推頂研磨單元的彈力呈相等的狀態，使該複數切削端分別與一平面的高度差異在20微米內（如第66頁圖5.4 中：樣品編號8+4_ A所示）；

（4 ）使一大基板（環氧樹脂）分別結合該複數研磨單元，使該複數切削端被固定形成該組合式修整器。」

（註：（）內為原證26所載之元件符號及元件名稱）。

請求項28：系爭專利4 請求項28係直接依附第27項之附屬項，進一步界定「其中該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有切削端；

該複數磨粒的切削端分別突出大基板。」

系爭專利4 請求項27所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又如原證26第65頁圖5.2 （a ）所示：鑽石小碟具有一小基板及多個鑽石磨粒，一端凸出於樹脂層。

故系爭專利4 請求項28所記之技術特徵已見揭露於原證26。

請求項29：系爭專利4 請求項29係直接依附第28項之附屬項，進一步界定「其中該大基板包括一第一支架及一結合劑層；

該第一支架設有容納該複數彈性單元的複數穿透孔；

該第一支架置於該第一模具內；

該結合劑層固定結合該第一支架及該複數小基板。」

系爭專利4 請求項28所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又如原證26第65頁圖5.2 （b ）所示：可以設置一隔板於底座上並使鑽石小碟穿透隔板上的孔，其中「隔板（或模板）」可對應於本項之「第一支架」，將其應用於第65頁圖5.2 （a ）並與樹脂結合，可以固定結合鑽石小碟並「利用模板之厚度控制鑽石小碟在不銹鋼底座上的突出量」（第17頁第6 至7 行）。

故系爭專利4 請求項29所記之技術特徵已見揭露於原證26。

請求項30：系爭專利4 請求項30係「一種組合式修整器的製法，包括如下步驟：（1 ）使相疊的一固定模具及一可刺入單元置於一第二模具內；

（2 ）使複數研磨單元的複數磨粒的切削端分別穿過該固定模具的複數孔接觸該可刺入單元；

（3 ）使該複數磨粒的切削端分別刺入該可刺入單元接觸該第二模具的一底壁，而使該複數切削端分別與一平面的高度差異在20微米內；

（4 ）使一大基板分別結合該複數研磨單元及該固定模具，使該複數切削端被固定；

（5 ）使該彈性單元分離該複數切削端，形成該組合式修整器。」

經查原證26第63頁第17至19行記載：「…直接將硬銲的鑽石小碟置於不鏽鋼底座的盲孔上（圖5.2b），其利用20噸的油壓壓床將鑽石小碟嵌入孔洞中，為使鑽石小碟可以與基座結合固定，…」、另第64頁第1 行記載：「…如果為避免組合後的表面間隙，也可以加入結合劑作為補縫作用。」

。

另由第65頁圖5.2 （b ）所示：一隔板及一保護片置於一下方基準板的範圍內，鑽石小碟的切削端係穿過隔板而接觸保護片，當上方基準板向不銹鋼底座方向加壓時，鑽石小碟的切削端可刺入保護片而接觸下方基準板的底壁，保護片係可與複數切削端分離；

以及第64頁第2 至5 行及第66頁圖5-4 揭示：樣品編號8+4_A 鑽石磨粒的等高度差在20微米內。

由上述原證26指摘內容中之「組合式鑽石修整器」、「隔板」、「保護片」、「下方基準板」、「硬銲的鑽石小碟」、「鑽石磨粒」及「環氧樹脂」可分別對應於系爭專利4 請求項30所記之「組合式修整器」、「固定模具」、「可刺入單元」、「第二模具」、「研磨單元」、「磨粒」及「結合劑」。

故原證26已揭示系爭專利4 請求項30所記之「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器）的製法，包括如下步驟：（1 ）使相疊的一固定模具（隔板）及一可刺入單元（保護片）置於一第二模具（第65頁圖5.2 （b ）所示下方基準板）內；

（2 ）使複數研磨單元（硬銲的鑽石小碟）的複數磨粒（鑽石磨粒）的切削端分別穿過該固定模具的複數孔接觸該可刺入單元；

（3 ）使該複數磨粒的切削端分別刺入該可刺入單元接觸該第二模具的一底壁，而使該複數切削端分別與一平面的高度差異在20微米內（如第66頁圖5.4 中：樣品編號8+4_A 所示）；

（4 ）使一大基板（結合劑）分別結合該複數研磨單元及該固定模具，使該複數切削端被固定；

（5 ）使該彈性單元分離該複數切削端，形成該組合式修整器。」

（註：（）內為98年結案報告所載之元件符號及元件名稱）。

亦即，系爭專利4 請求項30所記之技術特徵已見揭露於原證26。

請求項31：系爭專利4 請求項31係直接依附第30項之附屬項，進一步界定「其中該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有複數磨粒；

該複數磨粒分別具有切削端；

該複數磨粒的切削端分別突出大基板。」

系爭專利4 請求項30所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又如原證26第65頁圖5.2 （a ）所示：鑽石小碟具有一小基板及多個鑽石磨粒，一端凸出於底座及樹脂層。

故系爭專利4請求項31所記之技術特徵已見揭露於原證26 。

請求項32：系爭專利4 請求項32係直接依附第31項之附屬項，進一步界定「其中該大基板包括一第二支架及一結合劑層；

藉由一平板同一水平方向的施予該複數磨粒的切削端刺入該可刺入單元；

該結合劑層固定結合該第二支架及該複數小基板。」

系爭專利4 請求項31所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又如原證26第65頁圖5.2 （b ）所示：鑽石小碟可以藉由上方基準板施予加壓而與底座結合，並使鑽石磨粒的切削端刺入保護片，以及第64頁第1行 所記：為避免組合後的表面間隙，也可以加入結合劑作為補縫作用。

其中「底座」及「結合劑」可分別對應於本項之「第二支架」及「結合劑」。

故系爭專利4 請求項32所記之技術特徵已見揭露於原證26。

請求項33：系爭專利4 請求項33係直接依附第32項之附屬項，進一步界定「其中該可刺入單元是雙面膠帶。」

系爭專利4 請求項32所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又如原證26第18頁第1 至3 行所記：保護膠片採用PE 製 作目的在於保護鑽石磨粒；

另在第41頁第7 至9 行揭示：可刺穿膠帶是以紙為主要材質，鑽石可以輕易地刺穿，雙面膠帶則會黏在鑽石表面可以防止環氧樹脂向下流動使得可供切削的部位較大，其中「隔板（或模板）」可對應於本項之「第一支架」，將其應用於第65頁圖5.2 （b ）之保護膠片，除保護鑽石磨粒外亦可防止環氧樹脂向下流動使得可供切削的部位較大。

故系爭專利4 請求項33所記之技術特徵已見揭露於原證26。

九、系爭專利5 與98年度結案報告（原證26）之技術內容比對：㈠請求項1 ：⑴原證26第63頁第17至21行記載：「另外一種組合式鑽石修整器的組裝過程也可以沒有結合劑，直接將硬銲的鑽石小碟置於不鏽鋼底座的盲孔上（圖5.2b），其利用20 噸 的油壓壓床將鑽石小碟崁入孔洞中，為使鑽石小碟可以與基座結合固定，必須使鑽石小碟與基座有材料變形結合，例如…，或是改變結合的角度（梯度），使其產生過盈結合，…」；

第64頁第1 至6 行記載：「…如果為避免組合後的表面間隙，也可以加入結合劑作為補縫作用。

在先期實驗中曾使用通孔的基座，…組合鑽石碟等高度比較圖如圖5.4 ，由圖中組合式鑽石碟修整器鑽石磨粒_12 的等高度差約75um；

而另一組合式鑽石修整器8+4 鑽石磨粒的等高度差可達40um以下，有效改善磨粒等高度的問題；

未來如果改善平板模具的平面度達5u m以上，便可以使壓入鑽石小碟的平行度達到20um以下。」

，另如第65頁圖5-2 （b）所示鑽石小碟係按照加壓的方向（由上而下）而被壓入底座中，可知底座中之盲孔或通孔的孔徑為上寬下窄，並且鑽石小碟上的鑽石磨粒係突出於小碟與底座的結合面；

又如第66頁圖5-4 所示：樣品編號8+4_A 鑽石磨粒的等高度差在20微米內。

⑵由上述原證26指摘內容中之「組合式鑽石修整器」、「不鏽鋼底座」、「盲孔或通孔」、「硬銲的鑽石小碟」、「鑽石磨粒」、「材料變形結合」及「結合劑作為補縫或過盈結合」可分別對應於系爭專利5 請求項1 所記之「組合式修整器」、「大基板」、「複數穿透孔或複數容置槽」、「研磨單元」、「磨粒」、「卡固的嵌入」及「結合劑結合或緊配結合」。

⑶故原證26已揭示系爭專利5 請求項1 所記之「一種組合式修整器（組合式鑽石修整器），是作為CMP 拋光墊的修整器者，包括：一大基板（不銹鋼底座），設有一結合面、一底面及複數穿透孔或複數容置槽（盲孔或通孔）其中之一者；

該複數穿透孔呈錐狀，該複數穿透孔的孔徑為上寬下窄的形狀；

該複數容置槽呈錐狀，該複數容置槽的槽徑為上寬下窄的形狀；

複數研磨單元（硬銲的鑽石小碟），分別具有複數磨粒（鑽石磨粒）；

該複數磨粒分別具有複數切削端；

該複數研磨單元分別具有一小基板；

該複數小基板的一面分別設有該複數磨粒；

其中該複數小基板相對於設有該複數磨粒的另一面，分別卡固的嵌入（材料變形結合）該複數穿透孔的孔徑較窄的下端或分別卡固的嵌入該複數容置槽的槽徑較窄的下端其中之一，使該複數穿透孔或該複數容置槽其中之一者分別容置該複數研磨單元，該複數切削端分別突出該結合面；

該複數研磨單元與該大基板之間藉由結合劑結合或緊配結合（結合劑作為補縫或過盈結合）其中之一者固定結合；

該複數磨粒的複數切削端分別與一平面的高度差異在20微米內（如第66頁圖5-4中：樣品編號8+4_A 所示）。」

（註：（）內為98年結案報告所載之元件符號及元件名稱）。

綜上，原證26已完全揭露系爭專利5 請求項1 之所有的技術特徵。

⑷被告雖辯稱，原告僅稱結案報告內有與系爭專利5 之發明相同，並未說明技術創作之發想；

而「組合式鑽石修整器」是源自於被告之我國專利第097137069 號申請案（被證22），該專利具有將復數個小尺寸研磨單元組設在一個大尺寸基板上形成拼盤式等特徵；

而系爭專利5 請求項1 之特徵包含「該複數磨粒的複數切削端分別與一平面的高度差異在20微米內。」

，此可參見被告之我國專利第096143399 號申請案（被證24），其中請求項15即有「少於大約20微米的切割深度」之特徵，足見該特徵係由被告傳授云云。

惟查，原證26已揭露系爭專利5 請求項1 之技術特徵，已如前述。

再者，被證22僅揭露利用具有多○○石（PCD ）刀片及研磨顆粒組成之研磨層黏附於小尺寸之研磨片段，各研磨片段再附著於拋光墊修整器之大尺寸基材而組成修整器，並未見揭示系爭專利5 之大基板所設有複數穿透孔呈錐狀，該複數穿透孔的孔徑差為上寬下窄的形狀、以及該複數容置槽呈錐狀，該複數容置槽的槽徑為上寬下窄的形狀等技術內容。

另被證24請求項15雖有揭露超硬切割裝置被使用於研磨一工件時，該預設高度少於大約20微米的切割深度之技術特徵，惟被證24之超硬切割裝置僅在限定各獨立聚晶切割元件之尖端對齊一共同平面後所須達到之切割深度，並未有系爭專利5 小基板研磨單元與大基板複數穿透孔及複數容置槽呈錐狀而相互卡固結合之技術特徵。

其餘有關被告主張被證22及被證37至39不足採信之理由，如系爭專利3 所述。

㈡請求項2 ：系爭專利5 請求項2 係直接依附第1項之附屬項，進一步界定「其中該大基板設有複數穿透孔；

該小基板相對於設有該複數磨粒的另一面分別與該大基板的該底面在同一基準平面。」

系爭專利5 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又查原證26第64頁第12行揭示：使用通孔的基座。

其中「通孔」可對應於本項的「穿透孔」，而鑽石小碟底部與基座底部在同一基準平面，為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成之簡單改變，故系爭專利5請求項2 所記之技術特徵可由原證26所揭露的內容而輕易完成。

㈢請求項3 ：系爭專利5 請求項3 係直接依附第1項之附屬項，進一步界定「其中該大基板設有複數容置槽；

該小基板相對於設有該複數磨粒的另一面分別與該大基板的形成該複數容置槽底部的複數底壁在同一基準平面。」

系爭專利5 請求項1 所記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又查原證26第63頁第17至18行揭示：將硬銲的鑽石小碟置於不銹鋼底座的盲孔上。

其中「盲孔」可對應於本項的「容置槽」，而鑽石小碟底部與盲孔底壁在同一基準平面，為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成之簡單改變，故系爭專利5請求項3 所記之技術特徵可由原證26 所 揭露的內容而輕易完成。

㈣請求項4 、5 ：系爭專利5 請求項4 係直接依附第1項之附屬項，進一步界定「其中該大基板形成該複數穿透孔的複數內壁的傾斜角度為1 度至15度。」

系爭專利5 請求項1所 記之技術徵已見揭露於原證26，已如前述。

又查原證26 第63頁第19至21行揭示：為使鑽石小碟可以與基座結合固定，必須使鑽石小碟與基座有材料變形結合，可以改變結合的角度（梯度），使其產生過盈結合。

而使鑽石小碟與盲孔或穿透孔間產生過盈結合的梯度（即傾斜角度）為1度 至15度，為所屬技術領域中具有通常知識者經由普通的、例行的試驗即可輕易獲知之技術，故系爭專利5 請求項4,5 所記之技術特徵可由原證26所揭露的內容而輕易完成。

㈤請求項6 ：系爭專利5 請求項6 係依附第1 至5 項中任一項之附屬項，進一步界定「其中該大基板形成該複數穿透孔或該複數容置槽其中之一者的複數內壁與該複數研磨單元的複數外壁中至少有一具有複數凹凸結構。」

系爭專利5 請求項1 至5 項所記之技術徵已見揭露於原證26，或可由原證26揭露的內容而輕易完成，已如前述。

又查原證26 第63 頁第20行揭示：在鑽石小碟或基側面製作凹凸的結構。

故系爭專利5 請求項6 之技術特徵亦已見揭露於原證26 ， 或可由原證26揭露的內容而輕易完成。

㈥請求項11：系爭專利5 請求項11係依附第10項之附屬項，經被告確認需一併比對第1 至10項（103 年6 月24日言詞辯論筆錄），其中第6項依附於請求項1 至5 項中任一項，業如前述，以下依次比對第7 至10項如下：系爭專利5 請求項7係依附第6項之附屬項，進一步界定「其中該大基板的材料包含金屬、金屬合金、塑膠材料、陶製品、碳製品、及上述材料的混合其中之一者。」

，經查原證26第63頁第9,10行揭示：將直徑20mm硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座（108mm ）結合。

系爭專利5 請求項8 係依附第7項之附屬項，進一步界定「其中該大基板的材料是316L不銹鋼材料。」

，原證26雖未揭露金屬大盤底座的不銹鋼材料為316L，然不銹鋼材料其中的316L為具抗強酸、強鹼、堅硬不變形等特性乃公知技術（如原證55第1 文段所示），由於CMP 拋光墊的修整器係使用於CMP 具腐蝕的化學研磨液的環境中，故在不銹鋼材料中選用具抗強酸、強鹼、堅硬不變形的316L作為組合式CMP 拋光墊的修整器的大盤底座，為由原證26揭露的內容而輕易完成。

系爭專利5 請求項9 係依附第8項之附屬項，進一步界定「其中該複數磨粒與該小基板是藉由高溫高壓結合、硬焊、燒結、電鍍、塑膠膠合或陶瓷結合其中之一者固定結合。

」，由原證26 第63 頁第9 行所記：直徑20mm硬銲鑽石小碟，可知：第65 頁 圖5.2 （b ）所示之鑽石小碟係將鑽石磨粒硬焊於基板。

系爭專利5 請求項10係依附第9項之附屬項，進一步界定「其中該大基板為圓盤狀，直徑為90-120毫米。」

；

第11項係依附第10項之附屬項，進一步界定「其中該小基板為圓盤狀，直徑為10-30 毫米。」

，查原證26第63頁第9,10行揭示：將直徑20mm硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座（108mm ）結合。

如上所述，系爭專利5 請求項11所依附之各請求項中任一項所進一步界定之技術，已被揭露於原證26，故系爭專利5 請求項11之技術特徵亦已見揭露於原證26，或可由原證26揭露的內容而輕易完成。

㈦請求項14、15、16：系爭專利5 請求項14係依附第6項之附屬項，進一步界定「中該複數穿透孔或該複數容置槽其中之一者與該複數研磨單元的剖面為圓形或多邊形其中之一者。

」；

請求項15係依附第14項之附屬項，進一步界定「其中該大基板周緣內側設有等間隔環狀排列的8 個研磨單元。」

；

請求項16係依附第15項之附屬項，進一步界定「其中該8 個研磨單元的內側設有等間隔排列的4 個研磨單元」。

系爭專利5 請求項6 所記之技術徵已見揭露於原證26，或可由原證26揭露的內容而輕易完成，已如前述。

又查原證26第63頁第11行揭示：鑽石小碟的形狀可任設計為圓形、方形或是多邊的組合變化；

以及第65頁第5.3 圖所示：不銹鋼底座的外圍8 個的圓形凹槽呈等間隔環狀排列、不銹鋼底座的內側4 個的圓形凹槽呈等間隔排列可以容置鑽石小碟。

故系爭專利5請求項14至16之技術特徵亦已見揭露於原證26，或可由原證26揭露的內容而輕易完成。

㈧請求項18：系爭專利5 請求項18係依附第17項之附屬項，進一步界定「其中該結合劑分別滲入該複數凹凸結構內，分別固化結合該複數內壁、該複數外壁；

該結合劑的材料包含金屬、金屬合金、塑膠材料、陶瓷材料、及上述材料的混合物其中之一者。」

；

而第17項係依附第16項之附屬項，進一步界定「其中該複數磨粒與該小基板是藉由高溫高壓結合、硬焊、燒結、電鍍、塑膠膠合或陶瓷結合其中之一者固定結合。」

系爭專利5 請求項16所記之技術徵已見揭露於原證26，或可由原證26揭露的內容而輕易完成，已如前述。

由原證26第64頁第1 行所記：為避免組合後的表面間隙，也可以加入結合劑作為補縫作用；

以及第63頁第9,10行所記：可利用環氧樹脂做結合劑，將直徑20mm硬銲鑽石小碟與金屬大盤底座結合等內容，可知：第65頁圖5.2 （b ）所示之鑽石小碟係將鑽石磨粒硬焊於基板，可採環氧樹脂為結合劑補縫於鑽石小碟與底座之間隙。

故系爭專利5 請求項18之技術特徵亦已見揭露於原證26，或可由原證26揭露的內容而輕易完成。

十、綜上所述，系爭專利2 、3 、4 、5 之技術特徵均可見於96、97、98年度產學合作計畫結案報告，部分未見於該三年度結案報告之技術特徵，亦為原告提出之習知技術所揭露，故系爭專利2 、3 、4 、5 之技術係來自96、97、98年度產學合作計畫之研究成果，依原告與中華大學間之系爭產學合作計畫契約約定，系爭專利2 、3 、4 、5 之專利權，應由原告公司取得，被告並非系爭專利2 、3 、4 、5 之專利申請權及專利權之真正權利人，惟原告以自己之名義申請系爭專利2 、3 ，及與證人陳○○共同申請系爭專利4 、5 ，並取得專利權，自屬侵害原告之專利申請權及專利權，且係無法律上之原因而受利益，又被告於96年至98年間係擔任原告鑽石科技中心總經理，其與原告公司間應屬委任關係，其因執行職務得知系爭產學合作計畫之內容，竟以自己名義或勸誘陳○○與其共同具名申請專利，亦已違反兩造間之委任契約，原告依民法第184條第1項、第544條、第227條、第213條第1項、第179條等規定，請求被告應將附表一編號2至5 所示專利之專利權移轉登記予原告，自屬正當（參見司法院102 年度智慧財產法律座談會民事訴訟類相關議題第2號研討結果）。

貳、原告請求禁止被告就附表一編號2 至5 所示專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更，有無理由？按發明專利權人對於侵害其專利權者，得請求除去之。

有侵害之虞者，得請求防止之，專利法第96條第1項有明文。

專利侵權之民事救濟方式，依其性質可分為二大類型，一者為「損害賠償」類型，..；

另一者是「除去、防止侵害」類型，即現行條文第一項後段所定之侵害排除或防止請求，性質上類似物上請求權之妨害除去與防止請求（專利法第96條100 年12月21日修正立法理由參見）。

又上開專利法條文為特別規定，應優先於民法第767條規定而適用。

原告為系爭專利之真正權利人，得請求被告將附表一編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予原告，已如前述，在被告辦理移轉登記之前，為免被告將系爭專利移轉、設定負擔或為其他處分，致無法回復於原告所有，原告依專利法第96條第1項等規定，禁止被告就附表一編號2 至5 所示專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更，應屬正當。

參、原告主張被告違反競業禁止義務及洩漏原告之營業秘密，依聘任合約書第19條第2項，請求給付懲罰性違約金1068萬3966元，及自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按週年利率百分之五計算之利息，有無理由？

一、原告主張，被告自98年3 月2 日起擔任○○公司持股60% 之股東及董事長，與原告競業，已違反聘任合約書第15條「競業禁止」義務，又被告將原告BODD之營業秘密不法洩漏給○○公司、美國○○公司及其他第三人；

又被告於101 年8 月14日帶領美國○○公司人員進入原告「鑽石事業部」，洩漏原告鑽石碟產線QC檢驗之營業秘密，違反聘任合約書第11條「保密義務」之約定，原告得依聘任合約書第19條第2項約定，請求被告給付懲罰性違約金即自99年4 月至102 年7 月之薪資、顧問費共1068萬3966元及利息，被告則辯稱，其擔任○○公司董事長業經原告同意，且被告99年4 月30日之離職申請單，注意事項中關於競業禁止及保密義務，業經雙方合意刪除，並書寫更正為「依JV規定辦理」，原告不得依聘任合約書第19條第2項請求懲罰性違約金，故本院應先審究者，乃兩造是否已於99年4 月30日合意解除聘任合約書有關「競業禁止」及「保密義務」之約定？及兩造於99年5 月1日之後的法律關係，是否仍適用聘任合約書之約定？

二、兩造於99年4 月30日之前，適用聘任合約書有關約定，99年5月1日之後不適用聘任合約書有關規定：㈠經查，兩造間合作開發鑽石工具產品所成立之他案合作案，先後於85年10月28日簽訂英文版JV契約（原證1 ），91年8月21日簽訂中文版JV契約（被證2 ），97年10月15日簽訂JV增補條款（被證3 ），99年1 月7 日簽訂備忘錄（被證4 ），99年5 月1 日簽訂備忘錄（二）（被證5 ），100 年1 月21日簽訂備忘錄（三）（被證6 ），此外，兩造另於85年10月29日簽訂工作契約（原證2 ，本院卷㈠第18頁），於93年11月30日、96年12月13日簽訂聘任合約書（原證3 ），聘任被告管理原告公司之鑽石科技中心（JV合約之執行單位），其職務及職位視原告公司發展需要或被告專長及其工作狀況而調整。

第一份聘任合約書雖係93年10月30日簽訂（見本院卷㈠第19頁正反面），雖聘任合約書所載被告受聘日係自85年11月1 日起（即英文版JV契約簽訂後數日），足見被告自JV合約成立後即受聘於原告公司，嗣被告於96年12月12日因年滿60歲強制退休而辦理離職（當時職稱為鑽石科技中心總經理，離職申請單所載到職日為85年11月1 日，離職申請日為96年12月12日），惟被告緊接於96年12月13日與原告簽訂另份聘任合約書（見本院卷㈠第20頁反面至21頁），契約內容與91年8 月21日簽訂之聘任合約書相同，嗣於99年4 月30日再申請離職（職稱仍為鑽石科技中心總經理，離職申請單所載到職日為96年12月13日，離職申請日為99年4 月30日），又依兩造間備忘錄（二）第2條約定，被告自99年5 月1日起改任為原告公司技術顧問，聘任日期止於雙方JV到期日，惟99年5 月1 日之後兩造並未簽訂新的聘任合約書。

依上開締約過程可知，兩造因他案合作案簽訂相關JV合約，原告在該公司內部設立鑽石科技中心（DTC ）作為JV合約之執行單位，並聘任被告擔任鑽石科技中心總經理，訂有聘任合約書，至於99年5 月1 日之後，因被告已改任原告公司技術顧問，不再擔任鑽石科技中心總經理，並非原告公司內部人員，兩造亦未另訂聘任合約書，兩造間之法律關係，應回歸兩造間JV合約或民法一般之規定處理，並無繼續適用96年12月13日聘任合約書之餘地。

㈡原告雖主張，被告99年4 月30日離職申請單僅係被告完成卸任鑽石科技中心總經理職位之手續之一，並非用以變更兩造間權利義務關係為目的，被告自99年5 月1 日轉任原告之技術顧問，並未停止適用聘任合約書中任何條款云云。

惟查，依備忘錄（二）之約定可知，原告係為了避免被告與外部第三者合作對原告造成不利影響，而決定將被告之職務轉為技術顧問，不再擔任鑽石科技中心總經理一職，被告之身分既由原告公司內部主管轉為外部顧問，兩造間之權利義務關係已發生變動，自應重新訂立聘任合約書規範之，無從認為兩造96年12月13日所訂之聘任合約書，於99年5 月1 日之後仍可繼續沿用。

觀之原告提出該公司內部有關被告於101 年8月14日未經許可帶領美國○○公司人員進入原告「鑽石事業部」參觀之檢討報告（原證12），亦載明：「本次宋顧問未依B2-00-08來賓參觀接待辦法辦理訪客參觀申請，違反公司規定，若為員工違反本項規定，則公司可依B1-00-16獎懲管理辦法懲處，但顧問非本公司員工，因此建議長官對於宋顧問本次違反公司管理規定之行為給予警告外，並將本項列入顧問合約的規範中，例如：顧問須遵守公司各項管理規定，若有違反者，應負賠償之責，並解除顧問合約」等語（見本院卷㈠第62頁），足見原告公司內部在被告轉任技術顧問後，亦不將其與內部員工等同視之，核與本院上開認定，若合符節，故99年5 月1 日之後被告與原告公司間之權利義務，並無繼續適用原來的聘任合約書之餘地，原告之主張不足採信。

三、被告於98年3 月2 日取得○○公司60% 之股權並擔任○○公司董事長，違反聘任合約書之競業禁止約定：㈠按兩造間96年12月13日聘任合約書（見本院卷㈠第20頁反面至21頁）第15條第2款約定：「非經乙方（即原告）同意，甲方（即被告）不得為下列行為：（一）甲方以其自己或他人名義經營與乙方業務性質相類似之公司或商號等營業機構，或投資前述事業資本額或已發行股份總數百分之五以上。

（二）為與乙方業務、或營業、研發目標相同或類似之公司、商號、機構、單位、財團法人或個人之受僱人、受任人、承攬人或顧問」。

經查，依被告98年4 月1 日致原告公司林○○董事長之「有容乃大的鑽石碟策略」簽呈及其附件「股東補充協議」可知，被告於2009年3 月2 日與○○公司簽訂股東補充協議書，被告取得○○公司60% 之股權並擔任董事長，被告並獨家授權○○公司使用被告之技術生產產品（原證17 ， 見本院卷㈠第179 、183 頁），又依被告98年12月29日致原告公司林○○董事長「DTC 在中國之合作案」簽呈，亦自承有與大陸深圳○○微電子（○○ Micro）合作開發BODD（被證18，見本院卷㈠第154 頁），另依○○微電子之公司登記資料記載，被告擔任該公司董事長，其妻王淑英及其子M○○○○○ l ○○○○ （即宋○○）則分別擔任董事，該公司所經營之業務為：「研發、加工、生產CMP 鑽石修整碟，銷售自產產品及相關的技術諮詢及技術服務；

貨物及技術進出口」（原證78，見本院卷㈧第56-59 頁），上開事證足以證明，被告擔任原告公司鑽石科技中心總經理期間，另以個人名義投資○○公司從事BO DD 產品之開發而與原告為競業行為，業已違反聘任合約書第15條第1 、2 款之規定甚明。

㈡被告雖辯稱其與○○公司合作案已取得原告公司之同意，及兩造於99年4 月30日已合意解除聘任合約書有關「競業禁止」之約定，惟查：⑴被告係於2009年3 月2 日自行與○○公司簽訂股東補充協議書，取得○○公司60% 之股權並擔任董事長之後，始以98年4 月1 日簽呈告知原告，被告此等先斬後奏之行為，難認已取得原告之同意，嗣被告98年12月29日之簽呈仍屬事後告知，且兩造旋即於99年1 月7 日簽訂備忘錄，載明因被告擬與外部第三者合作，採用兩造共同的JV之成果，除○○公司擇期另議外，其餘三個外部合作案（中國鄭州○○、南通○○、江蘇○○），被告應列舉所擬採用之專利，並經鑑價後，原告擬將JV專利權利價值出售予被告，對於被告與○○公司之合作案則予以保留，嗣兩造又於99年5 月1 日簽訂備忘錄㈡，載明為不使被告與外部第三者之合作對原告造成不利影響，自99年5 月1 日將被告改任為技術顧問，不再擔任鑽石科技中心總經理，由以上兩造之處理過程，足認原告對於被告自行與外部第三人洽談合作一事，顯然無法同意，且認為被告所為已對原告公司造成不利之影響，始有出售專利權利價值及將被告改任為技術顧問，以與被告進行切割之舉動，被告尚不得以其事後已以簽呈告知原告其與○○公司合作一事，免除其違反競業禁止之責任。

被告又辯稱，原告已於備忘錄㈢第4條免原告公司人員赴○○公司之競業禁止義務云云，惟查，依本院另案103 年度民專訴第96號事件判決之認定，兩造簽訂備忘錄㈢係因被告欲前往○○公司任職，惟當時原告之認知，被告到○○公司是要做散熱片及DLC 技術，並無要做鑽石碟，所以鑽石碟相關專利，並無列入備忘錄㈢提前清算的範圍，為證人胡紹中（100 年1 月間擔任原告公司研發部協理及鑽石科技中心協理）於該案證述明確，被告對證人胡紹中上開所言亦表同意（見原證75，本院103 年度民專訴第96號判決書第41頁），故備忘錄㈢第4條有關「鑽石科技中心（DTC ）人員於民國100 年12月31日前隨宋博士加入○○公司者，其在中砂公司所簽之競業禁止條款將不適用」，僅限於隨被告加入○○公司之原告公司員工，而不包含被告，且原告並無放棄有關「鑽石碟」產品之競業禁止約款之意，被告所辯不足採信。

⑵被告99年4 月30日離職申請單「注意事項」有關競業禁止等事項之記載，係被告以手寫打叉刪除，並更正為「依JV規定辦理」，為兩造所不爭執，惟被告並未證明該手寫註記已獲原告之同意，且原告正是認為被告與○○公司等外部第三人合作，將對其造成不利之影響，始將被告改任技術顧問，不再擔任原告公司鑽石科技中心之總經理，足見當時兩造對於被告與多個外部第三人合作，並擔任○○公司董事長與原告從事競業行為，已發生爭執，且有關被告與○○公司合作案，兩造99年1 月7 日之備忘錄載明予以保留擇期另議，99年5 月1 日之備忘錄㈡亦僅載明被告與江蘇○○合作案之處理方式，至於被告與○○公司合作案仍懸而未決，足見兩造在被告99年4 月30日申請離職時，對於被告與○○公司合作案之爭議，並未達成共識，衡情原告自無可能輕易放棄對被告違反聘任合約書之競業行為予以追究之權利，被告辯稱99年4 月30日離職申請單「注意事項」有關競業禁止等事項之記載，業經打叉刪除，更正為「依JV規定辦理」，故兩造已於99年4 月30日合意解除聘任合約書有關「競業禁止」之約定，顯不足採信。

四、被告於101 年8 月14日帶領美國○○公司人員進入原告「鑽石事業部」（原證12、69），是否違反聘任合約書第11條之保密義務？原告得否依聘任合約書第19條第2項請求懲罰性賠償金？被告於99年4 月30日自鑽石科技中心總經理一職離職後，自99年5 月1 日起改任技術顧問，兩造間之法律關係並無繼續適用96年12月13日所訂聘任合約書之餘地，已如前述。

被告於101 年8 月14日帶領美國○○公司人員進入原告「鑽石事業部」時，其身分係原告之技術顧問，並非原告公司內部人員，原告仍以被告違反聘任合約書第11條之保密義務為由，依聘任合約書第19條第2項，請求被告給付懲罰性賠償金云云，尚非有據。

至於被告於101 年8 月14日帶領美國○○公司人員進入原告「鑽石事業部」之行為，是否違反JV合約之相關規定，因非本案審理範圍，玆不予審究。

五、被告將原告公司人員周至中所製作之CMP 專案週報之營業秘密資料洩漏予第三人，是否違反聘任合約書第11條之保密義務？原告得否依聘任合約書第19條第2項請求懲罰性賠償金？原告主張被告將原告公司之營業秘密資料洩漏予第三人之行為，業已限縮於本院102 年度民聲字第11號保全證據之勘驗資料中，與原告公司人員周至中所製作之「CMP 專案週報」有關之部分（詳如105 年8 月19日民事陳報狀所附更正比對表1 至7 ，見本院卷㈧第110-201 頁），查原告主張被告將原告公司人員周至中所製作之CMP 專案週報中，有關BODD之設計圖說、測試數據及結果等秘密資訊，使用於被告對第三人等之簡報中，而洩露原告公司之營業秘密，該更正比對表1 至7 之侵權期間，係自100 年9 月8 日至102 年2 月1 日止（見更正比對表1 至7 ，及原告105 年9 月1 日辯論意旨（續）狀所載），亦係被告99年5 月1 日轉任技術顧問後之行為，原告仍以被告違反聘任合約書第11條之保密義務為由，依聘任合約書第19條第2項，請求被告給付懲罰性賠償金，亦非有據。

至於被告將原告公司人員周至中所製作之CMP專案週報中，有關BODD之設計圖說、測試數據及結果等秘密資訊，使用於被告對第三人等之簡報，是否洩露原告公司之營業秘密而有違反JV合約之相關規定，因非本案審理範圍，玆不予審究。

六、原告之請求權是否已罹於2年之消滅時效？被告於98年間違反聘任合約書第15條第1 、2 款競業禁止之義務，原告依聘任合約書第19條第2項之約定請求被告賠償懲罰性違約金，係依契約關係請求，其消滅時效為15年（民法第125條），原告於102 年8 月1 日提起本訴，並未罹於時效。

七、原告請求被告給付違反競業禁止義務及洩漏營業秘密之違約金1068萬3966元及利息，是否過高？原告主張被告違反聘任合約書之事實，僅有被告於98年3 月2 日起擔任○○公司之股東及董事長，與原告為競業行為部分，核屬正當，其餘之違約事實，並非可採，已如前述。

按兩造間聘任合約書第19條第2項約定：「甲方（即被告）如違反保密、…之規定，…乙方（即原告）並得另行請求相當於所給付甲方（即被告）報酬總數（包含歷年薪資、以請求當日市價計算之歷年紅利、獎金之懲罰性賠償金」。

該項約定對照同條第1項之約定，性質上為懲罰性違約金，即被告違反聘任合約書之約定，造成原告權益受損時，原告除得依第1項負損害賠償責任之外，另得依第2項請求懲罰性違約金。

原告請求被告應賠償自98年4 月至99年4 月之薪資及99年5 月至102 年7 月之顧問費，共10,683,966元（見原告準備九狀所附更正附表二及原證60-1至60-4，本院卷㈤第12頁以下），惟查，本院認為被告自99年5 月1 日起轉任原告之技術顧問，已不適用聘任合約書之法律關係，故原告得請求計算之薪資範圍僅為98年4 月至99年4 月之薪資共2,924,133 元。

又按，約定之違約金額過高者，法院得減至相當之數額，民法第252條定有明文。

本院審酌懲罰性違約金係於現實的損害賠償額之外另為請求，其數額宜綜合考量債權人所受之損害、債務人違約情節及其可非難性等因素定之，惟不得逾相當之程度。

查原告自承BODD在原告商業計畫裡，尚未達到可量產上市的程度，但是原告並沒有要放棄BODD（見105 年10月4 日言詞辯論筆錄），惟原告對於被告之競業行為所造成之損害，並未為具體明確之主張；

及兩造間訂有JV合約，有長達十七年之合作關係，被告並擔任原告公司鑽石科技中心總經理，被告於他案合作案之17年間領有原告支付之薪資、顧問費等合計高達5500萬元（見105 年9 月1 日原告民事辯論意旨（續）狀第13頁），竟未顧及原告之權益，自行與外部第三人合作開發BODD產品，與原告為競業之行為，實屬不該且有失誠信等一切情狀，認為原告請求之懲罰性賠償金以200 萬元為適當。

庚、綜上所述，原告依民法第184條第1項、第544條、第22 7條、第213條第1項、第179條規定，請求被告應將附表一編號2 至5 所示專利之專利權移轉登記予原告，並依專利法第96條第1項規定，請求禁止被告就附表一編號2 至5 所示專利為處分、設定負擔、授權或為任何變更，並依聘任合約書第19條第2項約定，請求被告給付懲罰性違約金200 萬元，及自起訴狀繕本送達之翌日即102 年8 月16日起至清償日止，按年息百分之五計算之利息之範圍內，為有理由，逾此範圍，為無理由，應予駁回。

辛、兩造間其餘之主張及攻擊防禦方法，經審酌後認與本判決之結果不生影響，爰不予一一論列，併此敘明。

壬、假執行之宣告：原告及被告均陳明願供擔保聲請宣告假執行及免為假執行，就原告勝訴部分，合於法律規定，爰分別酌定相當之擔保金額准許之。

至於原告敗訴部分，其假執行之聲請失其依據，應予駁回。

癸、結論：本件原告之訴一部有理由，一部無理由，依智慧財產案件審理法第1條，民事訴訟法第79條、第390條第2項、第392條，判決如主文。

中 華 民 國 105 年 11 月 11 日
智慧財產法院第二庭
法 官 彭洪英

以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。
如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
中 華 民 國 105 年 11 月 11 日
書記官 郭宇修