臺灣臺中地方法院民事-TCDV,95,智,27,20090331,2

臺灣臺中地方法院民事判決 95年度智字第27號
原 告 羅門哈斯研磨材料控股公司即Rohm and Haas Elec
tronic Ma
街110
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法定代理人 Russell H
訴訟代理人 潘昭仙 律師
複代理人 馮達發 律師
吳梓生 律師
乙○○
被 告 智勝科技股份有限公司
樓
法定代理人 甲○○
訴訟代理人 方雍仁 律師
蔡雅蓯 律師
楊啟宏 律師
上列當事人間請求損害賠償等（專利權）事件，於民國98年3月10日言詞辯論終結，本院判決如下：

主 文

原告之訴及假執行之聲請均駁回。

訴訟費用由原告負擔。

事實及理由

一、兩造之主張：㈠原告起訴主張：⒈原告為發明第176078號（公告編號：528646號）「化學機械平面化之拋光襯墊」專利（原專利權人登記為羅德爾控股公司，嗣經經濟部智慧財產局核准更改專利權人名稱為原告）之專利權人，專利期間自民國92年4月21日至起110年5月24日止。

⒉被告明知未經專利權人即原告之授權，即製造涉嫌侵害原告前開專利權之「半導體工業用化學機械平面化之拋光襯墊」產品（產品編號：IVT-1002/775B），並向原告之客戶即訴外人力晶半導體股份有限公司（下稱力晶公司）等宣稱其所生產之「半導體工業用化學機械平面化之拋光襯墊」產品可取代原告之產品，故力晶公司曾於致原告之產品訂購單（Purchase Order）上記載：「PAD IC1010-A430.5/P06545(IVT-1002/775B)」（意即：原告之「PAD IC1010-A4 30.5/P06545」與被告之「IVT-1002/775B」產品具替代性），顯見被告係仿照系爭專利內容，製造侵權產品，且被告已於93年下半年正式量產編號「IVT-1002/775B」侵權產品，並銷售予力晶公司，是被告係不法侵害系爭專利之行為，自堪認定。

⒊按物品專利權人，除本法另有規定外，專有排除他人未經其同意而製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口該物品之權，專利法第56條第1項定有明文。

而發明專利權受侵害時，專利權人得請求賠償損害，並得請求排除其侵害，有侵害之虞者，得請求防止之，同法第84條第1項亦有明文。

被告未經原告同意，擅自使用原告所有系爭專利，製造編號「IVT-1002/775B」之產品，並販賣予原告之主要客戶之一即訴外人力晶公司，該等產品之技術特徵既已落入系爭專利之申請專利範圍，被告顯已侵害原告之專利權。

原告自得依上開規定，請求排除其侵害，並得請求被告賠償損害。

⒋財團法人工業技術研究院於本件鑑定顯有重大錯誤，實不足採信。

⑴工研院本件測試條件違反兩造協議。

按本件鑑定之動態機械分析之測試條件，兩造同意採用美國測試及材料協會 (ASTM)標準D 5418-01、D 4065-01、D 4092-01及D2240-05，並且頻率定為1.6Hz、升溫速率定為2℃/min，振幅定為20μm、預荷力定為0.01N、Force Track定為125%。

惟查，工研院於本件鑑定之動態機械分析測試條件竟僅有「頻率1.6Hz、升溫速率2℃/min」（見該報告第5頁第5行至第6行），完全違反兩造協議所設之測試條件。

⑵工研院並未依照本院之指示，對系爭專利進行鑑定，即系爭專利申請專利範圍第1至第7項共計七項包含張力模數E'(30/90)的比例、張力模數E'(40℃)的值、能量損失因子KEL在40℃的值、Shore D之值、樣品在室溫（約25℃）下在去離子水中浸泡24小時之前和之後的長度、寬度、厚度、以及Shore D硬度的變化量、以及粗糙度等，而僅對申請專利範圍第1項關於張力模數E'(30/90)的比例作量測。

⑶關於動態機械分析圖譜，在儲存模數即左側縱座標，無論學術或產業界，並非採取傳統的線性座標（即每一單位僅有一倍的差距，例如第1格為「1」，第2格為「2」），而是採用log座標（即每一單位有十倍的差距，例如第1格為「100」，第2格為「1000」），此參原告所提出之台灣大學嚴慶齡工業發展基金會合設工業研究中心出具之專利鑑定報告、原告另請工研院測試之報告、以及被告於舉發案所提出之相關科學文獻即知。

工研院本件鑑定報告一反學術及產業傳統，特別採用線性縱座標，而非log縱座標。

此其間是否另有隱情，實令原告質疑。

⑷兩造由同一研磨墊裁剪之六份樣品，工研院之測試結果差異甚大，顯見其測試非常不精準。

以30℃儲存模數為例，工研院關於A1測出之結果為「9.63E+06」（即9,630,000），而A2之結果則為「1.55E +07」（即15,500,000），數值竟為A1數值的近兩倍（見該報告第6頁）。

⑸工研院本件報告所採用數據大有疑義。

以A2樣品測試結果為例，30℃儲存模數為「1.55E+07」，90℃儲存模數為「3.00E+06」，惟參考其圖譜清楚可知，30℃儲存模數與90℃儲存模數之數值並非上開所載之數值。

況，工研院並未提供其量測之原始數據，僅單憑十分粗造之儲存模數與溫度關係的圖示，實在無從判斷圖示與量測數據是否一致，又或其誤差範圍為何。

⑹關於內部阻尼 (tan delta)圖譜，六份樣品幾乎不同。

以A3與B1-1樣品為例，A3計有分別在70.01℃、130.65℃及202.26℃等三個內部阻尼峰，但是B1-1則是在79.06℃、134.34℃、202.35℃及222.53℃等四個內部阻尼峰；

此外，該兩份樣品之內部阻尼峰間之相對強度、形狀差距亦很大。

若是兩樣品係採自同一產品，縱為不同人裁剪，兩樣品所測試出來的內部阻尼峰數目應相同，相對強度、形狀亦應大同小異，但是為何工研院測試出來的結果卻有如此差異？依一般具有此專業技術者予以判斷，可認定A3與B1-1樣品應分屬不同產品，而非同一產品。

再比較同為相對人所剪裁之B1-1與B1-2樣品，B1-2在74.51℃、131.64℃及204.59℃等三個內部阻尼峰，與B1-1亦完全不同，工研院是否採用本院交付之六份樣品進行測試，令人懷疑。

⑺工研院於96年3月19日以工研轉字第0960003084號函表示，請兩造自行剪裁樣本，本院乃於96年4月11日命兩造各依工研院指示，剪裁符合工研院DMA夾具之尺寸，即「5（寬）×15（長）公釐」，各三片樣本。

然依工研院所提供之原始數據可知，其檢測樣本竟是「3.9（厚）×5.0（寬）×5.9（長）公釐」。

換言之，工研院未獲兩造同意，即擅自剪裁〝不符尺寸〞之樣本作為本件檢測之樣本，是其檢測條件顯然錯誤，則其DMA檢測數據自不能採信。

且DMA檢測之樣本必須是長條形，如此方能得到正確之相關張力數據，此亦是工研院指示樣本剪裁應為「5（寬）×15（長）公釐」之理由。

惟工研院本次DMA檢測樣本卻是「5.0（寬）×5.9（長）公釐」，亦即工研院是以略呈正方形之樣本進行檢測，完全違背DMA檢測方法之要求，足見工研院本件DMA檢測數據，根本不足採信⑻衡諸檢測標準，檢測前應先進行校正，並應隨即進行檢測，以免校正與檢測時間差距過大，致檢測儀器再度產生偏差，而使數據失真。

然依工研院所提供之檢測條件可知，其DMA係在96年8月9日校正，而六片樣本檢測卻在至少三個月以後，即分別在96年11月6日（樣本A1）、96年11月7日（樣本A2）、97年1月24日（樣本A3及樣本B1-1）及97年3月26日（樣本B1-2及樣本B1-3）。

換言之，工研院檢測此六片樣本時，其96年8月9日校正早已失效，則工研院檢測此六片樣本顯係在未校正DMA之情形下所為，益徵其鑑定報告之數據不足採信。

⒌原告係於90年5月25日向智慧財產局申請系爭專利，並主張優先權日為89年（即西元2000年）5月27日（美國專利申請案第60/207,938號）及89年7月28日（美國專利申請案第60/222,099號）。

系爭第078號專利共計10項申請專利範圍，其中第1項與第8項為獨立項，第2項至第7項為第1項之附屬項，第9項至第10項為第8項之附屬項。

⑴系爭專利申請專利範圍第1項實具新穎性及進步性①引證一部分：系爭審定書援引引證一，略以：「引證一係2000年 4月公開之『Dynamic Mechanical Analysis (DMA) of CMP pad material』論文，其公開日期早於系 爭專利之優先權日，係使用DMA來分析化學機械研 磨墊之特性相關，CMP研磨墊常被用來拋光半導體 晶圓，以全面平坦化半導體晶圓之表面，該引證一 之第1圖揭露IC1000與SubaIV研磨墊之DMA測試結果 圖，由上圖可知IC1000研磨墊之E'(30℃)約為376M pa，而E'(90℃)約為132Mpa。

因此，E'(30℃)/E'( 90℃) 之比值為2.51，亦係落在系爭專利請求項第1項之範圍內（1-3.6）」，而認為申請專利範圍第1項不具新穎性。

然引證一所引用者乃剪力彈性模 數，與系爭第078號專利所引用之張力彈性模數不 同，兩者分屬不同概念。

按專利審查基準規定：「 判斷發明有無新穎性時，應以發明之技術內容比對 是否相同為準」（附件1-3）。

查引證一第E7.3.1 頁至第E7.3.2頁所定義之stor age modulus即G'， 實為剪力彈性模數 (shear stora ge modules)， 此參美國國家標準局制定之DMA 標準詞彙D4092-90 即明（附件1-4）。

惟，系爭第078 號專利申請專 利範圍第1項的E'，則是張力彈性模數 (tensile storage modules)（見系爭第078號專利說明書第2 4頁第15行）。

顯見兩者完全不同，分屬於不同概 念；

則縱然數字相同，亦非相同意義。

況引證一是 在頻率為1Hz下進行量測，亦與系爭第078號專利係 在頻率為10弳度（即1.6Hz）下進行量測，明顯不 同。

眾所週知，不同的測試條件對樣品的特性會產 生極為不同的影響，故兩者在不同測試環境下量測 所得之值，實無從直接拿來作為比較的基礎。

引證一之公開日期並未早於系爭第078號專利之優 先權日。

按「主張優先權者，其專利要件之審查， 以優先權日為準」，系爭第078號專利核准時專利 法第24條第4項定有明文。

查系爭第078號專利所主 張之優先權日既為89年5月27日及89年7月28日，則 依上開專利法第24條第4項規定，對之舉發所提證 據之公開日期，須早於「89年5月27日」或「89年7 月28日」，方為適法。

查引證一僅載有出版年份即 「2000年（即民國89年）」，依專利審查基準第1- 9-35頁規定，引證一之公開日期應被推定為2000年 12月31日，晚於系爭第078號專利之優先權日，故 不得作為系爭第078號專利之舉發證據。

引證一實 係登載於Materials Research Society（下稱「MR S」）2001年出版之「Chemical-M echanical Poli shing 2000-Fundamentals and Mate rials Issue s」一書內（即舉發人所提出證據2-1）。

MRS之經 理Eileen Kiley曾明確表示：引證一首次出版於20 01年2月23日（"This letter confirms that'Dyna mic Mechanical Analysis (DMA) of CMP Pad Mate rials（即引證一）, "paper E7.3 from Mat. Re s. Soc. Symp. Proc., Vol. 613, was first pub lished on February 23, 2001."，附件1-6）。

足 見，引證一之公開日顯然晚於系爭第078號專利之 優先權日。

系爭審定書關於「IC1000研磨墊之E'(30℃)約為37 6Mpa，而E'(90℃)約為132Mpa」之認定，顯屬不法 。

依現行專利審查基準第2-3-5頁規定，「引證文 件包括圖式者，若無文字說明，僅圖式明確揭露之 技術特徵始屬於引證文件的一部分，而由圖式推測 的內容，例如從圖示直接量測之尺寸，則不屬於引 證文件的一部分」（附件1-9）。

準此，引證一第1 圖並未明白揭示E'於30℃及90℃之數值，依上開專 利審查基準之規定，自不得從引證一第1圖中測量 出E'於30℃及90℃之數值，以作為舉發證據。

且引 證一第1圖關於Storage Modulus(MPa)之座標乃是 log座標，一般人並無法由引證一第1圖中合理推斷 IC1000研磨墊之E'於30℃及90℃之數值，則系爭審 定書逕認定「IC1000研磨墊之E'(30℃)約為376Mpa ，而E'(90℃)約為132Mpa」，顯屬率斷。

②引證二部分：引證二無法否認系爭第078號專利申請專利範圍第1項之新穎性。

按專利審查基準規定：「判斷發明 有無新穎性時，應以發明之技術內容比對是否相同 為準」。

查系爭第078號專利申請專利範圍第1項之 前言部分明確限定其技術特徵為「一種用來平面化 一半導體元件或其先質表面之拋光墊」，而引證二 之技術特徵則是應用於研磨具有高分子纖維之被襯 磨削表面，且綜觀引證二，其並未揭露系爭第078 號專利之「一種用來平面化一半導體元件或其先質 表面之拋光墊」之技術內容，足見兩者技術特徵完 全不同。

且引證二與系爭第078號專利並非同一技 術領域，自非系爭第078號專利之先前技術。

蓋系 爭第078號專利申請專利範圍第1項之技術領域乃是 關於使用於拋光半導體元件或其先質表面之拋光墊 ，引證二則是關於一高度填充之研磨接合劑之形成 ，其揭露之組合成分係用於磨削表面（grinding surfaces），而非用於半導體表面之平面化或拋光 (planarization of semiconductor surfaces)， 是兩者並非同一技術領域。

依現行專利審查基準第2-3-5頁規定，「引證文件 包括圖式者，若無文字說明，僅圖式明確揭露之技 術特徵始屬於引證文件的一部分，而由圖式推測的 內容，例如從圖示直接量測之尺寸，則不屬於引證 文件的一部分」。

準此，引證二第43欄之第13表與 第7圖完全未揭露E'之30℃與90℃之實際數值為何 ，依前開專利審查基準第2-3-5頁規定，自不得從 第43欄之第13表與第7圖中測量出E'於30℃及90℃ 之數值，以作為舉發證據之一部份。

且引證二第7 圖乃是一不精準之圖譜，且垂直座標單位為log座 標，一般人並無法由此圖中合理推斷IC1000研磨墊 之E'於30℃及90℃之數值，則智財局審定書逕認定 「其拋光層之E'(30℃)約為7579Mpa，而E'(90 ℃) 約為5578Mpa」，顯屬率斷。

③引證三部分：引證三無法否認系爭第078號專利申請專利範圍第1項之新穎性。

按專利審查基準規定：「判斷發明有無新穎性時，應以發明之技術內容比對是否相同為準」。

查，系爭第078號專利申請專利範圍第1項之前言部分明確限定其技術特徵為「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光墊」，引證三則係用來研磨具有彈性紀錄媒材（即磁頭），且綜觀引證三，其並未揭露系爭專利之「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光墊」之技術內容，足見兩者技術特徵完全不同。

引證三與系爭第078號專利並非同一技術領域，自非系爭專利之先前技術。

系爭專利是關於使用於拋光半導體元件或其先質表面之拋光墊。

反觀引證三，係關於一無機填充劑及包含一玻璃狀聚合物及一橡膠態聚合物之接合劑，其適用於製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具上，主要係利用在如磁碟機磁頭的研磨技術上。

是以，兩者並非同一技術領域。

又引證三之三個實施例，均未揭露E'之30℃與90℃之實際數值為何，依專利審查基準第2-3-5頁規定，自不得從該實施例中測量出E'於30℃及90℃之數值，以作為舉發證據之一部份。

且該三個實施例均非線性圖譜，則該審定書究竟憑何認定其E'之30℃與90℃之數值？④證據二十部分：證據二十所使用之G'乃是一剪力彈性模數，此參證據二十第602頁第2.1節即明。

故，系爭審定書所援引證據二十第603頁之"3.3 The temperature effect"及第604頁第4圖俱是關於G'(即剪力模數)之相關資料，並非系爭第078號專利申請專利範圍第1項所界定之E'。

按認定不具新穎性之前提為兩者相同，而證據二十揭露之G'既非系爭第078號專利所界定之E'，則證據二十自不足以否定申請專利範圍第1項之新穎性。

依專利審查基準第2-3-5頁規定，「引證文件包括圖式者，若無文字說明，僅圖式明確揭露之技術特徵始屬於引證文件的一部分，而由圖式推測的內容，例如從圖示直接量測之尺寸，則不屬於引證文件的一部分」。

準此，系爭審定書所提之證據二十，均未揭露E'之30℃與90℃之實際數值為何，依上開專利審查基準第2-3-5頁規定，自不得從該實施例中計算出E'於30℃及90℃之數值，以作為舉發證據之一部份。

尤有甚者，系爭第078號專利申請專利範圍第1項關於E'(30℃)/ E'(90℃)之比值，乃是針對在未浸泡於水的情形之數據，惟證據二十所揭露者，則是將襯墊浸泡於水中24小時後並維持仍為溼潤的襯墊狀態下，所得之測試結果（即證據二十第603頁）。

⑤證據二十一部分：上揭審定書援引證據二十一，略以：「舉發證據二十一…係揭示一種拋光襯墊，其第6頁第28-30行揭示在30℃與90℃時張力模數比例約為1到2.5，係落在系爭專利請求項之第1項之範圍中（1-3.6）」等語，故認為系爭第078號專利申請專利範圍第1項不具新穎性。

惟查，系爭審定書上開認定，顯與事實不符。

蓋證據二十一第6頁第28-30行係謂：「…30℃時之張力模數與60℃時之張力模數比例在1到2.5之間…」，並非E'(30℃)/ E' (90℃)之比值。

⑵系爭專利申請專利範圍第8項部分：爭第078號專利申請專利範圍第8項之前言部分明確限定其技術特徵為「一種用來拋光一半導體晶圓之金屬鑲嵌結構的方法」，在說明書第14頁 (即發明說明第10頁)的描述中，亦明白指出系爭第078號專利為用於金屬CMP之襯墊，而各個實施例亦均描述是用來拋光晶圓表面的銅金屬連線之用。

惟引證一在摘要第8行後段即明白指出：「IC1000拋光墊是用來拋光氧化層之用」，明顯與申請專利範圍第8項的技術特徵不同，且分屬不同技術領域，故無法據以組合其他引證案，以核駁申請專利範圍第8項不具進步性，其理甚明。

且引證一、證據二十、證據二十一及證據二十二均未揭露系爭專利技術特徵4.「該拋光層具有：一約為40到70 Shore D的硬度；

一在40℃時約為100到2,000 Mpa的張力模數；

一約為100到1,000（1/Pa在40℃時）的KEL以及一在30℃到90℃時約為1到5的E'比。」

已如前述，則其等自不足以否定該第8項之新穎性。

又縱認證據十載明上開技術特徵1與2，惟鑑於引證一、引證四、證據二十一及證據二十二均未揭露上開系爭第078號專利申請專利範圍第8項之技術特徵4.，從而，無論是引證一、引證四、引證九之組合，或引證一、引證九、證據二十一、證據二十二之組合均不足以否定系爭專利申請專利範圍第8項之進步性。

⒍聲明：⑴被告不得使用中華民國發明第176078號（公告編號：528646號）「化學機械平面化之拋光襯墊」專利，並應停止自行或委由他人設計、製造、販賣、為販賣之要約、使用、陳列編號為「IVT-1002/775B」之拋光襯墊產品，亦不得為任何其他侵害中華民國發明第176078號專利之行為。

⑵被告應給付原告2,000,000元，及自95年4月11日起至清償日止按年息5%計算之利息。

⑶願供擔保為假執行之宣告。

㈡被告則以：⒈查本件被告公司為國內知名之拋光襯墊產品製造商，被告公司依其自有技術所研發生產之產品品質優良，且其技術已依法申請及取得專利權，所生產之產品並無侵害他人專利權之情事。

又侵權行為，須以故意或過失不法侵害他人之權利為要件，設若主張權利之人，無權利可資主張，而行使權利，自與侵權行為之法定要件不符，要無侵權行為之可言。

本件原告公司據以主張之發明第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊」專利經被告委由專業機構進行研究分析後發現原告所主張之專利權，依核准時之專利法第20條第1項第1款及第2項之規定（即現行專利法第22條第1項第1款及第2項）之規定，有依法不應給予專利之事由，且不具新穎性及進步性，應撤銷其專利權，是被告自無侵權行為之可言。

蓋原告公司所獲准之前揭發明專利，係於90年5月25日向我國經濟部智慧財產局申請。

然該專利權之請求項第1、3、4項於申請前早已於2000年4月間見諸於國際知名之「CMP研磨墊材料之動態機械分析」刊物（Dynamic Mechanical Analysis (DMA) of CMP PadMaterials）；

甚且，該專利權之請求項第1項，更早已為1996 年12月3日公告之美國第0000000號專利及1996年12月3日公告之美國第0000000號專利所揭露。

且原告所主張之系爭專利權之請求項第2、5、6、7、8、9、10項，於原告申請系爭專利權前已為國際著名之刊物及美國公告專利所揭露，前揭技術領域及技術內容為熟習該項技術者所熟知，並不具進步性。

且經被告向經濟部智慧財產局提出舉證申請，經該局以97年智專三㈢05056字第09720177310號審定書作成「舉發成立，應撤銷專利權」之結論，有審定書及被告於該舉發案提出之書狀及證物可證。

因此，系爭專利權既經經濟部智慧財產局審定認舉發成立，應撤銷其專利權，原告之主張，自失所附麗，而無理由。

⒉原告雖主張被告公司編號「IVT-1002/775B」之產品侵害其IC系列產品等語。

然經被告初步比對被告編號「IVT-1002/775B」之產品與原告之IC系列產品，兩者產品即有顯著之不同：⑴)由光學顯微鏡等倍率橫切面照片比較可知，被告公司編號「IVT-1002/775B」之產品為單層研磨墊，然原告公司的IC-系列產品為雙層拋光襯墊。

兩者不僅結構設計截然不同外，厚度及溝槽尺寸更係截然不同。

⑵被告公司編號「IVT-1002/775B」之產品與原告公司之IC-系列產品有截然不同的溝槽設計，原告公司之IC-系列產品中央並無溝槽，然反觀被告公司編號「IVT-1002/775B」之產品中央不僅具有溝槽，正中心更具有一圓形凹槽，此一設計可避免研磨墊在研磨造成缺陷，被告公司並已獲得此項技術之中華民國專利，並無侵害原告之專利權。

⒊又本件原告雖主張被告產品侵害其專利權。

然本件經兩造合意送請工業技術研究院進行鑑定，並經兩造到庭分別取樣「A」、「B1」樣品送請鑑定，鑑定結論為：「1.待鑑定對象A、B1不符合文義讀取，且不適用均等論，應判斷待鑑定對象A、B1未落入專利權範圍。」

足證被告之系爭產品並未侵害原告之專利權。

原告雖質疑鑑定機關之公正性，及該鑑定告顯有重大錯誤等為由，聲請重新鑑定。

惟原告所執理由多為片面臆測之詞，並非屬實；

鑑定機關工業技術研究院於本件中所為之鑑定並無重大錯誤，足可作為本案判決所採之證據：而工業技術研究院就系爭專利進行鑑定，因未落入申請專利範圍第1項之結果，即可同時認定未落入其他專利範圍，因附屬項之要件包括獨立項部分，是以落入第2至7項附屬項專利範圍之前提，係須同時落入該第1項之獨立項；

反言之，如未落入第1項獨立項之專利範圍，因已不符合附屬項中有關獨立項部分之要件，當然無法落入該等附屬項之專利範圍。

本件測試數據之結果未落入系爭專利範圍第1項獨立項，自可同時認定未落入其他第2至7項附屬項之專利範圍。

再分析圖譜僅係為測試數據之呈現方式，其圖譜採取線性座標或log座標並無影響。

況學術及產業界採用線性座標之方式，亦非少見。

⒋本件系爭專利之舉發案業經智慧財產局縝密審查後，作成「舉發成立，應撤銷專利權」之審定書結論，足認確有不予專利權之事由甚明。

而原告所提準備㈥書狀，其內容多所曲解違誤，茲分別駁斥並臚列理由如后：⑴系爭專利申請專利範圍第1項不具新穎性及進步性①引證一部分：原告以引證一所引用者乃剪力彈性模數、其公開日 期晚於系爭專利優先權日、引證一第1圖並未明白 揭示E’數值等，而主張審定書援引引證一認定系 爭專利申請專利範圍第1項欠缺新穎性自有違誤云 云，顯非有據。

蓋引證一之測試結果確為張力模數 ，引證一第E7.3.1 頁至第E7.3.2頁所顯示公式為 介紹：複模數 (complex modulus)與儲存模數（st orage modulus）及損失模數（loss modulus）間 的一般關係式。

引證一第E7.3.2頁中明確載明此論 文的動態機械分析 (DMA)測試的實驗程序確為使用 張力（tension）模式。

且由引證一作者提供其於 20 00年4月26～27日在MRS舉辦之Symposium E研討 會當時所公開發表之文件資料（參附件三、證據2- 5），其中第5頁明確顯示其DMA測試所使用之實驗 設備為張力（tension）模式之拉伸夾具（詳見證 據2-5之實驗設備圖）。

茲此再度證明，引證一測 試所得為張力儲存模數（tensile storage modulu s）及張力損失模數（tensile loss modulus）， 實無庸置疑。

原告企圖混淆事實，欲誤導引證一之 測試結果為剪力彈性模數，實不足取。

引證一之公開日「早於」系爭專利之優先日，自屬 系爭專利之先前技術。

查引證一係2000年4月公開 之『Dynamic Mechanical Analysis (DMA) of CMP PadMaterials』論文，並登載於MRS學會所印製之 「Chemical-Mechanical Polishing 2000-Fundame ntals andMaterials Issues, Volume 613」書刊 內（參附件三、證據2-1），而上揭「材料研究學 會報第613冊」係MRS學會將2000年4月26–27日在 美國加州舊金山市所舉辦學術研討會所發表之論述 所集結成冊者，此由該書刊內頁明確印有「MATERI ALS RESEARCHSOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS VO LUME 613」以及「Symposium held April 26–27, 2000, San Francisco,California, U.S.A.」字樣 當可證之，且與引證一首頁最上一行亦揭露有「Ma t. Res. Soc. Symp. Vol.613 c2000 MaterialsRe search Society」相互一致，故引證一已被證據2- 1證明為2000年4月26-27日於加州舊金山舉行會議 之內容，自不容原告任意曲解否認。

依系爭專利核准時之專利審查基準，有關「申請前 已見於刊物或已公開使用」之認定規定（參附件三 、證據14），所謂「刊物」者，係指廣義的刊物而 言，即以向不特定公眾公開發行為目的，而可經由 抄錄、影印或複製之文書、圖面及其他類似情報傳 達之媒體等。

例如：打字印刷文件、電腦資料庫、 電子媒體等。

文件之內容，可為期刊雜誌、研究報 告、學術論著、書籍、談話紀錄、課程內容、演講 文稿等。

刊物不限於國內刊物，發行地亦不限於國 內；

而所謂「已見於刊物」者，則指刊物已公開發 行達於不特定之多數人足以閱覽之狀態，並可依據 刊物所記載事項及「相當於有記載之事項」，「據 以判斷而得知發明之技術內容者」而言。

至於多數 人是否業已閱覽，是否已真正知悉發明之技術內容 ，則非所問。

承此，引證一既經MRS 於出版品內頁 及網站上均明確記載，係於2000年4月26-27日之學 術研討會中即已公開論述，則其文獻內容，不論係 以研究報告、學術論著、課程內容、或演講文稿等 之任一形式呈現，均已符合上揭「刊物」之要件。

又MRS於2000年4月26-27日在美國加州舊金山市所 舉行之會議，係一公開之學術研討會，任何人只要 繳了報名費皆可參加，並無限定資格或特定人始能 參加，是原告謂「該會議並非不特定多數人均得參 加」云云，實不知所據為何？自無足採，故引證一 自得做為系爭專利之相關先前技術，並具有證據能 力，昭彰甚明。

再查MRS於2000年4月26～27日舉辦Symposium E研 討會當時所印製論文之摘要內容（參附件三、證據 2-4第116頁E7.3），及由引證一作者提供其於2000 年4月26～27日在MRS舉辦之Symposium E研討會當 時所公開發表之文件資料（參附件三、證據2-5） ，二者互為一致；

且該研討會公開發表之文件資料 與引證一之技術內容完全相同，因此，證據2-4、 2-5當可佐證引證一之技術內容確實已在2000年4月 26～27日所舉辦之Symposium E研討會中公開發表 。

易言之，證據2-5第7頁及第9頁之圖示及說明， 分別與引證一第1圖及第2圖完全相同，此亦為被告 提出引證一證明系爭專利喪失新穎性之主要援引所 在。

綜上，引證一之技術內容確實已在2000年4月26～ 27日所舉辦之Symposium E研討會中公開發表，此 有材料研究學會MRS於學術性出版品之內頁明確載 明，並有Symposium E研討會當時所印製散發之論 文摘要內容及引證一作者公開發表之文件資料所揭 露。

足以證明引證一之公開日「早於」系爭專利之 優先權日。

且引證一及證據2-5之作者Irene Li亦 已證實證據2-5之技術內容確實於2000年4月26～27 日Symposium E研討會中公開發表，並且證據2-5發 表論述之內容與引證一揭露之技術特徵相互吻合， 此一事實，有作者Irene Li於台中地方法院所屬民 間公證人陳麗如之認證下親自簽署聲明書載明：「 IreneLi確為標題『Mechanistic Aspects of the Relationship Between CMP Consumables and Pol ishing Characteristics』文件（即證據2-5）之 作者，該文件確係公開發表於2000年4月26～27日 在美國加州舊金山市由Materials Research Socie ty所舉辦2000 MRS Spring Meeting之Sympos ium E『Fundamentals and Materials Issues in Chem ical-Mechanical Polishing of Materials』學術 研討會；

其詳細論述內容即為『Dynamic Mechanic al Analysis (DMA) of CMP Pad Materials』論文 （即引證一）所載，二文件所揭露之技術特徵是相 互吻合」。

是引證一自得做為系爭專利之相關先前 技術。

引證一之圖已揭露IC1000拋光墊E' (30℃)/E'(90 ℃)之比值落在系爭專利請求項第1項之範圍內。

引 證一之第1、2圖並非一般之結構示意圖，其係依照 實驗數據所繪製之關係圖，且橫軸縱軸各具刻度單 位，本具有相當的客觀性與正確性。

雖其縱軸為lo g座標，然而其刻度亦有其比例之關係，自為熟悉 該項技術者均得據此取得其所對應之數據；

關此， 亦分別經智慧財產局之審查委員及學者專家，即呂 茂昌、董必正、李聖賢等3位內外部審查委員所肯 認，實無庸置疑。

依據系爭專利核准時之專利審查 基準第二章第三節中新穎性判斷之基本原則：「作 為新穎性判斷對象之發明，為申請專利範圍之『請 求項所載發明』」，系爭專利請求項第1項所載之 在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比，引證一已揭露 在30℃到90℃的E'比為2.85及2.51之研磨墊，落在 系爭專利請求項第1項之範圍內 (1–3.6)，亦即引 證一揭露了系爭專利請求項第1項之下位概念，使 系爭專利請求項第1項喪失新穎性。

②引證二部分：引證二之技術手段可輕易應用在系爭專利之技術手 段上，自可證明系爭專利即不具專利新穎性要件。

查系爭專利國際分類為B24B37/04，B24B7/24，H01 L21/304，系爭專利歐洲對應案之國際分類為B24B3 7/04，B24B37/0412，B24D3/28，B24D13/14，專利 標的為「一種用來平面化一半導體元件或其先質表 面之拋光襯墊」；

而引證二國際分類為B05D1/38， B24D3/00，專利標的為一種研磨物件。

核諸系爭專 利歐洲對應案之國際分類B24D3/28與引證二國際分 類B24D3/00皆是磨料體或研磨板之物理特徵，且系 爭專利之拋光襯墊亦係屬一種研磨物件，兩者均屬 研磨物件之領域，自屬同一技術領域，故以引證二 證明系爭專利申請專利範圍第1項不具新穎性，自 非無據。

再者，證據16、17、18（參附件三所附證 據）皆可用以佐證引證二確與系爭專利為同一技術 領域，亦即，證據16、17、18係針對「磨削成份具 有相當高之模數之研磨工具並不適用於半導體晶圓 之拋光墊」之論述提出反駁，乃就技術可行性事實 認定之佐證，自足以支持引證二與系爭專利為同一 技術領域。

從而，原告未以實質技術特徵加以比對 判斷，即率以推論兩者並非同一技術領域、技術特 徵完全不同云云，顯非的論，不足採信。

引證二所揭露之研磨工具比較例B之DMA結果 (第43 欄之第13表與第7圖)E'(30 ℃)/E' (90℃)之比值 落在系爭專利請求項第1項之範圍內。

按判斷專利 舉發理由是否成立，自應適用被舉發案核准審定時 之專利相關法規作為依據，而非適用現行專利相關 法規。

原告援引現行專利審查基準據以為抗辯，其 法規適用自有違誤，當無足採。

引證二之第7圖並 非一般之結構示意圖，其係依照實驗數據所繪製之 關係圖，且橫軸縱軸各具刻度單位，本具有相當的 客觀性與正確性。

雖其縱軸為log座標，然而其刻 度亦有其比例之關係，自為熟悉該項技術者均得據 此取得其所對應之數據，且其第43欄之第13表亦揭 示有相對應之數據，熟悉該項技術者均得以內差法 推算出其所對應之數據，故原告主張自無理由。

再 由引證二所揭露之研磨工具比較例B之DMA結果（第 43欄之第13表與第7圖）可知，其拋光層之E'(30℃ )= 7579 MPa，而E'(90℃)= 5779 MPa。

因此E'(30 ℃)/E'(90 ℃)之比值為1.31，剛好落在系爭專利 請求項第1項之範圍內 (1–3.6)，亦即引證二揭露 了系爭專利請求項第1項之下位概念，使系爭專利 請求項第1項喪失新穎性。

③引證三部分：引證三揭露系爭專利申請專利範圍第1項之技術特 徵與範圍。

引證三之申請專利範圍第14項之專利標 的為一種研磨物件，而系爭專利之拋光襯墊亦係屬 一種研磨物件，兩者均屬研磨物件之技術領域。

又 查，引證三之美國專利分類為51/298，則檢索美國 專利商標局（USPTO）專利查詢資料庫，以「美國 專利分類為51/298與專利人為Rodel」為條件查詢 ，共查得22件專利。

其中，大部分為原告所擁有適 用於拋光半導體晶圓表面的化學機械研磨拋光墊之 相關技術（參附件三、證物19），由此足證引證三 確屬系爭專利之相關先前技術，至屬明確。

且引證 三所揭露拋光墊之模數最大不及3.5GPa（見引證三 之圖1及圖3），遠小於具有數百GPa模數之晶圓及 表面材料（參附件三、證物15－證據18），因此引 證三適用於半導體晶圓的表面化學機械研磨，至為 灼然。

引證三之三個實施例均已揭露E'(30℃)/ E'(90℃) 之比值落在系爭專利請求項第1項之範圍內。

同前 所述，系爭專利審查時之專利審查基準中，並無如 同「現行」專利審查基準第2-3-5頁「圖式說明」 之相關規定，是原告援引現行專利審查基準據以為 抗辯，其法規適用顯有違誤，自無足採。

再者，引 證三之第1、3圖並非一般之結構示意圖，其係依照 實驗數據所繪製之關係圖，且橫軸縱軸各具刻度單 位，本具有相當的客觀性與正確性，自為熟悉該項 技術者均得據此取得其所對應之數據，故原告主張 俱無理由。

在引證三之第1圖上，顯示實施例2之E' (30℃)= 2500 MPa，而E' (90℃)= 925 MPa。

因此 E' (30℃)/ E'(90℃)之比值為2.70。

在引證三第3 圖中顯示使用甲苯 (Tol)為溶劑所製造之實施例3 ，其E' (30℃)= 2800 MPa，而E' (90℃)= 975 MP a。

因此E' (30℃)/E'(90 ℃)之比值為2.87。

而在 第3圖中使用甲基異丁基酮 (MIBK)為溶劑所製造之 實施例3，其E' (30℃)= 3100 MPa，而E' (90℃)= 1225 MPa。

因此E' (30℃)/ E'(90℃)之比值為2.5 3。

上述之三種實施例之E' (30℃)/ E'(90℃)之比 值皆落在被舉發案請求項之第1項之範圍中 (1–3. 6)，亦即引證三揭露了被舉發案請求項第1項之下 位概念。

此引證三之摘要已經明白指出其所提供之 技術內容可以應用在製造研磨工具上，而依引證三 所述之研磨工具又屬於被舉發案請求項第1項之「 拋光襯墊」。

因此，使被舉發案請求項第1項喪失 新穎性。

④證據二十部分：系爭專利申請專利範圍第1項所載內容已為證據二 十所揭露，自不具新穎性。

查證據二十揭露了拋光 墊材料在30℃與90℃間的剪應力模數 (shear modu lus)變化與溫度之關係，並已揭露30℃與90℃的剪 應力模數之比例。

剪應力模數與張力模數(tensile modulus)的換算式如下 (請參考Introduction to Polymer Viscoelasticity, J. J. Aklonis,W. J. MacKnight, John Wiley and Sons, 1983, Second Edition, pp. 7-9；

證據20-1)： E = 2G (1+μ) E: Tensile Modulus G: Shear Modulus μ: Poisson’s Ratio 從上式可得張力模數在30℃與90℃的比例與剪應力 模數在30℃與90℃的比例相等。

在證據二十之第60 3頁「3.3 The temperature effect」第8–11行及 第604頁第4圖中清楚載明剪應力模數 (shear modu lus)與溫度之關係，由以上可得IC1000拋光墊在30 ℃與90℃的張力模數比例為3，另SUBA IV拋光墊在 30℃與90℃的張力模數比例為1.5。

茲查，證據二 十所揭露雖為溼潤的條件下所得的測試，但系爭專 利說明書第22頁列表中揭示拋光襯墊在溼潤與乾燥 的狀態下所測得的模數比接近，甚至更小。

依據系 爭專利核准時之專利審查基準第二章第三節中新穎 性判斷之基本原則：「作為新穎性判斷對象之發明 ，為申請專利範圍之『請求項所載發明』」，系爭 專利請求項第1項所載之在30℃到90℃時約為1到3. 6的E’比，而證據二十已揭露在30℃到90℃的張力 模數比例為3及1.5之拋光墊，落在系爭專利請求項 第1項之範圍內 (1–3.6)，故證據20揭露了系爭專 利請求項第1項之下位概念，使系爭專利請求項第1項喪失新穎性。

引證二十之第4圖已揭露E' (30℃)/ E'(90℃)之比 值落在系爭專利請求項第1項之範圍內。

引證二十 之第4圖並非一般之結構示意圖，其係依照實驗數 據所繪製之關係圖，且橫軸縱軸各具刻度單位，本 具有相當的客觀性與正確性，熟悉該項技術者均得 據此取得其所對應之數據，故原告主張顯無理由。

⑤證據二十一部分：證據二十一足資證明系爭專利申請專利範圍第1項不具新穎性。

查證據二十一第6頁第28–30行雖揭示在30℃時之張力模數與60℃時之張力模數比例在1到2.5之間，然而，系爭專利申請專利範圍第1項所載之具有一在30℃到90℃時約為1到3.6E'比，僅是襯墊在規格上之敘述，其規格越嚴格，襯墊之品質越佳；

又縱使證據二十一之水溫度在30℃到90℃，對熟習該項技術者依申請前之先前技術證據二十一之教示，當能輕易將60℃直接置換為90℃，故證據二十一揭露系爭專利請求項第1項之下位概念，使系爭專利請求項第1項喪失新穎性。

⑵系爭專利申請專利範圍第8項①查引證九於其第1頁最後一段至第2頁最後一段揭示CMP用來平坦化具有金屬鑲嵌結構之晶圓的表面。

在實施CMP時，研漿 (slurry，亦即系爭專利之拋光流體)是塗抹在研磨墊上，然後晶圓在研磨墊上移動以去除晶圓表面之材料。

因此在引證九中，晶圓與研磨墊之間的確有形成一界面，研漿也是在晶圓與研磨墊之間流動，晶圓在研磨墊上移動，也就是晶圓與研磨墊之間有了相對運動。

②再者，系爭專利請求項第8項之技術內容係由拋光墊的特性以及化學機械研磨方法所組成，比較系爭專利請求項第8項所定義之拋光襯墊之拋光層的特徵與系爭專利請求項之第1-4項，可發現請求項第8項有關硬度與KEL之值與請求項第2、4項是一樣的，而請求項第8項有關E' (30℃)/ E'(90℃)之比值與張力模數之範圍則較大。

在請求項第8項中，E'(30℃)/ E'(90℃) 約為1－5，且在40℃時之張力模數約為100到2,000MPa。

而在請求項第1項中E' (30℃)/ E'(90℃)約為1到3.6，而請求項第3項之張力模數約為150到2,000MPa。

因此系爭專利請求項第1-4項缺乏專利性之理由，自可應用在請求項第8項上，故，引證一、引證四與引證九（習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法）之組合，足資證明系爭專利請求項第8項不具進步性。

③又查，證據二十一第6頁第28–30行揭示拋光層具有一為25到85 Shore D之硬度，係包含第8項之範圍內（40～70Shore D），因此第8項所載之內容係為IC1000（引證一與證據二十二之結合）、證據二十一、引證九（習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法）所揭露，故引證一與證據二十二、證據二十一、引證九（習知之金屬鑲嵌結構的拋光方法）之組合亦足資證明系爭專利請求項第8項不具進步性。

④由於引證一所揭示之IC1000拋光墊即為證據二十二之IC1000拋光墊，且證據二十二記載IC1000拋光墊的硬度為57 Shore D，故證據二十二及引證九之組合亦足資證明系爭專利請求項第8項不具進步性。

⑤綜上，系爭專利有關拋光墊之技術內容已如前述證據結合所揭露，使系爭專利請求項第8項不具有進步性。

詎原告就實質內容無法反駁下企圖誤導事實，竟將引證一所揭示之IC1000拋光墊解釋為僅能限定用於拋光氧化層之用，卻不察證據二十三第一頁之「摘要」及「介紹」中已明確揭示IC1000拋光墊用於拋光銅金屬鑲嵌結構之技術，完全符合系爭專利請求項第8項前言部分限定的技術特徵。

原告自為「斷章取義」之論述，其所辯明顯謬誤，委無足採。

⒌被告製造、販賣產品編號：IVT-1002/775B產品之金額，其中94年度之數量為1,055片、金額共34,297,200元；

95年度之金額共21,375,600元；

96年度之金額共5,43 7,200元。

⒍聲明：⑴原告之訴及假執行之聲請均駁回。

⑵如受不利之判決，願供擔保免為假執行。

二、下列事實為兩造所不爭執，並有發明第176078號專利證書為證，自堪信為真實，本院採為判決之基礎。

㈠原告為發明第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊」之專利權人，專利期間為自92年4月21日起至110年5月24日止。

該專利之申請日期為90年5月25日。

㈡被告製造、販賣產品編號：IVT-1002/775B產品之金額如下：94年度之數量為1,055片、金額共34,297,200元；

95年度之金額共21,375,600元；

96年度之金額共5,437,200元。

三、本件訴訟之爭點：㈠原告主張被告製造、販賣之產品編號：IVT-1002/775B產品侵害原告所有發明第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊」專利權，是否有理由？㈡被告抗辯原告系爭專利權有不予專利之事由，是否有理由？㈢如第1項原告之主張為有理由，其得請求被告賠償之金額為若干？

四、得心證之理由：㈠原告主張其為發明第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊」之專利權人，專利期間為自92年4月21日起至110年5月24日止。

而被告公司有製造本件系爭編號「IVT-1002/775B」之半導體工業用化學機械平面化之拋光襯墊產品，並販賣予訴外人力晶公司等事實，業據原告提出發明第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊」專利證書、專利公報等為證，且為兩造所不爭執，堪信原告主張被告公司有製造、販賣原告所指系爭編號「IVT-1002/775B」產品之事實，為屬真實。

茲本件被告既不否認有製造、販賣系爭原告所指編號「IVT-1002/775B」產品之事實，是首應審究系爭產品是否有侵害原告之專利權。

㈡按物品專利權人，除本法另有規定外，專有排除他人未經其同意而製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口該物品之權。

發明專利權受侵害時，專利權人得請求賠償損害，並得請求排除其侵害，有侵害之虞者，得請求防止之。

專利法第56條第1項、第84條第1項固分別定有明文。

惟不論專利權人主張依專利法第56條第1項排除專利侵害行為或依同法第84條第1項主張損害賠償，均須就被控侵害其專利權之人，有實施其專利權行為之利己事實，負舉證之責任。

㈢本件系爭編號「IVT-1002/775B」之產品經送鑑定結果，認未落入系爭專利權範圍，且本院認該鑑定之結果為屬可採。

⒈本件原告主張為侵權物品之系爭編號「IVT-1002/775B」之產品，經兩造合意選任工業技術研究院為鑑定人，而由本院囑託工業技術研究院鑑定，經該院依經濟部智慧財產局93 年10月5日函送司法院之「專利侵害鑑定要點」所訂之流程實施鑑定，經解析後認原告所有發明第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊」專利權之申請專利範圍共10項請求項，其中包括2項獨立項（第1項、第8項）與8項附屬項（第2-7 項、第9-10項），由於附屬項係分別依附於第1項、第8項獨立項，因此可知獨立項較附屬項之保護範圍大，故僅需以系爭專利第1項或第8項獨立項進行專利侵害鑑定分析，即可獲知待鑑定物品是否落入系爭專利案之專利權範圍。

且因第1項獨立項保護對象為「物」，第8項獨立項保護對象為「方法」，本件交付鑑定物為「物」，因此僅需以第1項獨立項為專利侵害鑑定依據。

⒉系爭發明第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊」第1項之申請專利範圍為「1.一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，該襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比。」

經鑑定機關解析其技術特徵如下：前言部分：1.一種用來平面化一半導體元件或其先質表面特微部分：一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一在 30℃到90℃時約為1到3.6的E'比。

⒊系爭編號「IVT-1002/775B」之產品經鑑定機關依兩造合意之鑑定條件：升溫速率為2℃/min，頻率為1.6Hz，其餘則由鑑定機關依公認之測試標準實施鑑定（見本院96年7月11日訊問筆錄），以動態機械分析儀（DMA）進行檢測，經檢測後所得待鑑定物品之技術特徵為：「1.一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，該襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，該待鑑定對象Ａ、Ｂ１在30℃時及90℃時之約為4.3到5.6（Ａ１＝4.3、Ａ２＝5.2、Ａ３＝5.1、Ｂ１-１＝5.6、Ｂ１-２＝5.0、Ｂ１-３＝4.6）的E'（儲存模數）比。

⒋經鑑定機關以文義讀取分析比對系爭專利之技術特徵與待鑑定物品之技術特徵可知，申請專利範圍之技術特徵與待鑑定對象之技術內容之差異在「待鑑定對象Ａ、Ｂ１在30℃時及90℃時之E'比未落入1到3.6」，因此可判斷待鑑定對象之技術內容不符合系爭專利案之申請專利範圍第1項獨立項之「文義讀取」之注意事項所述，經比對鑑定對象，認不符合文義讀取。

且認無均等論之適用，而判斷待鑑定對象未落入系爭專利權範圍內，有工業技術研究院97年5 月2日工研轉字第0970004908號函檢送之專利侵害鑑定報告書在卷可稽。

而按，就申請專利範圍與專利侵害之認定，係基於「全要件原則」（all-elements rule/all-limi tations rule），判斷待鑑物品是否符合「文義讀取」，若待鑑定對象不符合「文義讀取」，應再比對待鑑定對象是否適用「均等論」，若待鑑定對象不適用「均等論」，則應判斷待鑑定對象未落入專利權範圍。

本院按上開鑑定報告其鑑定之程序、原則，係依前開所述認定直接侵害之步驟，分別以「全件原則」、「均等論」而為先後判定不符合文義讀取，且認為不適用均等論，其鑑定之流程並無不妥之處，並核與智慧財產局之判斷專利侵害之流程相符，自堪採信。

⒌原告雖對該鑑定結果有如前揭原告之主張第⒋項所載之諸多質疑。

惟經本院將原告有疑義部分，再請鑑定機關工業技術研究院予以補充鑑定或查明，經該院於97年9月8日以工研轉字第0970010754號函補充說明該機關係以兩造合意之鑑定條件：升溫速率為2℃/min，頻率為1.6Hz，分別就待鑑定對象Ａ、Ｂ１以動態機械分析儀（DMA）進行檢測所得之檢測數據，至於數據的差異性與材料的配方、成型及取樣位置等皆有影響。

且其檢測樣品並未經泡水處理，而樣品Ａ１因係作為設定測試環境之用途，故與其他樣品不同等情，有該院函在卷可查，應已說明相關測試數據差異之原因。

另原告雖爭執待鑑物品之尺寸影響測試之結果，惟查動態機械分析儀（DMA）進行檢測時，須輸入待測物品之尺寸做為操作之參數，即DMA分析時對待測物品之尺寸參數做應力及應變分析時，已將實測樣品之尺寸參數（包括其對應面積、厚度等）考量在所得數據中。

且尺寸若對實測數據有影響，應影響E'之絕對值，而相對值（即30℃及90℃的E'比值）應無影響。

再系爭待鑑定物品之測試結果雖有數個內部阻尼峰；

然查非線性聚氨酯係由多成分單體所組成，並非規則之重覆單元所組成，因此上開鑑定測試之內部阻尼圖譜具有多個內部阻尼峰尚屬合理現象。

且DMA測試數據的差異性與材料之配方、成型及取樣位置等皆有影響，儲存模數之高低亦取決於聚合物之組成分比例、排列結構等。

又聚氨酯主要結構係由polyol（二元醇）＋TDI（二異氫酸）聚合而成，但一般熱硬化應會隨硬化溫度與時間而產生不同的轉化率，要達到100%轉化率（反應率）幾乎是不可能且耗費時間，且PU結構內的不同官能基團（-OH、-NCO、-NHCOO-等）亦很可能在不同溫度產生交鏈或重組聚合，亦並非所有反應基團都會100%在第一次硬化（產品成型時）時完全反應，故在高溫區產生聚合使E'提升亦非為不合理。

是上開鑑定測試結果，應與待測物品質本身有較大之關係，而無積極證據可證是因實驗儀器之誤差所致。

另原告關於待鑑定物品尺寸之質疑。

查工業技術研究院測試樣本之尺寸雖與Perkin Elmer公司之DM A使用指南內建議之尺寸不同，然Perkin Elmer公司之DMA 使用指南內建議之尺寸僅是一個建議之參考值，操作者自可依其操作材料、操作條件而選擇最適之尺寸。

且DMA（動態機械分析儀）測試時須輸入待測物之尺寸做為操作之參數，即DMA分析時對待測樣品之尺寸參數做應力及應變分析時已將實測樣品之尺寸參數 (包括其對應面積、厚度等)考量在所得數據中，已如前述；

是尚難據之證明工業技術研究院之測試過程有何謬誤。

又DMA夾具之跨度乃係一可調整長度之構造，操作者可依其實際參數設計及需要調整跨度。

原告以該使用指南上長度之建議值誤認為夾具跨度之限制，自容有誤解。

準此，原告對工業技術研究院測試數據之質疑，顯無法證明該數據有誤為真，是其抗辯，自非可採。

⒍本件原告所指系爭被告所製造、販賣之編號「IVT-1002/775B」產品，經兩造合意送工業技術研究院鑑定結果，既不符合文義讀取，且不適用均等論，而判斷系爭編號「IVT-1002/775B」之產品未落入原告專利範圍；

且原告關於鑑定報告之質疑，亦無從證明相關測試數據確有繆誤之處，自應認鑑定之結果為屬可採，是原告主張被告有侵害其專利權等情，其舉證即有未足，而難以採信。

㈣綜上所述，本件原告既未能證明被告所製造、販賣系爭編號「IVT-1002/775B」之產品，確有侵害原告所有發明第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊」專利權之事實，是原告以被告有侵害其專利為由，請求被告⑴被告不得使用中華民國發明第176078號（公告編號：528646號）「化學機械平面化之拋光襯墊」專利，並應停止自行或委由他人設計、製造、販賣、為販賣之要約、使用、陳列編號為「IVT-1002/775B」之拋光襯墊產品，亦不得為任何其他侵害中華民國發明第176078號專利之行為。

⑵給付原告2,000,000元，及自95年4月11日起至清償日止按年息5%計算之利息等，即均無理由，應予駁回。

又原告之訴既經駁回，其假執行之聲請即失所附麗，應併予駁回。

五、本件就爭點㈠、㈢之判斷，已足認定原告之請求不應准許，則兩造有關爭點㈡之主張及所舉證據，即原告所有系爭專利是否確有不予給予專利之事由，縱經審酌，亦與判決之結果不生影響，自無再予論述之必要，附此敘明。

六、據上結論，本件原告之訴為無理由，依民事訴訟法第78條，判決如主文。

中 華 民 國 98 年 3 月 31 日
民事第三庭 法 官 林源森
以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀（須附繕本）。
中 華 民 國 98 年 3 月 31 日
書記官 黃士益