最高行政法院行政-TPAA,88,判,3507,19990923

行 政 法 院 判 決 八十八年度判字第三五○七號
原 告 台灣積體電路製造股份有限公司
代 表 人 甲○○
訴訟代理人 林鎰珠 律師
被 告 經濟部智慧財產局（原經濟部中央標準局）

右當事人間因發明專利申請事件，原告不服行政院中華民國八十七年九月四日台八十
七訴字第四三五八三號再訴願決定，提起行政訴訟。
本院判決如左︰

主 文
原告之訴駁回。

事 實
緣原告於民國八十四年三月一日以其「具有一用於熔絲之開口的改良式積體電路」係形成一保護層，覆蓋於熔絲上之絕緣層內之開口。
當未以雷射修整干擾熔絲時，保護層可以防止污染物進入在熔絲開口內之外露之絕緣層。
開口穿過覆於熔絲上之層被製造，形成垂直側壁，露出絕緣層之部分。
保護層被形成於絕緣層、開口側壁及熔絲之上，以防止污染物擴散進入外露之絕緣層。
第二開口被製造於覆蓋熔絲之保護層中，以使得雷射光束可以熔解於其下方之熔斷連接等情，向被告申請發明專利。
案經被告編為第00000000號審查，再審查，不予專利，發給八十六年九月二十六日（八六）台專（伍）○四○四五字第一三七九二二號專利再審查審定書。
原告不服，提起訴願、再訴願，遞遭決定駁回，遂提起行政訴訟。
茲摘敍兩造訴辯意旨於次：原告起訴意旨略謂︰一、按專利法第一條規定：「為鼓勵、保護、利用發明與創作，以促進產業發展，特制定本法。」
是以，專利制度之建立除可籍由適當之保護而鼓勵發明人將其發明之技術公諸於世，而使世人可迅速知曉創新之技術，更可籍此而使科技之研發集中在改進已知之最新技術上，使人類科技進步不斷累積。
故任何一項發明之價值即在於其能夠在現有技術之基礎上，進一步解決現有技術之問題。
本案「具有一用於熔絲之開口的改良式積體電路」即是原告共於美國專利第0000000號案之現有積體電路可熔斷連接結構仍存有會遭水氣及污染物擴散之問題，經悉心研究而完成之發明，其成功完成一種可有效防護水氣及污染浸入熔絲之開口的改良式積體電路，且其整體之結構設計及所達成之功效均與習知者不同，應符合專利法規定之產業上利用性、新穎性及進步性丟專利要件無誤。
未料被告不查，竟在缺乏實質技術理由之根據下擴張解釋美國專利案（以下簡稱引證案）所涵蓋之技術範圍，卻又將本案發明之技術範圍限定在保護層部分，而非整體地考量本案所請求之結構設計，致率予否定本案之可專利性，其認事用法殊有違誤，侵害原告權利至鉅。
二、查被告據以核駁本案之理由主要為（一）在目的及功效方面，引證案之目的及功效與本案相同（二）在構造方面，本案主要特徵部分之保護層與引證案相同（三）引證案之防止水氣或汙染物侵襲之效果較本案優異（四）本案之設計較為繁瑣，因此不具進步性。
惟對於被告所持各項不具進步性之理由，實為對本案技術未能深入查證之偏差之詞。
首先就目的及功效而論，引證案主要目的顯然在於防止熔絲殘渣造成短路之問題，並未對防止水氣及汙染作深入探討，但被告僅憑引證案摘要之一句話而認為該引證案所揭示之保護層有防止水氣及汙染之效果。
是以，原處分認為引證案之目的及功效與本案相同，顯係自行擴充引證案之技術範圍所致，當非公允，有再行斟酌之必要。
次就構造而言，被告認本案之主要特徵部分之保護層與引證案相同，顯僅考慮本案之保護薄膜之局部特微與習知技術之差異，而不對本案之整體設計構造加以考量，確有若干偏頗。
本案申請專利範圍並非單純申請該保護薄膜本身，而是包括其前後相關之整個製程或結構，當應將相關部分列入考慮在內。
因此，被告於原處分中僅進行引證案保護層與本案保護層之比較，而忽略其他部分，顯然並不合理。
至被告於原處分理由書中稱引證案之防止水氣或汙染物侵襲之效果較本案優異之說詞，係對本案內容有所誤解。
本案申請之特徵並未包含被告據以認定本案防止水氣或汙染物侵襲效果之效果較引證案為劣之當本案第二絕緣層之t1﹦0 的情況，故就本案防護水氣之目的而言，共無劣於引證案之情事。
又在製程方面，實質上並未較引證案複雜，因本案所揭露之製程較為完整，而引證案僅為局部揭露，兩案實際製程步驟數目相同，且本案實較引證案具進步性。
三、次按本案之結構既與引證案之熔絲開口之保護層結構不同，並更具有防護水氣及汙染之優點，且亦未有人思及運用護層結構作為熔絲開口之形成期間而供作為保護其他金屬線或金屬層之用，因此本案之設計絕非如此容易地結合習知之護層結構及引證案之熔絲開口之保護層結構即可完成，故原決定機關及再決定機關所指稱之論點實過於主觀。
四、本案因被告一再誤認引證案之功效並主觀侷限本案之局部特微以為判斷專利性之標準，顯見被告對本案內容及相關技術尚未能完全瞭解所致；
為求確實闡明本案之真義，請就本案開庭進行言詞辯論，俾以釐清被告誤解並確保原告權益。
五、綜上所述，本案之形成熔絲開口之整體結構確為符合進步性之規定，且已符合專利要件，被告所為核駁處分明顯違法。
請鈞院詳加查核，早日撤銷違法之再決定、原決定及原處分，令被告重為應予專利之審定，俾符法制等語。
被告答辯意旨略謂︰一、本案「具有一用於熔絲之開口的改良式積體電路」，係形成一保護層，覆蓋於熔絲上之絕緣層內之開口。
查引證之美國專利第0000000號專利案，該案之保護介電層除避免熔絲燒斷後之殘渣造成短路外，亦能保護積體電路免於水氣或汙染物由開口側壁擴散進入，與本案為避免汙染物進入開口之側壁而沈積一保護層，覆蓋整體上層及開口側壁之構造相同。
而本案不僅技術繁瑣，且熔絲直接面對大氣，而且引證案用保護介電層覆蓋熔絲，不用再蝕刻開口，更能保護元件免於接觸水氣及汙染物。
故按專利法第二十條第二項之規定，本案係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，可由引證案推導而得，不具進步性。
二、本案積體電路在完成最後一道金屬線之製程後，再沈積氧化矽及氮化矽於最後一層金屬線之上，以防止水氣與汙染物，係運用申請前既有之技術、知識，而為熟習該項技術者能輕易完成，不具進步性，且本案之製造方法與流程與引證案亦相同。
從上述知，本案係運用申請前既有之技術、知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故應不予專利。
是以，被告所為本案應不予專利之審定並無違法，敬請駁回原告之訴等語。

理 由
按稱發明者，謂利用自然法則之技術思想之高度創作，為專利法第十九條所明定。
又同法第二十條第二項復規定，發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無同條第一項所列情事，仍不得申請取得發明專利。
本件原告以其「具有一用於熔絲之開口的改良式積體電路」（下稱本案）申請發明專利，經被告審查、再審查，以本案之關鍵在於保護薄膜(50)之沈積，以避免水氣或離子污染物滲入開口側壁，且該保護膜之材質為氮化矽。
本案在技術思想上並無創新之處，蓋利用氮化矽作為積體電路之保護層早已行之有年，為任何半導體製造領域之人士所熟悉之標準方法。
此外，本案在兩次窗口形成之蝕刻步驟中，容易因蝕刻速率之不易精確控制，導致熔絲上方遺留之絕緣體太薄或太厚，兩者皆對應用有不利影響，因此降低了產業利用之可行性；
復以美國第五、○二五、三○○號專利案（以下稱引證案）的保護介電層除避免熔絲燒斷後之殘渣造成短路外，亦能保護積體電路免於水氣或污染物由開口側壁層擴散進入，與本案為避免污染物進入開口之側壁而沈積一保護層，覆蓋整體上層及開口側壁之構造相同。
所稱本案在保護層上更形成一開口云云，以引證案並無第二絕緣層，其保護層自不需再蝕刻一開口；
本案保護層蝕刻一開口，不僅技術繁瑣，且熔絲直接面對大氣，引證案用保護介電層覆蓋熔絲，不用再蝕刻開口，更能保護元件免於接觸水氣或污染物。
本案可由引證案推導而得，不具進步性，依專利法第二十條第二項規定，應不予專利。
原告不服，循序提起行政訴訟，其主張略謂：本案之形成熔絲開口的整體結構確為符合進步性之規定，實非習知護層結構與引證案之熔絲開口保護層之相加所能比擬，且本案申請專利範圍所界定的特徵均已符合專利要件無誤，被告核駁本案之處分明顯違法云云。
惟查本案於一再訴願階段，曾經經濟部先後函請財團法人工業技術研究院電子工業研究所審查，據該所審查意見略謂：「．．．然就熟悉此技藝人士而言於熔絲開口的護層方面，由引證案所提出的熔絲開口的保護層結構而言，本案實屬可輕易完成之結構。
而積體電路的護層方面，在完成最後一層金屬線之製程後，再沈積氧化矽以及氮化矽於最後一層金屬線之上，以防護水氣與污染，此為積體電路製程上的習知技術，早已行之多年。
故本案只是結合習知的護層結構（即訴願書上第七頁最後一行之PASSIVATION LAYER ）以及引證案所提的熔絲開口的保護層結構，因此本案之特徵已見諸於引證案中，不具進步性。
本案在積體電路的護層結構與技術屬習知技術，而熔絲開口的護層結構與技術屬引證案之專利範圍，難謂合乎發明專利要件。」
「再訴願理由書所稱之優點，其實是半導體製程技術領域的習知護層（Passivation Layer ）結構本身便具備的作用，非本案創新的進步。
至於對熔絲開口的保護作用方面，本案與引證案比對技術，無論就目的、結構各方面，均不具進步性．．．到底本案是未有人思及的創見，還是熟悉習知半導體製程技術與護層結構者，由引證案便可輕易完成本案之構造，可從目的、功效、整體構造、製造方法，各方面一一檢視與比對：（一）就保護的目的與功效而言：本案比較習知的護層技術與引證案，並無任何創新或更優越的保護功效，從原處分機關的審查到訴願審查，已一再提過。
（二）就整體構造而言，本案熔絲開口的構造，引證案中已有揭示，在熔絲開口以外的區域，與習知護層技術最後構造，完全相同。
（三）再就製造方法來看，本案所述的製造方法與流程步驟，皆是半導體製程技術領域熟知的製造方法，流程步驟若單與引證案相比，或單獨與習知的護層結構製程相比，當然不會完全相同，但熟悉半導體製程技術者，只要由習知的護層技術與引證案，即可輕易完成本案，詳述如下：（１）本案最上層金屬層(45)以前的製造方法與流程，與習知技術完全相同。
（２）本案接著形成的護層(46)，與習知的護層技術完全相同，即是在最後的金屬層上覆蓋如氧化矽之護層。
（３）本案接下來的熔絲開口(48)的步驟，與引證案熔絲開口的步驟相同，如引證案中的Fig2所示。
（４）本案再沈積保護膜(50)的步驟，與引證案沈積護層(30)相同。
（５）本案最後形成第二開口(54)的步驟，即利用習知護層技術的最後一步驟護層開口（Passivation Opening ）便可完成。
綜上所述，本案實無進步性、與創新已甚為明確．．．」等情，此有該所八十七年一月二十一日（八七）工研電審字第○○二一號及八十七年六月五日（八七）工研電審字第○二六二號各函所附審查意見書，答辯意見書附訴願卷可稽。
核其審查及答辯之意見與被告及一再訴願決定機關之認定並無二致，而該所為我國電子工業之研究機構，對於電子工業之理論及實務均具權威性，所為之審查意見具有鑑定性質，自屬客觀可信。
從而，被告為本案不予專利之審定及一再訴願決定遞予維持，俱無違誤。
原告起訴意旨，仍執前開主張資為爭執，難謂有理由，應予駁回。
又本件事證已臻明確，原告請求行言詞辯論核無必要，併予敍明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第二十六條後段，判決如主文。
中 華 民 國 八十八 年 九 月 二十三 日
行 政 法 院 第 五 庭
審 判 長 評 事 廖 政 雄
評 事 趙 永 康
評 事 沈 水 元
評 事 林 清 祥
評 事 姜 仁 脩
右 正 本 證 明 與 原 本 無 異
法院書記官 陳 佩 玲
中 華 民 國 八十八 年 九 月 二十七 日