智慧財產及商業法院民事-IPCV,97,民專訴,28,20090921,3

智慧財產法院民事判決
97年度民專訴字第28號
原 告 晶元光電股份有限公司
法定代理人 甲○○
訴訟代理人 范清銘律師（兼送達代收人）
范銘祥律師
李宛珍律師
被 告 廣鎵光電股份有限公司
法定代理人 乙○○
訴訟代理人 黃章典律師
簡秀如律師
丙○○（專利代理人
上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於中華民國98 年8月24日言詞辯論終結，判決如下：

主 文

原告之訴及其假執行之聲請均駁回。

訴訟費用由原告負擔。

事實及理由

壹、程序方面：按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴；

但請求之基礎事實同一或不甚礙被告之防禦及訴訟終結者，不在此限，民事訴訟法第255條第1項第2款、第7款定有明文。

本件原告起訴時，原主張被告所製造、銷售的Standard系列產品編號203-SB、203-SB-H、203-SG、203-SB-5mA、205-SB-5mA以及207-SB-5mA等6 項發光二極體晶粒產品侵害原告所有之中華民國第148677號專利（下稱系爭專利A ），其訴之聲明第2項原為「被告就其Standard系列產品編號203-SB、203-SB-H、203-SG、203-SB-5mA、205-SB-5mA以及207-SB-5mA發光二極體晶粒產品及其他落入中華民國第148677號專利範圍之發光二極體晶粒產品，應停止自行或使他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口。」

。

嗣原告於民國97年10月間又發現由被告製造、銷售之Standard系列產品編號203-SB發光二極體晶粒產品可能亦落入原告所有之第126769號發明專利（下稱系爭專利B ）之申請專利範圍內，乃經原告內部發光二極體晶粒技術之專門技術人員進行初步專利侵害分析，發現該發光二極體晶粒產品落入原告所有之系爭專利B 申請專利範圍，原告始知悉系爭專利B 亦遭到被告侵害，爰於98年11月3 日當庭具狀變更其訴之聲明2 為「被告就其Standard系列產品編號203-SB、203-SB-H、203-SG、203- SB-5mA 、205-SB-5mA以及207-SB-5mA發光二極體晶粒產品及其他落入中華民國第148677號專利範圍之發光二極體晶粒產品，暨編號203-SB、203-SB-H、203-SG以及203-SB-5mA發光二極體晶粒產品及其他落入中華民國第126769號專利範圍之發光二極體晶粒產品，應停止自行或使他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口。」

。

查原告所主張被告侵害其系爭專利A 、B 既係出於同一製造、生產該等產品之行為，則其請求之基礎事實同一，且上開訴之變更亦不甚礙被告之防禦及訴訟終結者，於法自無不合，先予敘明。

貳、實體方面：

一、原告聲明求為判決：㈠被告應給付原告新臺幣（下同）2 億元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。

㈡被告就其Standard系列產品編號203-SB、203-SB-H、203-SG、203-SB-5mA、205-SB-5mA以及207-SB-5mA發光二極體晶粒產品及其他落入中華民國第148677號專利範圍之發光二極體晶粒產品，暨編號203-SB、203-SB-H、203-SG以及203-SB-5mA發光二極體晶粒產品及其他落入中華民國第126769號專利範圍之發光二極體晶粒產品，應停止自行或使他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口。

㈢就第1項請求，願供擔保，請准宣告假執行。

並主張：㈠原告於民國88年9 月7 日就所發明「發光二極體構造」向中華民國經濟部智慧財產局（下稱智慧局）申請發明專利，並於89年11月21日經智慧局核准公告取得第126769號發明專利（即系爭專利B ），專利有效期間自89年11月21日起至108年9 月6 日止。

㈡被告於95年6 月間即開始製造、銷售Standard系列發光二極體晶粒產品，產品編號203-SB、203-SB-H、203-SG、203-SB-5mA等4 種發光二極體晶粒產品，均係將其第一電極及第二電極實質上併排於該長方形之縱向中，而屬於203 系列產品，各該產品電流或光度（luminous intensity）或有不同，但既屬同一系列之產品，其所應用之原理自無不同，結構亦大致無異，故雖然原證8 專利侵害鑑定報告僅針對編號203-SB發光二極體晶粒產品為之，其結論亦可套用於其餘3 種發光二極體晶粒產品上，準此，被告Standard系列產品編號203-SB、203-SB-H、203-SG以及203-SB-5mA發光二極體晶粒產品均侵害系爭專利A 之專利權。

㈢被告所製造、銷售的Standard系列產品編號203-SB、203-SB-H、203-SG、203-SB-5mA、205-SB-5mA以及207-SB-5mA等6項發光二極體晶粒產品既為落入原告所有之系爭專利A 申請專利範圍之物品，且其中之203-SB、203-SB-H、203-SG以及203-SB-5mA等4 項發光二極體晶粒產品亦落入系爭專利B 申請專利範圍內，而上揭發光二極體晶粒產品均由被告製造與銷售，徵諸上開法律規定，被告製造、販賣系爭產品之行為，自已違反保護他人之法律，而屬侵害系爭專利A 、B 之侵權行為，應依民法第184條第1項前段及第2項之規定，對於原告負損害賠償責任。

為此，爰依專利法第84條第1項及民法第18 4條第1項前段及第2項之規定，請求判命被告侵害系爭專利A 、B ，並判決被告應賠償原告因被告之侵權行為所受之損害2 億元及其法定遲延利息。

㈣有關本件損害賠償額之計算：被告早在95年6 月間即開始製造、銷售Standard系列發光二極體晶粒產品，其系列6 種發光二極體晶粒產品均侵害原告系爭專利A 、B ，由於被告於其產品網頁上公開販賣Apollo系列及Standard系列兩系列共9 種產品，其中侵害系爭專利A 之產品共有6 種，因此被告侵權產品佔其所有產品的9 分之6 ，而被告自95年7 月到97年6 月獲利為689,810,000 元，因此被告銷售侵權物品所獲之利益依比例超過4 億元。

因被告製造、販賣系爭產品之實際數量、金額仍有待進一步釐清確認，原告爰依據民事訴訟法第244條第4項之規定，先於訴之聲明第1項表明請求之最低金額為2 億元，並保留日後依上開條項規定補充請求金額之權利。

㈤原告所提之鑑定報告具證據力，且內容確屬正確：原告所提之鑑定報告（下稱系爭鑑定報告）之鑑定過程係將被告之晶粒產品以穿透式電子顯微鏡設備（TEM ）分析其結構並取得剖面圖後，再依「專利侵害鑑定要點」所定鑑定程序，與系爭專利專利申請範圍相比對，而得出鑑定結果，鑑定過程縝密嚴謹，鑑定結果亦信而有徵，顯非單純之原告主張或陳述可比，自有證據能力，並有證據力。

被告主張該鑑定報告至多僅能視為原告自己之主張或陳述，不應給予任何證據評價云云，即無可採，且原告所提之鑑定報告內容確屬正確，被告所指摘者均非事實。

又系爭鑑定報告雖僅針對型號203-SB之單一產品為之，但被告Standard系列產品編號203-SB、203-SB-H、203-SG、203-SB-5mA、205-SB-5mA以及207-SB-5mA等6 項發光二極體晶粒產品間之結構並無差異，是以系爭鑑定報告可擴張至被告其他5 項產品。

㈥系爭專利A 並無應撤銷原因，被告主張系爭專利A 無效之抗辯並無理由：⒈原告取得系爭專利A並無瑕疵：被告辯稱：原告以未界定於系爭專利A 申請專利範圍第1項之「具有載子濃度極高之接觸層」作為與先前技術區別之關鍵理由，以獲得系爭專利A 之核准，具有瑕疵云云。

惟業界一般先前技藝氮化銦鎵發光二極體中之p 型氮化鎵接觸層，由於濃度不夠高，其導電性不佳，造成由電極注入之電流無法有效地分佈於整個晶粒，而有電流擁塞的現象。

若以先前技藝之鎳／金層幫助電流分散，固可解決前述電流擁塞之問題，但又產生光線低穿透率的問題，致發光效果不佳。

為解決此等問題，系爭專利A 藉由導電透光氧化物薄膜來達成電流分散以及透光的功效，同時與p 型氮化鎵接觸層間形成良好的電導通，以降低操作電壓。

為了使導電透光氧化物薄膜與p 型氮化鎵接觸層間形成良好的接觸，例如歐姆接觸，系爭專利A 之一實施例係以具有較高載子濃度之一p 型氮化鎵接觸層，以與導電透光氧化物薄膜形成良好的電導通。

換言之，系爭專利A 之一技術特徵在於接觸層之載子濃度高至足以與導電透光氧化物薄膜形成良好的電導通，即系爭專利A申請專利範圍第1項中「該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型氮化物半導體材料之間形成良好之電導通」之特徵，因此系爭專利A 並無被告所稱以未界定於申請專利範圍第1項之技術特徵作為與先前技術區別之關鍵理由，以獲得專利之核准的問題，故原告取得系爭專利A 並無瑕疵。

⒉日亞論文（系爭專利A第一圖）與證據A2（日本特開平0-000000號專利）無法證明系爭專利A申請專利範圍第1項不具進步性：⑴系爭專利Ａ未為日亞論文所揭露之事項：日亞論文中之發光二極體結構（1993年年底）包含有藍寶石基材18、氮化鎵核化層17A 、n 型氮化鎵緩衝層16 、n型氮化鋁鎵束縛層15、未摻雜質之氮化銦鎵量子井發光層14、p 型氮化鋁鎵束縛層13、p 型氮化鎵接觸層12、鎳／金光輸出電極11A 、p 型鎳／金電極10、以及於蝕刻露出n 型氮化鎵緩衝層16上之n 型鈦／鋁電極19。

系爭專利A申請專利範圍第1項與上開日亞論文相較，系爭專利A 之導電透光氧化物薄膜未揭示於日亞論文中，且該導電透光氧化物薄膜與系爭專利A 之第二導電型氮化物半導體材料之間形成良好之電導通亦未揭露於該日亞論文中。

另外，日亞論文雖揭露p 型氮化鎵接觸層12，但就其功效上來說，該p 型氮化鎵接觸層12並未具備能與導電透光氧化物薄膜之間形成良好電導通之特徵，因此，日亞論文並未完全揭露系爭專利A 申請專利範圍第1項之「第二導電型氮化物半導體材料，形成於前述之第二導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為接觸層」之構成要件。

⑵系爭專利A未為證據A2所揭露之事項：證據A2係揭露一種非單晶碳化矽（a-SiC）發光元件，構成該發光元件之發光層之材質為碳化矽，其目的在藉由於二電荷注入層中間形成一含氫原子之非單晶碳化矽發光層以提高發光效率，以證據A2所揭露之結構整體觀之，系爭專利A申請專利範圍第1項與證據A2之技術內容完全不同。

證據A2並未揭露或未完全揭露系爭專利A申請專利範圍第1項之「一種氮化銦鎵發光二極體」、「絕緣透光材料層，作為基材」、「第一導電型氮化鎵，形成於前述之基材的上方，作為緩衝層」、「第一導電型氮化（鋁）鎵，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方，作為束縛層」、「氮化銦鎵，形成於前述之第一導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為發光層」、「第二導電型氮化（鋁）鎵，形成於前述之氮化銦鎵的上方，作為束縛層」、「第二導電型氮化物半導體材料，形成於前述之第二導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為接觸層」、「導電透光氧化物薄膜，形成於前述之第二導電型氮化物半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型氮化物半導體材料之間形成良好之電導通」以及「第一電極，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方」等構成要件。

⑶日亞論文及證據A2均未揭露系爭專利A之事項：日亞論文與證據A2俱未揭露或未完全揭露系爭專利A申請專利範圍第1項之「第二導電型氮化物半導體材料，形成於前述之第二導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為接觸層」、「導電透光氧化物薄膜，形成於前述之第二導電型氮化物半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型氮化物半導體材料之間形成良好之電導通」等構成要件，因此就系爭專利A之技術特徵而言，日亞論文與證據A2均不可能提供該技術特徵組合之教示，對系爭專利A所屬技術領域中具有通常知識者來說，實無法藉由組合日亞論文與證據A2而輕易完成系爭專利A申請專利範圍第1項，因此系爭專利A申請專利範圍第1項應具進步性。

⑷又證據A2係以碳化矽作為發光層，與日亞論文之氮化物材料性質並不相同，且其功效與電流分散及透光並不相關。

且日亞論文中的「鎳／金層」為一包含至少2層之多層結構，並非被告所宣稱之合金層，此亦與證據A2所述之金屬單體或其合金之單層結構完全不同。

是被告所稱證據A2已提供置換日亞論文提出之鎳／金層之動機云云，即非實實。

⒊日亞論文與證據A2無法證明系爭專利A申請專利範圍第11項不具進步性：系爭專利A 申請專利範圍第11項與第1項之差別，僅在於第11項中將第1項之「第二導電型氮化物半導體材料」，去掉「氮化物」之限制，而為「第二導電型半導體材料」而已。

是以日亞論文並未揭露系爭專利A 申請專利範圍第11項之「導電透光氧化物薄膜，形成於前述之第二導電型半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型半導體材料之間形成良好之電導通」、「第二電極，形成於前述之導電透光氧化物薄膜的上方」之構成要件，且未完全揭露「第二導電型氮化物半導體材料，形成於前述之第二導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為接觸層」之構成要件。

而證據A2亦未揭露或未完全揭露系爭專利A申請專利範圍第11項之「一種氮化銦鎵發光二極體」、「絕緣透光材料層，作為基材」、「第一導電型氮化鎵，形成於前述之基材的上方，作為緩衝層」、「第一導電型氮化（鋁）鎵，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方，作為束縛層」、「氮化銦鎵，形成於前述之第一導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為發光層」、「第二導電型氮化（鋁）鎵，形成於前述之氮化銦鎵的上方，作為束縛層」、「第二導電型半導體材料，形成於前述之第二導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為接觸層」、「導電透光氧化物薄膜，形成於前述之第二導電型半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型半導體材料之間形成良好之電導通」、及「第一電極，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方」之構成要件。

綜上所述，日亞論文與證據A2均不可能提供該等技術特徵組合的教示，而對系爭專利A所屬技術領域中具有通常知識者來說，實無法藉由組合日亞論文與證據2而輕易完成系爭專利A申請專利範圍第11項，因此系爭專利A申請專利範圍第11項應具進步性。

⒋日亞論文與證據A4（日本特開平0-000000號專利）無法證明系爭專利A申請專利範圍第1項不具進步：⑴證據A4已於系爭專利A 被舉發第2 案經智慧局實質審酌，而作出舉發不成立之處分，被告以相似之事實及理由再主張系爭專利A 有應撤銷之原因，其主張形式上雖然無違一事不再理之規定，然而實質上有違一事不再理之精神。

⑵證據A4並未揭露或未完全揭露系爭專利A申請專利範圍第1項之「絕緣透光材料層，作為基材」、「導電透光氧化物薄膜，形成於前述之第二導電型氮化物半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型氮化物半導體材料之間形成良好之電導通」、「第一電極，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方」、「第二電極，形成於前述之導電透光氧化物薄膜的上方」之構成要件。

⑶日亞論文及證據A4均未揭露或未完全揭露專利A申請專利範圍第1項之「導電透光氧化物薄膜，形成於前述之第二導電型氮化物半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型氮化物半導體材料之間形成良好之電導通」、「第二電極，形成於前述之導電透光氧化物薄膜的上方」之構成要件，故就系爭專利A之上揭技術特徵而言，日亞論文與證據A4均不可能提供該等技術特徵組合之教示，對系爭專利A所屬技術領域中具有通常知識者，實無法藉由組合日亞論文與證據A4而輕易完成系爭專利A 申請專利範圍第1項，因此系爭專利A 申請專利範圍第1項應具進步性。

⑷又由證據A4說明書[0004]段之背景說明可知，由於傳統發光元件2（圖5）為採用絕緣基板之平面結構，因基板絕緣無法於該側形成電極，因此其二電極204、205係位於同一表面側。

此結構必須對氮化鎵結構進行蝕刻，且進行兩次打線（wire bonding）。

由於一般氮化鎵較難蝕刻，且兩次打線複雜度較高，為了解決此問題，因而如說明書〔0010〕段中所述，證據A4揭露一種氮化鎵系發光元件，係藉由形成於一導電基板而成為一垂直結構，其上下側各僅具一電極，如上部電極105，因此只需進行一次打線。

換言之，被證10之發光元件1之電極105係對應於傳統發光元件2之電極204、205（亦可自說明書〔0029〕段中得知上部電極105係作為打線用，與導線115連接），對比而言，係相當於系爭專利A電極10，並非系爭專利A作為電流分散及透光之導電透光氧化物薄膜，因此證據A4並未教示系爭專利A所揭露以導電透光氧化物薄膜所形成之電流分散及透光層。

因此，系爭專利A申請專利範圍第1項顯然非系爭A專利所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成。

⒌日亞論文與證據A4無法證明系爭專利A申請專利範圍第11項不具進步性：⑴系爭專利A 申請專利範圍第1項與第11項之差異已如前述，參諸上開系爭專利A 申請專利範圍第1項與日亞論文中所揭露的發光二極體結構及證據A4之比對說明，可知日亞論文並未揭露或未完全揭露系爭專利A 申請專利範圍第11項之「導電透光氧化物薄膜，形成於前述之第二導電型半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型半導體材料之間形成良好之電導通」、「第二導電型半導體材料，形成於前述之第二導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為接觸層」、「第二電極，形成於前述之導電透光氧化物薄膜的上方」之構成要件。

而證據A4亦未揭露或未完全揭露系爭專利A 申請專利範圍第11項之「絕緣透光材料層，作為基材」、「導電透光氧化物薄膜，形成於前述之第二導電型半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型半導體材料之間形成良好之電導通」、「第一電極，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方」、「第二電極，形成於前述之導電透光氧化物薄膜的上方」之構成要件。

從而，日亞論文與證據A4均未揭露或未完全揭露系爭專利A 申請專利範圍第11項之「導電透光氧化物薄膜，形成於前述之第二導電型半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型半導體材料之間形成良好之電導通」、「第二電極，形成於前述之導電透光氧化物薄膜的上方」之構成要件，因此日亞論文與證據A4均不可能提供系爭專利A 之上揭技術特徵，對系爭專利A 所屬技術領域中具有通常知識者來說，實無法藉由組合日亞論文與證據A4而輕易完成系爭專利A 申請專利範圍第11項，因此系爭專利A 申請專利範圍第11項應具進步性。

⑵又如前開說明，由於證據A4之發光元件1之電極105係對應於傳統發光元件2之電極204、205，相當於系爭專利A電極10，並非系爭專利A作為電流分散及透光之導電透光氧化物薄膜，因此證據A4並未教示系爭專利A所揭露以導電透光氧化物薄膜所形成之電流分散及透光層。

準此，日亞論文及證據A4均未揭露系爭專利A中所揭露以導電透光氧化物薄膜所形成之電流分散及透光層，且證據A4之功效目的並不在解決電流擁塞的問題，故系爭專利A所屬技術領域中具有通常知識者無法將日亞論文及證據A4所揭露的技術內容輕易組合在一起以完成系爭專利A之發明。

即使系爭專利A所屬技術領域中具有通常知識者轉用、置換、改變或組合日亞論文及證據A4揭露之內容，仍無法完成系爭專利A之發明，因此系爭專利A申請專利範圍第11項顯然非所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成。

⒍系爭專利A 「導電透光氧化物薄膜與其下之第二導電型氮化物半導體材料之間形成良好之電導通」之特徵具進步性：⑴針對被告答辯⑶狀第3頁「⒈⑴」：①自系爭專利A 之最佳實施例說明內容可知，若作為電流分散及透光層之導電透光氧化物薄膜，欲與其下作為接觸層之第二導電型氮化物半導體材料形成良好電導通，兩者間須形成良好的接觸，即業界所習知的良好歐姆接觸，以使元件具有較低操作電壓。

以被告就系爭專利B所提之舉發證據A4為例，由其說明書〔0016〕段「例如Cr、Al、Cu等中至少2種以上，或可單獨使用Al；

此類材料與p型層無法形成良好的歐姆接觸…」所述可知，於系爭專利A申請當時，對所屬技術領域中具有通常知識者而言，已了解金屬與p型半導體層即便形成歐姆接觸，也不必然形成良好的歐姆接觸。

可見良好的接觸此用語，為所屬技術領域中具有通常知識者所習用且明瞭其意義。

至於操作電壓部分，須為一般商用發光二極體可接受之範圍。

在一般商用氮化銦鎵（InGaN）發光二極體中，其電性之好壞，主要決定於電極和p型氮化鎵間之接觸電阻。

接觸電阻愈大，操作電壓即相對愈高。

因此要降低操作電壓，就必須降低電極與p型氮化鎵之間的接觸電阻，以形成良好的接觸。

在The Blue LaserDiode- GaN Based Light Emitters and Lasers一書中（原證18號）第202頁，Fig.10.1揭露一綠色單一量子井氮化銦鎵發光二極體，第206頁第一段則提到該綠色單一量子井發光二極體的I-V電性中，其順向電壓為3.0V，電流為20mA，此一內容同時發表於Jpn.J.Appl.Phys.Vol.34（1995）pp.L797-L799（原證19 號）。

另外原告提出之原證20號則為1993年日經產業新聞公開日亞化學新開發之電流20mA，操作電壓3.6V的高亮度綠色發光二極體，且於1994年量產一事的報導。

由以上證據內容可知，發光二極體的操作電壓一般約在3.0-3.6V之間，對應之電流為20 mA，該電性條件是一般商用光二極體公知可接受之電性條件。

換言之，系爭專利A所稱言之良好電導通，如其專利說明書所述為形成良好的接觸（即歐姆接觸）進而降低操作電壓，以利商業用途，係申請當時所屬技術領域中具有通常知識者所能明瞭，並無定義不清之情事。

②再者，由被告針對系爭專利B所提舉發之證據B4及系爭專利A申請當時之公開文件（如日亞論文）可知，金屬與p 型氮化鎵層之間雖可以形成電導通，然而要形成良好的電導通，有其困難性。

由原告被舉發補充答辯附件1、2 可知，ITO與p型氮化鎵層之間，要形成良好電導通之方法直至現今仍然是研究之重點，因此系爭專利A「ITO 與p型氮化鎵層之間可以形成良好電導通」之特徵，並非熟習LED技術者可輕易推知的。

證據A2、A4雖然提到ITO，但證據A2之ITO，僅需可導電以作為導電層；

舉發證據4之ITO，僅需透光作打線電極，所形成之發光元件是否具前段所述之電性條件以供商業用途，實值商榷。

徵諸當今並無與證據A2或A4相同結構產品面世，顯見證據A2及證據A4所形成之結構，有利用上之困難，而可以合理推測該結構並未解決ITO與p型氮化鎵層難以形成良好接觸或系爭專利A所欲解決之電流擁塞等問題，更無法據以得知被告所稱「IT O與p型氮化鎵物半導體層勢必形成良好的電導通」一事，被告推論實屬無稽而不足採信。

⑵針對被告答辯⑶狀第3 頁「⒈⑵」：被告指稱使導電透光氧化物薄膜與p 型氮化鎵接觸層間形成良好電導通的方法，係經過理論與實驗證明之先前技術等云云，惟該實驗係原告為本發明所進行之實驗，而非他人先前所進行之實驗，且系爭專利A 係為解決電流擁塞及遮光問題，而以一可與p 型氮化鎵層形成良好電導通之導電透光氧化物薄膜，作為電流分散層。

被告所引述者僅為一實施例之部分敘述，由原證21號、原證22可知，藉由高摻雜濃度的薄層，產生「穿隧效應」以達到歐姆接觸，為申請當時所屬技術領域中具有通常知識者所公知。

然而，不同半導體及金屬材料要達到歐姆接觸之條件完全不同，其中之研究過程需花費相當的努力，並非一蹴可幾。

然而實際上金屬與p 型氮化鎵之間要形成良好的接觸確有其困難度，更何況氧化銦錫並非金屬，其材料特性與半導體接觸特性及可行性仍需進一步研究。

因此，要將上述理論套用於「p 型氮化鎵半導體與氧化銦錫，以氧化銦錫取代金屬」之作法，是無法輕易達成的。

故系爭專利A 實施例之作法並非如被告所言為先前技術，被告所述論點實屬誤導。

⑶針對被告答辯⑶狀第4 頁「⒈⑶」：證據A4上部電極105係作為打線用，與導線115連接，對比而言，相當於系爭專利A之電極10，並非系爭專利A作為電流分散及透光之導電透光氧化物薄膜。

因此證據A4的上部電極105與系爭專利A之導電透光氧化物薄膜是不同的元件。

故證據A4〔0013〕段之內容為改善歐姆接觸特性之說明，不僅未揭示以導電透光氧化物薄膜作為電流分散層之事實，反而更進一步證明形成良好的電導通，即良好的歐姆接觸，對所屬技術領域中具有通常知識者而言，可輕易了解其意義之用語。

⑷針對被告答辯(3) 狀第4 頁「⒈⑷」：如第⑶點所述，證據A4並未揭露系爭專利A之發明特徵，此外，藉由p型氮化鎵接觸層中的載子濃度為附表1程式一所示，以形成良好電導通之手法為系爭專利A實施例之一，是以先前技術為理論基礎，經由系爭專利A 之發明人實驗得到，絕非如被告所稱「申請前已經理論與實驗所證明之習知技術」。

⒎證據A1與證據A2之組合不足以證明系爭專利A 申請專利範圍第1 、11項不具進步性：⑴針對被告答辯⑶狀第4頁「⒉⑴、⑵」：就如何降低鎳／金層與p型氮化鎵間接觸電阻，以形成一良好接觸一事，自系爭專利A 申請前迄今，仍是該領域研究重點，此一問題肇因於鎳、金層在LED 中的功能不同所致。

一般而言，金在電流注入側之功能在於分散電流，而鎳在p 型氮化鎵側之功能則在於有效降低Schottky能障之高度。

因此，鎳、金層的厚度或製造條件等不同，與p 型氮化鎵之間的接觸，也會產生不同的結果。

由附表2 下半部所列為自1998年至2000年所發表關於鎳／金層與p 型氮化鎵間接觸電阻之數篇論文整理，表列第一欄為不同厚度組合之鎳／金層，以第二欄的製程技術形成後，與不同摻雜濃度之p 型氮化鎵間之接觸電阻如第三欄所列。

由第三欄可知，即便僅組合厚度不同之鎳、金層，其與p 型氮化鎵之間的接觸電阻差異便已達萬倍之譜，因此欲任選兩種金屬隨意取代鎳、金層而達到相同效果，不啻緣木求魚。

既然以同為金屬但不同之金屬材料都無法隨意取代鎳、金層，而同時預期獲致相同結果，更遑論如被告所稱，以與金屬特性有別的氧化導電材料（ITO ）分別取代鎳、金各層而仍可與p 型氮化鎵之間形成相當之接觸。

被告引用證據A2所述第二導電材料金屬單體、其合金、氧化物之片段，遽以認定單一金屬氧化物可取代日亞論文中的鎳／層之任一或二層，該論點實屬後見之明。

⑵針對被告答辯⑶狀第5頁「⒉⑶」：證據A2所揭露第二導電材料金屬單體、其合金、氧化物雖為透明導電膜，惟證據A2並未揭露第二導電材料同時具有電流分散及與p型氮化鎵接觸層間形成良好的電導通以達到良好之接觸一事，如何使熟習該項技藝者形成動機，而將證據A2第二導電材料取代日亞論文中所使用之鎳／金層？即使證據Ａ2 第二導電材料具有系爭專利A 導電透光氧化物薄膜的技術特徵，惟如第⑴點所述，要以導電透光氧化物薄膜同時取代具有不同功能的鎳、金兩層，並非熟習該項技藝者運用當時之知識所能輕易完成。

因此系爭專利A 申請專利範圍第1項與11項具有進步性。

再者，證據A2揭露一種非單晶碳化矽（a-SiC ）發光元件，構成該發光元件發光層之材質為碳化矽，其目的為藉由在二電荷注入層中間形成一含氫原子之非單晶碳化矽發光層以提高發光效率，以證據A2所揭露之結構整體觀之，系爭專利A 申請專利範圍第1 、11項與證據A2之技術內容完全不同。

⒏證據A1與證據A4之組合不足以證明系爭專利A 申請專利範圍第1、11項不具進步性：⑴針對被告答辯⑶狀第7頁「⒊⑶」：①證據A4中發光元件1之電極105，係對應於傳統發光元件2 之電極204 、205 ，經比對相當於系爭專利A 之電極10，而非系爭專利A 作為電流分散及透光之導電透光氧化物薄膜。

因此，證據A4並未教示系爭專利A 所揭露以導電透光氧化物薄膜所形成之電流分散及透光層。

被告妄稱證據A4〔0013〕段第3 至7 行所載「…上部電極105 可於第2 束縛層的幾乎整個上面形成，如此，在相同的晶片面積下，具有增大發光區域之效果」之內容，即代表證據Ａ4 之p 側電極105 ，係用以將電流分散以增大發光區域，實為斷章取義。

②證據Ａ4〔002〕段揭露一種傳統的LED結構2（證據A4第5圖所示），其部分蝕刻掉p- GaN半導體層203，p-GaN半導體層203與n-GaN半導體層202之間的pn接合處，在有載子注入時會發光，並在同一側形成電極204、205。

接著於第〔11〕段起說明對應於第1圖之實施例，係一種氮化鎵系發光元件，藉由形成於一導電基板而成為一垂直結構，於導電藍寶石基板100下側具有一金屬電極106。

復於〔0013〕段接續敘述，在上部電極105可於第2束縛層的幾乎整個上面形成。

換言之，在相同晶片面積下，於證據A4之傳統LED 2部分，p-GaN半導體層203已被蝕刻掉，因此其p-GaN 半導體層203 與n-GaN 半導體層202 間的pn接合處之發光區域，也相對較實施例中垂直結構發光元件1 之發光區域少，因此，證據A4之發光元件1 ，相較於傳統LED 2 ，實具有增大發光區域效果。

因此，自證據A4發明實施之敘述以觀，無法推演出被告所謂「p 側電極105 係用以將電流分散，以增大發光區域」之結論。

是以證據A4並未揭示ITO 作為分散電流透光層之概念，被告之論點不足採信。

⑵針對被告答辯 ⑶狀第7頁「⒊⑷」：系爭專利A所述「電流擁塞」係描述當發光元件無日亞論文之鎳／金層11A，電流自電極10流下注入p型氮化鎵接觸層12時，會因p型氮化鎵接觸層12電阻係數過大，導電性不佳造成電流無法有效橫向分散，電流因而多集中於電極10下方區域向下傳導的現象，與導電透光氧化物薄膜與p型氮化鎵接觸層間是否形成良好電導通無涉。

因此，被告 辯稱證據Ａ4已揭示因導電透光氧化物薄膜與p型氮化鎵接觸層間形成良好電導通而無電流擁塞之問題之論述，實為無的放矢。

⑶針對被告答辯⑶狀第7頁「⒊⑸」：以結構來看，證據A4上部電極105係作為打線用，與導線115連接，相當於系爭專利A之電極10，而非系爭專利A作為電流分散及透光之導電透光氧化物薄膜。

而上部電極105也無法解決電流擁塞之問題。

因此，系爭專利A申請專利範圍第1項與第11項具有進步性。

⒐證據A3與證據A4之組合不足以證明系爭專利A申請專利範圍第1．11項不具進步性：⑴針對被告答辯⑶狀第8頁「⒍」：①系爭專利A申請當時之專利審查基準，已明定在判斷進步性時，對先前技術之組合部分，應注意「以先前技術之片斷部分相互組合，而判斷發明是否能輕易完成時，應考慮發明是否具有『突出的技術特徵』或『顯然的進步』，又『顯然的進步』係指申請專利發明克服先前技術中存在的問題點或困難性而言，通常係表現於功效上。

例1：在技術發展空間有限之領域中 (in the fieldof the crowded art)，如在技術上有微小的改進，得視為具有『顯然的進步』」。

②承上，原告於舉發補充答辯書引用另兩篇論文之主要目的，在於說明與系爭專利A相同待解決課題之研究，仍然不斷進行中，顯見其技術發展空間之密集。

系爭專利A係為解決前開課題手段之一，而該手段並非發明當時所屬技術領域中具有通常知識者，運用發明當時之知識，結合先前公開資料，便可輕易且有效達成，顯見其結合之困難性。

簡言之，在發明當時，LED已屬於技術發展成熟領域，系爭專利A 不僅在原有技術上有所改進，更克服先前技術所存在的問題點，實具有進步性，不容被告以其提出之證據任意斷章取義加以結合而可否定。

③再者，系爭專利A發明人之一甲○○，以系爭專利A相關ITO技術－「ITO專利族群之產業加值應（用）」發明，獲得「2008年行政院傑出科技貢獻獎」。

選拔理由中提到該項研發成果之影響性為：「⑴學術效益：率先以ITO導電透明膜應用於發光二極體，引領學術研究方向，衍生多項應用及學理研究。

⑵社會效益：促使LED之普及化，已應用於車輛、號誌、手機、顯示器等，增進生活安全、便利及環保。

⑶足為世界市場之後盾，促使我國LED產業達到產量世界第一，產值世界第二，極具經濟價值。」

，由此可知，ITO應用於LED技術發明，不僅促使其後研究及再發明不斷地產生，更由於系爭專利Ａ存在，可作為LED產業之後盾，提高LED產業競爭能力，使得ITO之LED產品在市場上獲得成功，系爭專利A實為LED產業之具指標性及重要之專利。

⑵針對被告答辯⑶狀第9頁「7」：承上所述，證據A2、A4並未揭露系爭專利A之ITO與p型氮化鎵接觸層間形成良好電導通，及ITO具備電流分散之特徵，更無法以ITO置換日亞論文LED之鎳／金層。

此外，系爭專利A 雖以ITO 取代日亞論文LED 之鎳／金層，然依前開專利審查基準所述，「在技術發展空間有限領域中，如在技術上有微小的改進，得視為具有『顯然的進步』」，更遑論系爭專利A 解決人類長久未能解決之技術問題，其申請專利範圍具有進步性。

⒑系爭專利A說明書無定義不清的問題，系爭專利Ａ可據以實施，且具產業利用性：⑴針對被告答辯⑶狀第9頁「⒏⑴」：由系爭專利A 說明書可知，系爭專利A 之良好電導通係為具有良好之接觸以降低操作電壓，習知技藝者可知要達到降低操作電壓，金屬或ITO 與氮化鎵之間要形成良好之歐姆接觸，因此系爭專利A 之良好電導通之定義為熟知該項技藝者能夠了解，並無定義不清或亦未涉及產業利用性之問題。

⑵針對被告答辯⑶狀第10頁「⒏⑵」：良好之電導通之定義如上述第⑴點所述定義，並無定義不清的問題，系爭專利A 具產業利用性，自無疑問。

系爭專利Ｂ並無應撤銷原因，被告所為系爭專利B無效之抗辯並無理由：⒈系爭專利B更正後之申請專利範圍第1項具進步性：⑴針對被告答辯⑶狀第10頁「貳、一、⑴」：被告又稱：第一電極與第二電極實質上並排於長方形之縱向亦早已為證據B2所揭示等語，惟系爭專利B更正後申請專利範圍第1項之所有技術特徵並未被證據B2至B4中任一者「單獨」揭露。

因此，系爭專利B更正後申請專利範圍第1項具有新穎性，而其附屬項亦當然具有新穎性。

證據B2並未揭露更正後申請專利範圍第1項之全部技術特徵。

況且，僅僅針對發明說明或申請專利範圍所記載之部分技術特徵或某一技術特徵，而論其進步性，亦為「專利審查基準第二篇第三章第3.6節」所明文禁止。

被告一再引用不當證據，又屢屢進行錯誤論證，干擾訴訟進行之意圖昭然若揭，亦更加證明系爭專利B高度技術層次。

⑵針對被告答辯⑶狀第10頁「貳、⑵」：被告雖辯稱系爭專利B 更正後申請專利範圍第1項所述「第一電極能夠穿過透明導電層而直接與第一半導體接觸層形成蕭基接觸」之技術特徵即為其新穎性與進步性所在，惟無論於系爭專利B 之專利說明書，抑或專利被舉發答辯書，原告從未主張任何單一結構特徵即為本發明之新穎性或進步性之所在，被告所言顯然無據。

再者，不論判斷發明專利之新穎性或進步性，皆應以申請專利範圍之整體為對象，此乃審酌專利性時之基本概念。

然被告竟然主張單一技術特徵即可為作為論斷新穎性或進步性之依據，要非可採。

⑶被告復於答辯⑶狀「貳、⑵、(a)」再次主張證據B4業已揭示其結構中之電極12與半導體層3可以形成蕭基接觸。

惟綜觀證據B4全文從未出現過「蕭基接觸」一詞，被告之主張全憑一己之臆測，甚至可說是先預設結論方再尋找答案，牽強附會有餘，而理性論證不足，茲詳述如下：①由證據B4第〔0015〕段可知，「第二電極12雖然可以與p層3 形成歐姆接觸，但是由於已經可以藉由第一電極11形成歐姆接觸，所以沒有特別形成歐姆接觸之必要」。

惟所謂「沒有特別形成歐姆接觸之必要」，是否可以當然等同於「蕭基接觸」？或甚至理所當然地推論出「第二電極12應該與p層3形成蕭基接觸」？首先先就「沒有特別形成歐姆接觸之必要」單句進行文意分析。

假若證據B4之第二電極12與p層3可以形成歐姆接觸，理論上，為形成歐姆接觸，其彼此間應係「直接接觸」。

因此，若第二電極12與p層3不形成歐姆接觸，則彼此間接觸型態便至少有二種可能，即「直接接觸」之不形成歐姆接觸與「間接接觸」之不形成歐姆接觸。

金屬與半導體間若屬「直接接觸」之不形成歐姆接觸，其電性接觸型態至少包含「蕭基接觸」；

金屬與半導體間若屬「間接接觸」之不形成歐姆接觸，其電性接觸型態則至少包含「絕緣接觸」。

而「沒有特別形成歐姆接觸之必要」，在文意上並非絕對否定，實具有相當模糊空間，其可解讀為「雖無必要，但仍可以形成歐姆接觸」，或「不形成歐姆接觸」。

所以，「沒有特別形成歐姆接觸之必要」單句文意，除至少可以涵蓋「形成『絕緣接觸』或『蕭基接觸』」外，在解釋上甚至可以包含「形成歐姆接觸」。

②又證據B4第〔0016〕段記載「例如，在可以與p層3形成優異接著性之較佳材料中，可以使用如Cr、Al、Au等材料中至少2種以上，甚或可單獨使用Al。

雖然這些材料不能與p型層形成良好的歐姆接觸，但是因接著性優異，在打線時不會有剝離的傾向。」

（例えば、ｐ層３と非常に接著性がよい材料として、例えばＣｒ、Ａ１、Ａｕ等の內の少なくとも２種類以上、もしくはＡ１單獨を使用することができる。

これら の材料はｐ型層と良好なオ－ミック接觸を得ることはできないが、非常に接著性がよく、ボンディング時に剝がれにくい傾向がある。

）。

③將上開譯文與第〔0015〕段前後對照合併觀之，〔0015〕段中所謂「沒有特別形成歐姆接觸之必要」，係指〔 0016〕段之「不能與p型層形成良好的歐姆接觸」，亦即，第二電極12與p層3間仍屬可以「實質上產生電流流通」之「歐姆接觸」，僅其不屬於「電流流通效果優良」之「良好的歐姆接觸」而已，斷非即為系爭利B專利說明書第10頁所揭示「實質上不產生電流」之「蕭基接觸」。

由此，吾人甚至可以合理闡述證據B4「沒有特別形成歐姆接觸之必要」之意涵為「只要第二電極12與p層3之材料間具有優異之接著性，即令其二者間初始不能形成良好的歐姆接觸（如第〔0015〕段所述，其二者間亦當然可形成歐姆接觸），後續亦無需特別施以其他步驟，使得第二電極12與p層3間形成良好之歐姆接觸」。

④職是，由於證據B4之內容僅有歐姆接觸之描述，而未揭示其他非歐姆接觸之具體或可能實施方式。

所以，即使輔以其他證據，亦無法推演出「『沒有特別形成歐姆接觸之必要』即為『蕭基接觸』」之結論。

⑷針對被告答辯⑶狀第11頁「貳、⑵、b」：①被告雖辯稱：「原告（誤繕為「被告」）…引用…論文（Lin et al ）…辯稱「不形成歐姆接觸」尚包含「絕緣接觸」云云…原告據此稱「金屬－半導體」接面可以為絕緣，顯不合理…意在誤導而已。」

，惟此係被告自始陷於錯誤邏輯思維之中，完全未理解原告論述所致，且原告也從未為「『金屬－半導體』接面可以為絕緣」此等陳述，實不知被告前開指稱所憑為何。

②另「專利被舉發答辯書」記載如下內容：「不形成歐姆接觸係一種不確定的上位概念，至少包含絕緣接觸及蕭基接觸等（第6 頁末段）」；

「金屬與半導體間之『接觸型態』非可一概而論，應至少論其搭配之材料特性以及處理方式，方可獲致合理可信之結論（第7 頁第1段）」；

「電極12－p 型氮化鎵係化合物半導體層3 間或金屬－半導體…其可能之「接觸態樣」係至少包含歐姆接觸、絕緣接觸、及蕭基接觸等（第7 頁第2 段）」。

據此，原告所論述者，實與上開文意與體系分析之結論相當，即「沒有特別形成歐姆接觸之必要」，在文意上可以區分為「可以形成歐姆接觸」或「不形成歐姆接觸」，而「不形成歐姆接觸」又至少可以再區分為「絕緣接觸」與「蕭基接觸」，絕非如被告所言，可以簡單地將「不形成歐姆接觸」，直接且毫無疑問地論以等同「蕭基接觸」。

⑸針對被告答辯⑶狀第12頁「貳、⑵、c 」：被告辯稱：「…論文（Foresi et al）…更可證明『使金屬－半導體接面形成蕭基接觸』，本即系爭專利申請前之一般技術水準」一節，再次證明被告錯誤理解日亞論文所述文義。

事實上，原告從未否認「金屬－半導體接面可以形成蕭基接觸」，亦未主張「金屬－半導體接面形成蕭基接觸非系爭專利申請前之一般技術」。

然而，如前開論述，即使「金屬－半導體接面可以形成蕭基接觸」，也無法當然獲致「金屬－半導體接面，本質即為蕭基接觸」此一結論，被告指摘論述明顯斷章取義原告所引內容，實屬無稽立論。

⑹針對被告答辯⑶狀「貳、⑶」：綜上所論，被告無任何單一證據揭露系爭專利B 更正後申請專利範圍第1項所有技術特徵，故更正後申請專利範圍第1項的確具有新穎性。

且證據B4並未揭露「第一電極能夠與第一半導體接觸層形成蕭基接觸」，則舉輕明重，也當然未能揭露「該第一電極能夠穿過此透明導電層而直接與該第一半導體接觸層間形成蕭基接觸」之技術特徵。

因此，縱使組合其他證據也無法涵蓋更正後申請專利範圍第1項之所有技術特徵，故更正後申請專利範圍第1項亦當然具有進步性。

⒉系爭專利B更正後申請專利範圍第5項具進步性：⑴針對被告答辯⑶狀第13頁「貳、⑵」：被告辯稱：「…惟長晶層之附加特徵已如系爭專利說明書第9 頁倒數第2 行至第10頁所自承，係本技藝之一般人士可輕易瞭解之先前技術，毫無進步性可言」云云。

然而系爭專利B 專利說明書第9 頁倒數第2 行至第10頁之內容，僅在例舉各結構單元可選用之材料，並推估該等材料應係本技藝之一般人士可以輕易瞭解，以免逐一說明之累，此點由文句整體觀之當無疑義。

準此，被告上開說詞係斷章取義、扭曲事實，斷不足採。

⑵針對被告答辯⑶狀第13頁「貳、⑶」：又被告辯稱：「…舉發證據5 中之高溫緩衝層⑶有何理由非相當於接觸層不可？況觀證據B5全文，其高溫緩衝層3並不具有作為接觸層之功用。

顯見原告所言毫無根據。」

云云。

觀此，被告所言已失理性，並流於意氣。

誠如專利被舉發答辯書第9 至11頁中之分析，「…就結構間之相對關係而論，被舉發案（即系爭專利B ）之第二半導體接觸層13係直接位於第二電極20及第二半導體束縛層14之下；

證據B5之高溫緩衝層3 亦係直接位於電極9 及n 型束縛層4 之下。

就功能而論，被舉發案之第二半導體接觸層13係分別用以支持電極20及束縛層14並與其二者相接觸；

而證據B5之高溫緩衝層3 亦相同地分別用以支持電極9 及束縛層4 並與其二者相接觸。

所以，不論就與鄰近結構間之相對關係、結構本身之功能、甚或是鄰接結構之種類，高溫緩衝層3 與第二半導體接觸層13都具有相似性。

是以，參照上表所示之結構位置，高溫緩衝層3 理應相應於第二半導體接觸層13，而非如舉發人所指稱應等同於被舉發案之緩衝層12…」，原告既已提出上開詳細理由，並輔以清晰圖表，說明高溫緩衝層3 何以應相當於接觸層13，然被告均視而不見，且亦未針對原告之分析提出理性討論。

⑶針對被告答辯⑶狀第13頁「貳、⑷」：被告另辯稱：「『長晶層』…為原告於系爭專利說明書中自認之先前技術，不審究證據B5，原告亦無據以主張該請求項因附加此一特徵故具『進步性』之餘地。」

云云，然如前所述，原告從未為如此之自認，被告所言完全無據。

⑷針對被告答辯⑶狀第15頁「貳、⑸」：被告辯稱：「系爭專利請求項5 之附加特徵為原告所自認之先前技術…證據B5所揭示『低溫緩衝層2 位於高溫緩衝層3 下方且與高溫緩衝層3 相結合』之結構，即系爭專利請求項5 中「長晶層位於緩衝層下方且與緩衝層相結合」之附加特徵…」云云，然原告從未為如此之自認，已如前述。

而被告其他主張，無非將證據B5中之低溫緩衝層2 對比於系爭專利B 之長晶層，而將高溫緩衝層3 對比於系爭專利B 緩衝層。

惟高溫緩衝層3 理應相應於第二半導體接觸層，而非緩衝層，已如前述。

此時若將低溫緩衝層2 與系爭專利B 強加對照，可以發現「低溫緩衝層2 將以一對二，同時涵蓋位置與功能有別之緩衝層12及長晶層11，顯然發生結構種類數量之差異與矛盾，亦即，低溫緩衝層2並不相等於緩衝層12以及長晶層11之組合，也當然不等於與緩衝層12相接之長晶層11、或與長晶層11相接之緩衝層12 」 。

是以，被告之辯解更可反證原告分析正確，是以系爭專利B 專利具有高度專利性。

二、被告聲明求為判決：㈠原告之訴及其假執行之聲明均駁回。㈡如受不利之判決，願供現金或等值之兆豐國際商業銀行可轉讓定期存單為擔保，請准免予假執行。

並抗辯：㈠系爭專利A部分：⒈系爭專利A「導電透光氧化物薄膜與其下之第二導電氮化物半導體材料之間形成良好的電導通」之特徵並無進步性：⑴原告依原證14號主張證據A2、A4並未揭示「導電透光氧化物薄膜與其下之第二導電氮化物半導體材料之間形成良好的電導通」，故以此特徵主張該專利具有進步性。

然而，究竟需達何種程度的導通始可稱之為「良好的電導通」？系爭專利A說明書中毫無定義，則原告憑何理由斷稱證據A2、A4未形成良好的電導通？況且證據A2、A4之LED為可供利用之發光元件，ITO層與其下之氮化物半導體層勢必形成良好的電導通，此為熟習LED技術者可直接而無歧異推知之常識，顯見原告之前述主張並非實在。

⑵按依據原證14號第六、㈡、1b所稱，其為使導電透光氧化物薄膜與p型氮化鎵接觸層形成良好的接觸（歐姆接觸），p型氮化鎵接觸層中之載子濃度必須夠高（如附表1編號1所示）。

倘若以此為所謂「良好的電導通」之定義，則原告已於系爭專利A說明書第10頁首段自承：理論與實驗都已證明只要表面數百埃深度之載子濃度達如附表1編號1所示，就可以藉著「穿遂效應」形成良好的接觸云云，可見使導電透光氧化物薄膜與p型氮化鎵接觸層間形成良好電導通的方法，本即為經過理論與實驗證明之先前技術。

⑶況證據A4之〔0013〕段已揭示「為改善p側電極105與第2束縛層104之歐姆接觸特性，宜於p側電極105與第2束縛層之間形成氮化鎵系p型半導體接觸層」之技術特徵，且〔0019〕段亦揭示「接觸層之雜質濃度為附表1編號2所示，而證據A4之氮化鎵系p型半導體接觸層既係為改善歐姆接觸特性而設，自當與p側電極（透明電極）105形成良好之電導通。

因此，證據A4之前述揭示內容亦足以印證「使導電透光氧化物薄膜與p型氮化鎵接觸層間形成良好電導通」實為充分經過驗證之先前技術。

⑷由以上所述可知，原告所稱系爭專利A「導電透光氧化物薄膜與其下之第二導電氮化物半導體材料之間形成良好的電導通」之進步特徵，事實上不過為該專利申請前已經理論與實驗證明之先前技術。

換言之，系爭專利A充其量為依據證據A2或A4之揭示，以導電透光氧化物薄膜（如ITO）置換日亞論文LED中之鎳／金層，而系爭專利A中「使p型氮化鎵接觸層中的載子濃度為如附表1編號1所示，以形成良好的電導通」之手法，亦無異於證據A4所揭示之手段，且為原告所自承「申請前已經理論與實驗所證明之習知技術」，毫無進步性可言。

⒉證據A1與證據A2之組合可證系爭專利A之請求項1、11不具進步性：原證14中辯稱證據A2並未提供以ITO導電透光氧化物薄膜置換日亞論文LED中之鎳／金層的「動機」，故無法與日亞論文組合而否定系爭專利A之進步性云云，其理由謂：「證據A2中…第二導電材料106中，金屬單體、其合金、氧化物，彼此方有取代或置換的可能性。

而日亞論文中的鎳／金層為一包含至少二層之多層結構（此由被舉發案說明書即系爭利A圖8可證，其中鎳、金二層是分開圖示的）…與證據A2所述之金屬單體或其合金之單層結構完全不同」等語。

惟系爭專利A說明書圖8，僅為依據理論分別計算Ni與Au 之厚度與穿透率所作之圖，豈能僅憑該圖之內容即導出日亞論文中的鎳／金層為何種結構？況且，縱使日亞論文LED中之鎳／金層真如原告所言為分層結構，其仍為鎳單體與金單體層疊而成，自可依證據A2之揭示，將各層單體一一置換為ITO等導電透光氧化物薄膜。

因此，無論日亞論文中所述鎳／金層為合金或多層結構，證據A2確已揭示「鎳／金層」與ITO等導電透光氧化物薄膜之可置換性。

因此，證據A2既已揭示「鎳／金層」與ITO之可置換性，「ITO與p型氮化物半導體材料間之良好電導通」亦如前項⒈⑵所述，並無進步性，熟習LED技術者參酌證據A2之揭示，自能以導電透光氧化物薄膜如ITO置換日亞論文LED中之鎳／金層，並以先前技術之手法使導電透光氧化物薄膜與其下之p型氮化鎵具有良好之電導通，而輕易完成系爭專利A申請專利範圍第1項與第11項之發明。

⒊證據A1與證據A4之組合可證系爭專利A申請專利範圍第1項、第11項：⑴原告在原證14號與15號中爭執第三人先前就系爭專利A所提出之舉發案，亦即第000000000N02號舉發案，已基於系爭專利A說明書中關於日亞論文之內容以及舉發證據4之美國對應申請案，主張系爭專利A 不具進步性，且該案業經智慧局審定舉發不成立，故指稱被告又以同一事實與同一證據再為舉發，違反現行專利法第67條第4項中「一事不再理」之規定云云。

惟依現行專利審查基準第五篇5.4.2節之規定，「前後舉發案所引證之刊物…即使為相同刊物，所引用之內容不同者，則不得稱為同一證據」。

第000000000N02號舉發案雖亦提出舉發證據4 之美國對應申請案即本件有效性證據A8，惟並未引用舉發證據4 之[0013]、[0 016] 至[0019]段有關改善歐姆接觸特性與雜質濃度等內容。

且智慧局於舉發審定時，並未審酌前述段落之內容，亦未就舉發證據4 與日亞論文之組合加以論述。

準此，被告既係以未曾為其他舉發人所引用、亦未經智慧局審酌之內容作為證據提出舉發，並未違反專利法之規定，原告說法顯屬誤解。

⑵原告在原證14中復辯稱：證據A4中之上部電極105並非作為電流分散及透光之導電透光氧化物薄膜，故該證據未教示系爭專利A「以導電透光氧化物薄膜所形成之電流分散及透光層」之特徵云云。

然證據A4之[0013]段第3至7行記載：「…上部電極105可於第2束縛層的幾乎整個上面形成，如此，在相同的晶片面積下，具有增大發光區域之效果」。

亦即證據A4中之p側電極105係用以將電流分散，以增大發光區域。

再者，同證據之[0019]段則記載「p側電極層（上部電極裝置）105為對活性層103之發光透明的電極，具體而言，以ITO（氧化銦錫）…用作透明電極105 …」。

由此可見，證據A4早已揭示「使用ITO作為分散電流之透光層」之概念。

⑶原告在原證14號中又辯稱證據A4之功效目的不在解決電流擁塞的問題，無法與日亞論文組合而輕易完成系爭專利A之發明云云。

惟證據A4之目的固不在解決電流擁塞的問題，但如前所述，其業已揭示「使導電透光氧化物薄膜與p型氮化鎵接觸層之間形成良好電導通」之特徵與方法。

換言之，證據A4並無電流擁塞之問題，當然無須以此為課題。

⑷因此，熟習LED 技術之人士自可依證據A4之揭示，以ITO等導電透光氧化物薄膜，取代日亞論文LED 中之鎳／金層，並與下方之p 型氮化鎵接觸層形成良好的電導通，而輕易完成系爭專利A 申請專利範圍第1項與第11項之發明。

⒋證據A3與證據A4之組合可證系爭專利A申請專利範圍第1項、第11項不具進步性：如前所述，證據A4已揭示「使用ITO作為分散電流之透光層」之概念，以及「使導電透光氧化物薄膜與p型氮化鎵接觸層之間形成良好電導通」之特徵與方法，其與證據A3之組合可輕易完成系爭專利A申請專利範圍第1項、第11項之發明之理由，已詳述於舉發理由書（被證12號），茲不贅述。

⒌證據A2、A4等先前技術早已於系爭專利A 申請前揭示「將ITO 應用於LED 上」之技術，且「使ITO 與p 型氮化鎵接觸層形成良好電導通之方法」，亦如前述，均屬系爭專利A 申請前已知之先前技術，為不爭之事實。

是以熟習LED 技術之人士自可依系爭專利A 申請時之技術水準，輕易將日亞論文LED 中之鎳／金層置換為ITO 等導電透光氧化物薄膜而完成系爭專利A 之發明，是以系爭專利A 確實不具進步性。

⒍系爭專利A 不具產業利用性，且其說明書亦未揭露實施之必要事項：⑴關於被告對於系爭專利A不具產業利用性之質疑，原告在原證14號之㈡⒈僅辯稱專利權之保護為「屬地主義」，美國專利制度下所經之過程及審查結果並不當然適用於系爭專利A，故不應以美國對應申請案為標準而主張系爭專利A之範圍過廣云云。

惟系爭專利A初審被核駁後，原告於被證3號「專利申請再審查理由書」中自引美國專利審查基準及美國對應申請案之公報首頁，謂「…美國之專利制度雖與我國有異，但一般皆認為美國之專利制度在全世界上算較先進者，本發明在美國已順利獲得專利，應可認為其進步性無庸置疑」云云。

則原告於申請階段以美國馬首是瞻，復於被舉發階段主張美國之審查結果不應適用於系爭專利A，其前後說詞反覆，實無足取。

⑵況如前所述，系爭專利A說明書中並未定義何謂「良好的電導通」，僅依此一籠統空泛之敘述，如何使系爭專利A之發明可為產業所利用？因此，系爭專利A確不具產業利用性，且其說明書之揭露亦不足供技藝人士得以瞭解並據以實施。

⒎原告聲稱系爭專利A 之課題在於解決電流擁塞及鎳／金（Ni/Au ）層遮光問題，並稱被告在民事答辯⑶狀第2 頁表格所列之「系爭專利課題」不正確云云：⑴惟「形成電流分散層以解決電流擁塞」之概念，乃他人於系爭專利A申請前所提出，並非原告之發明。

系爭專利A說明書第7頁第4行至第8頁第14行說明甚詳。

故系爭專利A所欲解決之課題實係另覓材料取代鎳／金層，期能提高透光度而已。

⑵但ITO（氧化銦錫）等導電透光氧化物早已為業界習用，若欲提高透光度，熟習本項技藝者自可輕易思及以ITO 等導電透光氧化物作為替代材料，此點智慧局對系爭專利A為初審核駁審定之際，即已敘明。

況且證據A2與A4中皆已揭示ITO等導電透光氧化物與鎳、金等金屬可相互置換，在在可證「以導電透光氧化物取代鎳／金以提高透光度」之手法係運用申請前既有之技術或知識所能輕易完成。

⑶原告自知單以電流分散與材質之置換乙節，難以主張系爭專利A之可專利性，遂又主張「使導電透光氧化物（如ITO）與氮化鎵接觸層之間形成良好的電導通（歐姆接觸）」有其困難性等語。

觀諸原告所言，系爭專利A所欲解決之課題實質上不外乎提高透光率、以及使導電透光氧化物與氮化鎵接觸層之間形成良好的電導通，被告民事答辯⑶狀第2 頁表格之內容並無違誤。

⒏原告辯稱證據A2、A4「未揭示ITO與氮化鎵之間形成良好電導通」云云，並稱被告所言「證據A2、A4之LED皆為可供利用之發光元件，ITO與p型氮化鎵勢必形成良好電導通」為無稽云云：⑴然原告於其內部自行製作之「專利侵害鑑定報告書」（原證3 號）中，並未測定ITO 與氮化鎵間之接觸電阻，即於第23頁末4 行中逕稱：「…系爭晶粒中之ITO 導電透光氧化物薄膜…必須將由第二電極注入之電流傳導至p 型氮化鎵接觸層，因此必須與p 型氮化鎵接觸層之間形成良好之電導通」等語。

易言之，原告於原證3號鑑定報告早已表明：ITO與氮化鎵間之接觸電阻未待測定，即可推知ITO與p型氮化鎵勢必形成良好電導通。

原告之主張顯前後矛盾，自不足採。

⑵實則，依前述原告在其鑑定報告所認之見解，證據A2 之層106與A4之層105必須將電流傳導至其下之p型氮化鎵，當然勢必形成良好的電導通，此結論與被告所言無異。

況證據A4之[0013]、[0019]段亦早已揭示「導電透光氧化物與p型氮化鎵接觸層形成良好電導通」，是以「導電透光氧化物與氮化鎵形成良好電導通」並不能認為是系爭專利A之新穎特徵。

⒐原告又強調系爭專利A申請專利範圍第1項之導電透光氧化物薄膜係作為「電流分散」及「透光層」，並稱證據A4中之層105為「打線用」，並非用於電流分散及透光云云：⑴惟證據A4之[0019]段已敘明層105為對該LED所發之光為透明之層，當然係作為透光之用。

至於電流分散之功效，按系爭專利A 說明書第8 頁第9 至11行所載：「…當作『電流分散層』（current spreading layer ），以便有效地分散電流於整個晶粒…」，同頁倒數第6 行起則記載：「…由於此一氧化物之導電性佳…因此具有極佳的電流分散效益…」。

亦即電流分散層之導電性佳，可將電流分散於整個晶粒。

對照觀之，證據A4之層105 宜為導電透光氧化物如ITO ，導電性自然良好，可分散電流，且於整個上面形成，用意即在將電流分散於晶粒整面，俾增大發光區域。

否則若單純為打線之用，何須強調於「整個上面」形成？況且能分散電流才能增大發光區域，為本技術領域中之一般概念，如美國第5744829 號專利案（被證16號）即記載「…theemission region is expanded by thus diffusing injected current …」。

由前述可知，證據A4之層105 確實具有電流分散之功效。

⑵事實上，被告並未否認該層105 可用於打線，但打線無礙其電流分散之功能，蓋倘無法將電流分散於整面，焉能增大發光區域？原告指稱舉發證據A4中之層105 為打線用，並非用於電流分散及透光云云，亦非事實。

⑶此外，系爭專利A申請前所公告之我國第084114205號專利申請案說明書第7頁末二行，早已揭示「以透明導電材料如氧化銦錫（ITO）、氧化鋅（ZnO）等作為電流分佈層」（被證17號），更可證諸系爭專利A「以導電透光氧化物薄膜係作為電流分散及透光層」之概念為申請前所習知，不足以使系爭專利A具進步性。

⒑綜上所述，就系爭專利A申請專利範圍第1項之特徵觀之，電流分散層為其申請日前由日亞化學所提出，亦可見於證據A4。

以導電透光氧化物取代鎳／金之手法為申請前既有之技術，亦早已揭示於證據A2與A4，而導電透光氧化物與氮化鎵之間形成良好電導通亦如上述，無足使系爭專利A與習知技術有所區別，其餘結構則與其說明書圖1所載先前技術（日亞論文）無異。

因此，系爭專利A申請專利範圍第1項由其說明書圖1所載先前技術與證據A2或證據A4之組合即可輕易完成，不具進步性。

⒒至於原告提出原證21、22號等論文，其目的僅係為求誤導而已，其內容無法改變前述事實。

⒓退步言之，若果如原告所稱，「以不同材料取代鎳／金且形成良好電導通為困難」（實則否），則系爭專利A 亦違反核准時專利法第71條第3款之規定：⑴按系爭專利A核准時專利法第71條第3款規定，說明書或圖式不載明實施必要之事項，使實施為不可能或困難者，應撤銷其發明專利權。

⑵原告稱「不同半導體及金屬材料要形成良好接觸的條件完全不同，難以一體適用，即使同為金屬，但不同的金屬材料都無法隨意取代並預期獲致相同結果，遑論氧化導電材料（ITO）」云云，以此主張「以導電透光氧化物取代鎳/金並與p型氮化鎵間形成良好電導通為困難」。

而系爭專利A申請專利範圍第1項中之接觸層為氮化物半導體材料，可包括氮化鋁鎵、氮化鎵、氮化銦鎵或氮化鋁銦鎵（如申請專利範圍第4項）；

申請專利範圍第11項中之接觸層為半導體材料，可包括氮化銦鎵、磷化鎵、磷化銦鎵、砷化鎵、砷化鋁鎵或磷砷化鎵（如申請專利範圍第12項）；

導電透光氧化物薄膜則可包括氧化銦、氧化錫或氧化銦錫（如申請專利範圍第2、13項）。

亦即申請專利範圍中各構成要件在「材料」上之選擇性均甚多，若前述原告所言屬實，此等不同材料要形成良好電導通的條件自非相同，且各材料之條件亦難以一體適用。

然系爭專利A說明書中卻僅例示其中一種情況，即「接觸層為氮化鎵，導電透光氧化物薄膜為氧化銦錫」時「載子濃度需為如附表1編號1所示」，關於其他材料之條件則付之闕如。

原告既云「不同材料無法隨意取代並預期獲致相同效果」，系爭專利A 應針對所有材料逐一載明形成良好電導通的條件，否則，熟習本項技藝人士將難由前述條件得知當接觸層非氮化鎵、導電透光氧化物薄膜非氧化銦錫時，該如何形成良好電導通？顯然，系爭專利A未載明各材料形成電導通之條件，導致實施困難，依核准時專利法第71條第3款之規定，該專利確實具有應撤銷之原因。

⑶又原告於民事準備⑷狀之表一中列舉數篇論文，主張「即便同為鎳／金，厚度或製造條件不同，與p型氮化鎵之間的接觸電阻差異可達萬倍之譜，無法以不同材料隨意取代」云云。

若果真如此，則二材料之間的接觸，尚因厚度及製造條件而異，而原告既曰「導電透光氧化物與氮化鎵之間形成良好電導通」如此困難，即應於爭專利A說明書中載明導電透光氧化物之厚度與製造條件，熟悉此項技藝人士始能據之實施其發明。

然系爭專利A並未記載該等必要事項，顯將導致實施困難，是以系爭專利A確有應撤銷之原因。

⒔至於原告稱系爭專利A 之發明人甲○○以「ITO 專利族群之產業加值應用」獲頒行政院傑出科技貢獻獎，強調系爭專利A 之學術效益與社會效益云云。

然此項事實亦與專利有效性之法律判斷完全無關。

㈡系爭專利B部分：⒈系爭專利B 更正後之申請專利範圍第1項仍不具進步性：⑴更正後之申請專利範圍第1項相當於原申請專利範圍第4項，其可運用證據B2至B4而輕易完成，不具進步性之理由見被證13號專利舉發理由書之「肆、至」及民事答辯⑶狀第10至12頁「貳、⑴至⑶」。

①原告雖申請更正系爭專利，將原申請專利範圍第1 至4項，惟如系爭專利B 說明書第9 頁倒數第2 行至第10頁所陳，更正後之申請專利範圍第1項之緩衝層、束縛層、接觸層…等結構皆係「本技藝之一般人士可輕易瞭解」之先前技術，而「第一電極與第二電極實質上並排於長方形之縱向」亦早已為證據B2 所揭示。

②原告雖稱更正後之申請專利範圍第1項「第一電極能夠穿過透明導電層而直接與第一半導體接觸層間形成蕭基接觸」之技術特徵，即為其新穎性與進步性所在，惟其說法並非實在。

按：如被告舉發理由書第四點所述，證據B4圖1 、圖2 及摘要等處俱已揭示「電極12貫穿透光性電極11而直接與下方之半導體層3 接觸」之結構，同證據[0016]段則揭示電極12可為金屬材料，例如Cr、Al、Au等中至少2 種以上，或可單獨使用Al；

此類材料與p 型層無法形成良好的歐姆接觸。

另證據B4[0015]段亦已揭示「由於歐姆接觸已藉由第1 電極（即透光性電極）11形成，第2 電極12與p 層3 並無歐姆接觸之必要」。

「金屬－半導體」接面可分為蕭基接觸或歐姆接觸2種，證據B4既已載明電極12與半導體層3 無必要形成歐姆接觸，即已揭示此結構中的電極12與半導體層3可形成蕭基接觸。

被告在原證16之舉發答辯書中雖引用該書狀附件2論文（Lin et al ）之第1004頁左欄末段內容，辯稱：不形成歐姆接觸尚可包含絕緣接觸云云。

然該段僅解釋同論文圖4 中退火60秒後接觸電阻之所以異常飆高，乃因Al表面形成Al2O3 薄膜，導致GaN 介面處之接觸電阻難以測量。

換言之，Al因退火時間過長，致表面生成Al2O3 薄膜時，Al與GaN 之間便已成為「金屬－氧化物－半導體」接面，而非「金屬－半導體」接面，原告據此指稱「金屬－半導體」接面可為絕緣，顯不合理。

如按原告之邏輯，則二塊生鏽的鐵相接觸亦無法導電，是否可謂「金屬－金屬」接面為絕緣接觸？故常態處理之「金屬－半導體」接面可分為蕭基接觸或歐姆接觸二種，但不會形成絕緣接觸。

因此，證據B4中記載電極12與半導體層3 間之「金屬－半導體」接面「不形成歐姆接觸」，即已揭示其為「蕭基接觸」。

原告摘引無關之敘述，又曲解其意，意在誤導而已。

又原告在原證16書狀中所引附件1 論文（Foresi etal）為1993年所發表，早於系爭專利B 之申請日甚多，其第2861頁左欄末行起亦記載「基於這些發現，眾多金屬可被選擇以與n 或p 型GaN 形成歐姆接觸或蕭基接觸」等語，更可證明「使金屬－半導體接面形成蕭基接觸」，本即系爭專利B 申請前之一般技術水準。

③因此，原告雖更正系爭專利B 申請專利範圍第1項，並欲以「第一電極能夠穿過透明導電層而直接與第一半導體接觸層間形成蕭基接觸」之技術特徵主張其專利進步性，然該特徵為證據B4所揭示，已如前述。

置於更正後之申請專利範圍第1項之其他技術特徵，則如被告舉發理由書第一至三點所述，亦不具進步性。

因此，系爭專利B 更正後申請專利範圍第1項，仍為熟習LED 技藝者運用證據B2至B4即可輕易完成之發明，違反其核准時之專利法第20條第2項之規定。

⑵原告於民事準備⑷狀第18頁「貳、⒈⑴」辯稱：「被告曰更正後申請專利範圍第1項之緩衝層、束縛層、接觸層等結構皆係本技藝之一般人士可輕易瞭解，未詳加論證，係斷章取義」云云。

然被告之陳述乃源自系爭專利B 說明書第9 至10頁，不容原告否認。

且發光二極體中各層之材料，係根據結構與用途所選擇，系爭專利B 說明書第9頁倒數第2 行至第10頁既載明「本技藝之一般人士可輕易瞭解各層之材料」，即表本技藝之一般人士必已知悉各層之結構與作用，方可「輕易瞭解各層之材料」選擇。

況如被告之舉發理由書所述，緩衝層、束縛層、接觸層…等結構已見揭於證據B2、B3或B4等先前技術，被告所述確有所本。

⑶原告於民事準備⑷狀第18至19頁「貳、⒈⑵」強調「證據B2並未揭露更正後申請專利範圍第1項之所有技術特徵，不應單獨據以否定更正後申請專利範圍第1項之新穎性與進步性」云云。

惟被告並未主張更正後申請專利範圍第1項不具新穎性，亦非將證據B2作為質疑其進步性之「唯一證據」，原告說法顯有誤會。

⑷原告又於民事準備⑷狀第19頁「貳、⒈⑶」辯稱：被告不應僅以「第一電極能夠穿過透明導電層而直接與第一半導體接觸層形成蕭基接觸」之「單一特徵」論斷系爭專利B 更正後申請專利範圍第1項之新穎性與進步性云云。

然被告從未主張前揭「蕭基接觸」之技術內容為系爭專利B之「單一特徵」，原告刻意加以曲解，係為掩蓋系爭專利B 所主張之真正「特徵」僅有「電極縱向排列」之事實。

原告因無法論述更正後申請專利範圍第1項「電極縱向排列」以及其他半導體疊層構造有何進步性，故刻意著眼於「蕭基接觸」，並主張此為其技術特徵，被告不過對之加以回應。

原告說法毫無理由。

⑸承前所述，原告所謂蕭基接觸之技術內容，係屬習知技術，絕非原告專利之特徵所在。

如被告民事答辯⑶狀第11頁「貳、⑵a 點」及被證13號舉發理由書所述，證據B4圖1 、圖2 及摘要等處已揭示「電極12貫穿透光性電極11而與下方之p 型氮化鎵系半導體層3 接觸」；

[0016]段則揭示「電極12可為Cr、Al、Au等金屬材料，此類材料與p 型層無法形成良好的歐姆接觸」，亦即電極12與p 型層3 之接面為「金屬－半導體」接面，且非良好的歐姆接觸；

[0015]段記載「電極12與p 層3 雖可為歐姆接觸，但歐姆接觸可由第一電極11達成，故無必要形成歐姆接觸」，即強調「電極12與p 層3 可不形成歐姆接觸」。

而熟習本項技藝者皆知，「金屬－半導體」接面非歐姆接觸即蕭基接觸，證據B4既強調「可不形成歐姆接觸」，即已揭示「可形成蕭基接觸」。

因此，更正後申請專利範圍第1項「第一電極能夠穿過透明導電層而直接與第一半導體接觸層形成蕭基接觸」之特徵，亦早已見於證據B4。

⑹原告於民事準備⑷狀第20至23頁「貳、3 至6 」辯稱：證據B4中所謂「無必要形成歐姆接觸」，需考量所謂「直接接觸」與「間接接觸」等態樣，尚可包含「絕緣接觸」，未必即為「蕭基接觸」云云。

惟對照原告自己在其所謂「侵害鑑定報告」（原證8 號）之論點觀之，前述說法顯非實在。

因原證8 號第30頁末行至第31頁第2 行中如此解釋被告產品：「該第一電極之構成材料是金(Au)，熟習本項技藝之人士皆知由於p 型氮化鎵接觸層之阻值較高，金與p 型氮化鎵接觸層間不易形成歐姆接觸，因此可推論金與p 型氮化鎵接觸層間形成蕭基接觸」。

則原告顯然早已瞭解不形成歐姆接觸即形成蕭基接觸，原告解釋被告產品時完全不論所謂「直接接觸」、「間接接觸」、「絕緣接觸」，即可逕斷被告產品係形成「蕭基接觸」，但於專利有效性面臨挑戰而需解釋先前技術時，卻虛構出「直接接觸」、「間接接觸」、「絕緣接觸」等說法，與自己先前論點相悖。

⑺再者，就證據B4[0015]段之文意解讀，證據B4[0015] 段曰「電極(12)與p 層(3) 雖可為歐姆接觸，但歐姆接觸可由第一電極(11)達成，便不必形成歐姆接觸」，即在特別強調「可以不形成歐姆接觸」。

因而，該段揭示「可形成歐姆接觸」與「可不形成歐姆接觸」，亦即「形成歐姆接觸」與「形成蕭基接觸」2 種態樣。

因此，「第一電極能夠穿過透明導電層而直接與第一半導體接觸層形成蕭基接觸」確實已見於證據B4。

⑻綜上所述，更正後申請專利範圍第1項「第一電極能夠穿過透明導電層而直接與第一半導體接觸層形成蕭基接觸」之特徵已見於證據B4，其餘各層結構則與證據B3之圖11相同，電極縱向排列更已見於證據B2，因此更正後申請專利範圍第1項係熟習本項技藝人士運用證據B2至B4等習知技術即可輕易完成者，確實不具進步性。

⒉更正後申請專利範圍第2項仍不具進步性：⑴更正後申請專利範圍第2項依附更正後申請專利範圍第1項，實質內容與更正前無異，其附加技術特徵僅為：具有一長晶層，其第一主表面與緩衝層之第二主表面結合，換言之，即「緩衝層之下形成長晶層」。

惟「長晶層」之附加特徵仍為習知技術，而更正後申請專利範圍第1項不具進步性，已如上述，故更正後申請專利範圍第2項亦不具進步性。

⑵系爭專利A 圖1 及第7 頁已揭示先前技藝（日亞論文），其圖式如附圖1 其中層16為緩衝層，其下之層17A 為核化層（nucleation layer）。

對照原告之另一專利000000000號申請案（被證18號）說明書第6 頁第5 行，可知原告所謂長晶層（nucleation layer）即系爭專利A 圖1 之核化層。

由於系爭專利A 之申請日早於系爭專利B ，因此系爭專利B 更正後申請專利範圍第2項之附加特徵「緩衝層之下形成有長晶層」，於其申請日前早已見於先前技術，故仍不足以令系爭專利B 更正後申請專利範圍第2項具有進步性。

⑶又系爭專利B 說明書第9 頁倒數第2 行至第10頁亦已載明「本技藝之一般人士可輕易瞭解…長晶層11可包含選自於GaN 、AlmGa1-mN …」。

原告雖辯稱該敘述僅在例示各結構可選用之材料，並推估該等材料應係本技藝之一般人士可以輕易瞭解云云。

然如不知長晶層之意涵、性質、材料及功能等，技藝人士焉可能輕易瞭解長晶層之材料應如何選擇。

原告說詞顯屬強辯，不足採信。

⑷除前述證據之外，證據B5亦已揭示長晶層，即證據B5 中之「低溫緩衝層(2) 」，此更進一步證明系爭專利B 不具進步性。

原告於舉發答辯書（原證16）第9 至11頁辯稱：證據B5中之「高溫緩衝層3 」雖名為「緩衝層」，理應相當於系爭專利B 之「接觸層13」，故該證據中「低溫緩衝層2 」理應相當於系爭專利B 之「緩衝層12」而非「長晶層」云云。

然觀諸證據B5第4 欄首行起「…between thep-side electrode 8 provided on the contact layer 7and the n-side electrode 9…to the n-side electrode 9 has high carrier density of the buffer layers2 and 3, so that the electric current flows throughout the buffer layers 3 and 2…」之記載，可知證據B5之接觸層為「contact layer 7 」，而緩衝層則包括「buffer layers 2 and 3 」，並無原告所謂「名為緩衝層實為接觸層」之情形存在。

是以，高溫緩衝層3 顯然就是名符其實的緩衝層，而非原告所虛構之接觸層。

⑸原告於原證16之第9 至11頁以證據B5圖1 對照系爭專利B圖4 ，辯稱證據B5高溫緩衝層3 係「用以支持電極及束縛層並與其二者相接觸，故應等於B 專利中之第二半導體接觸層13」云云。

惟系爭專利B 之第二半導體接觸層13並非不可或缺，電極及束縛層更不是非以接觸層支持不可。

對照系爭專利A 圖2 、4 、6 ，亦可知原告於自己之發明中，並未設置第二半導體接觸層，電極19及束縛層15係以緩衝層16支持，可證明原告所言不實。

換言之，證據B5圖1結構中並無「第二半導體接觸層」，原告強欲將之類比於系爭專利B 圖4 ，係毫無意義。

⑹實則，證據B5緩衝層包含高溫緩衝層3 及其下之低溫緩衝層2 ，而低溫緩衝層2 係用來「緩和基板1與半導體結晶層之間由於晶格不匹配所致之應力，以便於其上層疊高溫緩衝層3 」，故就其功效觀之，即相當於系爭專利B 之長晶層。

⑺綜上所述，系爭專利B 更正後申請專利範圍第2項之附加特徵為原告所自認之先前技術，且由被告舉發理由書第五點所述亦可知，證據B5所揭示「低溫緩衝層2 位於高溫緩衝層3 下方且與高溫緩衝層3 相結合」之結構，即系爭專利B 更正後申請專利範圍第2項中「長晶層位於緩衝層下方且與緩衝層相結合」之附加特徵。

而更正後申請專利範圍第2項之其他結構亦如被告舉發理由書第一至四點所述不具進步性，故系爭專利B 更正後申請專利範圍第2項係熟習LED 技藝者運用申請前之既有技術即可輕易完成之發明，違反其核准時之專利法第20條第2項之規定至明。

⒊綜上所述，系爭專利B 以「使第一電極與第二電極並排於長方形之縱向」為訴求，然此特徵已為證據B1所揭示，而系爭專利B 所揭示之其他結構充其量亦不過為習知之LED 結構，故系爭專利B 申請專利範圍縱經更正，仍毫無進步性可言。

系爭專利B 既確實有得撤銷之理由，原告之訴即屬無理由，應予駁回。

⒋系爭專利B 說明書第6 頁開宗明義即曰：「本發明係…關於較小晶粒面積之一種發光二極體構造」，其說明書自始至終皆在論述將電極縱向排列，以減小晶粒尺寸，顯然，系爭專利B 之基本精神僅在於「將電極縱向排列」。

然「電極縱向排列」之特徵早已見於證據B2之日本特開平00-000000 號公報，原告因無從辯解，故將原申請專利範圍第2 至4 項併入原申請專利範圍第1項，使更正後申請專利範圍第1項之篇幅達2 頁餘，且在答辯時均迴避其專利說明書所主張「電極縱向排列」之技術特徵，顯見其有效性之薄弱。

三、本件原告起訴主張被告之產品型號203-SB、203-SB-H、203-SG、203-SB-5mA、205-SB-5mA、207-SB-5 mA 之發光二極體晶粒與原告系爭專利A 申請專利範圍第1項及第11項實質相同；

被告之產品型號203-SB、203-SB-H、203-SG、203-SB-5mA之發光二極體晶粒與原告系爭專利B 申請專利範圍第1 至5 項（即更正後申請專利範圍第1 至2 項）實質相同，而認被告所製造、銷售之上揭產品（下稱系爭產品），有侵害原告所有系爭專利A 、B 而提起專利權損害賠償之訴。

被告則以系爭專利A 、B 均有應撤銷之事由，且系爭產品未落入系爭專利Ａ申請專利範圍第1 、第11項及系爭專利B 申請專利範圍第1 至5 項（即更正後申請專利範圍第1 至2 項）置辯。

本件應先審究系爭專利A 申請專利範圍第1項及第11項及系爭專利B 申請專利範圍第1 至5 項（即更正後申請專利範圍第1 至2 項）是否有被告主張得撤銷之事由？

四、兩造於本院98年8 月24日言詞辯論期日協議整理本件爭點如下：㈠關於系爭專利A專利有效性證據：證據A1：系爭專利A 之專利公報、專利說明書及96年9 月11 日公告更正之申請專利範圍。

證據A2：日本特開平第0-000000號專利（公開日：1991年8 月9 日）。

證據A3：US0000000 （公告日：1996年11月26日）。

證據A4：日本特開平第0-000000號專利（公開日：1997年5 月16日）。

證據A5：系爭專利之初審查核駁審定書。

證據A6：系爭專利之再審查理由書。

證據A7：系爭專利之再審查核准理由。

證據A8：系爭專利之美國對應應之專利公報。

（上開證據A1至A8為被告98年3 月2 日陳報狀被證12的證據一至八）。

是以此部分爭點為證據A1及證據A2之組合、證據A1及證據A4之組合、證據A3及證據A4之組合可否證明系爭專利A 申請專利範圍第1 、11項不具進步性? 證據A5至A8可否證明系爭專利A 申請專利範圍第1 、11項不具產業上利用性?㈡系爭專利B專利有效性證據：證據B1：系爭專利B之專利公報、專利說明書。

證據B2：日本特開平00-000000 （公開日：1998年5 月29日 ）。

證據B3：US0000000 （公告日：1996年11月26日）。

證據B4：日本特開平7-94782 （公開日：1995年4 月7 日） 。

證據B5：US0000000 （公告日：1998年5 月12日）。

證據B6：日本特開平9-36430 （公開日：1997年2 月7 日） 。

（上開證據B1至B6為被告98年3 月2 日陳報狀被證13的證據一 至六）。

是以此部分爭點為即證據B2、證據B3及證據B4之組合可否證明系爭專利B 更正後申請專利範圍第1項不具進步性? 證據B1至證據B4或證據B2至證據B5可否證明系爭專利B 更正後申請專利範圍第2項（原申請專利範圍第5項）不具進步性?㈢系爭專利A 專利有效性證據之舉發證據4 （即證據A8）是否有違反專利法第67條第4項「一事不再理」規定？㈣被告之產品是否侵害系爭專利A、系爭專利B?㈤若有侵害系爭專利A 、系爭專利B ，被告應給付原告損害賠償金額為若干?㈥原告訴之聲明第2項請求被告停止自行或使他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口，是否有理由?

五、系爭專利A專利有效性之技術分析：㈠系爭專利A（證據A1）之技術簡介：⒈系爭專利A之先前技術：如附圖1 之圖1 所示，在日亞化學所發表的論文中，其氮化銦鎵發光二極體結構，包含有藍寶石基材（sapphire substrate）18、氮化鎵核化層（nucleationlayer ）17A 、n 型氮化鎵緩衝層（buffer layer）16、n 型氮化鋁鎵束縛層（cladding layer）15、未攙雜質之氮化銦鎵量子井發光層）quantumwell light emitting layer）14、p 型氮化鋁鎵束縛層13、p 型氮化鎵接觸層（contact layer ）12、鎳／金光輸出電極（light transmitting electrode）11A 、p 型鎳／金電極10。

而由於藍寶石基材18為絕緣材料，因此發光二極體晶粒之部分區域蝕刻至n 型氮化鎵束縛層16處，並於其上形成一n 型鈦／鋁電極19。

由於p 型氮化鎵接觸層12之載子濃度，一般經過熱處理（thermal annealing ）以後，大都小於如附表1 編號3 所示，其電阻係數之最佳值約只有1 Ω-cm 左右。

由於導電性不佳，因此，從電極10流下的電流無法有效地分佈於整個晶粒，形成電流擁塞（current crowding）現象，因而影響發光效率。

附圖1 之圖1 的習知技藝，便是利用一極薄之鎳／金層11A ，厚度約只有數百個「埃」當作電流分散層（current spreading layer ），以便有效地分散電流於整個晶粒，然而，此一鎳／金層11A 的穿透率（transmission）小於50% ，因此，大部分來自於發光層所發出的光，都被此一電流分散層所吸收，使得其發光效率降低。

⒉系爭專利A之技術簡介：系爭專利A 之發明是利用一個導電且透光的氧化物層取代習知技藝的「鎳／金層」（Ni／Aulayer ）作為氮化銦鎵發光二極體之光輸出層，由於此一氧化物之導電性佳，因此具有極佳的電流分散效益。

此外，在可見光區範圍內，其穿透率亦超過90% ，較習知之鎳／金層穿透率高出許多，因此，可以有效地提高發光效率。

系爭專利A 更利用擴散、或是離子佈植方式於氮化鎵接觸層的表面形成極薄而且載子濃度極高的接觸層，實施例之一也可以是成長載子濃度高的半導體當作接觸層，另一個實施例是利用極薄的金屬當作接觸層，當氧化銦錫以濺鍍或是電子鎗蒸鍍形成其上時，可以有效地降低順向電壓，分別見附圖1之第二圖、第四圖。

⒊系爭專利A申請專利範圍第1項及第11項：原告曾於94年2 月4 日提出更正本，並經智慧局審查准予更正，並於96年9月11日公告更正後之申請專利範圍，其中與本件訴訟有關之申請專利範圍第1項及第11項之內容如下：⑴第1項：一種氮化銦鎵發光二極體，包含：絕緣透光材料層18，作為基材；

第一導電型氮化鎵16，形成於前述之基材的上方，作為緩衝層；

第一導電型氮化（鋁）鎵15，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方，作為束縛層；

氮化銦鎵14，形成於前述之第一導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為發光層；

第二導電型氮化（鋁）鎵13，形成於前述之氮化銦鎵的上方，作為束縛層；

第二導電型氮化物半導體材料12、121 ，形成於前述之第二導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為接觸層；

導電透光氧化物薄膜11B ，形成於前述之第二導電型氮化物半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型氮化物半導體材料之間形成良好之電導通；

第一電極19，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方；

以及第二電極10，形成於前述之導電透光氧化物薄膜的上方。

⑵第11項：一種氮化銦鎵發光二極體，包含：絕緣透光材料層，作為基材：第一導電型氮化鎵，形成於前述之基材的上方，作為緩衝層：第一導電型氮化（鋁）鎵，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方，作為束縛層；

氮化銦鎵，形成於前述之第一導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為發光層；

第二導電型氮化（鋁）鎵，形成於前述之氮化銦鎵的上方，作為束縛層；

第二導電型半導體材料，形成於前述之第二導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為接觸層；

導電透光氧化物薄膜，形成於前述之第二導電型半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型半導體材料之間形成良好之電導通；

第一電極，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方；

以及第二電極，形成於前述之導電透光氧化物薄膜的上方。

㈡有效性證據之分析：⒈證據A2之技術分析：證據A2揭露一種非單晶碳化矽發光元件，其利用碳化矽作為發光元件之發光層104 ，藉由發光元件之二電荷注入層105及104 中間形成一含氫原子之非單晶碳化矽發光層以提高發光效率。

該發光元件100 係由一基板101 ，一第一導電層102 ，第一電荷注入層103 ，該電荷注入層係為一具有摻質之氮化鎵（GaAs），一發光層104 ，該發光層係由具有氫原子及氦原子之非單晶碳化矽所構成，一第二電荷注入層105 ，該電荷注入層係為一具有摻質之氮化鎵（GaAs），一第二導電層106 。

說明書下標示第468 頁左下欄第7 至12行揭示「本發明所使用之第一導電層102 及第2 導電層106 之材質列舉如Ni、Cr、AL、In、Sn、Mo、Ag、Au、Nb、Ta、V 、Ti、Pt、Pb等金屬單體或其等之合金，或如不鏽鋼、或氧化物如附表1 編號4 所示」，其圖示如附圖2 所示。

⒉證據A3之技術分析：證據A3圖1 （如附圖3 所示）揭示一LED 10結構，其包括一基材12，基材上具有一緩衝層14，緩衝層上具有一n 型氮化鎵系之低電阻半導體層之第一束縛層16，於半導體層上之具有摻質發光層18，於發光層上具有一p 型氮化鎵系之低電阻半導體層之第二束縛層20，一電極24形成於緩衝層14上，一電極26形成於p 型半導體層上。

其說明書第6 欄第1 至4 行揭示基材12可為藍寶石、SiC 或氧化鋅，說明書第6 欄第5至8 行揭示該緩衝層14可為氮化鎵系化合物；

說明書第5 欄第14至25行揭示n 型第一束縛層16可為如附表1 編號5 所示；

說明書第5 欄第26至32行揭示p 型第一束縛層20可為如附表1 編號6 所示。

⒊證據A4之技術分析：證據A4圖1 （如附圖4 所示）及其說明書第〔0011〕段揭示「圖1 為本發明實施態樣型態相關氮化鎵系化合物半導體藍光二極體之剖面圖。

本發明之氮化鎵係化合物半導體藍色發光二極體1 ，係於藍寶石基板100 之上，以經由氮化鎵系n型半導體緩衝層101 所形成之氮化鎵系n 型半導體第1 束縛層102 、氮化鎵系半導體活性層103 、氮化鎵系p 型半導體第2 束縛層104 為主要結構層。」

；

說明書第〔0013〕段第4 行揭示「為改善p 測電極105 與第2 束縛層104 之歐姆接觸特性，移於P 測電極105 與第2 束縛層之間形成氮化鎵系p 型半導體接觸層」；

說明書第〔0017〕段揭示「氮化鎵半導體活性層103 並不刻意參摻雜雜質，即所謂於未摻雜之半導體層中成為發光中心層。

如附表1 編號7 所示之各組成值可依欲發光之波長為適宜調整，例如選自0 ≦x ≦1 ，0 ≦y ≦1 ，宜為0 ≦x ≦0.6 、0 ≦y ≦0.5 」；

說明書第〔0018〕段揭示「氮化鎵系p 型半導體104 為p 型束縛層（第2 束縛層）如附表1 編號7 所示之各組成值依n 型束縛層102 與活性層103 之關係，可依欲發光之波長為適宜調整，例如選自0 ≦x ≦1 ，0 ≦y ≦1 ，宜為0 ≦x ≦0.3 、0 ≦y ≦1.0 ，又為使之成為p 型，故添加有鎂(Mg)、鈹(Be)、鋅(Zn)之雜質，雜質密度為3 ×1018cm-3」；

說明書第〔0019〕段揭示「p 側電極層105 為對活性層103 之發光透明的電極。

具體而言，以ITO 或SnO2等金屬與氧之化合物為佳。

亦可形成很薄的金屬用作透明電極105 ，又將氮化鎵系p 型半導體接觸層形成於p 側電極層105 與p 型束縛層104 之間時，如附表1 編號7 所示之各組成值例如選自0 ≦x ≦1，0≦y ≦1 ，宜為0.5 ≦x ≦1.0 ，0 ≦y ≦0.1 。

又，為使之成p 型，可添加有鎂(Mg)、鈹(Be)、鋅(Zn)之雜質。

接觸層之雜質密度為5 ×1019cm-3~2×1020 cm-3 」；

說明書第〔0019〕段揭示「基板材料不限於藍寶石，可使用與氮化鎵系半導體匹配之基板例如SiC 、GaN 、InN 、AlN 、GaAs、ZnS 等化合物半導體或ZnO 等金屬半導體」。

㈢系爭專利A有效性爭點之技術比對分析：⒈系爭專利A 並無違反專利法第20條第1項（不具產業上利用性）之規定：⑴83年1 月21日修正公佈之專利法第20條第1項係關於發明應符合產業上利用性之規定，有關產業上利用性參考智慧局83年11月25日公告之審查基準第1-2-1 至1-2-2 頁係以非可供產業上利用之發明類型之排除規定，非可供產業上利用之發明類型有3 ：未完成發明；

非可供營業上利用之發明；

實際上顯然無法實施之發明。

其中未完成之發明包括⒈屬於欠缺達成目的之技術手段的構想，及⒉有技術手段但顯然不能達成目的之構想等兩種。

判斷是否屬於未完成之發明，應基於說明書之記載為準。

⑵經查系爭專利A 申請專利範圍第1項及第11項其中「第二導電層型氮化物半導體為接觸層及在接觸層上形成導電透光氧化物之薄膜，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型氮化物半導體材料之間形成良好之電導通」之技術特徵，被告主張「被舉發案之審查歷史檔案，可知被舉發案於初審查時因違反當時專利法第20條第2項而遭核駁（核駁理由參證據A5），其核駁理由：「在發光二極體之基本架構及運作方法上，本案與習知之氮化銦鎵LED 之設計係相同者，相較之下，其間之差異甚微，僅在於本案以所謂之『導電透光氧化物薄膜』取代已習知技術中對應之導電透光合金薄膜而已」等語，即與前述應予撤銷之理由相同。

其後被舉發人即原告申請再審查，復於專利再審查理由書（如證據A6 ）之理由3中主張被舉發案（即系爭專利A ）之導電透光氧化物薄膜「係透過載子濃度極高之接觸層，形成於其他半導體疊層上，亦即藉著『穿遂效應』形成良好的接觸」，故具進步性等語。

且再審查之審查委員即採信此一理由而為核准審定（核准理由參證據A7），而主張『導電透光氧化物薄膜透過載子濃度極高之接觸層（極高濃度載子層），形成於其他半導體疊層上』為系爭專利A 之進步性所在，惟被舉發案申請專利範圍第1項卻未訂限定『高載子濃度層』此一必要技術特徵，導致現成申請專利範圍第1項範圍過廣，涵蓋無法達成發明目的而無法供產業上利用之發明」，被告復舉「被舉發案之美國（舉發證據4 即本件證據A8）對應專利之申請專利範圍第1項以明確界定『接觸層之載子濃度極高至進一步將載子濃度具體限定為如附表1 編號1 所示』。

顯見『高濃度載子層』此一技術特徵對被舉發案之申請專利範圍第1項而言為必要技術特徵」等云云，而主張被舉發案即系爭專利A 申請專利範圍第1項及第11項非屬可供產業上利用之發明。

⑶惟查，依據系爭專利A 說明書提出申請時業界一般先前技藝氮化銦鎵發光二極體中之p 型氮化鎵接觸層，由於濃度不夠高，其導電性不佳，造成由電極注入之電流無法有效地分佈於整個晶粒，而有電流擁塞的現象。

若以先前技藝之鎳／金疊層幫助電流分散，固可解決前述電流擁塞之問題，惟又產生光線低穿透率的問題，致發光效果不佳。

系爭專利A 提出先前技藝有2 項課題須同時解決，即在解決電流分佈不佳問題的同時，尚須兼顧光線穿透率之問題，以達成低耗電、高亮度之目的。

為解決此等問題，系爭專利A提出藉由導電透光氧化物薄膜來達成電流分散以及高透光率之功效，同時與p 型氮化鎵接觸層間形成良好的電導通，以降低操作電壓。

為了使導電透光氧化物薄膜與p型氮化鎵接觸層間形成良好的接觸（即歐姆接觸），系爭專利A 以具有較高載子濃度（載子濃度如附表1 編號1 所示）之一p 型氮化鎵接觸層（系爭專利A 第四圖所示，見附圖1 第四圖）或於接觸層上利用擴散或離子佈植等方式於接觸層表面形成一薄而載子濃度極高之接觸層12A （系爭專利A 第二圖所示，見附圖1 第二圖）等實施例來說明如何使導電透光氧化物薄膜與p 型氮化鎵接觸層間形成良好的接觸之實施方式。

故系爭專利A 申請專利範圍第1項、第11項之「該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型 （ 氮化物）半導體材料之間形成良好之電導通」已載明發明之技術特徵，而系爭專利A 說明書並有舉出達成導電透光氧化物薄膜與第二導電型氮化物半導體材料形成良好電接觸之實施方式（系爭專利A 第二圖至第七圖）。

⑷綜上，系爭專利A說明書所載，並無不明確的情形，對於從事LED 化合物半導體發光二極體之製造設計業者，依據系爭專利A 說明書所揭示之內容應可瞭解其內容，並可據以實施完成系爭專利A 之發明。

系爭專利A 並非前述理由⒈⑴所述非可供產業上利用之發明類型，且非如被告即舉發人所稱申請專利範圍第1項、第11項範圍過廣，非屬可供產業上利用之發明云云，是被告此部分之主張並不足採。

⒉證據A1和證據A2之組合無法證明系爭專利A 申請專利範圍第1項及第11項不具進步性，然證據A1和證據A4之組合；

或證據A3和證據A4之組合可證明系爭專利A 申請專利範圍第1項及第11項不具進步性：⑴系爭專利A 申請專利範圍第1項為一種氮化銦鎵發光二極體，包含：絕緣透光材料層18，作為基材；

第一導電型氮化鎵16，形成於前述之基材的上方，作為緩衝層；

第一導電型氮化（鋁）鎵15，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方，作為束縛層；

氮化銦鎵14，形成於前述之第一導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為發光層；

第二導電型氮化（鋁鎵13，形成於前述之氮化銦鎵的上方，作為束縛層；

第二導電型氮化物半導體材料12、121 ，形成於前述之第二導電型氮化（鋁）鎵的上方，作為接觸層；

導電透光氧化物薄膜11B ，形成於前述之第二導電型氮化物半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，其中該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型氮化物半導體材料之間形成良好之電導通；

第一電極19，形成於前述之第一導電型氮化鎵的上方；

以及第二電極10，形成於前述之導電透光氧化物薄膜的上方。

⑵經查系爭專利A 說明書所自承之先前技術（如附圖1 之圖1 所示，出自「日亞化學」所發表的論文），揭示一氮化銦鎵發光二極體結構，包含有藍寶石基材（sapphire substrate）18、氮化鎵核化層（nucleation layer）17A 、n 型氮化鎵緩衝層（buffer layer）16、n 型氮化鋁鎵束縛層（cladding layer）15、未攙雜質之氮化銦鎵量子井發光層（quantumwell light emitting layer）14、p 型氮化鋁鎵束縛層13、p 型氮化鎵接觸層（contact layer）12、鎳／金光輸出電極（light transmitting electrode）11A 、p 型鎳／金電極10。

而由於藍寶石基材18為絕緣材料，因此發光二極體晶粒之部分區域蝕刻至n 型氮化鎵束縛層16處，並於其上形成一n 型鈦／鋁電極19。

比較系爭專利A 說明書自承之先前技術與系爭專利A 申請專利範圍第1項，其二者之不同為「系爭專利A 係採用導電透光氧化薄膜，形成於第二導電型氮化物半導體材料的上方，作為電流分散及透光層，且該導電透光氧化物薄膜與前述之第二導電型氮化物半導體材料之間形成良好的電導通，而系爭專利A 之先前技術則係採用於p 型氮化鎵上形成鎳／金（Ni／Au ）為電極。

⑶次查證據A3之圖1 （如附圖3 所示）揭示一LED 10結構，其包括一基材12，基材上具有一緩衝層14，緩衝層上具有一n 型氮化鎵系之低電阻半導體層之第一束縛層16，於半導體層上之具有摻質發光層18，於發光層上具有一p 型氮化鎵系之低電阻半導體層之第二束縛層20，一電極24 形成於緩衝層14上，一電極形成於p 型半導體層上，圖11及說明書第11欄第44至47行揭示在束縛層20形成一p 型GaN接觸層34，該接觸層係為與p 型電極間形成一較佳之歐姆接觸；

說明書第20欄第1 至7 行揭示利用摻雜Mg，並經一回火製程使p 型GaN 接觸層34變成一低電阻層；

說明書第6 欄第1 至4 行揭示基材12可為藍寶石、SiC 或氧化鋅；

說明書第6 欄第5 至8 行揭示該緩衝層14可為氮化鎵系化合物；

說明書第5 欄第14至25行揭示n 型第一束縛層16可為如附表1 編號5 所示；

說明書第5 欄第26至32行揭示p型第一束縛層20可為如附表1 編號6 所示，圖1 及說明書第5 欄第7 至8 行揭示發光層18為如附表1 編號8 所示（氮化銦鎵）材料，第一電極24形成於n 型氮化鎵上方，第二電極形成於p 型第一束縛層20上方。

比較證據A3未揭示系爭專利A 申請專利範圍第1項採用導電透光氧化薄膜，形成於第二導電型氮化物半導體材料的上方，作為電流分散及透光層。

⑷又查證據A4圖1 （如附圖4 ）及其說明書第〔0011〕段揭示「一種氮化鎵係化合物半導體藍色發光二極體1，係於藍寶石基板100 之上，以經由氮化鎵系n 型半導體緩衝層101 所形成之氮化鎵系n 型半導體第1 束縛層102 、氮化鎵系半導體活性層103 、氮化鎵系p 型半導體第2 束縛層104 為主要結構層。」

；

說明書第〔0013〕段第4 行揭示「為改善p 測電極105 與第2 束縛層104 之歐姆接觸特性，宜於p 側電極105 與第2 束縛層之間形成氮化鎵系p 型半導體接觸層」；

說明書第〔0018〕段揭示「氮化鎵系p型半導體104 為p 型束縛層（第2 束縛層）如附表1 編號7 所示之各組成質依n 型束縛層102 與活性層103 之關係，可依欲發光之波長為適宜調整，例如選自0≦x≦1 ，0≦y ≦1 ，宜為0 ≦x ≦0.3 、0 ≦y ≦1.0 ，又，為使之成為p 型，故添加有鎂（Mg）、鈹（Be）、鋅（Zn）之雜質，雜質密度為如附表1 編號9 所示」，其已揭示包含系爭專利A 之第二導電型氮化物之特徵；

另說明書第〔0019〕段揭示「p 側電極層105 為對活性層103 之發光透明的電極。

具體而言，以ITO或SnO2等金屬與氧之化合物為佳。

又將氮化鎵系p 型半導體接觸層形成於p 側電極層105 與p 型束縛層104 之間時，該接觸層為附表1 編號7 所示之各組成值，例如選自0 ≦x ≦1 ，0 ≦y ≦1 ，宜為0.5 ≦x ≦1.0 、0 ≦y ≦0.1 。

又為使之成p 型，可添加有鎂（Mg）、鈹（Be）、鋅（Zn）之雜質，接觸層之雜質密度為如附表1 編號2 所示」，證據A4之p 型束縛層104 已揭示系爭專利A 之第二導電型氮化鋁鎵13，證據A4之p 側電極層105 與p 型束縛層104 之間形成一p 型半導體接觸層，該接觸層之摻雜濃度為如附表1 編號2 所示以維持接觸層之導電性（說明書第〔0019〕段第11至13行有揭示該技術效果），證據A4亦揭示以ITO或SnO2等金屬與氧之化合物來作為透明電極材料。

證據A1、證據A3及證據A4皆為氮化物系之化合物半導體之發光二極體相同技術領域，其組合對於發明所屬技術領域中具通常知識而言應為明顯，再者證據A3、A4亦揭示為使接觸層摻質具有好的導電性將p型接觸層摻雜一濃度，證據A4並以ITO或SnO2等金屬與氧之化合物來作為透明電極材料。

誠如原告於民事準備㈣狀第5 頁理由（b ）「若作為電流分散及透光層之導電透光氧化物薄膜，欲與其下作接觸層之第二導電型氮化物半導體材料形成良好電導通，兩者間需形成良好的接觸，即業界所習知的良好歐姆接觸，以使元件具有較低操作電壓。」

之主張，系爭專利A 採用導電透光氧化物薄膜（ITO ）作為電流分散層以解決元件電流壅塞問題，其乃因ITO本身材料即具有高導電特性性，其可增進透光性，亦因ITO 材料透光特性，證據A4已揭示以ITO 來作為電極，其本身即可達成如系爭專利A 之電流分散以及高透光率之功效之功效。

再者，系爭專利A 利用導電透光氧化物薄膜與第二氮化物層間形成良好電接觸以降低操作電壓，所屬技術領域域中具通常知識者皆知，當金屬（導體）與半導體接觸時，其接面可形成歐姆接觸或蕭基接觸，當半導體之摻質濃度增加時，可改善接面之接觸電阻，及增加半導體層之摻質濃度來改善接面之導電性，參酌說明書之其中之一實施例所揭示內容可知，當p 型氮化鎵接觸層之濃度為如附表1 編號1 所示，則導電透光氧化層與接觸層間即具有良好電導通，證據A4中揭示於接觸層中之濃度為如附表1 編號2 所示以維持接觸層之導電性，當p 型氮化鎵層之摻質在該濃度範圍下即可達成系爭專利ITO 與p 型氮化鎵層間形成良好接觸，而使元件具有較低操作電壓。

故系爭專利A 申請專利範圍第1項之發明相較於組合證據A1及證據A4或組合證據A3及證據A4，並未產生無法預期之功效，故系爭專利A 申請專利範圍第1項之發明係運用申請前既有之技術或知識（即證據A1及證據A4之組合或證據A3及證據A4之組合），而為熟習該項技術者所能輕易完成。

⑸系爭專利A 申請專利範圍第11項係一種氮化銦鎵發光二極體，相較於申請專利範圍第1項，其不同在於申請專利範圍第1項之接觸層為第二導電型氮化物半導體材料，而申請專利範圍第11項記載接觸層為第二導電型半導體材料，較之申請專利範圍第11項為更廣之請求範圍，該技術特徵既係於證據A1、證據A3或證據A4已揭示，其不具進步性之理由即如前述理由⑴至理由⑷所述。

⑹原告於98年8 月24日當庭陳述及其專利有效性簡報第20頁主張略以：「依據氧化銦錫（ITO ）之特性具有高透光率以及低電阻的特性，而這兩個特性會互相影響，其與In與Sn的比例有關很重要，過多的S 會造成透光率下降，但Sn不夠，導電性又不佳。

其次，ITO 之膜厚也是一個重要因素，一般而言電阻會隨膜厚增加而遞減，及電流分散力會提昇；

透光率卻會隨膜厚增加而降低；

再者形成ITO 薄膜之條件亦會影響其透光率及導電性，因此一般來說，ITO在透光率佳的狀態下，其電阻通常較高，電流分散力不佳，其中的取捨通常都是一使用者的目的來調整。

於被告所提之各項證據中，使用ITO 作為電極的目的都著重於其具有透明的特性，而由上述ITO 的特性來看，作為透明電極的ITO 不代表同時具有高導電性，電流分散的特徵」云云。

惟依據系爭專利A 核准時之專利法第56條第3項係規定「發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範為準，必要時，得審酌說明書及圖式」，查原告上述主張於系爭專利A 申請專利範圍並未有相關請求，且於系爭專利A 說明書並未具體揭露上述之技術特徵，原告於本件訴訟專利有效性抗辯中，據以主張上述技術特徵為系爭專利Ａ之技術特徵，以與專利有效性之證據有所區別，並無理由，原告此部分之主張並不足採。

⑺再查證據A2揭露一種非單晶碳化矽發光元件，其利用碳化矽作為發光元件之發光層104 ，藉由發光元件之二電荷注入層105 及104 中間形成一含氫原子之非單晶碳化矽發光層以提高發光效率。

該發光元件100 係由一基板101 ，一第一導電層102 ，第一電荷注入層103 ，該電荷注入層係為一具有摻質之氮化鎵（GaAs），一發光層104 ，該發光層係由具有氫原子及氦原子之非單晶碳化矽所構成，一第二電荷注入層105 ，該電荷注入層係為一具有摻質之氮化鎵（GaAs）。

又說明書下標示第468 頁左下欄第7 至12行揭示「本發明所使用之第一導電層102 及第2 導電層106之材質列舉如Ni、Cr、AL、In、Sn、Mo、Ag、Au、Nb、Ta、V 、Ti、Pt、Pb等金屬單體或其等之合金，或如不鏽鋼、或氧化物如附表1 編號4 所示」。

將二者比較，可知證據A2雖揭示利用氧化物如附表1 編號4 所示來作為導電層之材料，惟證據A1及證據A2均未揭示有一電極接觸層，該接觸層與透光氧化層之兼具有良好之電導通之技術揭示，若將系爭專利A 說明書所自承之先前技術中之金屬電極材料採用證據A2之In2O3 、ITO 氧化物作為電極材料，亦無法達成系爭專利A 申請專利範圍第1項、第11項使元件具有較低操作電壓之效果，故證據A1及證據A2之組合尚難證明系爭專利A 申請專利範圍第1項、第11項不具進步性。

⒊證據A4之組合並未違反專利法第67條第4項「一事不再理」規定：經查原證14之附件1 為系爭專利A 之舉發第二案N02 之舉發審定理由，由其理由㈢可知舉發證據為第84112762號專利案（引證1 ）、美國專利第578537號專利（引證2 ，其為本件系爭專利有效性證據A4之美國對應案即證據A8）及第00000000 號（引證3 ），其審定理由㈤為引證1 不能證明系爭專利A 獨立項為申請前已見於刊物或已公開使用，審定理由㈥為引證2 、3 不能證明系爭專利A 第1 、6 、11、14、18、23項為申請前已見於刊物或已公開使用；

引證2 、3之組合不能證明系爭專利第1 、6 、11、14、18、23項為熟習該項技術者所能輕易完成。

由上開審定理由可知，該審定書並未就有關本件訴訟中專利有效性之證據A1（系爭專利所自承先前技術）及證據A4之組合是否可證明系爭專利A 具專利要件為論述，即該舉發案（N02 ）與本件訴訟專利有效性之一事實及證據之主張均非同一，故應無一事不再理之適用。

⒋綜上所述，系爭專利A 申請專利範圍第1項及第11項並無違反專利法第20條第1項之規定。

雖證據A1和證據A2之組合尚難證明系爭專利A 申請專利範圍第1項及第11項不具進步性。

惟證據A1和證據A4之組合或證據A3和證據A4之組合可證明系爭專利A申請專利範圍第1項及第11項不具進步性。

六、系爭專利B專利有效性之技術分析：㈠系爭專利B（證據B1）之技術簡介：⒈系爭專利B之先前技術：系爭專利B 之發光二極體晶粒構造包含由藍寶石形成之一長方形絕緣基層、形成於絕緣基層上之一氮化鎵長晶層、形成於氮化鎵長晶層上之一氮化鎵緩衝層、形成於緩衝層上之一n 型氮化鎵接觸層、形成於n 型氮化鎵接觸層上之一n 型氮化鋁鎵束縛層、形成於n 型氮化鋁鎵束縛層上之一氮化銦鎵多重量子井發光層、形成於發光層上之一p 型氮化鋁鎵束縛層、形成於p 型氮化鋁鎵束縛層上之一p 型氮化鎵接觸層、形成於p 型氮化鎵接觸層上之一氧化銦錫透明導電層，其中一部份以蝕刻方式除去，俾露出部分p 型氮化鎵接觸層，形成於p 型氮化鎵接觸層之該露出部分上的一p 型Ti／Al前電極，並使前電極與透明導電層接觸，又由於藍寶石不導電，故須將發光二極體適當地蝕刻至n 型氮化鎵接觸層，然後在n 型氮化鎵接觸層上形成一n 型Ti／Al後電極，P 型電極與N 型電極並排於長方形晶粒表面之縱向，且皆與晶粒邊緣保持一適當距離，以免因電極未適當對正而產生任何不良後果，P 型電極與N 型電極之間亦保持一適當距離，以免此二電極間產生短路之不良後果。

⒉系爭專利B申請專利範圍：原告於起訴狀主張被告系爭產品侵害系爭專利B 原申請專利範圍第1 至5 項，被告主張系爭專利B 有專利無效之抗辯，並主張以被證13舉發理由書作為系爭專利B 有專利無效之抗辯之理由及主張，原告則以原證16專利舉發答辯理由作為答辯理由。

經查原告於上開舉發答辯理由主張依據現行專利法第64條第1項各款規定，申請更正申請專利範圍，其更正內容係將原申請專利範圍第2項至第4項併入原申請專利範圍第1項中，其更正前後之比對如附表3 。

故更正後申請專利範圍第1項為原申請專利範圍第4項之內容，而更正後申請專利範圍第2項為原申請專利範圍第5項，更正後申請專利範圍係刪除原第1 至3 項，保留第原第4 及5 項，更正後限縮了原申請專利範圍之內容，應屬可准予更正之情形，是以原告主張被告系爭產品侵害原申請專利範圍第1 至5 項本件訴訟應以業經更正後申請專利範圍第1項至第2項，其內容如下：⑴更正後申請專利範圍第1項為一種氮化鎵系III-V 族化合物發光二極體構造，包含：一長方形絕緣基層，具有一第一主表面與一第二主表面; 一個半導體疊層構造，具有一第一主表面、一第二主表面、及一第三主表面，此半導體疊層構造之第二主表面與該絕緣基層之第一主表面結合，且其第一主表面與第三主表面位於該絕緣基層之第一主表面的同一側，其第一主表面與第二主表面分別位於該半導體疊層構造之第三主表面的二相對側，此半導體疊層構造中包括：一發光層，具有一第一主表面與一第二主表面；

一第一半導體束縛層，具有第一導電性，且具有一第一主表面與一第二主表面，此第一半導體束縛層之第二主表面與該發光層之第一主表面結合；

一第二半導體束縛層，具有第二導電性，且具有一第一主表面與一第二主表面，此第二半導體束縛層之第一主表面與該發光層之第二主表面結合；

一第一半導體接觸層，具有第一導電性，且具有一第一主表面與一第二主表面，此第一半導體接觸層之第二主表面與該第一半導體束縛層之第一主表面結合；

一第二半導體接觸層，具有第二導電性，且具有一第一主表面與一第二主表面，此第二半導體接觸層之第一主表面與該第二半導體束縛層之第二主表面結合一緩衝層，具有一第一主表面與一第二主表面，此緩衝層之第一主表面與該第二半導體接觸層之第二主表面結合；

及一透明導電層，具有一第一主表面與一第二主表面，此透明導電層之第二主表面與該第一半導體接觸層之第一主表面中的一預定部分結合；

一第一電極，具有第一導電性，且與該半導體疊層構造之第一主表面結合，此第一電極與該第一半導體束縛層電連通；

以及一第二電極，具有第二導電性，且於一預定位置與該半導體疊層構造之第三主表面結合，此第二電極與該第二半導體束縛層電連通；

其中該透明導電層之構造係使得該第一電極能夠穿過該透明導電層而直接與該第一半導體接觸層間形成蕭基接觸，且該透明導電層與該第一電極間形成電接觸，該透明導電層與該第一半導體接觸層間形成歐姆接觸；

以及該第一電極與該第二電極實質上並排於該長方形之縱向中，且有自該第一電極至該第二電極之複數電流路徑（current paths ）依序通過該透明導電層、該第一半導體接觸層、該第一半導體束縛層、該發光層、及該第二半導體束縛層、及該第二半導體接觸層。

⑵更正後申請專利範圍第2項：依申請專利範圍第1項之一種氮化鎵系III-V 族化合物發光二極體構造, 其中該半導體疊層構造更包括：一長晶層，具有一第一主表面與一第二主表面，此長晶層之第一主表面與該緩衝層之第二主表面結合。

⒊系爭專利B圖式如附圖5所示。

㈡有效性證據之分析：⒈證據B2之技術分析（其圖式如附圖6所示）：證據B2說明書第〔0001〕段發明所屬技術領域欄揭示本發明係關於使用化合物半導體材料之發光二極體（LED ）與半導體雷射等半導體發光元件之結構及其製造方法，尤關於由氮化鎵（GaN ）系半導體所構成之半導體發光元件及其製造方法。

第[0027]段第1至4行揭示「圖1為本發明之第1實施形態之基本技術相關GaN系半導體積層結構之剖面圖。

圖中301為藍寶石（Al2O3）基板，於此藍寶石之一主表面上…」。

圖3顯示該發光元件之基板長方形基板，且第一電極308與第二電極307係並排於長方形基板縱向上。

說明書第〔0033〕段第1至7行揭示發光元件中之半導體疊層結構為以下結構：n型如附表1編號7所示（0≦x, y≦1）緩衝層 331… 50nm無摻雜（或n-型）GaN層 332…0.5μmn型GaN束縛層 302…4.0μm無摻雜如附表1編號7所示活性層 303…0.1μmp型GaN束縛層 304…0.5μmn型GaN cap層 305…0.1μm說明書第〔0033〕段第13至17行揭示「…電流注入用之n側電極307及p側電極308分別形成於n型GaN束縛層302表面之ㄧ部份及位於n型GaNcap層305上方之薄膜金屬層306表面之ㄧ部份。」

；

說明書第〔0039〕段第5行起揭示「…即將n側電極307形成預定部分以外以光阻覆蓋，將Au、Ti、Al、Ni等金屬材料以濺鍍或真空蒸鍍法沉積，其後去除光阻，即可僅於U溝333底部特定位置形成n側電極307。

p側電極308亦同。

」。

⒉證據B3之技術分析（其圖式如附圖7所示）：證據Ｂ3圖1揭示一LED10結構，其包括一基材12，基材上具有一緩衝層14，緩衝層上具有一n型氮化鎵系之低電阻半導體層之第一束縛層16，於半導體層上之具有摻質發光層18，於發光層上具有一p型氮化鎵系之低電阻半導體層之第二束縛層20，一電極24形成於緩衝層14上，一電極形成於p型半導體層上。

說明書第6欄第1至4行揭示「基材12可為藍寶石、SiC或氧化鋅」；

說明書第6欄第5至8行揭示「該緩衝層14可為氮化鎵系化合物」；

說明書第5欄第14至25行揭示「n型第一束縛層16係由一低阻抗之如附表1編號5所示所形成」；

說明書第5欄第26至32行揭示「p型第一束縛層20係由一低阻抗、摻雜有p型雜質之p型氮化鎵系化合物半導體（如附表1編號6所示）所形成」；

說明書第5至8行揭示「緩衝層14可由AlN或氮化鎵系化合物半導體所形成，較佳為如附表1編號10所示…」；

說明書第11欄第27至28行揭示「…一摻雜有雜質之如附表1編號8所示發光層18…」，第11欄第34至38行揭示「…n型GaN層32形成於緩衝層14上，厚度為例如4至5μm，並供作下述n-電極之接觸層。

n型接觸層32使…」，圖11及說明書第11欄第44至48行揭示「一p型GaN接觸層34形成於束縛層20上，厚度為例如500?至2μm。

該接觸層34與下述p電極構成較佳之歐姆接觸，並提升元件之發光效率。」

。

⒊證據B4之技術分析（其圖式如附圖8所示）：證據B4係揭示一種氮化鎵基化合物半導體裝置，其說明書第6至14行（構成）揭示於p型氮化鎵系化合物半導體層3表面幾乎全面形成有透光性第一電極11，並於前述第一電極11形成有貫穿該第一電極11之一部分之窗部13，進而於前述窗部1形成有與第一電極11電性連接之接合用第二電極12，進而第二電極12係較第一電極11更牢固地接著於p型氮化鎵系化合物半導體層3；

其說明書第〔0012〕段第1至3行揭示「作為特別容易獲致第一電極11與p型氮化鎵系化合物半導體之良好歐姆接觸的金屬，係使用Ni及Au。」

；

說明書第〔0016〕段第1至2行揭示「將第二電極12與第一電極11電性連接…」，第8至12行揭示「可自由形成第二電極12之膜厚，亦可使之形成非常薄而具有透光性。

例如作為與p層3之接著性非常良好之材料，可使用如Cr、Al、Au等之中之至少2種以上，或可單獨使用Al…」；

說明書第〔0015〕段揭示「第二電極12雖然可以與p層3形成歐姆接觸，但由於已經可以藉由第一電極11形成歐姆接觸，所以沒有特別形成歐姆接觸之必要」技術特徵。

⒋證據B5之技術分析：其說明書第1欄第37至50行揭示「一由例如藍寶石（單晶Al2O3）所構成之基板，於400℃至700℃之低溫形成約0.10至0.2μm由n型GaN層所構成之低溫緩衝層2，接著於700℃至1200℃之高溫供應相同氣體，形成約2至5μm由同組份之n型GaN所構成之高溫緩衝層3。

而該低溫緩衝層2係由多晶層所形成，以緩和因基板1與半導體單晶層之間之晶格不匹配所致之應力，接著施以700℃至1200℃轉化為單晶，於該單晶上層疊該高溫緩衝層3之單晶，以匹配晶格。」

；

說明書第12欄第14至16行揭示「…約0.01至0.2μm之由例如n型GaN這類氮化鎵型半導體所構成之低溫緩衝層2…」之技術特徵。

㈢系爭專利B有效性爭點之技術比對分析：⒈證據B2至B4之組合可證明系爭專利B正後申請專利範圍第1項不具進步性：⑴經查證據B3圖1及圖11係揭示一種氮化鎵系III-V族化合物發光二極體結構10，其包括一基材12，基材上具有一緩衝層14，緩衝層上具有一n型氮化鎵系之低電阻半導體層之第一束縛層16，於半導體層上之具有摻質發光層18，於發光層上具有一p型氮化鎵系之低電阻半導體層之第二束縛層20，一電極24形成於緩衝層14上，一電極形成於p型半導體層上。

其說明書第6欄第1至4行揭示基材12可為藍寶石、SiC或氧化鋅；

說明書第6欄第5至8行揭示該緩衝層14可為氮化鎵系化合物；

說明書第5欄第14至25行揭示n型第一束縛層16係由一低阻抗之如附表1編號5所示所形成；

說明書第5欄第26至32行揭示p型第一束縛層20係由一低阻抗、摻雜有p型雜質之p型氮化鎵系化合物半導體（如附表1編號6所示）所形成。

其說明書第5至8行揭示「緩衝層14可由AlN或氮化鎵系化合物半導體所形成，較佳為附1編號10所示…」；

說明書第11欄第27至28行揭示「…一摻雜有雜質之如附表1編號8所示發光層18…」，第11欄第34至38行揭示「…n型GaN層32形成於緩衝層14上，厚度為例如4至5μm，並供作下述n-電極之接觸層。

n型接觸層32使…」，圖11及說明書第11欄第44至48行揭示「一p型GaN接觸層34形成於束縛層20上，厚度為例如500A至2μm。

該接觸層34與下述p電極構成較佳之歐姆接觸，並提升元件之發光效率。」

。

⑵次查證據B2說明書第〔0001〕段揭示關於使用化合物半導體材料之發光二極體（LED）與半導體雷射等半導體發光元件之結構及其製造方法，尤關於由氮化鎵（GaN）系半導體所構成之半導體發光元件及其製造方法。

其說明書第〔0027〕段第4行揭示「圖1為本發明之第1實施形態之基本技術相關GaN系半導體積層結構之剖面圖。

圖中301為藍寶石（Al2O3）基板，於此藍寶石之一主表面上…」之技術特微。

圖3顯示該發光元件之基板長方形基板，且第一電極308與第二電極307係並排於長方形基板縱向上。

又說明書第〔0033〕段第17行揭示發光元件中之半導體疊層結構為以下結構：n型如附表1編號7所示（0≦x, y≦1）緩衝層331、無摻雜（或n-型）GaN層332、n型GaN束縛層302）、無摻雜如附表1編號8所示活性層303、p型GaN束縛層304及n型GaN cap層305，說明書第〔0033〕段第13至17行揭示「…電流注入用之n側電極307及p側電極308分別形成於n型GaN束縛層302表面之一部份及位於n型GaNcap層305上方之薄膜金屬層306表面之一部份。」

之技術特徵。

⑶比對證據B3與系爭專利B更正後申請利範圍第1項，可知證據B3圖11揭示了系爭專利B之氮化鎵系III-V族化合物發光二極體30構造，包含：一絕緣基層12，具有一第一主表面與一第二主表面；

一個半導體疊層構造（由34、20、18、16、32、14組成），具有一第一主表面（26及34接面）、一第二主表面（14、12接面）及一第三主表面（24，32接面），此半導體疊層構造之第二主表面與該絕緣基層12之第一主表面結合，且其第一主表面與第三主表面位於該絕緣基層12之第一主表面的同一側，其第一主表面與第二主表面分別位於該半導體疊層構造之第三主表面的二相對側，此半導體疊層構造中包括：一發光層18，具有一第一主表面與一第二主表面；

一第一半導體束縛層20，具有第一導電性，且具有一第一主表面與一第二主表面，此第一半導體束縛層20之第二主表面與該發光層18之第一主表面結合；

一第二半導體束縛層16，具有第二導電性，且具有一第一主表面與一第二主表面，此第二半導體束縛層16之第一主表面與該發光層18之第二主表面結合；

一第一半導體接觸層34，具有第一導電性，且具有一第一主表面與一第二主表面，此第一半導體接觸層34之第二主表面與該第一半導體束縛層20之第一主表面結合；

一第二半導體接觸層16，具有第二導電性，且具有一第一主表面與一第二主表面，此第二半導體接觸層16之第一主表面與該第二半導體束縛層16之第二主表面結合；

一緩衝層14，具有一第一主表面與一第二主表面，此緩衝層14之第一主表面與該第二半導體接觸層32之第二主表面結合；

一第一電極26，具有第一導電性，且與該半導體疊層構造之第一主表面結合，此第一電極與該第一半導體束縛層20電連通；

以及一第二電極24，具有第二導電性，且於一預定位置與該半導體疊層構造之第三主表面結合，此第二電極24與該第二半導體束縛層電連通。

證據B3未揭示系爭專利B之「透明導電層，其中該透明導電層之構造係使得該第一電極能夠穿過該透明導電層而直接與該第一半導體接觸層間形成蕭基接觸，且該透明導電層與該第一電極間形成電接觸，該透明導電層與該第一半導體接觸層間形成歐姆接觸；

以及該第一電極與該第二電極實質上並排於該長方形之縱向中」之技術特徵。

又查證據B2揭示一種化合物半導體材料之發光二極體（LED）與半導體雷射等半導體發光元件之結構，其說明書圖3顯示該發光元件之基板長方形基板，且第一電極308與第二電極307係並排於長方形基板縱向上之技術特徵。

另查證據B4揭示一種氮化鎵基化合物半導體裝置，其說明書第6至14行揭示於p型氮化鎵系化合物半導體層3表面幾乎全面形成有透光性第一電極11，並於前述第一電極11形成有貫穿該第一電極11之一部分之窗部13，進而於前述窗部13形成有與第一電極11電性連接之接合用第二電極12，進而第二電極12係較第一電極11更牢固地接著於p型氮化鎵系化合物半導體層3；

其說明書第〔0012〕段第13行揭示「作為特別容易獲致第一電極11與p型氮化鎵系化合物半導體之良好歐姆接觸的金屬，係使用Ni及Au。」

，第8至12行揭示「可自由形成第二電極12之膜厚，亦可使之形成非常薄而具有透光性。

例如作為與p層3之接著性非常良好之材料，可使用如Cr、Al、Au等之中之至少2種以上，或可單獨使用Al…」；

說明書第〔0015〕段揭示「第二電極12雖然可以與p層3形成歐姆接觸，但由於已經可以藉由第一電極11形成歐姆接觸，所以沒有特別形成歐姆接觸之必要」之技術特徵。

再者，兩造爭執證據B4是否有已揭示系爭專利之第一電極與第一半導體接觸間形成蕭基接觸之技術特徵，原告於原證16被舉發案答辯書第6頁主張「證據B4所揭示不形成歐姆接觸係一種不確定之上位概念，至少包含絕緣接觸及蕭基接觸等，證據B4中並無具體之技術描述、揭露或教示，更無法使發明所屬技術領域中具通常知識者，自說明書或圖式所記載事項，能直接且無歧異得到系爭專利B中第一電極與第一半導體接觸層之間係形成蕭基接觸之技術揭露」，且於民事準備㈣狀第20頁主張「沒有特別形成歐姆接觸之必要」單句文義，除至少可文意涵蓋「形成『絕緣接觸』或『蕭基接觸』外，在解釋上甚至可以包含『形成歐姆接觸』」等云云，惟半導體技術領中具有通常知識者皆知，金屬與半導體接觸大致分成歐姆接觸與蕭基接觸，至於兩者之接觸為歐姆接觸或蕭基接觸，取決於金屬與半導體之功函數，對於p型氮化鎵而言，若要與其形成蕭基接觸，則該金屬之功函數必須要小於p型氮化鎵之功函數，對於n型氮化鎵則相反，即若要與其形成蕭基接觸則該金屬之功函數必須要大於n型氮化鎵之功函數，如同原告於原證16被舉發案答辯書第6至7頁所稱「舉例而言，鋁之功函數（work function）係小於n型氮化鎵（GaN）之功函數，其本質上將與n型氮化鎵形成歐姆接觸；

金的功函數係大於n型氮化鎵之功函數，其本質將與n型氮化鎵形成整流接觸（蕭基接觸）」等語，故以鋁金屬與n型氮化鎵可形成歐姆接觸，則鋁與p型氮化鎵會形成蕭基接觸，此乃化合物半導體半導體製作領域中具通常知識者所知悉之知識或技術，一般而言，電極與半導體之間會形成一歐姆接觸以降低其阻抗，系爭專利B係採用「形成透明導電層，其中該透明導電層之構造係使得該第一電極能夠穿過該透明導電層而直接與該第一半導體接觸層間形成一蕭基接觸，且該透明導電層與該第一電極間形成電接觸，該透明導電層與該第一半導體接觸層間形成歐姆接觸」，以避免在不透光之前電極19之正下方產生發光作用，而能增進發光效率。

惟由證據B4所揭示「第一電極11與p型氮化鎵系化合物半導體3之良好歐姆接觸的金屬」及「第二電極12可使用如Cr、Al、Au等之中之至少2種以上，或可單獨使用Al之材料」，證據B4說明書第〔0015〕段已揭示「第二電極12雖然可以與p層3形成歐姆接觸，但由於已經可以藉由第一電極11形成歐姆接觸，所以沒有特別形成歐姆接觸之必要」，由證據B4之教示可知，當第二電極使用鋁金屬與p型氮化鎵半導體接觸時係形成一蕭基接觸，故證據B4已揭示了系爭專利B申請專利範圍第1項之「透明導電層，其中該透明導電層之構造係使得該第一電極能夠穿過該透明導電層而直接與該第一半導體接觸層間形成蕭基接觸，且該透明導電層與該第一電極間形成電接觸，該透明導電層與該第一半導體接觸層間形成歐姆接觸」之技術特徵，比較系爭專利B與證據B2至B4皆為三五族氮化鎵系化合物半導體發光二極體之相同技術領域，其組合對於發明所屬技術領域中具通常知識者而言應為明顯。

再者，系爭專利B更正後申請專利範圍第1項係證據B2至B4之技術組合，組合後之發明且並未較證據B2至B4產生無法預期之功效，故系爭專利B 更正後申請專利範圍第1項乃運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成。

⒉證據B2至證據B5之組合或系爭專利A說明書所自承之先前技術（圖1，日亞化學論文）及證據B2至證據B4之組合可證明系爭專利B更正後申請專利範圍第2項不具進步性：⑴關於系爭專利B更正後申請專利範圍第2項其進一步限定半導體疊層構造包含一長晶層，具有一第一主表面與一第二主表面，此長晶層之第一主表面與該緩衝層之第二主表面結合。

經查證據B2至B4雖未揭示於半導體疊層中具有長晶層（nucleation layer）之構造。

惟熟習該項技術者皆知，長晶層其作用乃在平衡磊晶層與基材間之材質不同所產生應力之問題，其乃化合物半導體磊晶技術中所使用之一通常技術，如系爭專利A之圖1（日亞化學所發表之論文）中已揭示於藍寶石基材上先形成一GaN核化層17A，之後再形成GaN緩衝層16，之後再進行磊晶成長，該先前技術中之所謂核化層其原文為nucleation layer，即系爭專利B更正後申請專利範圍第2項之長晶層，兩者僅為譯文之不同，其在一半導體磊晶結構中所欲達成之目的相同。

⑵再者，證據B5說明書第1欄第37至50行揭示「一由例如藍寶石（單晶Al2O3）所構成之基板，於400℃至700℃之低溫形成約0.10至0.2μm由n型GaN層所構成之低溫緩衝層2。

接著於700℃至1200℃之高溫供應相同氣體，形成約2至5μm由同組份之n型GaN所構成之高溫緩衝層3，該低溫緩衝層2係由多晶層所形成，以緩和因基板1與半導體單晶層之間之晶格不匹配所致之應力，接著施以700℃至1200℃轉化為單晶，於該單晶上層疊該高溫緩衝層3之單晶，以匹配晶格。」

，其中之低溫緩衝層即具有系爭專利B之長晶層之功效。

⑶原告於98年8月24日以民事答辯四狀主張「系爭專利A係申請在先，而於系爭利B申請後始公告，依據系爭專利B核准審定時之專利法第20條之1規定，系爭專利A不具有評價系爭專利B進步性之證據能力。

被告所有證據之結合無法證明更正後請求項不具進步性」等云云，惟被告所引用技術係為系爭專利A說明書所自承之先前技術，其為日亞化學所發表之論文，且查系爭專利A之申請日為87年4月15日，故該論文之公開日期係應早於系爭專利A之申請日，即該論文應於87年4月15日前即已公開之文獻，其亦早於系爭專利B之申請日（88年9月7日），故該論文為系爭專利B申請前之先前技術，其當可作為系爭專利B不具進步性之適格引證。

⑷綜上所述，系爭專利B 更正後申請專利範圍第2項之技術特徵於系爭專利A 說明書所自承之先前技術或證據B5已揭示，整體觀之，系爭專利B 更正後申請專利範圍第2項為證據B2至B5之組合或系爭專利A 之說明書所自承之先前技術（圖1 ，日亞化學之論文）與證據B2至證據B4之組合，並未產生無法預期之功效，故系爭專利B 更正後申請專利範圍第2項為發明係運用申請前既有之知識或技術，而為熟習該項技術者所能輕易完成。

是以，證據B2至B4之組合可證明系爭專利Ｂ更正後申請專利範圍第1項不具進步性; 證據B2至B5之組合或系爭專利A 所自承之先前技術及證據B2至B4之組合可證明系爭專利Ｂ更正後申請專利範圍第2項不具進步性。

七、依上所述，證據A1和證據A4之組合或證據A3和證據A4之組合可證明系爭專利A 申請專利範圍第1項及11項不具進步性；

證據B2至B4之組合可證明系爭專利B 更正後申請專利範圍第1項不具進步性、證據B2至B5之組合或系爭專利A 說明書所自承之先前技術（即日亞化學論文）與證據B2至證據B4之組合亦可證明系爭專利B 申請專利範圍更正後第2項不具進步性，亦即系爭專利A 、B 依被告所提上述二件證據均足以證明其有得撤銷之原因，則依智慧財產案件審理法第16條第2項規定，原告之系爭專利A 、B 於本件民事訴訟中自不得對於被告主張權利。

從而原告主張被告所製造並銷售之系爭產品與系爭專利A 申請專利範圍第1項、第11項及系爭專利B更正後申請專利範圍第1項、第2項實質相同，有侵害原告所有系爭專利A 、B ，應負損害賠償責任，而請求如訴之聲明所示，核無理由，應予駁回，其假執行之聲請亦失所依附，應併駁回。

八、本件既因原告之系爭專利A 申請範圍第1項、第11項及系爭專利B 更正後申請範圍第1項、第2項均有應撤銷之原因而不得對被告主張權利，則被告所製造並販售系爭產品，是否與系爭專利A 申請範圍第1項、第11項及系爭專利B 更正後申請範圍第1項、第2項實質相同，而有侵害原告所有系爭專利A 、B ，原告請求之損害賠償數額是否正當有據，以及原告請求被告就其系爭產品及其他落入系爭專利A 申請專利範圍之發光二極體晶粒產品，暨系爭產品及其他落入系爭專利B 申請專利範圍之發光二極體晶粒產品，應停止自行或使他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口是否有理由，均已無加以審究之必要，其餘之攻擊防禦方法及訴訟資料，亦因與本件判決結果不生影響，故均不再一一論述，應予敘明。

九、據上論結，原告之訴為無理由，依民事訴訟法第78條，判決如主文。

中 華 民 國 98 年 9 月 21 日
智慧財產法院第二庭
法 官 曾啟謀
以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。
中 華 民 國 98 年 9 月 21 日
書記官 王月伶