智慧財產及商業法院民事-IPCV,103,民專訴,59,20150717,3

智慧財產法院民事判決
103年度民專訴字第59號
原 告 樂金股份有限公司
法定代理人 蔡幸樺
訴訟代理人 謝佩玲律師
何娜瑩律師
被 告 光大應用材料科技股份有限公司
法定代理人 陳李賀
訴訟代理人 陳群顯律師
許凱婷律師
童沈源
輔 佐 人 陳翠華
上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於104 年6月18日言詞辯論終結，判決如下：

主 文

原告之訴及假執行之聲請均駁回。

訴訟費用由原告負擔。

事 實

壹、程序方面：按「當事人喪失訴訟能力或法定代理人死亡或其代理權消滅者，訴訟程序在有法定代理人或取得訴訟能力之本人，承受其訴訟以前當然停止」、「第一百六十八條至第一百七十二條及前條所定之承受訴訟人，於得為承受時，應即為承受之聲明」，民事訴訟法第170條、第175條第1項分別定有明文。

查被告光大應用材料科技股份有限公司法定代理人原為林○○，嗣於民國104 年4 月17日變更法定代理人為陳李賀，茲據陳李賀於104 年5 月26日具狀聲明承受訴訟，有被告光大應用材料科技股份有限公司登記資料查詢表、民事聲明承受訴訟狀各1 件在卷可稽（見本院卷4 第20、30-33 頁），核無不合，應予准許。

貳、實體方面：

一、原告起訴主張：

（一）原告為中華民國第I384082 號「合金線材及其製造方法」發明專利（下稱：系爭專利）之專利權人，專利期間自102 年2 月1 日起至121 年6 月19日為止。

被告所製造、銷售之銀合金線產品與系爭專利之銀合金線功能相當，原告經由訴外人興華電子工業股份有限公司（下稱：興華電子）分別於102 年8 月7 日及102 年8 月19日，取得被告所製造、銷售之型號「AG0E」及「AG0F」之銀合金線產品2批（下稱：系爭「AG0E」銀合金線產品、系爭「AG0F」銀合金線產品），嗣經原告以專業儀器分析，發現被告之系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品，均落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍，其理由分述如下：1.被告主張之「孿晶密度(twin density)」之定義與原告主張之「孿晶比例(twin percentage) 」之定義並不相同，兩者在定量分析上並無關連性：.⑴晶粒(grain) 和晶界(grain boundary)之材料結構、物理性質並不相同：將金屬材料表面拋光、腐蝕後，在高倍率顯微鏡下可觀察到許多具有不規則形狀之粒子，這些粒子稱為晶粒，因各晶粒內之結晶方位不一致，故個別晶粒在顯微鏡底下會呈現不同灰階色彩之變化，得以因此辨識出，而晶粒與晶粒間之界面則稱為晶界，在顯微鏡底下，得以經由晶粒間之深黑線辨識出來，晶粒被晶界所包圍，在晶界面上，晶粒內原子排列從一個取向過渡到另一個取向，阻斷晶粒內原子之規則排列，故將相鄰晶粒分開，是晶界對於金屬材料性質影響重大，例如材料領域人士均已知晶粒生長會受到晶界能量之影響。

因此，晶粒與晶界之材料結構及物理意義實不相同，兩者不可混為一談。

⑵系爭專利請求項所關注對象為「晶粒」，而非「晶界」，被告主張之「孿晶密度(twin density)」與系爭專利定義不相符：依系爭專利請求項1 之記載：「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」、系爭專利說明書第10頁第3 段之記載：「如第1B圖所示，此合金線材的縱切面為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，且大部分為等軸晶粒12，各等軸晶粒12之間是以高角度晶界14為界，其中退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」、系爭專利說明書第14頁第2 段之記載：「欲顯現上述特性，在本發明之合金線材的所有晶粒中，至少20% 的數量以上的晶粒含有退火孿晶組織時，才會具有上述特性」及系爭專利各實施例等可知，系爭專利所關注者為「晶粒」，而非材料結構及物理意義與晶粒截然不同之「晶界」。

又「孿晶比例」係指「具有退火孿晶的晶粒的數量」佔「所有晶粒的數量（＝具有退火孿晶的晶粒的數量＋不具有退火孿晶的晶粒的數量）」，惟被告主張「孿晶密度」係指「孿晶晶界數/ 總晶界數」，兩者定義並不相同。

再者，以截線法計算得出之「孿晶密度（twin density）」之分析方法，與系爭專利請求項之定義不同，且因截線選取遺漏孿晶之分析，導致「具有孿晶的晶粒」被判定為「不具有孿晶的晶粒」之錯誤結果，因此，被告主張之截線法不能用於分析系爭專利。

⑶截線法是以統計「晶界」數量為基礎，而原告之直接清點晶粒分析法是以統計「晶粒」數量為基礎，依據原告分析方法，不論單一晶粒內孿晶數量及分布如何，均視為一個具有退火孿晶的晶粒，但以統計「晶界」數量作為基礎之分析方法，受到孿晶數量及分布之影響，導致分析比例不當降低，故被告主張之「孿晶密度(twin density)」與原告主張之「孿晶比例」在定量分析上並無關連性，兩者間不具數學、邏輯上之公式可以換算，故兩者分析結果之差異不能視為單純「誤差」，倘被告仍主張以截線法分析所得之「孿晶密度」定量分析結果等於原告主張之「孿晶比例」之定量結果時，依據民事訴訟法第277條規定，應由被告舉證以實其說。

⑷被告主張被證5 （系爭專利發明人西元2013年11月於The Minerals, Metals & Materials Society andASM International 2013所共同發表之文章「Surface Reconstruction of an Annealing Twinned Ag-8Au-3Pd Alloy Wire Under Current Stressing」）第5107頁第三段明確以孿晶晶界截點數/ 晶界截點數來計算孿晶密度，並主張原告在原證19（西元2012年6月發表於Scripta Materialia期刊之「Thermal stability of grain structure and material properties in an annealing-twinned Ag-8Au-3Pd alloy wire」）和原證20（西元2012年9 月發表於Journal ofELECTRONIC MATERIALS期刊之「Effects of Annealing Twins on the Grain Growth and Mechanical Properties of Ag-8Au-3PD Bonding Wires」）中，也一再確認「退火孿晶密度」、「退火孿晶百分比」、「具有退火孿晶晶粒的數量的比例」為同義詞，惟原證19第607 頁第1 欄第2 段第9 至19行以及原證20第4 至7 行記載：「The specific grains containingannealing twins were also counted asaration tothe total number of grains in the FIB micrograph. （計算在FIB 照片中含有退火孿晶之特定晶粒相對於所有晶粒之比值）」等語，可知，原告發明人於原證19和20中所稱之「Twin Grain Percentage 」均係指在「含有退火孿晶的晶粒數相對於全部晶粒數之比值」，故原告發明人關注於「晶粒」，而非材料結構及物理意義與「晶粒」實不相同之「晶界」，縱使原告發明人在原證19和20中偶一使用「twin density」，但材料領域人士在研讀原證19及20後，亦可清楚知悉原證19及20所研究主題「孿晶粒」不是材料結構及物理意義和「孿晶粒」截然不同之「孿晶界」，且原證19和20已發表於國際性材料領域之專業期刊已久，該等文章之審查委員及讀者，也從未就原證19及20所研究、分析之主題以及文章內「twin density」乙詞提出質疑。

因此，材料領域人士可以清楚理解原證19及20中「twin density 」係指「孿晶粒密度」，不會誤認為「孿晶界密度(twinboundary density)」。

又原告發明人關注於「孿晶粒」之研究，迄今所發表之文章亦關注於「孿晶比例」，僅有被證5 是分析「孿晶晶界比例」，故原告發明人於被證5 中針對「孿晶晶界比例」給予定義為「孿晶密度(Twin Density)」之定義為：「The(NT/NG) were also estimatedf rom the fractions of the intersections across the twin boundaries(NT) to those of the whole grain boundaries(NG).（計算在FIB 照片中計算截線通過孿晶之孿晶晶界數與全部晶界數的比值）」，是被告僅單憑被證5 、原證19與20出現「twin density」文字，並未探究其實質技術內涵，為不當之連結主張原告已在被證5 、原證19及20中一再確認「退火孿晶密度」、「退火孿晶百分比」、「具有退火孿晶晶粒的數量的比例」等為同義詞，並分析「孿晶界」為對象之「孿晶晶界比例=(孿晶晶界數/ 總晶界數) 」為原告主張之「孿晶比例」，洵非可採。

2.被告以截線法作為估算系爭專利晶粒數量比例，並無根據：⑴被告主張被證6 （西元1996年4 月發表於Acta Metallurgica Inc. 期刊之「FORMATION OFANNEALINGTWINSIN f.c.c. CRYSTALS」）結合ASTME112外，又主張以被證6 結合被證6 註12（即附件21；

西元1953年1 月發表於Journal of Metals 之「Measurement of Internal Boundaries in Three-Dimensional Structures By Random Sectioning 」）作為計算比例的方法云云。

惟不論是ASTM E112-13或是註12（即附件21）文獻，均與分析系爭專利晶粒數量無關。

蓋ASTME112-13 所記載之截線法僅用於估算均勻晶粒材料之晶粒尺寸，未曾使用於計算晶粒數量比例，且亦不適用於估算經過大量冷加工後之材料，由ASTME112-13 標題及前言：「Standard Test Methods for Determining Average Grain Size（測定平均晶粒尺寸之標準試驗方法）」、「The test methods of determination of average grain size in metallic materialsare primarily measuring procedures and,becauseof their purely geometric basis,are independent of the metalor alloy concerned….The intercept and planimetric methods are always applicable for determining average size.（測定金屬材料平均晶粒尺寸的試驗方法主要與測量程序有關，由於純粹以幾何圖形為基礎，與待測量金屬和合金本身無關。

…。

常用之測定平均晶粒尺寸為截點法和平面法。

）」記載等語，可知，ASTME112-13 係測定平均晶粒尺寸之標準試驗方法，只適用於量測平均晶粒大小，並未記載規範以截線法計算晶粒數量與比例。

又依據ASTME112-13 第1.1 節：「1.1These test methods cover the measurement of average grain sizeand include the comparison procedure,the plainimetric(or Jeffries) procedure,and the intercept procedures.These test methods may also be applied to nonmetallic materials with structures having appearances similar to those of the metallic structures shown in the comparison charts.These test methods applychiefly to singlephase grain structures but they can be appliedto determine the average size of aparticular type of grain structure inamultiphase or multiconstituent specimen.（1.1 本標準試驗方法涵蓋平均晶粒尺寸之測量及包括比較法、平面（或Jeffries）法及截點法。

這些測試方法也可以適用於晶粒組織形貌與標準系列評級圖相似的非金屬材料。

這些方法主要是用於單相晶粒組織，但也適用多相或多相元試樣中特定類型組織的晶粒平均尺寸的測量。

）」、第1.2 節：「1.2 These test methods are used to determine the average grain size of specimens with a unimodal distribution of grainareas,diameters,or intercept lengths. These distributionare approximately log normal. These test methods do not cover methods to characterize the nature of these distributions. Characterizationof grain size inspecimens with duplex grain size distributions is described in Test MethodsE1181.Measurement of individual,very coarse grains in a fine grained matrix is described inTest Methods E930.（1.2 本測試方法使用晶粒面積、晶粒直徑、截線長度的單峰分布來測定試樣的平均晶粒度。

這些分布近似正態分佈。

本測試方法不涵蓋具有粒徑分布特性之方法。

試樣晶粒尺寸具有雙峰分布係描述於測試方法E1181 。

測定分布在細小晶粒基本上個別非常粗大的晶粒則見於E930。

）」。

可知，ASTM E112-13 係採用統計推定方法，所採取樣本必須具備代表性，是選定範圍、晶粒大小均勻性、晶粒型態等都必須具備代表性，故ASTM E112-13 僅適用於晶粒尺寸大小為單峰分布的微結構，而不適用於晶粒大小差距很大或軸距差異很大情況，惟系爭專利及系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品均為晶粒大小具有明顯差異之金屬材料，且系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品更是存在晶粒尺寸小於1 微米以下之晶粒。

因此，依據ASTM E112-13教示，其所揭露之分析方法不適用於分析系爭專利以及系爭產品之晶粒比例，是被告以ASTM E112-13 作為分析之依據，有悖於ASTM E112-13 教示之情形。

再者，ASTM E112-13教示該測試規範不適用作為大量冷加工後材料之晶粒大小量測使用，而系爭專利及系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品均為經過大量冷加工後之材料，是依據ASTM E112-13 教示，其所揭露之分析方法不適用於分析系爭專利及系爭產品，且ASTM E112只適用於大小均勻、等方向性、等軸之晶粒狀態，而不適用於分析系爭專利及系爭產品之晶粒比例。

⑵被證6 註12之文獻為分析多晶材料之晶粒稜長(grainedge length)及晶界面積(grain boundary area)有關之期刊文獻，與分析、計算晶粒數量比例無關，且被告以分析「孿晶界」為對象之「孿晶晶界比例=(孿晶晶界數/ 總晶界數) 」與原告主張之「孿晶比例」無關，無論截線如何選取，數量如何增加，皆無法得到與系爭專利定義相符之「孿晶比例」之分析結果。

⑶被告主張之截線法係藉由統計截線經過之「晶界數」以及「孿晶界數」，作為計算「孿晶密度(twin density)」之數據來源，惟截線係屬一維資訊，只有截線劃過的孿晶界、晶界才納入分析內，而截線未劃過的晶界、孿晶便排除在外，截線法的分析範圍不能涵蓋合金金相圖中所有晶粒，所得分析結果客觀性不足，惟系爭專利係採直接清點合金金相圖中之晶粒，分析範圍能夠涵蓋合金金相圖中所有晶粒，相較於截線法而言，系爭專利分析方法自然較為客觀可採，且不會受到晶粒內孿晶數量以及分佈之影響，又截線法與直接清點晶粒法，兩者在定量分析上不存在任何邏輯或數學上關連性，今不論是遍查被證六、被證六註12文獻或是ASTME112-13 之全文，均未揭示以截線法作為估算系爭專利晶粒數量比例，被告以截線法作為估算系爭專利晶粒數量比例，乃是被告憑空自創，毫無任何根據，且容易達到刻意規避、遺漏孿晶分析之目的，因此，被告主張以被證六結合ASTM E112-13 以及被證六結合註12文獻作為分析之依據，毫無可採。

3.系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品之「孿晶比例」之分析，係採隨機抽樣銀合金線材，取得合金線材截面之金相圖，直接清點金相圖中「具有退火孿晶的晶粒之數量」和「不具有退火孿晶之晶粒之數量」後，再予以統計計算「孿晶比例」：⑴選取適當倍率觀察材料微結構乃是材料領域通常知識，系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品中之晶粒組織，不論是大晶粒或細小晶粒均得在適當倍率顯微鏡下觀察其微結構，以進一步判定其是否具有退火孿晶組織，在分析、觀察合金材料微結構時，為取得涵蓋材料橫剖面及縱剖面之最大視野成像，以較低倍率之SEM 拍攝，惟SEM 無法觀察到其孿晶結構之細小晶粒，則以較高倍率之顯微鏡如TEM 觀察，所需之實驗操作程序較為複雜，耗費數日實驗時間，原告發明人所發表之原證34（西元2014年7 月發表於Journal ofAlloys and Compounds之「Thermal stability ofgrainstructure and material properties in anannealing twinned Ag-4Pd alloy wire 」）之期刊論文中，已經揭露在Ag-4Pd銀合金線中，在晶粒尺寸小於0.05微米以下時仍然存有大量孿晶，以及原證38（系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線之TEM 分析報告）證明系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品，在晶粒尺寸小於1 微米時仍然存有大量孿晶，倘若將尺寸小於一微米之細小晶粒一併納入計算，則所得分析結果實際上會大於未納入小晶粒分析之結果，故忽略尺寸1 微米以下之細小晶粒之分析實際上對被告而言，是有利於被告且公平之分析方法，對於這些晶粒尺寸小於1 微米之晶粒既不判定為「具有退火孿晶的晶粒」，也不判定為「不具有退火孿晶的晶粒」，僅是單純迫於現實情況之考量，並非不能分析，故忽略尺寸1 微米以下之細小晶粒之分析與系爭專利說明書主張之「直接清點晶粒」之分析方法並未有衝突存在，亦未有超出系爭專利說明書或圖式揭露範圍之情形。

⑵系爭專利直接清點晶粒之方法以及系爭專利「孿晶比例」之定義均為系爭專利申請前通常知識，依原證28（西元2001年1 月，由AASHISH ROHAGI等人發表於"Metallurgical and Materials Transactions"期刊第136 頁右欄第27-31 行記載：「The fraction ofgrains exhibiting deformation twins was determined by observing more than 100 grains for each quasi-statically deformed sample under a Nikon Ephiphot(NikonInc.,Melville,NY00000-0000)0047-3064)optical microscope. （具有變形孿晶的晶粒之比例的測量，是藉由在Nikon Ephiphot(Nikon Inc.,Melville,NY00000-0000)光學顯微鏡下，對每個擬靜態之變形樣本觀察超過100 個晶粒）」及圖1 之縱軸顯示「%Grains with Deformation Twins（具有變形孿晶的晶粒的比例）」等語，可知，原證28是採用隨機取樣合金線材，利用顯微鏡觀察合金材料微結構，直接清點所觀測之全部晶粒，再計算、分析孿晶比例對於合金性能之影響。

又依原證30（西元1997年，由S.ASGARI等人發表於"Metallurgical and Materials Transactions"期刊第1789頁表一第2 欄記載：「Number of Grain Examined（所觀察晶粒數量）」、第3 欄記載：「Number of Grains Containing Deformation Twins （含變形孿晶之晶粒的數量）」、第4 欄記載：「Extensive twin in seven grains…Extensive twining in eight grains …（在七個晶粒中具有外延孿晶…在八個晶粒中具有外延孿晶）」以及同頁第2 欄記載：「The TEM investigation was mainly focused on MP35N.（對MP35N 以TEM 觀察）。」

、第1791頁倒數第二行記載：「From our data(TableI), we have also plotted in Figure15 the evolution of fraction of grains with extensive primary twins as a function of the imposedstrain. （由吾等數據（表I ），吾等已經在圖15中描繪具有外延孿晶之晶粒的比例與所施加應力之函數）」、第15圖縱軸記載：「Fraction of Grains Showing Extensive Twiming（具有外延孿晶的晶粒的比例）」等語，可知，原證30也是關於隨機抽樣合金線材，利用顯微鏡技術，取得合金線材剖面金相圖，接著直接清點所觀測全部晶粒數目，再計算、分析孿晶比例對於合金性能之影響。

再者，ASTME112有關以面積法測定晶粒尺寸，也是基於直接清點顯微照片中之晶粒來分析晶粒尺寸，可證系爭專利直接清點晶粒之方法以及系爭專利「孿晶比例」之定義均為申請前通常知識，而非新參數。

故不論是我國，或是其他國家專利及商標局，關於金屬材料晶粒所佔比例之計算方法是否應列入專利說明書內，一如合金成份比例之分析方法，因為為習知之分析方法，故未有列入專利說明書內容之必要性。

因此，系爭專利直接清點晶粒之方法以及系爭專利「孿晶比例」之定義均為系爭專利申請前通常知識，原告所採用之分析方法乃是材料領域人士所習知分析方法。

4.系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品落入系爭專利請求項1、2之文義範圍：⑴系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品之「具有退火孿晶的晶粒」之比例均大於20%：經直接清點系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品之縱剖面和橫剖面金相圖中之晶粒後，系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品之「具有退火孿晶的晶粒的數量佔合金線材所有晶粒的數量」之比例均大於20% ，而落入系爭專利請求項1 所界定之數值範圍內，縱將被告附件19所標示共42處未納入計算之細小晶粒併入計算，具有退火孿晶的晶粒的比例仍大於20% ，落入系爭專利請求項1 ，而屬侵權。

⑵系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品之組成，均落入系爭專利請求項2 之範疇：系爭「AG0E」銀合金線產品之組成：Ag>96%、Pd<4%；

系爭「AG0F」銀合金線產品之組成：Ag>97%、Au<0.2% 、Pd為2%可證系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品之組成均落入系爭專利請求項2 所界定組成比例之範疇。

⑶系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品之文義比對分析：①系爭專利請求項1 之技術特徵為：一種合金線材， 其材質是選自銀- 金合金、銀- 鈀合金、銀- 金- 鈀合金所組成之族群的其中之一，該合金線材為面 心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，該合金 線材的線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、 其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶的晶 粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上 。

系爭專利請求項2 之技術特徵為：該銀- 金合金 的金含量為0.01至30.00 wt% ，餘量為銀；

該銀- 鈀合金的鈀含量為0.01至10.00wt%，餘量為銀；

以 及該銀-金-鈀合金的金含量為0.01至30.00 wt% 、 鈀含量為0.01至10.00wt%，餘量為銀。

②系爭「AG0E」銀合金線產品之技術特徵為：一種合 金線材其材質為銀- 鈀合金，該合金線材為面心立 方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，該合金線材 的線材中心部位具有長條形晶粒，其餘部位由等軸 晶粒構成，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該 合金線材所有晶粒數量的20% 以上。

該銀- 鈀合金 的鈀含量為<4wt %，其餘為銀。

是系爭「AG0E」銀 合金線產品之技術特徵皆為系爭專利請求項1 、2 之文義所讀取。

③系爭「AG0F」銀合金線產品之技術特徵為：一種合 金線材其材質為銀- 鈀合金，該合金線材為面心立 方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，該合金線材 的線材中心部位具有等軸晶粒，其餘部位由等軸晶 粒構成，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合 金線材所有晶粒數量的20% 以上。

該銀- 金- 鈀合 金的金含量為<0.2% 、鈀含量為2%，餘量為銀。

是 系爭「AG0F」銀合金線產品之技術特徵皆為系爭專 利請求項1 、2 之文義所讀取。

（二）系爭專利並無應予撤銷事由：1.系爭專利請求項1、2具進步性：⑴系爭專利所欲解決技術問題是關於克服習知純金線、純鋁線、純銅線、銅線鍍金等接合線因存在大量兩高角度晶界造成習知合金線材性能不佳等問題。

又系爭專利採用技術手段是經由銀合金線材中至少20% 數量以上的晶粒含有退火孿晶的組織來克服，如此可以展現較佳的抗氧化性與耐腐蝕性，較佳可靠度、導電性和導熱性以及機械性質等，相較於傳統合金線、純金合金線和銅鍍鈀合金線等，顯示較優性能並可通過一系列可靠度之試驗，故系爭專利所請相較於先前技術具備進步性。

⑵被證2 （2010年12月22日公開之中國大陸專利第CN101925992 號「半導體用接合線」專利案）第「0026」段落：「以往的單層結構的接合線（下稱：單層線），為了改善抗拉強度、接合部的強度、可靠性等，添加合金化元素是有效的，但擔心特性的提高存在極限。

呈多層結構的接合線（下稱：多層線），可期待比單層線可加提高特性，提高附加值」、第「0029」段落：「在包含Pd被披覆層和芯材的，由機械特性不同的材料構成的多層線的製造中，在加工和退火的工序中，發生Pd被覆層的剝離、脫落等，這成為問題」及第「0035」段落：「本發明者們為了解決上述問題而潛心研究多層線的結果發現，使接合線中所含有的氫濃度適當化是有效的」，可知，因先前技術中單層結構接合線之特性受到限制，便有批覆Pd之多層結構之接合線之提出，惟多層結構接合線在加工和退火過程中，會面臨Pd批覆層之剝離、脫落等缺失，進而產生氧化、接合性降低等品質問題，是被證2 技術領域是關於多層結構接合線，所欲解決技術問題是克服多層結構接合線中Pd批覆層之剝離、脫落之問題，所採用技術手段是使多層結構接合線中所含有氫濃度適當化。

惟系爭專利請求項1 、2 係關於單層結構接合線，不涉及氫溶解，系爭專利係藉由具有退火孿晶的晶粒的數量佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上等技術手段，來達到相較於習知線材具有較佳品質和可靠度等功效。

是被證2 在所欲解決技術問題、所採用技術手段及所達成之功效方面，均與系爭專利無關。

⑶在多層結構接合線中，因為批覆外層的晶格特性與塊狀合金特性並不相同，因而接合線之熱處理條件便須配合其多層結構及氫擴散性而定，而由於氫在材料內部溶解及擴散需要時間（遲滯效應），故被證2 建議使用低溫且長時間之熱處理條件，以達成調整氫濃度之目的。

又被證2 所教示之熱處理條件與形成孿晶無關，被證2 所教示以低溫長時間之熱處理條件，並不適於形成孿晶，系爭專利是在高溫、數秒鐘之退火條件下生成孿晶，是發明所屬技術領域中具有通常知識者在參酌被證2 教示後，採用被證2 揭示之熱處理條件後並不能形成系爭專利所請具有孿晶晶粒比例大於20% 以上的單層接合線。

再者，被證2 是要提供一種含有氫之多層結構接合線，發明所屬技術領域中具有通常知識者在參酌被證2 後，倘若欲採用生成孿晶的退火條件來達成調整氫濃度目的時，則會因為氫原子來不及溶解及擴散進入合金線材內部，而無法達成調整氫濃度之目的。

因此，被證2 與系爭專利無關，亦未提供任何動機或建議給予發明所屬技術領域通常知識者以完成系爭專利所請，故系爭專利請求項1 、2具備進步性。

⑷系爭專利說明書第15頁：「鋁雖為面心立方結晶構造材料，但其疊差能大約200erg/cm ，極少出現退火孿晶…」可知，Al雖為FCC ，但實際上根本不易形成孿晶，又如在原證19第3 圖中，已證明Au和Cu雖為FCC，但並無法生成大量孿晶，故並非所有具有面心立方體之金屬材料均可形成大量孿晶。

是「可形成孿晶」與「形成20% 以上大量孿晶」乃屬兩不同之概念，所產生之功效亦不相同，兩者不能混為一談。

故被證2參酌附件5-7 不能證明系爭專利請求項1 、2 不具進步性。

⑸原證20是在101 年9 月1 日公開，而系爭專利係在101 年6 月20日提出申請，主張國內優先權日為101 年1 月2 日，故原證20是在系爭專利申請後始公開之文獻，因此，依據專利法第22條第4項之規定，原證20不具證據能力。

又原證20並未與系爭專利相違背，原證20第5 圖清楚揭露傳統合金(conventional wire)原料材料之孿晶比例為18% ，而發明性銀合金線原材料之孿晶比例則大於20% ，兩者經過測試後，由第8圖及第9 圖可證明，發明性銀合金線相較於傳統合金線材具有優異之性能。

因此，被告主張原證20第5 圖所揭露「習知合金線材性質其退火孿晶密度大於20%」之事實云云，顯未探究原證20實質技術內容。

⑹被告抗辯原證37圖4-28c 所顯示之具有退火孿晶的晶粒的數量，已達合金晶粒總數37% 云云。

惟原證37圖4-28c 所示為金- 銀合金，而為一種金合金線，但系爭專利所請為銀合金線，兩者合金材料並不相同。

又原證37圖4-28c 僅係單純教示辨識退火孿晶，並未提及與孿晶比例有關之記載，且原證37圖4-28c 也只是局部合金金相圖圖式，並不具有任何代表性，亦未有任何比例尺之記載，得以判別晶粒尺寸。

因此，被告主張援引原證37作為系爭專利無效之證據，尚非可採。

2.系爭專利符合核准審定時即99年8 月25日修正公布，99年9 月12日施行之專利法（下稱：修正前99年專利法）第26條第2 、3 項之規定：被告抗辯關於台大慶齡中心的技術意見書認為退火孿晶跟非退火孿晶無法從外觀上去區辨的，是系爭專利無法去認定系爭產品有無落入云云。

惟原證37之退火孿晶主要是出現在FCC 金屬材料中，係在晶粒生長過程中，因退火而發生者，機械孿晶主要是出現在HCP 金屬材料中，係因機械加工後發生者，兩者形成原因不同，在顯微鏡下所觀察之微結構樣貌亦不相同，退火孿晶在金相圖中則是較寬、平板、長條狀，而機械孿晶相較於退火孿晶則是非常細長、柳葉狀，故由屬於材料領域基礎教科書之原證37可證，辨別「機械孿晶」及「退火孿晶」已為材料領域人士的通常知識。

又系爭專利發明說明已提供明確且充分之揭露使所屬技術領域中具有通常知識者，依據發明說明之揭露來據以實施，並得以支持系爭專利請求項1 、2 所請之範疇。

再者，系爭專利有關「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量大於20% 以上」之定義明確，並非為新參數，系爭專利採用之直接清點晶粒之分析方法為系爭專利申請前通常知識，系爭專利請求項1 、2 所請符合系爭專利核准審定時即修正前99年專利法第26條第2 、3 項之規定。

（三）被告製造、銷售之系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品，確實侵害系爭專利請求項1 、2 至為明確。

爰依專利法第58條第1 、2 項、第96條第1 、2 項，民法第184條提起本件訴訟，並依民事訴訟法第244條第1項規定，僅就損害賠償金額先為新臺幣（下同）100 萬元之一部請求。

（四）聲明：1.被告應給付原告100 萬元，及自起訴狀繕本送達翌日起按週年利率百分之5 計算之利息。

2.被告不得為製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品以及其他侵害系爭專利權之產品等侵權行為。

3.第1項聲明，原告願供擔保，請宣告准予假執行。

二、被告抗辯：

（一）申請專利範圍解釋：1.系爭專利請求項1 、2 「其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」之用語，其文字清楚呈現係指，以「該合金線材的所有晶粒數量」，以整體合金線的晶粒總數為分母，所進行的百分比計算。

再經參閱系爭專利說明書第6 頁第一段倒數二行「…佔上述合金線材的所有晶粒數量…」、第7 頁末段倒數一行「…佔上述細線材的所有晶粒數量…」、第10頁第三段倒數三行「…是佔此合金線材10的所有晶粒數量…」、第11頁第二段第6-7 行「…是佔此合金線材20的所有晶粒數量…」、第14頁第二段第1-2 行「…在本發明之合金線材的所有晶粒中…」、第17頁第二段倒數第2 行「…佔上述細線材的所有晶粒數量…」等，上開用語應解釋為「該合金線材具有退火孿晶的晶粒的數量佔合金線材之晶粒總數的20％以上」。

2.原告主張系爭專利請求項1 、2 「其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」之用語，應解釋為「採用隨機抽樣合金線材截面，直接清點合金線材截面之金相圖中，具有退火孿晶的晶粒的數量以及所有晶粒的數量，具有退火孿晶的晶粒的數量佔所有晶粒的數量的20％以上」云云，實已增加「隨機抽樣合金線材截面、直接清點截面之金相圖內晶粒數量」等請求項及說明書均未記載之內容，自無可採。

（二）系爭AG0E與AG0F銀合金線產品，均未落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍：1.系爭專利請求項第1 、2 項中「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」分析方法：⑴系爭專利請求項1 、2 界定發明合金線材「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」之技術特徵，說明書僅重複相同之文字記載，並無關於該技術特徵之量測方法或儀器之說明，原告雖主張，系爭專利係採用先取得合金線材之橫截面與縱切面之金相圖，再進行晶粒晶界判斷，其後再進行晶粒計數。

惟「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」係針對合金線材之「整體」所為之性質界定的技術特徵，而非針對線材「切面」的界定。

系爭專利說明書並未記載係以切面結果進行上開技術特徵之認定的情形下，且晶粒分布不平均而孿晶組織亦非均勻存在於線材中，不該也不能逕以隨機之切面性質分析結果認定為線材整體的性質。

⑵截線法為分析方法應屬可採：系爭專利說明書並未記載新參數之量測方法而導致請求項不明確，惟假設可以合金線材之切面作為判斷合金線材是否符合「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」技術特徵的分析客體，且以肉眼進行晶界判定為合宜的前提下（被告仍不同意），提出以習知方法對合金線材切面的「退火孿晶」含量百分比進行最大估算之分析說明如下：①被證6 號係以截線法計算孿晶密度，結合附件1 之 ASTM 13.4 節第5 圖所例示截線方式，或者直接以 被證6 註12所示文獻所記載之多條平行線的截線方 式，皆可用以計算合金線材之切面的孿晶含量多寡 ，而合金線材切面孿晶含量多寡（密度）可以透過 「孿晶截點數／晶界截點數」來計算，由被證5 第 5107頁第三段原文：The twin densities (NT/NG) were also estimated from the fractions of th e intersections across the twin boundaries(N T) to those of the whole grain boundaries(NG ). 及勾稽原告及系爭專利發明人於原證19、原證 20與被證5 之相關說明，可使用截線法來計算孿晶 密度（即，包括「退火孿晶」與「非退火孿晶」之 孿晶總數的孿晶密度），此為線材切面具有「孿晶 」（包括「退火孿晶」與「非退火孿晶」）的晶粒 的數量佔晶粒總數之比例，且此一數值為線材切面 具有「退火孿晶」的晶粒的數量佔晶粒總數量之比 例的最大估算值（蓋同時將「非退火孿晶」也納入 分子的計算中）。

②被證5 所述截線與晶界交叉次數之計算，係依據習 知「截線法」為基礎，而「截線法」不僅為系爭專 利發明人所採用之方法，更是系爭專利申請前之習 知分析方法，此依被證6 於第2633頁摘要末行說明 其內容涉及檢視硼使經退火鎳之孿晶密度降低的效 應（by examining the effect of boron in redu cing twin densityin annealed nickel ），於第 2636頁左欄第三段清楚記載「晶粒尺寸及孿晶密度 是用Smith andGuttman程序步驟判定，且為了幫助 精確統計一任意線與晶界及孿晶晶界截點的計數， 一種電腦輔助及人工相互作用的數據取得及分析之 特別系統被使用（Grain size and twin density were determined using the procedure develope d by Smith and Guttman[12].To facilitate an accurate and statistically meaningful count of the number intersections of a random line with grain boundaries and twin boundaries,as peciallydesigned computer-aided and operator -interactive system for data acquisition and analysis was used ）」，第2636頁左欄第四段記 載：「經退火含硼的鎳樣品被拋光且用上述的程序 步驟計算孿晶晶界截點數／晶界截點數（The anne aled samples were polished and in each case the ratio of twin boundary intersections to grain boundary intersections was determined using the procedure outlined above. ）」，第 2636頁右欄第5 圖並以「孿晶晶界截點數／晶界截 點數」來表示添加硼對於孿晶密度之影響。

是被證 6 可證明以「孿晶晶界截點數／晶界截點數」計算 切面中的孿晶含量（孿晶密度、孿晶百分比），乃 系爭專利申請前本領域通常知識者所採用之習知方 法。

且被證6 計算「孿晶晶界截點數／晶界截點數 」，通常知識者可以使用附件1 「ASTM第13.4節 Fig.5 」所例示截線方式，兩對角線之長度各為15 cm，水平與垂直截線長度各為10cm，四條截線之總 長度為50cm，且兩對角線與水平及垂直夾角各為45 °，兩對角線互相為正交，而附件1 號第13.4節進 一步記載，此取法並非關鍵之所在，只要對視場各 個部分均給予大致相等的測量比重即可（The form of such array is not critical,provided that all portions of the field are measured with approximately equal weight. ）。

是截線之取法 並不限定於例示之方式，惟附件1 「ASTM第13.4節 Fig.5 」所示之截線方法，確屬通常知識者習用之 截線方法，可用以計算合金線材切面的孿晶密度。

③被證6 第2636頁左欄第三段記載「晶粒尺寸及孿晶 密度是用Smith and Guttman 程序步驟判定」，已 如前述，而該程序步驟可參被證6 註12所示文獻即 附件21第86頁左欄第三段記載：「It is possible t o experimentally measure on an actual two- di mensional section the total number of int erc epts, N, with grain boundaries of a trav ersi ng line of a known total length,L(the total being made up of many lines,a distance dapar t,repeatedly crossing the area being examine d++)asin Fig. 4 （可以如圖4 所示在實 際的二維切面上以已知總長度L （此總長是由許多 間距d 且重覆穿過待檢視面積的線條所組成）的截 線來量測晶界的總截點）」，顯係與前述習知截線 法相符一致。

附件21更在註記「++ 」 中舉例說明 該間距d 可為1 公分。

為求謹慎，被告僅再補充以 被證6 註12所述，取間距1 公分的多條平行線，作 為分析方法之截線法（被證12，顯示分別採用縱向 平行線與橫向平行線二種平行線取法的結果）。

是 被證6 註12已揭露以截線法作為該文獻於量測與計 算晶粒尺寸與孿晶密度之基礎。

⑶原告攻擊被告所提分析方法之主張均不可採：①原告主張合金線材切面孿晶含量多寡（密度）透過 「孿晶截點數／晶界截點數」來計算，與系爭專利 「具有退火孿晶的晶粒的比例」之定義不相同云云 ，惟被證5 係由系爭專利發明人所發表之文章，其 第5107頁第三段明確以「孿晶晶界截點數／晶界截 點數」來計算孿晶密度。

而原告主張系爭專利「具 有退火孿晶晶粒的數量的比例」並非新參數而提呈 原證19、20，而原證19、20亦為系爭專利發明人所 發表，也一再確認「退火孿晶密度」、「退火孿晶 百分比」、「具有退火孿晶晶粒的數量的比例」為 同義詞，並強調「上述四篇期刊均是採用與系爭專 利相同之分析方法，隨機抽樣合金線材截面、以FI B 取得合金線材截面之金相圖，再直接清點計算金 相圖中『具有退火孿晶的晶粒之比例』」。

②原告主張「ASTM E112-13規範」係關於測定平均顆 粒尺寸之標準，與分析系爭專利之「具有退火孿晶 的晶粒的數量」無關，且截線法之分析方法是在計 算「晶界數」，而非計算「晶粒數量」云云，惟無 論附件1 「ASTM E112-13規範第13.4節第5圖」所 例示之截線取法、或是被證6 註12第86頁及第4 圖 所例示間隔1 公分之平行截線取法，均為通常知識 者習知截線取法，而可用以計算晶界與截線交叉次 數，並進而依據需求計算「晶粒尺寸及孿晶密度」 。

③原告主張「ASTM E112-13規範」並未教示分析者得 以任意選取截線云云，惟ASTM E112-13第13.4記載 ，其所例示之取截線方法並非唯一，且ASTM E112- 13未明文限定金相圖倍率，且未限定截線長度、數 量或方向。

④原告主張截線法容易經由人為操作選取截線，來達 到刻意遺漏孿晶之目的，進而產生孿晶比例偏低的 假象，故截線法欠缺客觀性，毫無可採之處云云。

惟相較於原告分析方法（涉及晶粒晶界、大晶粒與 小晶粒、附屬結構與主結構、退火孿晶與非退火孿 晶等等之眾多的人為判斷），被告分析方法（直接 以公開文獻所示之方法劃截線，進行截點計算）將 全部的孿晶都認定為退火孿晶所進行之最大估算， 所涉及的人為判斷因素更低，更為客觀，以「截線 法」分析所得之孿晶比例未必較「數晶粒法」為低 ，且在並非全部的晶粒都有孿晶組織的情形下，有 很大的機率會得到比「數晶粒法」還要高的孿晶比 例，有利於原告。

⑷從而，被證6 係以截線法計算孿晶密度，結合附件1之「ASTM 13.4 節第5 圖」或被證6 註12所示文獻間隔1 公分之平行截線取法，各該例示截線方式，均可用以計算合金線材切面孿晶密度。

2.系爭「AG0E」銀合金線產品，不論採用業界所接受且廣為採用之客觀分析方法「截線法」，不帶偏見的選取截線進行分析（被證1 ），或被證6 所例示「平行截線法」（被證12，即被證6 註12所示文獻間隔1 公分之平行截線取法）或採用原告主張之人工描繪、肉眼清點的「數晶粒法」進行分析（被證10，即以數晶粒法計算原證12之系爭「AG0E」銀合金線產品的縱切面與橫切面描繪圖的孿晶含量的分析結果），其縱切面或橫切面之孿晶含量，均低於20% 。

系爭「AG0E」銀合金線產品未落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍。

3.系爭「AG0F」銀合金線產品的隨機切面分析結果，不論以「ASTM截線法」（被證9 ，即被告針對型號「AG0F」銀合金線產品之孿晶含量分析結果）、「平行截線法」（被證12號）或「數晶粒法」（被證9 ）進行分析，其縱切面或橫切面之孿晶含量，均低於20% 。

系爭「AG0F」銀合金線產品亦未落入系爭專利請求項1 及2 之文義範圍。

4.縱依原告主張，以切面的FIB 金相圖來判定合金線材整體的孿晶含量多寡（然被告並不同意），且以不區分「退火孿晶」與「非退火孿晶」進行最大估算，系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品亦不符合「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」的技術特徵，未落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍。

（三）系爭專利具有應撤銷事由：1.系爭專利請求項1 、2 記載不明確、不能為說明書及圖式所支持，違反修正前99年專利法第26條第3項規定，有應撤銷事由：⑴系爭專利請求項1、2記載不明確：系爭專利請求項1 界定所請合金線材「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」之技術特徵，應解釋為「該合金線材具有退火孿晶的晶粒的數量佔合金線材之晶粒總數的20％以上」，係一針對合金線材之「整體」所界定的物理性質，屬於三度空間（即，三維）的物理性質，且合金線材因其製造過程涉及繁複的處理操作，其晶粒組成並不平均，且孿晶結構亦非均勻存在於合金線材的各個區塊。

此等晶粒分佈不均之合金線材，遍查公開資料，無文獻教導說明如何量測其晶粒總數，亦無確認合金線材之量測方法的說明，其性質涉及新參數的使用。

又不能以合金線材切面之二維分析結果代表線材整體的三維實際情形，並不能以局部取樣的片段分析作為整體性質的判斷，亦不能僅以合金線材局部的晶粒分布情形，逕為推論整體合金線材的晶粒分布狀況，更不能以合金線材切面（無論是縱切面、或橫切面）的晶粒分析結果，代表整體線材的晶粒分析情形。

縱以合金線材之二維切面來認定線材之三維性質（然被告並不同意），原告對於合金線材切面之晶粒數量的量測，前後提出多種不同量測方法，並非唯一方法，且皆未記載於系爭專利之請求項或說明書中，亦非業界所普遍使用之習知方法，不應予以採納。

再者，縱以合金線材之二維切面來認定線材之三維性質（然被告並不同意），原告所提合金線材切面之晶粒數量的量測方法，無法產生相同的結果，可能產生人工描繪之誤差；

肉眼清點之誤差；

晶粒認定之標準偏頗，而系爭專利說明書對於前述技術特徵所涉之「晶粒數量」的計算，亦未說明於計算晶粒總數時不應納入何種晶粒組織的計算，亦未區分說明在線材的晶粒組織中，何者為應納入計算的「主結構」？何者為不應納入計算的「附屬結構」？何者為應納入計算的「大晶粒」？何者為不應納入計算的「細小晶粒」？且退火孿晶之判定標準不明，系爭專利說明書未記載如何區分「退火孿晶」與「非退火孿晶」。

原告於進行被告合金線材之晶粒計算時，亦未區分「退火孿晶」與「非退火孿晶」。

目前並無相關國際組織認可之規範，提供具有孿晶之晶粒的數量的計算方法；

而關於具有孿晶之晶粒的判定，亦無國際正式規範可供佐證，且若以切面作為分析客體進行分析，無論採用方法為何，都會因為影像所呈現晶粒型態或對比相似而產生誤判，進而影響分析結果的準確性。

從而，系爭專利發明合金線材「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」之技術特徵，屬於三維性質參數，不能以二維切面進行認定，且無論以合金線材「整體」之三維組織、或合金線材「切面」之二維金相圖來認定該參數值，系爭專利說明書完全沒有提供任何量測該參數的分析方法說明或提供量測儀器，更未記載如何區分「退火孿晶」與「非退火孿晶」。

又原告並未舉證證明，其所宣稱該技術特徵未涉及新參數之分析量測方法為唯一或普遍使用且為所屬技術領域具通常知識者所習知者，故原告先後所提分析結果證明，以其所提方法無法得到相同的結果。

系爭專利所屬技術領域具通常知識者，無法明確瞭解系爭專利請求項1 、2 之範圍，該二請求項之內容不明確，是系爭專利違反修正前99年專利法第26條第3項規定，具應撤銷事由。

⑵系爭專利請求項1及2無法為發明說明及圖式所支持：系爭專利請求項1 及2 係界定所請合金線材「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」，惟系爭專利說明書並未提供可據以進行「整體合金線材之晶粒總數」之量測之方法記載或提供實施其量測的儀器，且未提供區分退火孿晶以及非退火孿晶從而確認一合金線材是否符合「具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20%以上」之技術特徵相關說明，致使該二請求項所記載之發明不明確。

又系爭專利說明書僅於實施例中提供單一組成（即，8wt%金、3wt%鈀、其餘為銀）之三成分合金線材的例示，既未教導不同成分配比之選用的注意事項、也未記載說明為何成分配比為重要與否，故本領域具通常知識者如何能在不過度實驗之情形下獲致具有如系爭專利說明書表1 所宣稱可呈現優異性質之合金線材。

是系爭專利說明書無法支持系爭專利請求項2 所界定「該銀- 金合金的金含量為0.01至30.00 wt% ，餘量為銀」（此為「二成分」合金線材）、「該銀- 鈀合金的鈀含量為0.01至10.00 wt% ，餘量為銀」（此為「二成分」合金線材）、「該銀-金-鈀合金的金含量為0.01至30.00 wt% 、鈀含量為0.01至10.00 wt% ，餘量為銀」（此為「三成分」合金線材）之任一，亦無法支持系爭專利請求項1 所界定之毫無成分配比限制的「銀- 金合金」、「銀- 鈀合金」或「銀- 金- 鈀合金」合金線材。

再者，系爭專利說明書對於所例示之三成分單一組成，僅於實施例提及對所得到合金線材進行一個縱切面（以及一個橫切面）的「估計」，估計有超過總晶粒數量的30% （或40% ）的晶粒具有退火孿晶組織，惟未說明如何進行「估計」，且未說明如何判定何者為「退火孿晶」。

因此，系爭專利請求項1 及2 無法為說明書及圖式所支持，違反修正前99年專利法第26條第3項之規定。

2.系爭專利說明書並未明確且充分揭露系爭專利請求項1、2 所請發明，致使所屬技術領域具有通常知識者不能瞭解其內容，且無法據以實施，違反修正前99年專利法第26條第2項之規定，具有應撤銷事由：依系爭專利說明書之記載，系爭專利之發明乃經過其發明人之研究所尋找出大小適中的冷加工變形量條件，同時配合最優化的退火溫度與時間，而獲得內部含有大量退火孿晶的創新線材組織，惟細查系爭專利說明書，對於請求項所請求合金線的製造，僅說明該製造方法之眾多道冷加工及退火中的最後二道的操作條件，即第N-1道與第N 道，僅提供二例示性代表實施例（實施例1與實施例2 ）其中對於所例示態樣在進行第(N-1) 道的冷加工成形步驟之前，將線徑6 mm（即6000μm ）之粗線材加工處理成為線徑22.6μm 之細線（縮小後的線徑小於縮小前線徑的250 分之一）之巨大變形量相關處理，惟對於冷加工成形步驟與退火步驟，則以「經過多次抽線延伸與退火熱處理」說明，未具體敘述所採用之操作條件。

是系爭專利說明書對於所請合金線之實施的教導未充分揭露，違反修正前99年專利法第26條第2項之規定，具有應撤銷事由。

3.被證2 號與習知技術（附件5-7 號，併參原證37號、原證20號）之組合，可證明系爭專利請求項1 不具進步性：⑴引證案之技術分析：①被證2 號與系爭專利同屬銀合金線領域，其揭露一 種兼具球接合性、線加工性、高環路穩定性、高扯 拉強度及高楔接合性的半導體用接合線，該接合線 包含一芯材及一包覆芯材的外層，其中芯材可由銀 、金及／或鈀構成（被證2 摘要）。

被證2 實施例 並具體例示使用銀- 金或銀- 鈀作為合金材料之具 體實施態樣。

被證2 第[0074]、[0118]段記載，在 合金線材製造過程中，通常會進行退火處理以控制 其再結晶組織、調整合金線機械特性、消除加工應 力，且為達此目的，通常需進行多次退火處理。

②系爭專利申請日時，所屬技術領域具有通常知識者 所習知之背景知識： 附件5 （西元1985年初版、1988年再版之書籍「 INTRODUCTION TO Materials Science FOR Engi neers 」）其公開日早於系爭專利之優先權日（ 101 年1 月2 日），可以作為證明系爭專利申請 日時，業界所習知之背景知識之文件。

又附件5 號係具面心立方（FCC ）結構之金屬材料，可透 過例如退火等操作而於材料中形成孿晶，且Ag（ 銀）、Au（金）及Pd（鈀）皆具FCC 晶體結構。

附件6 （西元2004年之「L. Lu, Y. Shen,X. Chen. L. Qian, and K. Lu, Ultrahigh Str ength and High Electrical Conductivityin Cupper, SCIENCE, vol.304,2004, pp.422-426 」文獻），其公開日早於系爭專利之優先權日（ 101 年1 月2 日），足以作為證明系爭專利申請 日時，業界所習知之背景知識之文件。

又附件6 係系爭專利說明書第13頁所提及之先前技術，其 進一步教導，於金屬線中，孿晶可透過塑性變形 、相變化、熱退火或其他物理或化學手段在各種 金屬及合金中形成，且孿晶可有效強化金屬的強 度而不減損其導電性能。

附件7 （2011年11月7 日之「ZoltanHegedus,Je no Gubicza, Megumi Kawasaki,Nguyen Q. Chin h, Zsolt Fogarassy and Terence G.Langdon,M icrostructure of low stacking fault energy silver proessed by different routes of sev ere plastic deformation,Journal of Alloys and Compounds 536S(2012)S190-S193 」文章） ，其公開日早於系爭專利之優先權日（101 年1 月2 日），可以作為證明系爭專利申請日時，業 界所習知之背景知識之文件。

又附件7 係在探討 塑性變形加工對於銀線材之位錯密度（dislocat ion density ）及孿晶間界頻率（twin boundar y frequency ）的影響，於「2.Experimental materials and procedures」一節中教導，以0. 6Tm （絕對溫標K ）的溫度進行線材的退火處理 。

以銀（Tm：1235 K）來說，0.6Tm 即為741K（ 相當於468 度C ），在連續製造金屬線材的退火 操作中，一方面必須留意退火溫度不可太高，以 免過於接近金屬熔點致使線材太軟而斷線，但退 火溫度也不能過低而無法提供退火效益。

通常是 以金屬線材的熔點（Tm）為準，採用大約為0.6T m 的退火溫度。

從而，依附件5 、6 、7 之內容可知，於系爭專 利申請之前，通常知識者已知可透過退火操作， 於銀、金、鈀及其合金之面心立方結構的金屬線 材中產生孿晶，來提高線材性能，且退火溫度通 常為大約0.6 Tm（金屬線材之絕對溫標熔點）， 此乃業界所習知之背景知識。

③原證37其公開日早於系爭專利之優先權日（101年 1 月2 日），得為比對、判斷系爭專利是否具備專 利要件之先前技術。

又原證37第138 頁記載「Fig. 4-28c shows annealing twins in an fcc gold-s ilver alloy 」（圖4-28c 顯示面心立方晶相金- 銀合金的退火擎晶）。

原證37之圖4-28c 顯示其有 複數個晶粒的金銀合金，且fcc （面心立方晶相） 可為多晶結構實為發明所屬技術領域中具通常知識 者之背景知識，故已揭露「面心立方晶相的多晶結 構而具有複數個晶粒的金- 銀合金，其中具有退火 孿晶」之技術特徵。

縱依原告所主張之分析方法（ 被告仍否認之）以合金線材之切面來認定一合金線 是否符合「具有退火孿晶的晶粒數量，佔該合金線 材所有晶粒數量的20% 以上」之條件，原證37圖 4-28c 所顯示之具有退火孿晶的晶粒的數量，已達 該合金晶粒總數37% 。

④原證20之文獻公開日雖晚於系爭專利，然依原告說 明，系爭專利發明人「基於申請專利之新穎性的顧 慮，為免文章發表造成申請專利在申請之前已有公 開事實，導致無法取得專利」，故在系爭專利提出 申請之後公開發表原證20。

原證20第3219頁Fig. 5 係比較該文獻所提出之退火孿晶線材相對於習知合 金線材，關於孿晶密度隨退火時間之變化比較，其 已提及習知合金線材具有孿晶密度為大於20% 之特 徵，可作為判斷系爭專利是否具備專利要件之先前 技術。

是原證20之內容，於系爭專利申請之前便已 完成，但為申請系爭專利而延後公開。

⑵附件5-7 ，併參原證37、原證20與被證2 ，可以證明系爭專利請求項1 不具進步性：系爭專利說明書未描述第1 道至第N-2 道退火步驟之操作，所屬技術領域具通常知識者當然可以依對於孿晶的需求，利用例行之實驗，即便必須實驗多次，也可達到提高合金線孿晶數量的目的而輕易完成。

又原告主張依系爭專利說明書（第19頁）的說明，以及說明書實施例所例示之相同材料組合透過習知方法尚無法提供等同系爭專利合金線效益之合金線等，可證明系爭專利請求項1 、2 所請合金線並非使用習知方法即可以輕易得到者，而具有進步性，惟系爭專利之說明書並未明確且充分揭露系爭專利請求項1 、2 所請發明，致使該發明所屬技術領域具有通常知識者，不能瞭解其內容，且無法據以實施。

再者，原告主張被證2 係針對具有外層被覆之合金線材的提供，而系爭專利請求項1 所請為「單層合金線」，故被證2 無法證明系爭專利請求項1 不具進步性，惟本領域具通常知識者本可基於被證2 而輕易完成以系爭專利請求項1 合金線材為芯材且於外部另具一被覆層之雙層線材，卻因該芯材具有系爭專利請求項1 合金線材的全部技術特徵、落入系爭專利請求項1 之範圍而不能自由實施，而意謂著任何人皆可透過專利申請，去阻擋他人本可基於既有知識而輕易完成之物件，是原告之主張，尚非可採。

因此，系爭專利請求項1 所請發明，實乃所屬技術領域中具通常知識者依申請前之通常知識（附件5-7 ，併參原證37、原證20）及被證2 之揭露內容所能輕易完成者，不具進步性。

4.被證2 、習知技術（附件5-7 ，併參原證37、原證20）、被證3 之組合可證明系爭專利請求項2 不具進步性：⑴引證案之技術分析：①於系爭專利申請之前，通常知識者已知可透過退火 操作，於銀、金、鈀及其合金之面心立方結構的金 屬線材中產生孿晶，來提高線材性能，且退火溫度 通常為大約0.6Tm （Tm為金屬線材之絕對溫標熔點 ），此乃業界所習知之背景知識，業如前述。

②被證3 （西元1999年10月19日公開之公開號特開平 00-000000 日本發明專利申請案），其公開日早於 系爭專利優先權日（101 年1 月2 日），得為比對 、判斷系爭專利是否具備專利要件之先前技術。

被 證3 與系爭專利同屬銀合金線領域，其摘要及請求 項1 揭露一種銀合金焊線，該銀合金焊線包含0.1 至10 wt%之選自Pd（鈀）、Pt、Cu、Ru、Os、Rh、 及Ir之至少一者，且可視需要包含0 至40 wt%之Au （金），且其餘為銀，說明書實施例並具體例示鈀 含量為0.1 wt%之銀-鈀合金的態樣。

⑵附件5-7 ，併參原證37與被證2 、被證3 ，足以證明系爭專利請求項2 不具進步性：系爭專利請求項2 ，係針對請求項1 進一步界定「其中：該銀- 金合金的金含量為0.01至30.00 wt% ，餘量為銀；

該銀- 鈀合金的鈀含量為0.01至10.00 wt%，餘量為銀；

以及該銀- 金- 鈀合金的金含量為0.01至30.00wt%、鈀含量為0.01至10.00 wt% ，餘量為銀」。

惟被證3 與系爭專利同屬銀合金線領域，其摘要及請求項1 揭露一種銀合金焊線，該銀合金焊線包含0.1 至10 wt%之選自Pd（鈀）、Pt、Cu、Ru、Os、Rh、及Ir之至少一者，且可視需要包含0 至40 wt%之Au（金），且其餘為銀，說明書實施例並具體例示鈀含量為0.1 wt% 之銀- 鈀合金的態樣。

所屬技術領域具通常知識者可依系爭專利申請前之通常知識與被證2而輕易完成系爭專利請求項1 所請發明。

至於系爭專利請求項2 所進一步界定之成分含量組合，實與被證3 所揭露者相重疊，且未提供任何不可預期之效益。

因此，系爭專利請求項2 所發明，為所屬技術領域中具有通常知識者依據申請前之通常知識與被證2 結合被證3 所能輕易完成者，不具進步性。

（四）被告並無侵害系爭專利之故意或過失：被告既確信並無侵權之事由，已如前述，則被告當無侵害系爭專利之故意或過失。

系爭專利請求項係以新參數界定，說明書復無對該等新參數量測方法之記載，亦無提供可以量測該新參數值之裝置，故系爭專利請求項不明確業如前述，當無從合理推斷系爭專利之權利範圍，被告對於系爭專利並無侵權之故意或過失。

且原告就其主張之損害賠償金額，並無舉證，故其主張實屬無據。

（五）答辯聲明：1.原告之訴及假執行之聲請均駁回。

2.如受不利判決，被告願供擔保請准免予假執行。

三、兩造不爭執事項：（見本院卷3第157頁）

（一）原告為系爭專利之專利權人，專利權期間自102 年2 月1日起至121 年6 月19日止，此有系爭專利之專利證書、系爭專利說明書暨申請專利範圍公告本附卷可稽（見本院卷1第13-41頁）。

（二）被告於102 年8 月7 日銷售編號「AG0E0020ME」、「AG0E0023ME」及「AG0E0025ME」，單價分別為新台幣550 元、680 元及780 元之系爭「AG0E」銀合金線產品各二捲予訴外人興華電子工業股份有限公司，又於102 年8 月19日銷售乙捲編號「AG0E0018ME」、單價為500 元之系爭「AG0E」銀合金線產品予訴外人興華電子工業股份有限公司，此有被告出貨單影本2 紙、銷貨發票影本2 紙、產品規格書影本4 紙可稽（見本院卷42-49頁 ）。

（三）系爭「AG0E」銀合金線產品之組成為：Ag>96%、Pd<4% ，此有產品規格書影本及被告之銀合金線產品簡報可憑（見本院卷1 第46、65-76 頁）。

（四）系爭「AG0F」銀合金線產品之組成為：Ag>97%、Au<0.2%、Pd為2%，此有被告之銀合金線產品簡報可憑（見本院卷1 第65-76 頁）。

（五）被告有製造、販賣系爭「AG0E」及「AG0F」之銀合金線產品之行為，此有被告出貨單影本2 紙、銷貨發票影本2 紙、產品規格書影本4 紙、產品照片4 張及被告銀合金線產品簡報可憑（見本院卷1 第42-51 、65-76 頁）。

四、本件經依民事訴訟法第271條之1 準用同法第270條之1第1項第3款、第3項規定，整理並協議簡化爭點如下：（見本院卷3第157-158頁）

（一）系爭專利請求項第1項「其中具有退火孿晶的晶粒的數量佔該合金線材的所有晶粒數量的百分之20% 以上」，用語應如何解釋？

（二）系爭專利是否有應撤銷事由部分：1.系爭專利請求項1 、2 項是否記載明確且可為發明說明及圖式所支持？2.系爭專利發明說明是否已明確且充分揭露使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實施？3.被證2 號參酌附件5-7 號（併參原證三十七號、原證二十號）等系爭專利前之通常知識，可否證明系爭專利請求項1 不具進步性？4.被證2 號參酌附件5-7 號（併參原證三十七號、原證二十號）等系爭專利前之通常知識，與被證3 號之組合，可否證明系爭專利請求項2 不具進步性？

（三）原告可否請求被告負擔損害賠償責任部分：1.系爭「AG0E」銀合金線產品，是否落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍？2.系爭「AG0F」銀合金線產品，是否落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍？3.被告是否有侵害系爭專利之故意或過失？4.倘被告之產品落入系爭專利請求項1 、2 ，被告得否依專利法第96條第2項及民法第184條等規定，請求被告負損害賠償責任？其損害賠償金額如何計算？5.原告得否依專利法第96條第1項請求停止侵害系爭專利權？

五、兩造之爭點及論斷：

（一）系爭專利請求項1 「具有退火孿晶的晶粒的數量佔該合金線材的所有晶粒數量的20% 以上」用語之解釋：1.原告主張參酌系爭專利說明書第10頁之記載及實施例，可知系爭專利乃係隨機抽樣合金線材截面，直接清點合金線材截面金相圖中，「具有退火孿晶之晶粒」的數量以及「所有晶粒」的數量，認「系爭專利請求項1 「具有退火孿晶的晶粒的數量佔該合金線材的所有晶粒數量的20% 以上」之用語，應解釋為「在隨機抽樣合金線材截面之金相圖中，『具有退火孿晶的晶粒』的數量佔『所有晶粒』的數量的20% 以上。」

云云（見本院卷2 第31頁）；

被告則抗辯參酌系爭專利說明書第6,7,10,11,14及17頁相關內容，認「系爭專利請求項1 「具有退火孿晶的晶粒的數量佔該合金線材的所有晶粒數量的20%以上」之用語，應解釋為：「以『該合金線材所有晶粒數量』（即，整體合金線的晶粒總數量，G0）為分母，以合金線材所含有的『具有退火孿晶的晶粒的數量』（即，在該合金線材中，內含退火孿晶的晶粒的數量，Gtwin ）為分子，進行百分比計算之結果須達20% 以上，即，(Gtwin/G0)x100% ＞20% 」云云（見本院卷2 第7 、57頁）。

觀之兩造對於上開解釋用語，僅是在於計算基礎上的差異：原告主張按隨機抽樣合金線材截面之金相圖為計算基礎；

被告則抗辯應以整體合金線為計算基礎。

2.被告又抗辯本件合金線材之切面結果適例，不適用「大數法則」云云（見本院卷2 第10-11 頁），惟被告並未提出如何以「整體合金線計算」之具體辦法，又被告所舉之ASTM標準（見本院卷1 第121 頁）記載，真正的整體平均值無法經由直接計算而獲得，實際上係按統計學原理，經過適當的取樣分析計算出樣本的平均值，進而估算整體的平均值，是被告之抗辯，尚無可採。

至於，原告主張以金相圖為計算基礎，係基於系爭專利說明書及圖式中之記載，惟原告此部分之主張，並未記載於請求項中，則任何習知之計算方法均得以採據，當不能排除被告抗辯之以EBSD圖像為基礎之計算方法。

3.系爭專利請求項1 內容：「具有退火孿晶的晶粒的數量佔該合金線材的所有晶粒數量的20% 以上」，可知，合金線材具有複數個晶粒，包括：長條形晶粒，等軸晶粒及具有退火孿晶的晶粒，亦即具有退火孿晶的晶粒實為構成合金線材所有晶粒中的一部分，在合金線材所有晶粒中佔有一定的百分比分量。

故上開解釋用語，即係指「『合金線材中具有退火孿晶的晶粒的數量』佔『合金線材中所有晶粒的數量』的20% 以上」，又上開用語「『合金線材中具有退火孿晶的晶粒的數量』佔『合金線材中所有晶粒的數量』的20% 以上」，其計算方式，究係按隨機抽樣合金線材截面之金相圖計算或是以整體合金線計算，系爭專利請求項中既未記載，尚不得直接透過申請專利範圍解釋方法，而限定系爭專利請求項1之內容。

（二）系爭專利侵權之判斷：1.查系爭專利請求項共計17項，其中請求項1 、4 、8 為獨立項，其餘為附屬項。

本件原告僅起訴主張被告所製造、銷售之系爭「AG0E」及「AG0F」之銀合金線產品侵害系爭專利請求項1 、2 之文義範圍，並爭執系爭專利之有效性，是本院先就原告主張系爭「AG0E」及「AG0F」之銀合金線產品，落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍，而構成文義侵權部分，予以判斷。

2.系爭專利技術分析（相關圖式，如附件1）：系爭專利揭露一種選自銀- 金合金、銀- 鈀合金、銀-金- 鈀合金所組成之族群的其中之一合金線材，此合金線材為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶(Annealing Twin)的晶粒的數量，佔合金線材的所有晶粒數量的20% 以上（參系爭專利中文發明內容摘要，見本院卷1 第17頁背面）。

系爭專利所欲解決的習知問題為習知純金、純鋁、純銅純金屬線材或是銅線鍍金、銅線鍍鈀、銅線鍍鉑、鋁線鍍銅等複合金屬線材等打線接合金屬線材的內部組織均為等軸之微細晶粒(Fine Grain)，此種傳統微細晶粒組織可提供足夠的拉伸強度與延展性，但是微細晶粒本身存在大量的高角度晶界(High Angle Grain Boundary) ，這些高角度晶界會阻礙電子的傳輸，因而增加線材的電阻率，同時也降低線材的導熱性。

另也提供了環境氧化、硫化及氯離子腐蝕的有利路徑，使封裝後的電子產品可靠度降低。

此外，這種習知微細晶粒組織金屬線材在打線接合過程很容易在第一接點（銲球點）附近形成熱影響區，降低打線接合強度，同時在半導體或發光二極體產品使用時也很容易產生電遷移現象（見系爭專利之先前技術，本院卷1 第17頁）。

而系爭專利的主要技術手段為以N 大於或等於3 道的冷加工成形步驟，逐次縮減上述粗線材的線徑，成為線徑小於上述粗線材的線徑的一細線材，相對於前一道冷加工成形步驟後的中間材料的變形量為1%以上、不超過15% ，又在各道冷加工成形步驟間進行特定的溫度時間的退火步驟，並且在第(N-1) 道退火步驟的退火溫度為0.5Tm 至0.7T m( 線材的材質的絕對溫標的熔點) 、退火時間為1 至10秒、在第N 道冷加工成形步驟之後進行的第N 道退火步驟的退火溫度比第(N-1) 道退火步驟的退火溫度高20至100℃、退火時間為2 至60秒，使細線材成為退火孿晶的晶粒的數量，佔上述細線材的所有晶粒數量的20% 以上（見系爭專利發明內容，本院卷1 第18頁）。

3.系爭專利申請專利範圍（見本院卷1 第29頁）：系爭專利請求項共計17項，其中請求項1 、4 、8 為獨立項，其餘為附屬項。

本件原告起訴主張被告所製造、銷售之系爭「AG0E」及「AG0F」之銀合金線產品侵害系爭專利請求項1 、2 之文義範圍，其內容如下：請求項1 ：一種合金線材，其材質是選自銀- 金合金、 銀- 鈀合金、銀- 金- 鈀合金所組成之族群 的其中之一，該合金線材為面心立方晶相的 多晶結構而具有複數個晶粒，該合金線材的 線材中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、 其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿 晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數 量的20% 以上。

請求項2 ：如申請專利範圍第1項所述之合金線材，其 中：該銀- 金合金的金含量為0.01至30.00 wt% ，餘量為銀；

該銀- 鈀合金的鈀含量為 0.01至10.00wt%，餘量為銀；

以及該銀- 金 - 鈀合金的金含量為0.01至30.00 wt% 、鈀 含量為0.01至10.00wt% ，餘量為銀。

4.系爭產品技術內容（相關圖式，如附件2）：⑴系爭「AG0E」銀合金線產品：一種合金線材，其材質為銀- 鈀合金，該合金線材為面心立方晶相的多晶結構而具有複數個晶粒，該合金線材的線材中心部位具有長條形晶粒，其餘部位由等軸晶粒構成，其中具有退火孿晶的晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上。

該銀- 鈀合金的鈀含量為<4wt% ，其餘為銀。

⑵系爭「AG0F」銀合金線產品：由金屬晶體結構為面心立方體之銀、金及鈀組成之銀-金- 鈀合金，其組成為銀含量>97wt%，金含量<0.2重量% ，鈀含量為2 重量% 。

5.本件原告起訴主張被告所製造、銷售之系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品侵害系爭專利請求項1 、2 之文義範圍，嗣於104 年3 月9 日言詞辯論期日，被告當庭捨棄「米字形畫線形式」之計算方法（見本院卷3 第69-70 頁），並以被證6 結合「ASTM 13.4 節第5 圖」截線法，或被證6 註12（即附件21）所示文獻間隔1 公分之平行截線取法及數晶粒法，作為計算系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品，有無侵害系爭專利請求項1 、2文義範圍之比對基礎，合先敘明。

⑴系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品，未落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍：①系爭專利請求項1 所記技術內容，可解析為5 個要 件特徵（1A至1E），請求項2 所記技術內容為1 個 要件特徵(2F)，分別為： 1A技術特徵：「一種合金線材，」；

1B技術特徵：「其材質是選自銀- 金合金、銀- 鈀合金、銀- 金- 鈀合金所組成 之族群的其中之一，」；

1C技術特徵：「該合金線材為面心立方晶相的多晶 結構而具有複數個晶粒，」；

1D技術特徵：「該合金線材的線材中心部位具有 長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部 位由等軸晶粒構成，」；

1E技術特徵：「其中具有退火孿晶的晶粒的數量 ，佔該合金線材所有晶粒數量的 20% 以上。」

；

2F技術特徵：「該銀- 金合金的金含量為0.01至 30.00wt%，餘量為銀；

該銀- 鈀 合金的鈀含量為0.01至10.00wt% ，餘量為銀；

以及該銀- 金- 鈀 合金的金含量為0.01至30.00 wt %、鈀含量為0.01至10.00wt%， 餘量為銀」。

②系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品與系爭專利 請求項1 、2 之各要件1A至1D及2F技術特徵之文義 比對結果： 1A技術特徵： 如原證5 （系爭產品規格書，見本院卷1 第 46-49 頁）第1 至4 頁所示「AG0E」及被證7 （閎康科技股份有限公司針對被告型號「AG0F 」銀合金線產品所出具之成分分析暨切面FIB 金相圖分析報告）第2 頁（見本院卷2 第208 頁背面）所示，「AG0F」為合金線材(wire)。

故依系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品之 技術內容，符合系爭專利請求項1 之要件1A技 術特徵。

1B技術特徵： 如原證5 第1 至4 頁所示「AG0E」為銀- 鈀合 金，或銀- 金- 鈀合金，及被證7 第4 頁所示 「AG0F」合金組成為銀- 金- 鈀合金。

故依系 爭產品「AG0E」及「AG0F」之技術內容，符合 系爭專利請求項1 之要件1B技術特徵。

1C技術特徵： 由被證12（以被證6 註12所示文獻間隔1 公分 之平行截線取法，計算系爭產品「AG0E」、「 AG0F」之孿晶含量分析結果）所示系爭「AG0E 」銀合金線產品取樣縱切面、橫截面（見本院 卷3 第127-128 頁），及系爭「AG0F」銀合金 線產品取樣縱切面、橫剖面（見本院卷2 第12 9-130 頁）之結果，可見，系爭「AG0E」、「 AG0F」銀合金線產品，均為面心立方晶相的多 晶結構，且具有複數個晶粒。

故依系爭「AG0E 」、「AG0F」銀合金線產品之技術內容，符合 系爭專利請求項1 之要件1C技術特徵。

1D技術特徵： 由被證12所示系爭「AG0E」銀合金線產品取樣 縱切面，及系爭「AG0F」銀合金線產品取樣縱 切面（見本院卷3 第127 、129 頁）之結果， 可見，系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品 中心部位具有長條形晶粒或等軸晶粒、其餘部 位由等軸晶粒構成。

故依系爭「AG0E」、「 AG0F」銀合金線產品之技術內容，符合系爭專 利請求項1 之要件1D技術特徵。

2F技術特徵： 系爭「AG0E」銀合金線產品之組成物內容為： Ag>96%、Pd<4% ，系爭「AG0F」銀合金線產品 之組成物內容為：Ag>97%、Au<0.2% 、Pd為2% 。

故依系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品 之組成物內容，符合系爭專利請求項2 之要件 2F技術特徵。

綜上，系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品之 技術內容，符合系爭專利請求項1 、2 要件1A至 1D及2F等特徵，且亦為被告所不爭執（見本院卷 2 第206-207 、a251-252頁、本院卷3 第123-12 4 頁）。

③系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品與系爭專利 請求項1 、2 之要件1E之技術特徵比對： 系爭專利申請專利範圍及說明書中，並未界定如 何計算「具有孿晶的晶粒」的數量和「所有晶粒 的數量」，兩造對於系爭「AG0E」、「AG0F」銀 合金線產品與系爭專利請求項1 之要件1E特徵的 文義比對部分，即關於「其中具有退火孿晶的晶 粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以 上」之計算方法，存有爭執，業如前述，自應先 予判斷。

原告主張隨機抽樣合金線材截面，於合金線材截 面金相圖中，直接清點「具有孿晶的晶粒」的數 量和「所有晶粒的數量」再計算兩者的比值，亦 即，採取直接清點晶粒之分析方式（見本院卷2 第23頁、第69頁) ，其主要依據及計算結果如下 ： A.「美國材料與試驗學會（ASTM）之晶粒測試相 關規範「E112-13 :Standard Test Methods f or Determining Average GrainSize」所援A STM 「E112-13 」規範第11.1節內容，記載： 面積法是在顯微照片或毛玻璃屏幕上顯示的金 相圖片上刻畫一個已知面積的圓（通常為5000 mm2 比較方便計算）。

選擇一個至少能截取50 個晶粒的放大倍數。

當圖像調好焦後，計算落 在給定面積內的晶粒數量。

（For the planim etric procedure,inscribe a circle of kno wn area(usually 5000mm2 to simplify the calculations) on a micrograph,amonitoror on the ground-glass screen of the metall ograph or video monitor.Select amagnific ation which will give at least 50 grains inthe field tobecounted.When the image i s focused properly,count the number of g rains within this area.)（見本院卷1 第11 8-118 頁背面）等語，可知，辨識晶粒並計算 晶粒的數量為系爭專利申請時之通常知識，因 此，只要給予所屬技術領域中具有通常知識者 合金線材縱剖面和橫剖面之金相圖後，所屬技 術領域中具有通常知識者在基於其通常知識下 ，便可知計算清點「具有孿晶的晶粒的數量」 以及「所有晶粒的數量」，並計算兩者之比例 。

B.依原證28第136 頁右欄第27-31 行記載：具有 變形孿晶的晶粒之比例的測量，是藉由在光顯 微鏡下，對每個擬靜態之變形樣本觀察超過10 0 個晶粒等語（The fraction of grains exh ibiting deformation twins was determined by observing morethan 100 grains for eac h quasi-statically deformed sample under a Nikon Ephiphot(NikonInc.,Melville,NY000 00-0000)optical microscope. ）（見本院卷 2 第155 頁背面）。

可證，直接在隨機取樣樣 品之顯微照片中觀察100 個以上晶粒，直接清 點其中具有孿晶的晶粒的數量，乃系爭專利申 請前存在之通常知識。

C.依原證30第1789頁表1 所載：所觀察晶粒數量 「Number of Grain Examined」、含變形孿晶 之晶粒的數量「Number of Grains Containin g Deformation Twins 」，以及在7 個晶粒中 具有外延孿晶…在8 個晶粒中具有外延孿晶「 Extensive twining in seven grains …Exten sive twining in eight grains」等語（見本 院卷2 第182 頁），可證系爭專利所採用之直 接清點晶粒之分析方法以及請求項之「具有退 火孿晶的晶粒的比例」定義為系爭專利申請前 之通常知識。

D.基於系爭專利申請前之通常知識，以直接清點 晶粒之分析方式，計算系爭「AG0E」、「AG0F 」銀合金線產品「具有孿晶的晶粒」之比值， 得知系爭「AG0E」銀合金線產品平均值37% （ 見本院卷1 第7 頁）、縱切面及橫切面分別為 46.6% 及25.76%（見本院卷1 第248-249 頁） 、縱切面及橫切面分別為34.07%與27.4%(見本 院卷2 第268 頁背面、第276 、278 頁) 、縱 切面及橫切面分別為平均21.1% 及平均27.8% （見本院卷2 第292 頁）；

另系爭「AG0F」銀 合金線產品，縱切面及橫切面分別為平均31.0 % 及平均26.1% （見本院卷2 第292 頁）。

E.依上，原告主張以直接清點晶粒之分析方式係 為系爭專利申請前之通常知識，並經直接清點 系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品之縱切 面和橫切面金相圖中之晶粒後，計算出其「具 有退火孿晶的晶粒」之比例均大於20% ，故系 爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品技術內容 ，符合系爭專利請求項1 之要件1E技術特徵。

被告抗辯「截線法」之分析方法，為系爭專利申 請前本領域通常知識者可採用以計算合金線材之 切面中孿晶含量多寡的客觀方法（見本院卷2 第 112-114 、247-249 頁）： A.「美國材料與試驗學會（ASTM）之晶粒測試相 關規範「E112-13 :Standard Test Methods f or Determining Average Grain Size 」第13 .4節記載，藉由計算一組至少包含4 個或更多 個方向的檢測線的截線數，可以消除因晶粒偏 離等軸晶而引起的誤差。

可以使用圖5(上標7) 中的四條直線，這樣的直線組合不是關鍵，最 重要的是視場各個方向都可以以相同權重進行 計算(The effects of moderate departure f rom an equiaxed structure may be elimina tedby making intercept counts on a line array containing lines having four or mo re orientations.The four straight lines of Fig. 5(superscript7) may beused.The f orm of such arrays is not critical,prov ided that all portions of the field are measured with approximately equal weight .)（見本院卷2 第12頁背面）、第5 圖（如附 件3 所示）。

B.被證5 第5107頁右欄第三段段記載：孿晶密度 =(截線與孿晶晶界交叉次數)/( 截線與全部晶 界交叉次數) 。

（The twin densities (NT/N G)were also estimated from the fraction s of the intersections across the twin b oundaries(NT) to those of the whole grai n boundaries (NG).) （見本院卷1 第300 頁 背面、本院卷3 第27頁、第118 頁背面) 。

C.被證6 於2633頁摘要末行說明其內容涉及檢視 硼使經退火鎳之孿晶密度降低的效應（…by e xamining the effect of boron in reducing twin density in annealed nickel)；

及第26 36頁左欄第3 段記載「晶粒尺寸及攣晶密度是 用Smith and Guttman 程序步驟判定，且為了 幫助精確統計一任意線與晶界及孿晶晶界截點 的計數，一種電腦輔助及人工相互作用的數據 取得及分析之特別系統被使用（Grain size a nd twin density were determined using th e procedure developed by Smith and Guttm an[12]. To facilitate an accurate and st atistically meaningful count of the numb er intersections of a random line with g rain boundaries and twin boundaries,a sp ecially designed computer-aided and oper ator-interactive system for data acquisi tion and analysis was used）」；

再第2636 頁左欄第4 段記載「經退火含硼的鎳樣品被拋 光且用上述的程序步驟計算孿晶晶界截點數／ 晶界截點數（The annealed samples were po lished and in each case the ratio of twi n boundary intersections to grain bounda ry intersections was determined using th e procedure out lined above.）」，其第5 圖（如附件4 所示）並顯示添加硼對於孿晶密 度（以「孿晶晶界截點數／晶界截點數」表示 ）之影響（見本院卷2 第112 頁背面、本院卷 3 第119 頁背面) 。

D.附件21（即被證6 號註12所示文獻）第86頁左 欄第3 段記載：「可以如圖4 所示在實際的二 維切面上以已知總長度L （此總長是由許多間 距d 且重覆穿過待檢視面積的線條所組成）的 截線來量測晶界的總截點(It is possible to experimentally measure on an actual two- dimensional section the total number of intercepts, N, with grain boundaries of a traversing line of a known total le ngth, L (the total being made up ofmany lines, a distance dapart, repeatedly cro ssing the areabeing examined++) asinFig. 4 ）」，顯係與前揭所述習知截線法相符一致 。

附件21號更在註記「++」中舉例說明該間距 d 可為1 公分(A grid 20 cm with lines 1cm apart has been found satisfactory.) （見 本院卷3 第120 頁背面、第135 頁背面），如 附件21附圖4 所示（圖如附件5 所示）。

E.依上開被證6 所揭示之以截線法計算孿晶密度 之技術，配合附件1 ASTM E112-13法第5 圖所 記載之截線取法，進行系爭產品分析，系爭「 AG0F」銀合金線產品，縱切面及橫切面分別為 18.1 %及16.9% （見本院卷2 第226 頁背面） 、系爭「AG0E」銀合金線產品縱切面及橫切面 則分別為18.1% 及17.7% （見本院卷1 第161 頁背面）。

又為求謹慎，再補充以被證6 註12 所述，取間距1 公分的多條平行線，作為被告 分析方法之截線方法（見本院卷3 第120 頁背 面）之被證12（以被證6 號註12所示文獻間隔 1 公分之平行截線取法，計算系爭「AG0E 」 、「AG0F」銀合金線產品之孿晶含量分析結果 ）。

再者，被告主張依原告之逐一清算法進行 系爭產品分析，並主張假設截線法是不可採， 被證9 、10的逐一清點結果，來主張系爭產品 沒有落入系爭專利請求項1 的範圍（見本院卷 2 第205 頁背面-207頁、本院卷4 第44頁）， 系爭「AG0F」銀合金線在不計算金相圖最外圍 不具封閉晶界之晶粒時，其結果為縱切面14.0 % 及橫切面13.0% ；

若一併計算金相圖最外圍 不具封閉晶界之晶粒時，則其結果為縱切面15 .2% 及橫切面12.9% （見本院卷2 第226 頁背 面）。

系爭「AG0E」銀合金線產品在不計算金 相圖最外圍不具封閉晶界之晶粒，其結果為縱 切面14.72%及橫切面14.36%（見本院卷2 第22 7 頁背面）。

F.依上，被告主張「截線法」為系爭專利申請前 本領域通常知識，且不論按原告直接清點方式 或截線法計算系爭「AG0E」及「AG0F」銀合金 線產品之縱切面和橫切面金相圖後，系爭「 AG0E」、「AG0F」銀合金線產品中「具有退火 孿晶的晶粒」之比例均小於20% ，故系爭「 AG0E」、「AG0F」銀合金線產品技術內容，不 符合系爭專利請求項1 之要件1E技術特徵。

④被告所舉之截線法計算孿晶密度之分析方法，尚無 可採： 按系爭專利請求項1 內容「其中具有退火孿晶的 晶粒的數量，佔該合金線材所有晶粒數量的20 % 以上。」

，係以具有退火孿晶的晶粒數量與合金 線材全部的晶粒數量間的比例大於20% ，即全部 晶粒中特殊晶粒所佔的比例（援用原告之定義略 為孿晶比例）界定其權利範圍，其中的數值「20 % 」實質單位應為晶粒數/ 晶粒數。

被告所舉截線法之依據為ASTM E112-13 第13.4 節、被證5 、被證6 註12所示文獻（即附件21） 等，簡言之，截線法係以孿晶晶界截點數除以總 截點數（見本院卷4 第42-43 頁）來計算孿晶密 度（以下援用被告之定義略為孿晶密度），其實 質單位應為晶界截點數/ 晶界截點數，理由為： 被證5 已揭示（截線與孿晶晶界交叉次數）除以 （截線與全部晶界交叉次數）為孿晶密度之定義 （見本院卷3 第27頁、第118 頁背面）。

又被證 6 所揭示者乃係以截線法算得孿晶密度，即退火 孿晶晶界數量與所有晶界數量的比值（見本院卷 2 第112 頁背面-113頁、第248 頁、本院卷3 第 27 頁 背面、第119- 119頁背面），而附件21所 揭示之技術，則是被證6 所記載判定晶粒尺寸及 孿晶密度所採用的Smith and Guttman 程序步驟 ，並揭示以已知總長度L 間距d 且重覆穿過得檢 視面積的線條所組成截線來量測晶界的截點，且 例示截線間距可為1 公分( 見本院卷3 第120 頁 背面) 。

再者，ASTM E112-13第13.4節Fig.5 所 例示的截線方式，可用以計算合金線材切面的孿 晶密度（見本院卷3 第119-119 頁背面）。

由於，晶粒與晶界乃不同之物理義意，如說明書 第10頁第12至15行記截：「... 如第1B圖所示， 此合金線材10的縱切面為面心立方晶相的多晶結 構而具有複數個晶粒，且大部份為等軸晶粒12， 各等軸晶粒12之間是以高角度晶界14為界」（見 本院卷1 第19頁背面）。

又原證25（William D. Callister, Jr.所著於西元2007年出版之第7 版 「Materials Science and Engineering ：An I ntroduction （材料科學與工程導論）」）第G5 頁記載：晶界，區別具有不同結晶方向之兩相鄰 晶粒的界面。

(Grain boundary. The interface separating two adjoining grains having dif ferent crystallographic orientations.)（見 本院卷2 第127 頁）；

原證26（Robert E.Reed- Hill於1994年出版之第三版「PhysicalMetallur gy Principles （物理冶金）」）第168 頁記載 ：圖6.1 顯示放大350 倍下，多晶試片的晶體結 構。

晶粒大小為約0.05mm，且每個晶粒是經由深 黑色線，即晶界，以與鄰近晶粒區別(Figure6.1 shows the crystallinestructure of atypical polycrystalline(many crystal) specimen mag nified 350times. The average diameter of t he crystals is approximately 0.05mm, and e ach crystal is seen to be separated from i ts neighbors by dark lines,the grain bound aries.) （見本院卷2 第128 頁）。

由上述系爭 專利說明書內容及系爭專利申請前之材料學領域 之教課書教示內容可知，晶粒為多晶結構中各個 獨立的結晶單元，而晶界則為晶粒彼此間之界面 ，此即晶粒與晶界為不同的物理意義。

關於「具有退火孿晶的晶粒」的認定方式，如被 證9 （被告針對系爭「AG0F」銀合金線產品之孿 晶含量分析結果）及紅字註：一顆完整的晶粒裡 不論有幾種以上孿晶型態的組合，都只算一個具 有孿晶的晶粒（見本院卷2 第223 頁），兩造均 未表異議（見本院卷4 第43頁）。

舉例而言，以 被證9 第11頁所示之孿晶形態種態e.（見本院卷 2 第223 頁）為截線法的對象，所取得的孿晶晶 界數最多為4 （即截線通過上方兩個孿晶結構） 最少為0 （即截線通過下方沒有孿晶結構的位置 ），亦即對於同一顆含有孿晶結構的晶粒用截線 法至少可以取得兩種不同的孿晶晶界資訊。

由此 可知，孿晶晶界的數量與含有孿晶的晶粒的數量 ，兩者並非一對一之關係，亦無從經由簡單公式 而換算彼此。

依上說明，可知系爭專利請求項1 所界定的孿晶 比例與被告所抗辯之孿晶密度，兩者所得之結果 雖同為百分比數值，但兩者在基本的定義上即有 所區別：系爭專利為晶粒數量的比值，而被告所 具為晶界數量的比值。

又晶粒與晶界為不同的物 理義意，已如前述，因此，被告主張之「孿晶密 度」與系爭專利「具有退火孿晶的晶粒的比例」 之定義並不相同，兩者不能混為一談；

再者，被 告係計數孿晶晶界的截點數，而非計數具有孿晶 晶粒之晶界的截點數，使得按截點數計算所得之 截線通過孿晶晶界數與截線通過所有晶界數的比 值，無從換算成系爭專利所界定之具有孿晶晶粒 數量與全部晶粒數量的比值。

因此，被告所舉之 截線法，係以不同定義之孿晶密度數值，抗辯系 爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品，未落入系 爭專利請求項1 「其中具有退火孿晶的晶粒的數 量，佔該合金線材所有晶粒數量的20% 以上」， 即無理由。

⑤原告主張被告依直接清點晶粒之分析方式所提被證 9 的計算結果非為正確，尚無理由： 關於「附屬結構」部分，原告主張其為大晶粒的 一部分應排除晶粒的清點計數（見本院卷2 第 262-369 頁、本院卷3 第245 頁），且「被告採 用逐一清算是將附屬的小晶粒個別計算，全部通 通評價為不具有退火孿晶的晶粒，這樣的方法是 不正確的方法」云云（見本院卷3 第73頁）。

經 查，系爭專利說明書中並無記載認定晶粒的具體 判斷標準，且請求項所記為「所有晶粒」數量， 「附屬結構」既為附屬於大晶粒之獨立晶粒又無 法判斷其具有孿晶結構，即當屬於所有晶粒之一 部分而應列入所有晶粒之計數。

關於「微小晶粒」部分，原告主張「在微小晶粒 內仍會存有孿晶結構，只要顯微鏡放大倍率夠大 ，便能觀察分析，並非晶粒尺寸細小就不含孿晶 結構」（見本院卷2 第267 頁背面），且以TEM 進一步檢視系爭產品尺寸小於1 微米之小晶粒仍 然存在大量退火孿晶（見本院卷3 第244-245 頁 ）。

經查，系爭專利說明書中並無記載關於晶粒 尺寸的篩選標準，亦未記載進一步以較大倍率之 TEM 顯微鏡檢視其中細小晶粒是否含孿晶之判斷 程序，又請求項所記為「所有晶粒」數量，被告 使用與原告相同比例之金相圖中，既無法判斷「 細小晶粒」為具有孿晶結構晶粒，而將該些晶粒 列為所有晶粒之計數，難謂為無理由。

依系爭專利說明書之記載「... 退火孿晶主要發 生在晶格排列最緊密之面心立方(Face Centered Cubic ；

FCC)結晶材料，... 結晶方位均為{111 } 面」（見本院卷1 第22頁第4-6 行）、「此外 ，退火熱處理前的冷加工變形量亦為關鍵條件， 足夠的冷加工變形量所累積應變能可提供原子驅 動力以產生退火孿晶，但如果冷加工變形量太大 ，在退火熱處理初始再結晶... 因而形成大量的 微細晶粒，降低退火孿晶的產生機會，反而成為 一般習知金屬線材的組織」（見本院卷1 第22頁 第25行至第22頁背面第6 行）、「... 由於低能 量孿晶界對其所在晶粒周圍其他高角度晶界有固 鎖作用，使其不易移動，因而抑制晶粒成長... 」（見本院卷1 第24頁第22-24 行）、「... 第 12A 圖所示本發明上述實施例1 之合金線材出現 明顯的{111} 結晶方位譜線，此{111} 譜線為典 型的退火孿晶之結晶方位譜線，第12B 圖之對照 組合金線材的X 光繞射圖並無明顯的{111} 譜線 ... 」（見本院卷1 第25頁背面第5-9 行）及「 ... 將以上各種線材在600 ℃空氣爐放置30分鐘 熱處理，發現本發明實施例1 之大量孿晶組織合 金線材晶粒僅微幅成長（第8C圖) ，而對照組之 傳統合金線材之原先微細晶粒均大幅成長（第9C 圖) ，其晶粒尺寸甚至遠超過本發明實施例1 之 合金線材... 」（見本院卷1 第26項第3-7 行） 等內容，可知，傳統合金線材因加工關係而形成 大量的微細晶粒，降低退火孿晶的產生機會，其 X 光繞射圖並無明顯的{111} 譜線，且不能對晶 粒周圍其他晶界產生固鎖作用，使得在後續的熱 處理過程中微細晶粒均大幅成長。

準此，原告捨 已記載於發明說明之比對X 光繞射{111} 譜線及 熱處理後晶粒成長情形等可以確認微細晶粒是否 為傳統合金線而不含孿晶晶粒之檢驗方法，而逕 以未載記之TEM 進一步檢視系爭產品之微細晶粒 為含有孿晶結構晶粒之舉證，難謂為妥適。

⑥至於被告援引國立臺灣大學嚴慶齡工業發展基金會 合設工業研究中心出具技術意見書，認為FCC 結構 的銀合金可同時形成機械孿晶及退火孿晶，兩者在 外貌上應無法區別等云云（見本院卷3 第183-184 頁）。

惟查，該意見書所援期刊文獻（即西元2008 年1 月14日發表於Scripta Materialia之「Micros tructure and yield strength of severely defo rmed silver 」）之樣品加工方式係採無退火處理 的等徑彎曲通道變形(Equal-channel angular pre ssing,ECAP) 程序，與系爭專利之合金線係經多次 抽線延伸與退火處理之程序完全不同，自難據此論 證系爭專利之合金線材亦存有類似的機械孿晶結構 。

又其所援之顯微鏡照片1b雖可辨識機械孿晶，惟 該照片係在ECAP程序後既未經退火處理的照片，亦 未提供ECAP程序後樣品經退火處理的照片，則該意 見書第4 頁所記「原本已生成的機械孿晶也有可能 繼續成長，因此在材料中形成機械孿晶及退火孿晶 」之推論，即非無疑。

再者，被告一方面認為原告 以TEM 根本無法用於觀察合金線材之切面檢視細小 晶粒，以及以顯微鏡放大倍率能觀察分析細小晶粒 等論點不應納入考量（見本院卷3 第139 頁背面 140 頁背面、第143 頁），另一方面卻又援引上述 技術意見書附件二中TEM 顯微鏡照片所示為機械孿 晶，前後立論亦有不一。

因此，被告所舉上開意見 書之理由，亦無可採，附此敘明。

⑦綜上，依被告所提被證9 ，10，以直接清點晶粒之 分析方式計算之結果所示，系爭「AG0E」、「AG0F 」銀合金線產品中「具有退火孿晶的晶粒」之比例 均小於20% ，不符合系爭專利請求項1 、2 之要件 1E技術特徵，且原告主張被證9 之結果，並非可採 ，自應認系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品未 落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍。

⑧系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品，既未落入 系爭專利請求項1 、2 之文義範圍，是本件關於系 爭專利是否具有應撤銷之事由及被告製造、販賣系 爭「AG0E」及「AG0F」銀合金線產品落入系爭專利 請求項1 、2 文義範圍之損害賠償額計算之爭點部 分，即無再予審究之必要。

六、綜上所述，系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品，並未落入系爭專利請求項1 、2 之文義範圍，則原告主張系爭「AG0E」、「AG0F」銀合金線產品，構成系爭專利請求項1 、2之文義侵權，依專利法第58條第1 、2 項、第96條第1 、2項，民法第184條等規定，提起本件訴訟，訴請判命如聲明所示，即無理由，應予駁回。

又原告之訴既經駁回，其假執行之聲請即失其依據，應併予駁回。

七、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊、防禦方法（關於系爭專利之有效性判斷部分）及未經援用之證據，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，附此敘明。

八、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，民事訴訟法第78條，判決如主文。

中 華 民 國 104 年 7 月 17 日
智慧財產法院第三庭
法 官 張銘晃
以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。
如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
中 華 民 國 104 年 7 月 17 日
書記官 葉倩如